JPS6255133A - Conductive composite body - Google Patents

Conductive composite body

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JPS6255133A
JPS6255133A JP60194689A JP19468985A JPS6255133A JP S6255133 A JPS6255133 A JP S6255133A JP 60194689 A JP60194689 A JP 60194689A JP 19468985 A JP19468985 A JP 19468985A JP S6255133 A JPS6255133 A JP S6255133A
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JP
Japan
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polymer
substrate
base material
conductive composite
vinylene sulfide
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英一 小林
豊史 大橋
宮林 光孝
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の背景 本発明は、透明性ないしは着色性と導電性の・々ランス
にすぐれた導電性複合体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Background of the Invention The present invention relates to an electrically conductive composite that exhibits an excellent balance between transparency or colorability and electrical conductivity.

近年、電気、電子関連の機器の発展と共にプラスチック
の持つ成形性、強度等の特性に加え、導電性の付与され
た材料に対する開発の要望が強い。
In recent years, with the development of electrical and electronic equipment, there has been a strong demand for the development of materials that have conductivity, in addition to the properties of plastics such as moldability and strength.

これに応えるものとして、プラスチックにカーゼンブラ
ック、金属繊維、グラファイトなどを混練することによ
シ導電性を付与したプラスチック材料が実用化されつつ
ある。
In response to this demand, plastic materials are being put into practical use in which electrical conductivity is imparted by kneading carzen black, metal fibers, graphite, etc. into plastic.

しかし、これらは、真黒に着色したものであったりして
透明性を必要とする用途あるいは黒色以外に着色する用
途には適用できない。
However, these cannot be applied to applications that require transparency, such as those that are colored jet black, or applications that are colored other than black.

一方、透明性ないしは着色性を有する導電性プラスチッ
ク材料に対する要望は、光と電気の両方が関与する現象
を利用した電気、電子関連の機器、システムの開発が進
むにつれ、増々強いものとなって込る。また、帯電防止
性能を有し、かつ内部の被包装物が透視できる包装材の
開発、ある込はカラフルな色調が発現でき、かつ帯電防
止性能を有するプラスチック成型用材料などの開発への
要望も強すものがある。
On the other hand, the demand for transparent or colored conductive plastic materials has become increasingly strong as the development of electrical and electronic equipment and systems that utilize phenomena involving both light and electricity progresses. Ru. There are also requests for the development of packaging materials that have antistatic properties and allow the contents to be seen through, as well as plastic molding materials that can express colorful colors and have antistatic properties. There is something to strengthen it.

従来、透明で導電性を有する材料としてはガラス基板上
に酸化錫、酸化インジウムなどを真空蒸着した材料が使
われてきた。しかし基板がガラスであることから、薄膜
化、大面積化が難しく可撓性もなく機械的強度も弱いこ
とからディスプレーなどの極く一部の用途に限られたも
のであった。
Conventionally, materials such as tin oxide, indium oxide, etc. that are vacuum-deposited on a glass substrate have been used as transparent and conductive materials. However, since the substrate is glass, it is difficult to make the film thinner or larger in area, and it is not flexible and has low mechanical strength, so it has been limited to only a few applications such as displays.

これらの問題点を解決するものとしてポリエステルフィ
ルム上に酸化錫、酸化インジウム、金、パラジウムなど
を真空蒸着したフィルムが開発されている。これらはそ
の透明性と導電性のバランスにおいて、また、薄膜化、
大面積化ができ、可撓性もあシ、機械的強度におりてす
ぐれた材料である。
To solve these problems, films have been developed in which tin oxide, indium oxide, gold, palladium, etc. are vacuum-deposited on polyester films. These have a good balance between transparency and conductivity, as well as thinning and
It is a material that can be made into a large area, has good flexibility, and has excellent mechanical strength.

しかし、酸化錫、酸化インジウム、金、インジウムなど
を蒸着材料として用すると、蒸発温度が高いこと、ある
いは金属蒸気、無機半導体蒸気の凝縮熱のために蒸着さ
れる高分子フィルム表面の温度が上昇することから、基
材の高分子フィルムは耐熱性のすぐれた高分子フィルム
に限定される。
However, when tin oxide, indium oxide, gold, indium, etc. are used as evaporation materials, the temperature of the surface of the polymer film being evaporated increases due to the high evaporation temperature or the heat of condensation of the metal vapor or inorganic semiconductor vapor. Therefore, the polymer film used as the base material is limited to a polymer film with excellent heat resistance.

また、金、パラジウムなどは非常に高価な材料゛である
ことから、得られる蒸着フィルムのコストは非常に高い
ものであった。
Furthermore, since gold, palladium, and the like are extremely expensive materials, the cost of the resulting vapor-deposited film was extremely high.

また、近年、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオ
フェンなどの導電性高分子の研究が盛んであるが、71
?リアセチレ/のように黒色で透明性、着色性に劣った
ものであったり、また、これらの導電性高分子はドーノ
量ントと呼ばれる電子供与体ないしは電子受容体をドー
ピングが必要であるが、このト0−バンドと導電性高分
子の複合体の安定性が悪く、長期間の空気中での使用〈
よる導電性能の低下は避けられないものであった。
In recent years, research on conductive polymers such as polyacetylene, polypyrrole, and polythiophene has been active, but 71
? Some of these conductive polymers are black and have poor transparency and colorability, such as Liacetylene, and these conductive polymers require doping with an electron donor or electron acceptor called a donor. The stability of the composite of the 0-band and the conductive polymer is poor, making it difficult to use it in air for long periods of time.
The deterioration in conductive performance due to this was unavoidable.

(2)発明の概要 こうした現状に鑑み、本発明者らは、高価な金、/IP
ラジウムなどを用いることなく、また、基材の高分子材
料を比較的広く選択でき、安定した導電性能Q発現と透
明性々いしは着色性とのバランスにすぐれた導電性複合
材料の開発に鋭意努力した結果1本発明に到達し念もの
である。
(2) Outline of the invention In view of the current situation, the present inventors have developed
We are working hard to develop conductive composite materials that do not require the use of radium, have a relatively wide selection of polymer materials for the base material, and have a good balance between stable conductive performance Q and transparency or colorability. As a result of my efforts, I am happy to have arrived at the present invention.

すなわち、本発明は極性有機高分子化合物を基材とし、
該基材上で数平均分子jIk300ないし500、 O
OOの下記(1)式tSり返し単位とする芳香族ビニレ
ンスルフィド重合体層を形成せしめることにより複合化
してなることを特徴とする導電性複合体を提供するもの
である。
That is, the present invention uses a polar organic polymer compound as a base material,
On the substrate, the number average molecular jIk300 to 500, O
The object of the present invention is to provide a conductive composite which is formed by forming an aromatic vinylene sulfide polymer layer having the following formula (1) tS repeat unit of OO.

(1)式中のR4−R8け水素、ハロダン、炭素数1〜
12のアルキル基の中から選ばれた基をあられす。
(1) R4-R8 in the formula hydrogen, halodane, carbon number 1-
Hail a group selected from 12 alkyl groups.

R1へR8は水素、炭素数1ないし5のアルキル基、へ
ログンが好ましす。
R1 to R8 are preferably hydrogen, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or helogne.

(3)発明の詳細な説明 上記(1)式を繰り返し単位とする芳香族ビニレンスル
フィド重合体(以下、芳香族ビニレンスルフィド重合体
と略称する)の数平均分子量は、分子末端のエチニル基
又はチオール基を金属錯体化させて、その金属を定量す
る方法、又は、蒸気圧浸透法(vpo )によシ求める
ことができる。本発明で用いられる芳香族ビニレンスル
フィド重合体の数平均分子量は300な込し500.0
00、好ましくは700ないし300,000.さらに
好ましくは1.000ないし100,000.とくに好
ましくは2,000表いしs o、 o o oである
(3) Detailed Description of the Invention The number average molecular weight of the aromatic vinylene sulfide polymer having the above formula (1) as a repeating unit (hereinafter abbreviated as aromatic vinylene sulfide polymer) is determined by the ethynyl group or thiol group at the terminal of the molecule. It can be determined by complexing a group with a metal and quantifying the metal, or by vapor pressure osmosis (VPO). The number average molecular weight of the aromatic vinylene sulfide polymer used in the present invention is 300, which is 500.0.
00, preferably from 700 to 300,000. More preferably 1.000 to 100,000. Particularly preferred is 2,000 s o, o oo o.

芳香族ビニレンスルフィド重合体は、X線法で測定して
結晶が認められる結晶性芳香族ビニレンスルフィド重合
体であってもよく、また、非品性の芳香族ビニレンスル
フィド重合体であってもよい。
The aromatic vinylene sulfide polymer may be a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer in which crystals are observed when measured by an X-ray method, or may be a non-quality aromatic vinylene sulfide polymer. .

結晶性の芳香族ビニレンスルフィド重合体の場合、たと
えば、上記(1)式のR1〜Rや6R5〜R8が全てH
である芳香族ビニレンスルフィド重合体層をポリエステ
ル基材上に形成した場合、導電性は10−5s/crI
Lとなる。
In the case of a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer, for example, R1 to R and 6R5 to R8 in the above formula (1) are all H.
When an aromatic vinylene sulfide polymer layer is formed on a polyester base material, the conductivity is 10-5 s/crI
It becomes L.

また、基材に極性有機高分子化合物を用い、この基材上
に非品性の芳香族ビニレンスルフィド重合体を成長させ
た場合においても、芳香族ビニレンスルフィド重合体層
のドーピングなしての導電率を、従来知られている有機
導電性高分子に比して充分に高く発現させることができ
る。これに対して基材にガラス、アモルファスst 、
 ht結晶などを用いた場合には、基材上に複合される
芳香族ビニレンスルフィド重合体層の導電率は、結晶、
非晶にかかわらず、基材に極性有機高分子化合物を用い
た場合に比して、はるかに低いものと々る。
Furthermore, even when a polar organic polymer compound is used as a base material and a non-quality aromatic vinylene sulfide polymer is grown on this base material, the conductivity of the aromatic vinylene sulfide polymer layer without doping is can be expressed at a sufficiently high level compared to conventionally known organic conductive polymers. On the other hand, the base material is glass, amorphous ST,
When using ht crystal etc., the conductivity of the aromatic vinylene sulfide polymer layer composited on the base material is
Regardless of whether it is amorphous or not, it is much lower than when a polar organic polymer compound is used as the base material.

本発明は、基材に極性有機高分子化合物を用いることに
よシ基材上に複合される芳香族ビニレンスルフィド重合
体層の導電率を基材にガラス、アモルファスケイ素など
を用いた場合に対して改良するものである。
The present invention improves the electrical conductivity of the aromatic vinylene sulfide polymer layer composited on the base material by using a polar organic polymer compound as the base material, compared to when glass, amorphous silicon, etc. are used as the base material. It is intended to be improved.

基材として用いられる極性有機高分子化合物としてはポ
リエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーゼネート、ポリメチルメタアクリレート、ポリ
ノゼラフェニレンスルフィド、ポリビニルアルコール、
アクリロニトリル樹脂、ポIJ (−ヘロrン化ビニル
)、ポリ(−・ロダン化ヒニリデン)等極性基を有する
有機高分子化合物が用いられる。
Polar organic polymer compounds used as base materials include polyester, polyether, polyamide, polyimide,
Polycarzenate, polymethyl methacrylate, polynoseraphenylene sulfide, polyvinyl alcohol,
Organic polymer compounds having a polar group such as acrylonitrile resin, poly(vinylidene-heronide), and poly(-hynylidene rhodanide) are used.

また、非極性有機高分子化合物を極性化処理したもので
あってもよく、また極性有機高分子化合物は基材の芳香
族ビニレンスルフィドと接する面に使用されておればよ
い。従って、非極性有機高分子化合物で成形体を成形し
、その表面を極性化合物あるいは酸素等を用いて極性化
処理したものを使用することができる。
Alternatively, a non-polar organic polymer compound may be polarized, and the polar organic polymer compound may be used as long as it is used on the surface of the base material that is in contact with the aromatic vinylene sulfide. Therefore, it is possible to use a molded body formed from a nonpolar organic polymer compound and whose surface is polarized using a polar compound, oxygen, or the like.

また、基材と芳香族ビニレンスルフィド重合体との接着
力を充分保持するために基材の表面自由(20℃ エネルギーr  が28 dyne/m以上、好ましく
は30 dyne/(y以上、さらに好ましくは35d
yne/cm以上である基材を選択するのがよい。
In addition, in order to maintain sufficient adhesive strength between the base material and the aromatic vinylene sulfide polymer, the surface freeness of the base material (20°C energy r is 28 dyne/m or more, preferably 30 dyne/(y or more, more preferably 35d
It is preferable to select a base material having a hardness of yne/cm or more.

ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリルな
どがとくに好ましい。
Particularly preferred are polyethylene terephthalate and polyacrylonitrile.

基材の形状は、フィルム状、シート状、フィラー状、繊
維状など目的の用途によって任意の形状が選択される。
The shape of the base material may be arbitrarily selected depending on the intended use, such as film, sheet, filler, or fiber.

本発明に用いる芳香族ビニレンスルフィド重合体は、下
記構造式(2)及び(3)に示す構造の両モノマーの付
加重合により得ることができる。
The aromatic vinylene sulfide polymer used in the present invention can be obtained by addition polymerization of both monomers having structures shown in the following structural formulas (2) and (3).

3R4 7R8 (2) 、 (3)式中ノR4〜R8は、水素、/N 
O)f ン、炭素数1〜12のアルキル基である。好ま
しくは水素、炭素数1〜5のアルキル基、710rンで
ある。
3R4 7R8 (2), (3) In the formula, R4 to R8 are hydrogen, /N
O) f is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Preferred are hydrogen, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and 710rn.

上述の構造式(2)で示される化合物としてはp−ジェ
チニルベンゼン、m−ジェチニルベンゼン、ジェチニル
トルエンなどがある。
Examples of the compound represented by the above-mentioned structural formula (2) include p-jethynylbenzene, m-jethynylbenzene, and jetynyltoluene.

構造式(3)で示される化合物としては、P−ベンゼン
ジチオール、m−ベンゼンジチオール、4−クロル−m
−ベンゼンジチオールなどがある。
Compounds represented by structural formula (3) include P-benzenedithiol, m-benzenedithiol, 4-chloro-m
- Benzenedithiol, etc.

反応は、構造式(2)及び(3)で示される両モノマー
の混合物に活性光(可視光線、紫外線、γ線、X線等の
電磁波、電子線など)を照射して、あるーはペンゾイル
ノや一オキサイドなどのラジカル発生剤を加えて、ある
いは微量の酸素を存在させて行い、芳香族ビニレンスル
フィド重合体を得ることができる。
The reaction is carried out by irradiating a mixture of both monomers represented by structural formulas (2) and (3) with active light (visible light, ultraviolet rays, γ-rays, electromagnetic waves such as X-rays, electron beams, etc.), or An aromatic vinylene sulfide polymer can be obtained by adding a radical generator such as monooxide or monooxide, or in the presence of a trace amount of oxygen.

反応は、−80℃から200℃、好ましくは一50℃〜
150℃、更に好ましくは一20℃から100℃で行う
。とくK、芳香族ビニレンスルフィド重合体の結晶を得
るには、混合蒸着モノマー結晶の融点及び昇華温度以下
の温度を選択する。
The reaction is carried out at -80°C to 200°C, preferably -50°C to
It is carried out at 150°C, more preferably at -20°C to 100°C. In particular, in order to obtain crystals of the aromatic vinylene sulfide polymer, a temperature below the melting point and sublimation temperature of the mixed vapor-deposited monomer crystals is selected.

基材と芳香族ビニレンスルフィド重合体との複合は、下
記の方法で実施される。
The base material and the aromatic vinylene sulfide polymer are combined by the following method.

まず、結晶性の芳香族ビニレンスルフィド重合体層を基
材上に形成させるのに適した方法について述べる。
First, a method suitable for forming a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer layer on a substrate will be described.

上記式(2)及び(3)で示される構造式のモノマーを
Monomers having the structural formulas shown by the above formulas (2) and (3).

同時に昇華し、基材上に混合モノマー蒸着膜を形成する
。この混合モノマー蒸着膜は、良質な結晶を形成するこ
とができる。また、その結晶構造は、基材の種類によっ
て異なることがある。この基材上の混合モノマー蒸着膜
に活性光線を照射するなどして固相付加重合を行い、基
材上に芳香族ビニレンスルフィド重合体の結晶層を形成
させる。
At the same time, the mixed monomer is sublimated to form a mixed monomer vapor deposited film on the substrate. This mixed monomer vapor deposited film can form high quality crystals. Moreover, the crystal structure may differ depending on the type of base material. Solid-phase addition polymerization is performed by irradiating the mixed monomer vapor-deposited film on this substrate with actinic rays to form a crystalline layer of aromatic vinylene sulfide polymer on the substrate.

基材上に複合された芳香族ビニレンスルフィド重合体の
結晶のX線図は、混合モノマー蒸着膜の結晶のX線図と
非常に類似のX線図を示す。
The X-ray diagram of the crystals of the aromatic vinylene sulfide polymer composited on the substrate shows an X-ray diagram very similar to that of the crystals of the mixed monomer deposited film.

このことから、基材の種類により、芳香族ビニレンスル
フィド重合体の結晶構造が異逢って形成されるが、有機
高分子化合物は結晶構造を導電性に有利な構造にする作
用を有するものと考えられる。
From this, it is thought that the crystal structure of the aromatic vinylene sulfide polymer is formed differently depending on the type of substrate, but that the organic polymer compound has the effect of making the crystal structure advantageous for conductivity. It will be done.

また、上述と同様な方法で非品性の芳香族ビニレンスル
フィド重合体を基材上に複合させることができる。すな
わち、混合蒸着モノマー結晶の融点以上の温度で固相付
加重合を行ったり、あるいは特定の有機高分子基材を用
いて上述の複合を行ったシ、あるいは基材上に形成した
芳香族ビニレンスルフィド重合体結晶を成る温度以上に
加熱処理したシ、特定波長の光を照射したシして非品性
芳香族ビニレンスルフィド重合体に相転移させる方法で
ある。
Furthermore, a non-quality aromatic vinylene sulfide polymer can be composited onto a base material in the same manner as described above. That is, solid-phase addition polymerization is performed at a temperature higher than the melting point of the mixed vapor-deposited monomer crystal, or the above-mentioned composite is performed using a specific organic polymer base material, or aromatic vinylene sulfide formed on the base material. In this method, a polymer crystal is heated to a temperature higher than that at which it is formed, and then irradiated with light of a specific wavelength to effect a phase transition into a non-quality aromatic vinylene sulfide polymer.

また、基材上にスピンコード法、ブレードコート法、デ
ィップ法、キャスト法、スプレー法などの方法により構
造式(2)と(3)の七ツマ−の混合物の溶液を塗布し
た後、乾燥させ基材上に両モノマー混合物を複合させる
ことができる。これに活性光線を照射す・るなどして固
相付加重合を行い、やはり基材上に非品性芳香族ビニレ
ンスルフィド重合体を複合することができる。
In addition, a solution of a mixture of heptamines of structural formulas (2) and (3) is applied onto the substrate by a method such as a spin cord method, a blade coating method, a dipping method, a casting method, or a spray method, and then dried. Both monomer mixtures can be composited onto the substrate. Solid-phase addition polymerization is performed by irradiating this with actinic rays, etc., and a non-quality aromatic vinylene sulfide polymer can also be composited onto the base material.

本発明は、基材としてポリエステルなど透明性にすぐれ
た有機高分子化合物を用いることができ透明性にすぐれ
た導電性複合体を得るのに適している。また、極性有機
高分子化合物を基材として用いることにより複合される
芳香族ビニレンスルフィド重合体の導電率が高いものが
得られ、かつ可撓性、機械的強度、賦形性さらKは透明
性にすぐれた本発明の導電性複合体が得られるのである
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is suitable for obtaining an electrically conductive composite having excellent transparency because it can use an organic polymer compound with excellent transparency such as polyester as a base material. In addition, by using a polar organic polymer compound as a base material, it is possible to obtain a composite aromatic vinylene sulfide polymer with high electrical conductivity, as well as flexibility, mechanical strength, formability, and transparency. Therefore, the conductive composite of the present invention having excellent properties can be obtained.

さらに、本発明の芳香族ビニレンスルフィド重合体層は
その高込導電率にもかかわらず、透明性が比較的すぐれ
ているため、包装材として使用しても内容物を透視する
ことができ、又カラフルな成形材としての使用も可能で
ある。
Furthermore, despite its high conductivity, the aromatic vinylene sulfide polymer layer of the present invention has relatively good transparency, so even when used as a packaging material, the contents can be seen through. It can also be used as a colorful molding material.

また、上述の導電率は、ドーピング等の処理を用いずに
達成されるものであり、長期間使用しても変化せず、透
明性と共にその品質の′安定性はすぐれたものである。
Further, the above-mentioned conductivity is achieved without using any treatment such as doping, does not change even after long-term use, and has excellent transparency and quality stability.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。The present invention will be specifically described below with reference to Examples.

〔実施例1〕 昇華装置にあらかじめ精製エーテルで充分洗浄したポリ
エチレンテレフタレートシート(密度1、45511/
cc 、格子定数3.44.表面エネルギー(20℃)
 43.8 dyneA1rL2)を基板として設置し
、P−ジェチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの
粉末結晶の等モル混合物0.134 &を入れた。
[Example 1] A polyethylene terephthalate sheet (density 1, 45511/
cc, lattice constant 3.44. Surface energy (20℃)
43.8 dyneA1rL2) was set up as a substrate, and 0.134 & of an equimolar mixture of powdered crystals of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol was added.

排気操作により蒸着室を0.5 mmHHの真空度とし
た。
The vapor deposition chamber was brought to a degree of vacuum of 0.5 mmHH by evacuation operation.

さらに蒸発源を60℃に加熱して30秒間昇華させてポ
リエチレンテレフタレート基板上にP−ジェチニルベン
ゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマーの蒸着結
晶薄膜(厚み10.4μm)を形成した。この混合モノ
マー蒸着膜の結晶はX線回折において最大回折ピークを
d=7.73Xに有し、さらにa=7.sl近傍、さら
に3.90X、3.6〜3.8Xに2本、2.60X、
1.95Xに回折ピークを有する。第1図に最大回折ピ
ークの高さを基恕とした相対強度を示した。
Further, the evaporation source was heated to 60° C. and sublimated for 30 seconds to form a vapor-deposited crystal thin film (thickness: 10.4 μm) of a mixed monomer of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol on the polyethylene terephthalate substrate. The crystal of this mixed monomer vapor deposited film has a maximum diffraction peak at d=7.73X in X-ray diffraction, and a=7. Near sl, further 3.90X, 2 pieces from 3.6 to 3.8X, 2.60X,
It has a diffraction peak at 1.95X. Figure 1 shows the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak.

コウシてポリエチレンテレフタレート基板上に得られた
p−ジェチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混
合モノマー結晶薄膜を60℃に保持すると共に、高圧水
銀ランプ(300W)で紫外線を12分間にわたって照
射した。紫外線照射後、メタノールで上記結晶薄膜を洗
浄し残存モノマーを除去しン1が、91俤の取高で重合
していた。
The mixed monomer crystal thin film of p-jethynylbenzene and p-benzenedithiol obtained on a polyethylene terephthalate substrate was maintained at 60° C. and irradiated with ultraviolet rays for 12 minutes using a high-pressure mercury lamp (300 W). After irradiation with ultraviolet rays, the crystal thin film was washed with methanol to remove residual monomers, and N1 was polymerized with a yield of 91 yen.

かぐしてPET基板上に得られたP−ジェチニルベンゼ
ンとP−ベンゼンジチオールの付加M 合体結晶のX線
回折図は、混合モノマー蒸着結晶のX線回折図と非常に
類似したものであった。
The X-ray diffraction pattern of the addition M crystal of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol obtained on the PET substrate was very similar to the X-ray diffraction pattern of the mixed monomer vapor-deposited crystal. Ta.

上記重合体の分子量は、銅アセチリド法で4000であ
った。また、上記重合体の組成をフラスコ燃焼法〔有機
微量定量分析383−!!−ジ(1969)南江堂〕で
硫黄を分析して求めると22、3 wt4であった。更
に、PET基板上の上記重合体の導電率は、白金電極2
端子法で測定したところ4.5 X 10 8hであっ
た。
The molecular weight of the above polymer was found to be 4000 by the copper acetylide method. In addition, the composition of the above polymer was determined using the flask combustion method [Organic Trace Quantitative Analysis 383-! ! The sulfur content was determined by analysis using the method (1969, Nankodo), and it was found to be 22.3 wt4. Furthermore, the conductivity of the polymer on the PET substrate is higher than that of the platinum electrode 2.
When measured by the terminal method, it was 4.5 x 10 8 hours.

また、上記PET基板上の重合体は200〜500nm
に吸収を示して、色調は黄色味を帯びているものの透視
できる程度に透明であった。上記重合体の拡散反射スペ
クトルにおいて波長500 nmにおける吸光度は0.
2〜0.3程度であった。
In addition, the polymer on the PET substrate has a thickness of 200 to 500 nm.
Although the color was yellowish, it was transparent enough to be seen through. In the diffuse reflection spectrum of the above polymer, the absorbance at a wavelength of 500 nm is 0.
It was about 2 to 0.3.

また、PET基板と上記重合体の接着力は、容易にはが
れなり程度に強込ものであった。
In addition, the adhesive strength between the PET substrate and the above polymer was so strong that it easily peeled off.

実施例2 基板としてPETシートのかわりにポリアクリロニトリ
ルシート(格子定数5.27 X、表面自由エネルギー
(2・0℃) = 52.3 dyneA−WL2)を
用いた以外は、すべて実施例1と同様な方法でポリアク
リロニトリルシート上に、P−ジェチニルベンゼンとP
−ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着結晶薄膜(厚
み10.6μm)を形成した。この混合モノマー蒸着膜
の結晶のX線回折図を最大回折ピークの高さを基準とし
た相対強度で第2図に示した。PETシートを基板に用
いた場合に得られるもの(第1図)と比較して大きく異
なり、基板に対する依存性の強さを示している。
Example 2 Everything was the same as Example 1 except that a polyacrylonitrile sheet (lattice constant 5.27X, surface free energy (2.0°C) = 52.3 dyneA-WL2) was used instead of the PET sheet as the substrate. P-jethynylbenzene and P
- A mixed monomer vapor-deposited crystalline thin film (thickness 10.6 μm) of benzenedithiol was formed. FIG. 2 shows an X-ray diffraction diagram of the crystal of this mixed monomer vapor-deposited film in terms of relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak. This is significantly different from that obtained when a PET sheet is used as the substrate (FIG. 1), indicating strong dependence on the substrate.

こうしてポリアクリロニトリル基板上に得られたP−ジ
ェチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノ
マー結晶薄膜を実施例1と同様にして重合し、904の
収率で付加重合体を得た。
The mixed monomer crystal thin film of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol thus obtained on the polyacrylonitrile substrate was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer with a yield of 904.

かくしてポリアクリロニトリル基板上に得られた上記付
加重合体の結晶のX線回折図は、やはり混合モノマー蒸
着結晶のX線回折図と非常に類似したものであった。
The X-ray diffraction pattern of the addition polymer crystal thus obtained on the polyacrylonitrile substrate was also very similar to the X-ray diffraction pattern of the mixed monomer vapor-deposited crystal.

上記重合体の分子量は、銅アセチリド法で3000であ
った。又、上記重合体中の硫黄は、23.81であった
。ポリアクリロニトリル基板上の上記重合体の導電率は
実施例1と同様にして測定したところ1.4 X 10
−’ s/crILであった。
The molecular weight of the above polymer was determined to be 3000 by the copper acetylide method. Moreover, the sulfur content in the above polymer was 23.81. The conductivity of the above polymer on the polyacrylonitrile substrate was measured in the same manner as in Example 1 and was 1.4 x 10
-'s/crIL.

、j? IJアクリロニトリル基板上の上記重合体の色
調、透明性は、実施例10重合体と類似であった。
,j? The color tone and transparency of the above polymer on the IJ acrylonitrile substrate were similar to the Example 10 polymer.

又、ポリアクリロニトリル基板と上記重合体の接着力は
非常に強いものであった。
Furthermore, the adhesive strength between the polyacrylonitrile substrate and the above polymer was very strong.

実施例3 基板に、密度1.491dea、格子定数3.84X、
表面自由エネルギーγ’520′c)= 44.6 d
yne/3のポリオキシメチレンを用いた以外は、すべ
て実施例1と同様にして、P−ジェチニルベンゼンとP
−ベンゼンジチオールの付加重合体を複合した。
Example 3 The substrate has a density of 1.491 dea, a lattice constant of 3.84X,
Surface free energy γ'520'c) = 44.6 d
P-jethynylbenzene and P
- An addition polymer of benzenedithiol was composited.

ポリオキシメチレン基板上に蒸着したP−ジェチニルベ
ンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜
の結晶のX線回折図を最大回折ピークの高さを基準とし
た相対強度で第3図に示した。
Figure 3 shows the X-ray diffraction pattern of the crystal of a mixed monomer film of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol deposited on a polyoxymethylene substrate, showing the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak. Ta.

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合したところ収率92壬で付加重合体を得たが、かく
してポリオキシメチレン基板上に得られた上記付加重合
体は、まったくの非品性であった。
Further, when the mixed monomer vapor-deposited film was polymerized in the same manner as in Example 1, an addition polymer was obtained with a yield of 92 mm, but the addition polymer thus obtained on the polyoxymethylene substrate was completely It was character.

上記重合体の分子量は銅アセチリド法で5000であっ
た。又、上記重合体中の硫黄は23.74であった。ポ
リオキシメチレン基板上の上記重合体の導電率は実施例
1と同様にして測定したところ3.2/cm0  !l
/−であった。
The molecular weight of the above polymer was determined to be 5000 by the copper acetylide method. Moreover, the sulfur content in the above polymer was 23.74. The conductivity of the above polymer on the polyoxymethylene substrate was measured in the same manner as in Example 1 and was 3.2/cm0! l
It was /-.

また、上記ポリオキシメチレン基板上の重合体は、20
0〜500 nmに吸収を示して、色調は黄色味をおび
ているものの透視できる程度に透明であった。上記重合
体の拡散反射スペクトルにおいて波長500 nmにお
ける吸光度は0.1〜0.2程度であった。
Moreover, the polymer on the polyoxymethylene substrate is 20
It exhibited absorption in the range of 0 to 500 nm, and although the color tone was yellowish, it was transparent enough to be seen through. In the diffuse reflection spectrum of the above polymer, the absorbance at a wavelength of 500 nm was about 0.1 to 0.2.

ポリオキンメチレン基板と上記付加重合体の接着力は非
常に強いものであった。
The adhesion between the polyquine methylene substrate and the above addition polymer was very strong.

比較例1 基板にガラス(アモルファス、表面自由エネルギー7’
、20” = 300 dyne/cFrL)を用いた
以外はすべて実施例1と同様にしてP−ジェチニルベン
ゼンとP−ベンゼンジチオールの付加重合体を複合した
Comparative Example 1 Glass substrate (amorphous, surface free energy 7'
An addition polymer of P-jethinylbenzene and P-benzenedithiol was composited in the same manner as in Example 1 except that 20" = 300 dyne/cFrL) was used.

ガラス基板上に蒸着したP−ジェチニルベンゼンとP−
ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜の結晶のX線
回折図を最大回折ピークの高さを基準とした相対強度で
第4図に示した。
P-jethynylbenzene and P- deposited on a glass substrate
FIG. 4 shows the X-ray diffraction pattern of the crystal of the mixed monomer vapor-deposited film of benzenedithiol in terms of relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak.

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合し収率90=1で付加重合体を得た。
Further, the mixed monomer vapor-deposited film was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer with a yield of 90=1.

かくしてガラス基板上に得られた上記付加重合体の結晶
のX線回折図は、混合上ツマー蒸着結晶のX線回折図と
非常に類似したものであった。上記重合体の分子量は銅
アセチリド法で3000であった。また、上記重合体中
の硫黄の含量は24.0憾であった。ガラス基板上の上
記重合体の導電率は実施例1と同様にして測定したとこ
ろ1.5×10−10s/mと低いものであった。また
、上記重合体の色調、透明性は実施例1の重合体と類似
であった。
The X-ray diffraction pattern of the crystal of the addition polymer thus obtained on the glass substrate was very similar to the X-ray diffraction pattern of the Zummer-deposited crystal on the mixed substrate. The molecular weight of the above polymer was determined to be 3000 by the copper acetylide method. Further, the sulfur content in the polymer was 24.0. The conductivity of the above polymer on the glass substrate was measured in the same manner as in Example 1 and was found to be as low as 1.5 x 10-10 s/m. Further, the color tone and transparency of the above polymer were similar to those of the polymer of Example 1.

ガラス基板と上記付加重合体の接着力は強すものであっ
た。
The adhesion between the glass substrate and the addition polymer was strong.

比較例2 比較例1で得られたガラス基板上に複合したジェチニル
ベンゼンとベンゼンジチオールトノ付加重合体結晶を7
0℃で1時間加熱処理を行った。
Comparative Example 2 On the glass substrate obtained in Comparative Example 1, seven crystals of the complexed jetynylbenzene and benzene dithiol tono addition polymer were placed.
Heat treatment was performed at 0°C for 1 hour.

かくしてガラス基板上の上記重合体結晶は、X線回折図
からみてまったくの非品性重合体となった。
Thus, the polymer crystals on the glass substrate turned out to be completely inferior polymers as seen from the X-ray diffraction pattern.

ガラス基板上の上記非品性重合体の導電率は、実施例1
と同様にして測定したところ、1,4×10−” s/
lynと低いものであった。
The electrical conductivity of the above-mentioned non-grade polymer on the glass substrate was determined in Example 1.
When measured in the same manner as 1.4×10-” s/
It was as low as lyn.

また、上記非品性重合体の色調、透明性は、実施例4の
重合体と類似であった。
Further, the color tone and transparency of the non-quality polymer were similar to those of the polymer of Example 4.

比較例3 基板に、アモルファスStを用いた以外はすべて実m例
1.!:同様にしてP−ジェチニルベンゼンとP−ベン
ゼンジチオールの付加重合体を複合した。
Comparative Example 3 All examples were the same as Example 1 except that amorphous St was used for the substrate. ! : In the same manner, an addition polymer of P-jethinylbenzene and P-benzenedithiol was composited.

アモルファス81基板上に蒸着したP−ジェチニルベン
ゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜の
結晶のX線回折図を最大回折ピークの高さを基準とした
相対強度で第5図に示した。
Figure 5 shows the X-ray diffraction pattern of the crystal of the mixed monomer film of P-jethynylbenzene and P-benzenedithiol deposited on the amorphous 81 substrate, showing the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak. .

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合し収率934で付加重合体を得た。
Further, the mixed monomer vapor-deposited film was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer with a yield of 934.

かぐして81基板上に得られた上記付加重合体の結晶の
X線回折図は、混合上ツマー蒸着結晶のX線回折図と非
常に類似したものであった。上記重合体の分子量は銅ア
セチリド法で1000であった。
The X-ray diffraction pattern of the crystals of the addition polymer obtained on the 81 substrate was very similar to the X-ray diffraction pattern of the mixed Zummer-deposited crystals. The molecular weight of the above polymer was determined to be 1000 by the copper acetylide method.

又、上記重合体中の硫黄の含量は17.01であった。Further, the sulfur content in the above polymer was 17.01.

St基板上の上記重合体の導電率は実施例1と同様にし
て測定したところ3.2/cm0   g7−と低いも
のであった。また、上記重合体の色調、透明性は実施例
1重量体と類似であった。
The conductivity of the above polymer on the St substrate was measured in the same manner as in Example 1 and was found to be as low as 3.2/cm0 g7-. Further, the color tone and transparency of the above polymer were similar to those of the heavy polymer of Example 1.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第5図は、夫々、実施例1、実施例2、実施例
3、比較例1及び比較例3によって基材上に形成された
極性有機化合物膜のXa1回折ピークの相対強度を示す
図である。
Figures 1 to 5 show the relative intensities of the Xa1 diffraction peaks of polar organic compound films formed on substrates in Example 1, Example 2, Example 3, Comparative Example 1, and Comparative Example 3, respectively. FIG.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)極性有機高分子化合物を基材とし、該基材上で数平
均分子量300ないし500,000の下記(1)式を
繰り返し単位とする芳香族ビニレンスルフィド重合体層
を形成せしめることにより複合化してなることを特徴と
する導電性複合体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ R_!〜R_4、R_5〜R_8は、水素、ハロゲン又
は炭素数1〜12のアルキル基 2)表面自由エネルギーγ^(^2^0^℃^)_sが
30dyne/cm^2以上である極性有機高分子化合
物を基材として用いる特許請求の範囲1項記載の導電性
複合体。
[Scope of Claims] 1) A polar organic polymer compound is used as a base material, and an aromatic vinylene sulfide polymer layer having a number average molecular weight of 300 to 500,000 and having the following formula (1) as a repeating unit is formed on the base material. A conductive composite characterized by being made into a composite by forming the conductive composite. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ R_! ~R_4, R_5 to R_8 are hydrogen, halogen, or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms 2) A polar organic polymer whose surface free energy γ^(^2^0^℃^)_s is 30 dyne/cm^2 or more The conductive composite according to claim 1, which uses a compound as a base material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004027909A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Kaneka Corporation Proton conducting polymer film and method for production thereof

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