JPH0657445B2 - Conductive composite - Google Patents

Conductive composite

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JPH0657445B2
JPH0657445B2 JP60194689A JP19468985A JPH0657445B2 JP H0657445 B2 JPH0657445 B2 JP H0657445B2 JP 60194689 A JP60194689 A JP 60194689A JP 19468985 A JP19468985 A JP 19468985A JP H0657445 B2 JPH0657445 B2 JP H0657445B2
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JP
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polymer
substrate
base material
vinylene sulfide
aromatic vinylene
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英一 小林
豊史 大橋
光孝 宮林
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三菱油化株式会社
英一 小林
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Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の背景 本発明は、透明性ないしは着色性と導電性のバランスに
すぐれた導電性複合体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Background of the Invention The present invention relates to a conductive composite having an excellent balance between transparency or coloring and conductivity.

近年、電気、電子関連の機器の発展と共にプラスチック
の持つ成形性、強度等の特性に加え、導電性の付与され
た材料に対する開発の要望が強い。
In recent years, along with the development of electrical and electronic devices, there is a strong demand for development of materials to which conductivity is added in addition to characteristics such as moldability and strength of plastics.

これに応えるものとして、プラスチックにカーボンブラ
ック、金属繊維、グラファイトなどを混練することによ
り導電性を付与したプラスチック材料が実用化されつつ
ある。
In response to this, plastic materials in which conductivity is imparted by kneading plastics with carbon black, metal fibers, graphite, etc. are being put to practical use.

しかし、これらは、真黒に着色したものであったりして
透明性を必要とする用途あるいは黒色以外に着色する用
途には適用できない。
However, these are not applicable to applications requiring transparency due to being colored in black or applications other than black.

一方、透明性ないしは着色性を有する導電性プラスチッ
ク材料に対する要望は、光と電気の両方が関与する現象
を利用した電気、電子関連の機器、システムの開発が進
むにつれ、増々強いものとなっている。また、帯電防止
性能を有し、かつ内部の被包装物が透視できる包装材の
開発、あるいはカラフルな色調が発現でき、かつ帯電防
止性能を有するプラスチック成型用材料などの開発への
要望も強いものがある。
On the other hand, the demand for a conductive plastic material having transparency or colorability has become stronger and stronger as the development of electrical and electronic devices and systems utilizing the phenomenon involving both light and electricity. . In addition, there is a strong demand for the development of packaging materials that have antistatic properties and through which the items to be packaged can be seen through, or the development of plastic molding materials that can develop colorful colors and have antistatic properties. There is.

従来、透明で導電性を有する材料としてはガラス基板上
に酸化錫、酸化インジウムなどを真空蒸着した材料が使
われてきた。しかし基板がガラスであることから、薄膜
化、大面積化が難しく可撓性もなく機械的強度も弱いこ
とからディスプレーなどの極く一部の用途に限られたも
のであった。
Conventionally, as a transparent and conductive material, a material obtained by vacuum-depositing tin oxide, indium oxide, etc. on a glass substrate has been used. However, since the substrate is made of glass, it is difficult to form a thin film and have a large area, and flexibility and mechanical strength are weak, so that it is limited to a very limited number of applications such as a display.

これらの問題点を解決するものとしてポリエステルフィ
ルム上に酸化錫、酸化インジウム、金、パラジウムなど
を真空蒸着したフィルムが開発されている。これらはそ
の透明性と導電性のバランスにおいて、また、薄膜化、
大面積化ができ、可撓性もあり、機械的強度においてす
ぐれた材料である。
As a solution to these problems, a film in which tin oxide, indium oxide, gold, palladium or the like is vacuum-deposited on a polyester film has been developed. These are in terms of the balance of transparency and conductivity, thinning,
It has a large area, is flexible, and has excellent mechanical strength.

しかし、酸化錫、酸化インジウム、金、パラジウムなど
を蒸着材料として用いると、蒸発温度が高いこと、ある
いは金属蒸気、無機半導体蒸気の凝縮熱のために蒸着さ
れる高分子フィルム表面の温度が上昇することから、基
材の高分子フィルムは耐熱性のすぐれた高分子フィルム
に限定される。
However, when tin oxide, indium oxide, gold, palladium, etc. are used as vapor deposition materials, the evaporation temperature is high, or the temperature of the vapor-deposited polymer film surface rises due to the condensation heat of metal vapor and inorganic semiconductor vapor. Therefore, the base polymer film is limited to a polymer film having excellent heat resistance.

また、金、パラジウムなどは非常に高価な材料であるこ
とから、得られる蒸着フィルムのコストは非常に高いも
のであった。
Further, since gold, palladium and the like are very expensive materials, the cost of the vapor deposition film obtained is very high.

また、近年、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオ
フェンなどの導電性高分子の研究が盛んであるが、ポリ
アセチレンのように黒色で透明性、着色性に劣ったもの
であったり、また、これらの導電性高分子はドーパント
と呼ばれる電子供与体ないしは電子受容体のドーピング
が必要であるが、このドーパントと導電性高分子の複合
体の安定性が悪く、長期間の空気中での使用による導電
性能の低下は避けされないものであった。
Further, in recent years, conductive polymers such as polyacetylene, polypyrrole, and polythiophene have been extensively researched, but they are black and have poor transparency and coloring properties like polyacetylene, and these conductive polymers are also available. Requires doping of an electron donor or electron acceptor called a dopant, but the stability of the composite of this dopant and the conductive polymer is poor, and the deterioration of the conductive performance due to long-term use in air is avoided. It was not done.

(2)発明の概要 こうした現状に鑑み、本発明者らは、高価な金、パラジ
ウムなどを用いることなく、また、基材の高分子材料を
比較的広く選択でき、安定した導電性能の発現と透明性
ないしは着色性とのバランスにすぐれた導電性複合材料
の開発に鋭意努力した結果、本発明に到達したものであ
る。
(2) Summary of the invention In view of such a current situation, the present inventors, without using expensive gold, palladium, etc., also, it is possible to relatively widely select the polymer material of the base material, and stable expression of conductive performance The present invention has been achieved as a result of earnest efforts to develop a conductive composite material having a good balance with transparency or colorability.

すなわち、本発明は極性有機高分子化合物を基材とし、
該基材上で数平均分子量300ないし500,000の下記(1)
式を繰り返し単位とする芳香族ビニレンスルフィド重合
体層を形成せしめることにより複合化してなることを特
徴とする導電性複合体を提供するものである。
That is, the present invention is based on a polar organic polymer compound,
The following (1) having a number average molecular weight of 300 to 500,000 on the substrate
The present invention provides a conductive composite characterized by being formed into a composite by forming an aromatic vinylene sulfide polymer layer having a formula as a repeating unit.

(1)式中のR1〜R8は水素、ハロゲン、炭素数1〜12
のアルキル基の中から選ばれた基をあらわす。R1〜R8
は水素、炭素数1ないし5のアルキル基、ハロゲンが好
ましい。
R 1 to R 8 in the formula (1) are hydrogen, halogen, and 1 to 12 carbon atoms.
Represents a group selected from the alkyl groups of. R 1 to R 8
Is preferably hydrogen, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or halogen.

(3)発明の具体的説明 上記(1)式を繰り返し単位とする芳香族ビニレンスルフ
ィド重合体(以下、芳香族ビニレンスルフィド重合体と
略称する)の数平均分子量は、分子末端のエチニル基又
はチオール基を金属錯体化させて、その金属を定量する
方法、又は、蒸気圧浸透法(VPO)により求めることが
できる。本発明で用いられる芳香族ビニレンスルフィド
重合体の数平均分子量は300ないし500,000、好まし
くは700ないし300,000、さらに好ましくは1,000ない
し100,000、とくに好ましくは2,000ないし80,000であ
る。
(3) Detailed Description of the Invention The number average molecular weight of the aromatic vinylene sulfide polymer having the repeating unit of the above formula (1) (hereinafter, abbreviated as aromatic vinylene sulfide polymer) is the ethynyl group or thiol group at the molecular end. It can be determined by a method of metal-complexing a group and quantifying the metal, or by vapor pressure osmometry (VPO). The number average molecular weight of the aromatic vinylene sulfide polymer used in the present invention is 300 to 500,000, preferably 700 to 300,000, more preferably 1,000 to 100,000, and particularly preferably 2,000 to 80,000.

芳香族ビニレンスルフィド重合体は、X線法で測定して
結晶が認められる結晶性芳香族ビニレンスルフィド重合
体であってもよく、また、非晶性の芳香族ビニレンスル
フィド重合体であってもよい。
The aromatic vinylene sulfide polymer may be a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer in which crystals are observed by an X-ray method, or may be an amorphous aromatic vinylene sulfide polymer. .

結晶性の芳香族ビニレンスルフィド重合体の場合、たと
えば、上記(1)式のR1〜R4,R5〜R8が全てHである
芳香族ビニレンスルフィド重合体層をポリエステル基材
上に形成した場合、導電性は10-5s/cmとなる。
In the case of a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer, for example, an aromatic vinylene sulfide polymer layer in which R 1 to R 4 and R 5 to R 8 of the formula (1) are all H is formed on a polyester substrate. In that case, the conductivity is 10 −5 s / cm.

また、基材に極性有機高分子化合物を用い、この基材上
に非晶性の芳香族ビニレンスルフィド重合体を成長させ
た場合においても、芳香族ビニレンスルフィド重合体層
のドーピングなしでの導電率を、従来知られている有機
導電性高分子に比して充分に高く発現させることができ
る。これに対して基材にガラス、アモルファスSi,Al結
晶などを用いた場合には、基材上に複合される芳香族ビ
ニレンスルフィド重合体層の導電率は、結晶、非晶にか
かわらず、基材に極性有機高分子化合物を用いた場合に
比して、はるかに低いものとなる。
Even when a polar organic polymer compound is used as the base material and an amorphous aromatic vinylene sulfide polymer is grown on this base material, the conductivity without doping of the aromatic vinylene sulfide polymer layer is obtained. Can be expressed sufficiently higher than conventionally known organic conductive polymers. On the other hand, when glass, amorphous Si, Al crystals, etc. are used for the base material, the conductivity of the aromatic vinylene sulfide polymer layer composited on the base material is It is much lower than when a polar organic polymer compound is used as the material.

本発明は、基材に極性有機高分子化合物を用いることに
より基材上に複合される芳香族ビニレンスルフィド重合
体層の導電率を基材にガラス、アモルファスケイ素など
を用いた場合に対して改良するものである。
The present invention improves the conductivity of an aromatic vinylene sulfide polymer layer composited on a substrate by using a polar organic polymer compound as compared to the case where glass, amorphous silicon or the like is used as a substrate. To do.

基材として用いられる極性有機高分子化合物としてはポ
リエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリレート、ポリ
パラフェニレンスルフィド、ポリビニルアルコール、ア
クリロニトリル樹脂、ポリ(ハロゲン化ビニル)、ポリ
(ハロゲン化ビニリデン)等極性基を有する有機高分子
化合物が用いられる。
As the polar organic polymer compound used as the substrate, polyester, polyether, polyamide, polyimide,
Organic polymer compounds having polar groups such as polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyparaphenylene sulfide, polyvinyl alcohol, acrylonitrile resin, poly (vinyl halide), poly (vinylidene halide) are used.

また、非極性有機高分子化合物を極性化処理したもので
あってもよく、また極性有機高分子化合物は基材の芳香
族ビニレンスルフィドと接する面に使用されておればよ
い。従って、非極性有機高分子化合物で成形体を成形
し、その表面を極性化合物あるいは酸素等を用いて極性
化処理したものを使用することができる。
Further, a non-polar organic polymer compound may be subjected to a polarization treatment, and the polar organic polymer compound may be used on the surface of the base material which is in contact with the aromatic vinylene sulfide. Therefore, it is possible to use a molded product formed by molding a non-polar organic polymer compound and subjecting its surface to a polarization treatment with a polar compound or oxygen.

また、基材と芳香族ビニレンスルフィド重合体との接着
力を充分保持するために基材の表面自由エネルギー▲γ
(20℃) S▼が28dyne/cm2以上、好ましくは30dyne/cm
2以上、さらに好ましくは35dyne/cm2以上である基材
を選択するのがよい。
Further, in order to sufficiently maintain the adhesive force between the base material and the aromatic vinylene sulfide polymer, the surface free energy of the base material ▲ γ
(20 ℃) S ▼ is 28 dyne / cm 2 or more, preferably 30 dyne / cm
It is preferable to select a substrate having a density of 2 or more, more preferably 35 dyne / cm 2 or more.

ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリルな
どがとくに好ましい。
Polyethylene terephthalate and polyacrylonitrile are particularly preferable.

基材の形状は、フィルム状、シート状、フィラー状、繊
維状など目的の用途によって任意の形状が選択される。
As the shape of the base material, an arbitrary shape such as a film shape, a sheet shape, a filler shape, or a fiber shape is selected depending on the intended use.

本発明に用いる芳香族ビニレンスルフィド重合体は、下
記構造式(2)及び(3)に示す構造の両モノマーの付加重合
により得ることができる。
The aromatic vinylene sulfide polymer used in the present invention can be obtained by addition polymerization of both monomers having the structures represented by the following structural formulas (2) and (3).

(2),(3)式中のR1〜R8は、水素、ハロゲン、炭素数1
〜12のアルキル基である。好ましくは水素、炭素数1
〜5のアルキル基、ハロゲンである。
R 1 to R 8 in the formulas (2) and (3) are hydrogen, halogen, and a carbon number of 1.
~ 12 alkyl groups. Preferably hydrogen, carbon number 1
~ 5 alkyl groups, halogen.

上述の構造式(2)で示される化合物としてはP−ジエチ
ニルベンゼン、m−ジエチニルベンゼン、ジエチニルト
ルエンなどがある。
Examples of the compound represented by the above structural formula (2) include P-diethynylbenzene, m-diethynylbenzene, and diethynyltoluene.

構造式(3)で示される化合物としては、P−ベンゼンジ
チオール、m−ベンゼンジチオール、4−クロル−m−
ベンゼンジチオールなどがある。
Examples of the compound represented by the structural formula (3) include P-benzenedithiol, m-benzenedithiol, 4-chloro-m-
For example, benzenedithiol.

反応は、構造式(2)及び(3)で示される両モノマーの混合
物に活性光(可視光線、紫外線、γ線、X線等の電磁
波、電子線など)を照射して、あるいはベンゾイルパー
オキサイドなどのラジカル発生剤を加えて、あるいは微
量の酸素を存在させて行い、芳香族ビニレンスルフィド
重合体を得ることができる。
The reaction is carried out by irradiating a mixture of both monomers represented by the structural formulas (2) and (3) with active light (visible light, ultraviolet light, electromagnetic waves such as γ rays and X rays, electron rays, etc.) or benzoyl peroxide. An aromatic vinylene sulfide polymer can be obtained by adding a radical generator such as the above or in the presence of a trace amount of oxygen.

反応は、−80℃から200℃、好ましくは−50℃〜
150℃、更に好ましくは−20℃から100℃で行
う。とくに、芳香族ビニレンスルフィド重合体の結晶を
得るには、混合蒸着モノマー結晶の融点以下の温度を選
択する。
The reaction is from −80 ° C. to 200 ° C., preferably −50 ° C.
It is carried out at 150 ° C, more preferably -20 ° C to 100 ° C. In particular, in order to obtain crystals of the aromatic vinylene sulfide polymer, a temperature below the melting point of the mixed vapor deposition monomer crystals is selected.

基材と芳香族ビニレンスルフィド重合体との複合は、下
記の方法で実施される。
The composite of the base material and the aromatic vinylene sulfide polymer is carried out by the following method.

まず、結晶性の芳香族ビニレンスルフィド重合体層を基
材上に形成させるのに適した方法について述べる。
First, a method suitable for forming a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer layer on a substrate will be described.

上記式(2)及び(3)で示される構造式のモノマーを、同時
に昇華し、基材上に混合モノマー蒸着膜を形成する。こ
の混合モノマー蒸着膜は、良質な結晶を形成することが
できる。また、その結晶構造は、基材の種類によって異
なることがある。この基材上の混合モノマー蒸着膜に活
性光線を照射するなどして固相付加重合を行い、基材上
に芳香族ビニレンスルフィド重合体の結晶層を形成させ
る。
Monomers of the structural formulas represented by the above formulas (2) and (3) are simultaneously sublimated to form a mixed monomer vapor deposition film on a substrate. This mixed monomer vapor deposition film can form good quality crystals. Moreover, the crystal structure may differ depending on the type of the substrate. Solid phase addition polymerization is performed by irradiating the mixed monomer vapor deposition film on the base material with actinic rays to form a crystal layer of the aromatic vinylene sulfide polymer on the base material.

基材上に複合された芳香族ビニレンスルフィド重合体の
結晶のX線図は、混合モノマー蒸着膜の結晶のX線図と
非常に類似のX線図を示す。
The X-ray diagram of the crystal of the aromatic vinylene sulfide polymer compounded on the substrate shows an X-ray diagram very similar to that of the mixed monomer vapor deposition film.

このことから、基材の種類により、芳香族ビニレンスル
フィド重合体の結晶構造が異なって形成されるが、有機
高分子化合物は結晶構造を導電性に有利な構造にする作
用を有するものと考えられる。
From this fact, the crystal structure of the aromatic vinylene sulfide polymer is formed differently depending on the type of the base material, but it is considered that the organic polymer compound has an action to make the crystal structure advantageous for conductivity. .

また、上述と同様な方法で非晶性の芳香族ビニレンスル
フィド重合体を基材上に複合させることができる。すな
わち、混合蒸着モノマー結晶の融点以上の温度で固相付
加重合を行ったり、あるいは特定の有機高分子基材を用
いて上述の複合を行ったり、あるいは基材上に形成した
芳香族ビニレンスルフィド重合体結晶を或る温度以上に
加熱処理したり、特定波長の光を照射したりして非晶性
芳香族ビニレンスルフィド重合体に相転移させる方法で
ある。
Further, the amorphous aromatic vinylene sulfide polymer can be compounded on the substrate by the same method as described above. That is, solid-phase addition polymerization is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the mixed vapor-deposited monomer crystal, or the above-mentioned composite is performed using a specific organic polymer base material, or the aromatic vinylene sulfide polymer formed on the base material. This is a method of subjecting the combined crystal to a heat treatment at a certain temperature or higher or irradiating with light of a specific wavelength to cause a phase transition to an amorphous aromatic vinylene sulfide polymer.

また、基材上にスピンコート法、ブレードコート法、デ
ィップ法、キャスト法、スプレー法などの方法により構
造式(2)と(3)のモノマーの混合物の溶液を塗布した後、
乾燥させ基材上に両モノマー混合物を複合させることが
できる。これに活性光線を照射するなどして固相付加重
合を行い、やはり基材上に非晶性芳香族ビニレンスルフ
ィド重合体を複合することができる。
Further, after applying a solution of a mixture of monomers of structural formulas (2) and (3) onto the substrate by a method such as spin coating, blade coating, dipping, casting, or spraying,
Both monomer mixtures can be combined on the substrate by drying. The amorphous aromatic vinylene sulfide polymer can also be composited on the base material by carrying out solid phase addition polymerization by irradiating this with active light.

本発明は、基材としてポリエステルなど透明性にすぐれ
た有機高分子化合物を用いることができ透明性にすぐれ
た導電性複合体を得るのに適している。また、極性有機
高分子化合物を基材として用いることにより複合される
芳香族ビニレンスルフィド重合体の導電率が高いものが
得られ、かつ可撓性、機械的強度、賦形性さらには透明
性にすぐれた本発明の導電性複合体が得られるのであ
る。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can use an organic polymer compound having excellent transparency such as polyester as a substrate and is suitable for obtaining a conductive composite having excellent transparency. Further, by using a polar organic polymer compound as a base material, an aromatic vinylene sulfide polymer compounded with high conductivity can be obtained, and flexibility, mechanical strength, shapeability and transparency are improved. Thus, the excellent conductive composite of the present invention can be obtained.

さらに、本発明の芳香族ビニレンスルフィド重合体層は
その高い導電率にもかかわらず、透明性が比較的すぐれ
ているため、包装材として使用しても内容物を透視する
ことができ、又カラフルな成形材としての使用も可能で
ある。
Furthermore, the aromatic vinylene sulfide polymer layer of the present invention has relatively high transparency despite its high conductivity, so that the contents can be seen through even when it is used as a packaging material, and it is colorful. It can also be used as a simple molding material.

また、上述の導電率は、ドーピング等の処理を用いずに
達成されるものであり、長期間使用しても変化せず、透
明性と共にその品質の安定性はすぐれたものである。
In addition, the above-mentioned conductivity is achieved without using a treatment such as doping, does not change even when used for a long period of time, and has excellent transparency and quality stability.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.

〔実施例1〕 昇華装置にあらかじめ精製エーテルで充分洗浄したポリ
エチレンテレフタレートシート(密度1.455g/cc、格
子定数3.44、表面エネルギー(20℃)43.8dyne/cm2
を基板として設置し、P−ジエチニルベンゼンとP−ベ
ンゼンジチオールの粉末結晶の等モル混合物0.134gを
入れた。排気操作により蒸着室を0.5mmHgの真空度とし
た。さらに蒸発源を60℃に加熱して30秒間昇華させ
てポリエチレンテレフタレート基板上にP−ジエチニル
ベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマーの蒸
着結晶薄膜(厚み10.4μm)を形成した。この混合モノ
マー蒸着膜の結晶はX線回折において最大回折ピークを
d=7.73Åに有し、さらにd=7.5Å近傍、さらに3.90
Å、3.6〜3.8Åに2本、2.60Å,1.95Åに回折ピークを
有する。第1図に最大回折ピークの高さを基準とした相
対強度を示した。
[Example 1] A polyethylene terephthalate sheet (density 1.455 g / cc, lattice constant 3.44, surface energy (20 ° C) 43.8 dyne / cm 2 ) that had been thoroughly washed with purified ether in a sublimation apparatus in advance.
Was set as a substrate, and 0.134 g of an equimolar mixture of powder crystals of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol was added. The vacuum of the deposition chamber was set to 0.5 mmHg by the exhaust operation. Further, the evaporation source was heated to 60 ° C. and sublimated for 30 seconds to form a vapor-deposited crystal thin film (thickness 10.4 μm) of a mixed monomer of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol on a polyethylene terephthalate substrate. The crystal of this mixed monomer vapor deposition film has the maximum diffraction peak in X-ray diffraction at d = 7.73Å, further d = 7.5Å, and further 3.90.
There are two peaks at Å and 3.6 to 3.8 Å, and diffraction peaks at 2.60 Å and 1.95 Å. FIG. 1 shows the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak.

こうしてポリエチレンテレフタレート基板上に得られた
P−ジエチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混
合モノマー結晶薄膜を60℃に保持すると共に、高圧水
銀ランプ(300W)で紫外線を12分間にわたって照
射した。紫外線照射後、メタノールで上記結晶薄膜を洗
浄し残存モノマーを除去したが、91%の収率で重合し
ていた。
The mixed monomer crystal thin film of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol thus obtained on the polyethylene terephthalate substrate was kept at 60 ° C. and irradiated with ultraviolet rays for 12 minutes by a high pressure mercury lamp (300 W). After the ultraviolet irradiation, the above crystal thin film was washed with methanol to remove the residual monomer, but the polymerization was performed at a yield of 91%.

かくしてPET基板上に得られたP−ジエチニルベンゼン
とP−ベンゼンジチオールの付加重合体結晶のX線回折
図は、混合モノマー蒸着結晶のX線回折図と非常に類似
したものであった。
The X-ray diffraction pattern of the addition polymer crystal of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol thus obtained on the PET substrate was very similar to that of the mixed monomer vapor deposition crystal.

上記重合体の数平均分子量は、銅アセチリド法で400
0であった。また、上記重合体の組成をフラスコ燃焼法
〔有機微量定量分析383ページ(1969)南江堂〕
で硫黄を分析して求めると22.3wt%であった。更に、PET
基板上の上記重合体の導電率は、白金電極2端子法で測
定したところ4.5×10-5s/cmであった。
The number average molecular weight of the above polymer is 400 by the copper acetylide method.
It was 0. In addition, the composition of the above-mentioned polymer was determined by a flask combustion method [organic trace quantitative analysis page 383 (1969) Nankodo].
It was found to be 22.3 wt% by analyzing sulfur. Furthermore, PET
The conductivity of the above polymer on the substrate was 4.5 × 10 −5 s / cm as measured by the platinum electrode two-terminal method.

また、上記PET基板上の重合体は200〜500nmに吸収を
示して、色調は黄色味を帯びているものの透視できる程
度に透明であった。上記重合体の拡散反射スペクトルに
おいて波長500nmにおける吸光度は0.2〜0.3程度であ
った。
The polymer on the PET substrate showed absorption at 200 to 500 nm and had a yellowish color tone, but was transparent enough to be seen through. In the diffuse reflection spectrum of the above polymer, the absorbance at a wavelength of 500 nm was about 0.2 to 0.3.

また、PET基板と上記重合体の接着力は、容易にはがれ
ない程度に強いものであった。
Further, the adhesive force between the PET substrate and the polymer was strong enough not to easily peel off.

実施例2 基板としてPETシートのかわりにポリアクリロニトリル
シート(格子定数5.27Å、表面自由エネルギー(20
℃)=52.3dyne/cm2)を用いた以外は、すべて実施例1
と同様な方法でポリアクリロニトリルシート上に、P−
ジエチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モ
ノマー蒸着結晶薄膜(厚み10.6μm)を形成した。この
混合モノマー蒸着膜の結晶のX線回折図を最大回折ピー
クの高さを基準とした相対強度で第2図に示した。PET
シートを基板に用いた場合に得られるもの(第1図)と
比較して大きく異なり、基板に対する依存性の強さを示
している。
Example 2 Instead of a PET sheet as a substrate, a polyacrylonitrile sheet (lattice constant 5.27Å, surface free energy (20
℃) = 52.3dyne / cm 2) except for using, all Example 1
On the polyacrylonitrile sheet in the same manner as
A mixed monomer vapor-deposited crystal thin film (thickness 10.6 μm) of diethynylbenzene and P-benzenedithiol was formed. The X-ray diffraction pattern of the crystals of this mixed monomer vapor deposition film is shown in FIG. 2 with the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak. PET
Compared with the one obtained when the sheet is used as the substrate (FIG. 1), it is significantly different and shows the strength of dependence on the substrate.

こうしてポリアクリロニトリル基板上に得られたP−ジ
エチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノ
マー結晶薄膜を実施例1と同様にして重合し、90%の
収率で付加重合体を得た。
The mixed monomer crystal thin film of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol thus obtained on the polyacrylonitrile substrate was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer in a yield of 90%.

かくしてポリアクリロニトリル基板上に得られた上記付
加重合体の結晶のX線回折図は、やはり混合モノマー蒸
着結晶のX線回折図と非常に類似したものであった。
The X-ray diffraction pattern of the crystals of the above-mentioned addition polymer thus obtained on the polyacrylonitrile substrate was very similar to that of the mixed monomer vapor-deposited crystals.

上記重合体の数平均分子量は、銅アセチリド法で300
0であった。又、上記重合体中の硫黄は、23.8wt%であ
った。ポリアクリロニトリル基板上の上記重合体の導電
率は実施例1と同様にして測定したところ1.4×10-6s
/cmであった。
The number average molecular weight of the above polymer is 300 by the copper acetylide method.
It was 0. The sulfur content in the polymer was 23.8 wt%. The conductivity of the above polymer on the polyacrylonitrile substrate was measured in the same manner as in Example 1, and was 1.4 × 10 −6 s.
It was / cm.

ポリアクリロニトリル基板上の上記重合体の色調、透明
性は、実施例1の重合体と類似であった。
The color tone and transparency of the above polymer on the polyacrylonitrile substrate were similar to those of the polymer of Example 1.

又、ポリアクリロニトリル基板と上記重合体の接着力は
非常に強いものであった。
Also, the adhesion between the polyacrylonitrile substrate and the above polymer was very strong.

実施例3 基板に、密度1.49g/cc、格子定数3.84Å、表面自由エ
ネルギー▲γ(20℃) S▼=44.6dyne/cm2のポリオキシメ
チレンを用いた以外は、すべて実施例1と同様にして、
P−ジエチニルベンゼンとP−ベンゼンジチオールの付
加重合体を複合した。
Example 3 All were the same as Example 1 except that polyoxymethylene having a density of 1.49 g / cc, a lattice constant of 3.84Å and a surface free energy of ▲ γ (20 ° C.) S ▼ = 44.6 dyne / cm 2 was used as the substrate. And then
An addition polymer of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol was compounded.

ポリオキシメチレン基板上に蒸着したP−ジエチニルベ
ンゼンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜
の結晶のX線回折図を最大回折ピークの高さを基準とし
た相対強度で第3図に示した。
The X-ray diffraction pattern of the crystal of the mixed monomer vapor deposition film of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol vapor-deposited on the polyoxymethylene substrate is shown in FIG. 3 with the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak. .

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合したところ収率92%で付加重合体を得たが、かく
してポリオキシメチレン基板上に得られた上記付加重合
体は、まったくの非晶性であった。
Further, when the mixed monomer vapor deposition film was polymerized in the same manner as in Example 1, an addition polymer was obtained with a yield of 92%. The addition polymer thus obtained on the polyoxymethylene substrate was completely non-polymerized. It was crystalline.

上記重合体の数平均分子量は銅アセチリド法で5000
であった。又、上記重合体中の硫黄は23.7wt%であっ
た。ポリオキシメチレン基板上の上記重合体の導電率は
実施例1と同様にして測定したところ3.2×10-8s/cm
であった。
The number average molecular weight of the above polymer is 5000 according to the copper acetylide method.
Met. The sulfur content in the polymer was 23.7 wt%. The conductivity of the above polymer on the polyoxymethylene substrate was measured in the same manner as in Example 1, and was 3.2 × 10 −8 s / cm.
Met.

また、上記ポリオキシメチレン基板上の重合体は、20
0〜500nmに吸収を示して、色調は黄色味をおびてい
るものの透視できる程度に透明であった。上記重合体の
拡散反射スペクトルにおいて波長500nmにおける吸光
度は0.1〜0.2程度であった。
The polymer on the polyoxymethylene substrate is 20
It showed absorption at 0 to 500 nm and had a yellowish color tone, but was transparent enough to be seen through. In the diffuse reflection spectrum of the above polymer, the absorbance at a wavelength of 500 nm was about 0.1 to 0.2.

ポリオキシメチレン基板と上記付加重合体の接着力は非
常に強いものであった。
The adhesive strength between the polyoxymethylene substrate and the addition polymer was very strong.

比較例1 基板にガラス(アモルファス、表面自由エネルギー▲γ
(20℃) S▼=300dyne/cm2)を用いた以外はすべて実
施例1と同様にしてP−ジエチニルベンゼンとP−ベン
ゼンジチオールの付加重合体を複合した。
Comparative Example 1 A glass (amorphous, surface free energy ▲ γ
An addition polymer of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol was compounded in the same manner as in Example 1 except that (20 ° C.) S ▼ = 300 dyne / cm 2 ) was used.

ガラス基板上に蒸着したP−ジエチニルベンゼンとP−
ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜の結晶のX線
回折図を最大回折ピークの高さを基準とした相対強度で
第4図に示した。
P-diethynylbenzene and P- deposited on a glass substrate
The X-ray diffraction pattern of the crystal of the mixed monomer vapor deposition film of benzenedithiol is shown in FIG. 4 with the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak.

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合し収率90%で付加重合体を得た。かくしてガラス
基板上に得られた上記付加重合体の結晶のX線回折図
は、混合モノマー蒸着結晶のX線回折図と非常に類似し
たものであった。上記重合体の数平均分子量は銅アセチ
リド法で3000であった。また、上記重合体中の硫黄
は24.0wt%であった。ガラス基板上の上記重合体の導電
率は実施例1と同様にして測定したところ1.5×10-10
s/cmと低いものであった。また、上記重合体の色調、透
明性は実施例1の重合体と類似であった。
In addition, the mixed monomer vapor deposition film was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer with a yield of 90%. The X-ray diffraction pattern of the crystal of the addition polymer thus obtained on the glass substrate was very similar to that of the mixed monomer vapor-deposited crystal. The number average molecular weight of the above polymer was 3000 by the copper acetylide method. The sulfur content in the polymer was 24.0 wt%. The conductivity of the above polymer on the glass substrate was measured in the same manner as in Example 1 to be 1.5 × 10 −10.
It was as low as s / cm. The color tone and transparency of the above polymer were similar to those of the polymer of Example 1.

ガラス基板と上記付加重合体の接着力は強いものであっ
た。
The adhesive strength between the glass substrate and the addition polymer was strong.

比較例2 比較例1で得られたガラス基板上に複合したジエチニル
ベンゼンとベンゼンジチオールとの付加重合体結晶を7
0℃で1時間加熱処理を行った。かくしてガラス基板上
の上記重合体結晶は、X線回折図からみてまったくの非
晶性重合体となった。
Comparative Example 2 The addition polymer crystals of diethynylbenzene and benzenedithiol, which were composited on the glass substrate obtained in Comparative Example 1, were used.
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 1 hour. Thus, the above-mentioned polymer crystals on the glass substrate became completely amorphous polymers as seen from the X-ray diffraction pattern.

ガラス基板上の上記非晶性重合体の導電率は、実施例1
と同様にして測定したところ、1.4×10-10s/cmと低い
ものであった。
The conductivity of the amorphous polymer on the glass substrate is shown in Example 1.
When measured in the same manner as in Example 1, it was as low as 1.4 × 10 -10 s / cm.

また、上記非晶性重合体の色調、透明性は、実施例4の
重合体と類似であった。
The color tone and transparency of the above amorphous polymer were similar to those of the polymer of Example 4.

比較例3 基板に、アモルフィスSiを用いた以外はすべて実施例1
と同様にしてP−ジエチニルベンゼンとP−ベンゼンジ
チオールの付加重合体を複合した。
Comparative Example 3 Example 1 except that Amorphis Si was used as the substrate.
In the same manner as above, an addition polymer of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol was compounded.

アモルフィスSi基板上に蒸着したP−ジエチニルベンゼ
ンとP−ベンゼンジチオールの混合モノマー蒸着膜の結
晶のX線回折図を最大回折ピークの高さを基準とした相
対強度で第5図に示した。
The X-ray diffraction pattern of the crystal of the mixed monomer vapor deposition film of P-diethynylbenzene and P-benzenedithiol vapor-deposited on the Amorphis Si substrate is shown in FIG. 5 with the relative intensity based on the height of the maximum diffraction peak.

また、実施例1と同様にして上記混合モノマー蒸着膜を
重合し収率93%で付加重合体を得た。かくしてSi基板
上に得られた上記付加重合体の結晶のX線回折図は、混
合モノマー蒸着結晶のX線回折図と非常に類似したもの
であった。上記重合体の数平均分子量は銅アセチリド法
で1000であった。又、上記重合体中の硫黄の含量は
17.0wt%であった。Si基板上の上記重合体の導電率は実
施例1と同様にして測定したところ3.2×10-10s/cmと
低いものであった。また、上記重合体の色調、透明性は
実施例1重量体と類似であった。
In addition, the mixed monomer vapor deposition film was polymerized in the same manner as in Example 1 to obtain an addition polymer with a yield of 93%. The X-ray diffraction pattern of the crystal of the addition polymer thus obtained on the Si substrate was very similar to the X-ray diffraction pattern of the mixed monomer vapor deposition crystal. The number average molecular weight of the above polymer was 1,000 by the copper acetylide method. The content of sulfur in the above polymer is
It was 17.0 wt%. The conductivity of the above polymer on the Si substrate was measured in the same manner as in Example 1 and was as low as 3.2 × 10 −10 s / cm. Further, the color tone and transparency of the above polymer were similar to those of Example 1 weight body.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図〜第5図は、夫々、実施例1、実施例2、実施例
3、比較例1及び比較例3によって基材上に形成された
極性有機化合物膜のX線回折ピークの相対強度を示す図
である。
1 to 5 show the relative intensities of the X-ray diffraction peaks of the polar organic compound films formed on the substrate in Example 1, Example 2, Example 3, Comparative Example 1 and Comparative Example 3, respectively. FIG.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】極性有機高分子化合物を基材とし、該基材
上で数平均分子量300ないし500,000の下記(1)式を繰
り返し単位とする芳香族ビニレンスルフィド重合体層を
形成せしめることにより複合化してなることを特徴とす
る導電性複合体。
1. A composite comprising a polar organic polymer compound as a base material, and an aromatic vinylene sulfide polymer layer having a number average molecular weight of 300 to 500,000 and having the following formula (1) as a repeating unit formed on the base material. An electrically conductive composite, characterized in that
【請求項2】表面自由エネルギー▲γ(20℃) S▼が30d
yne/cm2以上である極性有機高分子化合物を基材として
用いる特許請求の範囲第1項記載の導電性複合体。
2. The surface free energy ▲ γ (20 ° C.) S ▼ is 30d.
The conductive composite according to claim 1, wherein a polar organic polymer compound having a yne / cm 2 or more is used as a base material.
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