JPS62502073A

JPS62502073A - ２重ショットキダイオ−ド液晶光バルブ

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Publication number: JPS62502073A
Application number: JP61503885A
Authority: JP
Inventors: ブラツツ，ポール・オー; エフロン，ウズイ
Original assignee: ヒューズ―ジェイブイシー・テクノロジー・コーポレーション
Priority date: 1985-07-25
Filing date: 1986-07-03
Publication date: 1987-08-13
Anticipated expiration: 2009-10-05
Also published as: EP0233217A1; JPH0679124B2; WO1987000642A1; US4842376A; EP0233217B1; IL79187A0

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】２重ショットキダイオード液晶光バルブ本発明は、光バルブ、特に、光バルブで使用される高性能の光伝導性基板に関する。

液晶ベースの“光バルブまたは空間光モジュレータは像処理、像変換、および実時間データ処理の分野で広く応用されてきた。光バルブは、例えば、可視像から可視像への処理を行ない、可視光線スペクトルと赤外線スペクトルの間の像変換を行なうために使用される。光バルブは、例えば、レーザービームの光の特性の修正のような適応光学機器の分野で需用が増している。

光バルブ技術の基礎的理論は、米国特許第　３，８２４゜００２号明細書（１９７４年７月１６日、Ｔ、　Ｄ、　Ｂｅａｒｄと米国特許第４．０１９，８０７号明細書（１９７７年４月２６日、Ｄ、　Ｄ、Ｂｏｓｖｅｌｌ）で説明されている。交流（ＡＣ）光バルブの基本的構成はＢ　ｃａｒｄの特許に示される。可視像と赤外線像の変換を行なうように構成された光バルブの例は、米国特許第４，１１４，９９１号明細書（１９７８年９月９日、Ｗ、’　Ｔ、Ｂｌｅｈａ）に記載されている。像の変調を効率的にするのに必要な偏光回転を行うハイブリットフィールド効果方式の光バルブの構成と動作は、前記Ｂ　ｏｓｖｅｌ　ｌ特許および米国特許第４，３７８，９５５号明細書（１９８３年４月５日、Ｗ、　Ｔ、Ｂｌｅｈａ）に開示されている。前記特許は全て、本発明の出願人が所有している。

前記特許で開示されるように、光バルブの重要な素子は、液晶および光伝導性基板である。光伝導性基板は入来する像を受取り、それに応じて液晶の偏光回転を制御して像変換または変調を行う。米国特許第４，０１９，８０７号明細書、同第４，１１４，９９１号明細書、同第４．０１８，５０９号明細書（１９７７年４月１９日、Ｄ、　Ｄ、Ｂｏｓｗｅｌｌ、その他）、同第４．２３９，３４８号明細書（１９８０年１２月１６日、Ｊ　ａｎ　Ｇ　ｒｌｎｂｃｒｇ　ｓその他）、同　第４，４４３゜０６４号明細書（１９８４年４月１７日Ｊ　ａｎ　Ｇ　ｒｌｎｂｅｒｇ　。

その他）で示されるような従来技術の光バルブは、典型的に硫化カドミウムまたは酸化金属半導体（ＭＯＳ）ベースの光伝導性素子を使用する。簡単な低抵抗性シヨ・ソトキシリコン構造も使用されてきた。

これら従来の光伝導性基板は多数の本質的欠点を有する。

特に、前記硫化カドミウム光伝導性構造は反応が遅く、感度が低く、再生能力のない非均一性の多結晶（薄いフィルム）の光基板に基づいている。

従来のＭＯ３基板構成は、空乏領域が早期に破壊され、空間的解像度を低下させる横方向の伝導性の反転層が発生し、格子損害処理工程（イ、オン注入と熱的酸化物の成長）を使用し、また薄く処理されたシリコンウニｌＸを平坦にするのが困難であることによって制限された。

従来のショットキダイオードベースの光基板は対称的ＡＣ方式での動作を妨げた。従来のショットキ構成では液晶は直流でなければならず、この重要な層が電気化学的に劣化してしまう。

従来技術の光基板の前記のような制限を無くすことが、より高性能の光バルブを得るために必要である。光バルブの処理番簡単にすると、信頼性のある経済的光バルブにすることができる。従来の技術の光基板を用いると生じる前述のような問題を解決するには、ＡＣ方式の光バルブの動作を保持し液晶のＤＣ動作によって生じる問題を解決しなければならない。

したがって、本発明の目的は、改良された出力が均一で、より高い解像度で、より高い生産性にすることによって高性能の光パル、ブを提供することである。

本発明のもう一つの目的は、光バルブの製造を簡単にすることである。

本発明のもう一つの目的は、可視スペクトル範囲でまた赤外線と可視スペクトル範囲の間で像処理および変換を行うことができる高性能の光バルブを提供することである。

発明の概要本発明は、概括的に言えば、変調されたビームを発生させるために偏光回転によってビームを局部的に変調する液晶と第２のビームを受取り吸収し第２のビームの光の内容に応じて第１のビームの偏光回転を制御するために両側に配置された２つのショットキダイオードを有する光導電体とを有する２重ショットキダイオード光バルブである。１対のショットキダイオードは第２のビームの吸収によって発生する光により発生された多数キャリアの実質上減少した基板を保持する。

ショットキダイオードの一つは液晶を通って来た変調されたビームを反射し、変調されたビームは液晶を２回通過し、第２のビーム中の光情報に比例して各通路で回転された偏光で本発明の１態様によれば、基板は高い抵抗性のシリコン基板またはひ化ガリウムまたはひ化インジウムの基板である。

本発明の別の態様によれば、ショットキダイオードの一つは光導電体の液晶とは反対側に配置され第２のビームと光学的に通信する。ダイオードは基板に隣接する金属の光学的に透明な層を具備し、金属半導体ダイオードがこの層と基板とによって形成される。使用される金属にはイジウムすず酸化物、白金層とイジウムすず酸化物層とからなる隣接層、または基板と高いショットキバリアを形成する任意の金属が含まれる。このショットキダイオードは基板と基板に隣接する金属グリッドとの間に形成された複数の金属半導体ダイオードであってもよい。

本発明の別の態様によれば、第２のショットキダイオードは液晶に隣接する光導電体の側に配置され、液晶を通る変調されたビームを反射するように位置される。第２のダイオ−金属半導体ダイオードを具備する。金属グリッドは絶縁グリッドによって囲まれた複数の概して方形の孔を形成するようにエッチされた酸化物を具備し、その孔に堆積された金属材料によって複数の高い反射性の金属アイランドを形成する。

金属材料は、アルミニウム、金、または基板と高いショットキバリアを形成する金属を備える。

本発明のその他の目的、特性、および利点は以下の説明と添附の図面とから明らかとなるであろう。

図面の簡単な説明図は、本発明による２重ショットキダイオード光バルブの断面図である。

詳細な説明第１図は、本発明による２重ショットキダイオード光パル７′５を示す。光バルブ５によって入来入力ビーム１１０は入来読み出しビーム１２０を変調し、偏光変調された出力ビーム１２１を発生させる。前述のように、読み出しビーム１２０は光バルブ５に入りまたそれから反射され、反射された部分は入来ビーム１２０とは異なる偏光を有する変調されたビーム１２１を形成する。

本発明の光バルブ５の中心的側面は、２重ショットキダイオードベースの元基板である。基板は透明な導電性電極３０と金属マトリックス構造６０との間に配置された高比抵抗のＮ型半導体基板４０を具備する。入力側導体電極３０と読み出し側金属マトリックス６０は半導体基板４０との間でショットキダイオードを形成する。電極３０と基板４０は単一ショットキダイオード（“３０／４０”）を形成し、金属マトリックス６０と基板４０は電気的に絶縁されたショットキダイオード（“Ｇｏ／４０”）のマトリックスを形成する。単一ダイオードショットキダイオード３０／４０は基板４０の後側または入力側に位置され、電気的に絶縁されたショットキダイオードＧＯ／　４０のマトリックスは基板４０の読み出し側または出力側に位置される。

本発明に利点となる特性を与えるものは、前記２重ショットキダイオード装置である。特に、前記のような元基板構成によって、光バルブのＡ、Ｃ，動作は逆極性によって完全に低下され、少数キャリア注入を阻止して簡単で低温の半導体処理を行なうことを可能にし、また可視像変換と赤外線と可視スペクトル範囲間の変換を行うことを可能にする。

２重ショットキ構成によって、非常に高性能の光バルブが生じる。特に、出力の均一性が改善され、解像度が良くなり、また処理が簡単になることでより生産性が高くなる。この様な構造は並列で高処理能力比の処理の要求に合致し、応用光システムに適合する。

光バルブ５の構成の残りの部分について説明すると、入力ビーム１１０は入力ビーム１１０の放射の波長に対して実質上透明である透明ベース、すなわちフェースプレート１０を介して装置に入る。フェースプレートｌＯは機械的に一体として支持すると共に電極３０の電気的絶縁を行う。フェースプレート１０は光学的品質のガラスｕ板の１ｃｍ程度の厚さのファイバ光フェースプレート、または６ＩＩＩｆｆ１以上の厚さのサファイアフェースプレートのような当業者には既知の多数の材料で構成する。

元基板４０はシリコンウェハのような高比抵抗半導体基板を使用するが、これに限定されない。高比抵抗シリコンウェハは２−８キロオ一ムｃｍの範囲の比抵抗を有することが好ましく、およそ４０−１２０μｍの厚さである。ひ化ガリウム、リン化インジウム、またはひ化インジウムのような他の材料が基板４０を形成するのにシリコンの代わりに使用されることかできるが、以下の説明では、説明を簡単にするためにシリコーン基板を使用すると仮定する。

３０／４０シヨツトキダイオードを形成し、元基板４ｏの１表面に低比抵抗の電圧路を設けるために、電極３ｏは基板４ｏに付着される。フェースプレートｌｏにはまず電極３ｏが付着され、れ、それから基板４０に機械的に結合させることもできるが、ショットキ接触は基板４０（ト直接形成されることが好ましい。電極３０は入力ビーム１１０が元基板４ｏに通過するように透明な層に付着されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）のような材料からなる。−例として電極３ｏの層はほぼ５００オングストロームの厚さのインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、またはほぼ５００オングストロームのＩＴＯ層と重なった薄い（数百オングストローム）プラチナ層である。アルミニウムまたは金のようなＮ型基板４０で高いショットキバリアを形成することができる他の金属がプラチナの代わりに使用できる。電極層３０を付着した後、フェースプレート１ｏは光セメント２ｏで電極３０と基板４０の結合体に付着される。

また、光学的に透明な電極３ｏは金属グリッド型に製造されることもできる。プラチナのようなショットキバリアグリッド金属はほぼ８μｍ　Ｘ　３μｍで画素の大きさく金属の隙間）を有するほぼ四角い形のＭＸＮアレイの基板４ｏの表面に堆積され、１−２μ【ｎ程度のライン幅を有する金属グリッドチャンネルによって接触される。符号ＭとＮは光基板面の幅（Ｗ）と高さくＨ）の大きさを横切って適合する画素の数（Ｍ、Ｎ）を表わす。ＭとＮの値は背面接触の所望のシート伝導性、反射または透過される入来放射の波長、および製造上の制限のような既知の要因に甚づいた個々の接触またはダイオードに所望の大きさに決定される。

サファイア上シリコン（ＳＯ８）技術はサファイアフェースプレートｌＯが所望である場合、平らに設置されたシリコン基板４０を提供するように使用される。

この場合、ショットキ金属電極３０は高比抵抗の３０−４０μｍの厚さのＮシリコーンウェハ４０の、エピタキシャル成長が行われるサファイアフェースプレート１０に形成されるのが好ましい。前述のように、本装置は近赤外線（５μｍ以下のλ）で動作するように使用される。この様な用途では、ショットキ金属接触３０は赤外線放射を感知するシリサイド（例えばＰｔ／Ｓｉ）を形成するように熱的に処理される。ＳＯＳアプローチでは、光伝導性基板にフェースプレートＩＯを付着させるための光セメント２０は必要ない。

セメント２０によってまたはＳＯ８技術に対するエピタキシャル基板４０の成長によって光伝導性基板４０にフェースプレート１０を固定した後、基板４０は既知の技術を使用して、薄くされ、研磨して光学的に平らな出力表面を形成する。

読み出し側ショットキダイオード層１３０／４０がその後製造される。

まず、１０００−３０００オングストロームの厚さの絶縁層は、ウェハおよび隣接基板を壊さないように比較的低温で研磨されたウェハ４０に堆積されるまたは熱的に成長される。

適切な絶縁材料は二酸化シリコン、他のシリコン酸化物、窒化シリコンのような材料、または半導体製造で絶縁体として使用する既知の他の化合物である。５ｉ０２は容易に製造されまた処理されるので、説明を簡単にするために５ｉ０２の酸化層を使用するものとする。

酸化物層の厚さはダイオード８０／４０アレイから金属ミラーを形成するのに必要な反射層の厚さに関係する。当業者には既知のように、異なる材料が放射の所定の波長に対して異なる反射性を有し同じパーセントの放射を反射するのに異なる厚さを必要とする。放射と相互に作用し、材料から分散させるのに十分な材料の自由電子密度が基本的に必要となる。

金またはアルミニウムのような金属（これらに限定されな（弓りからなる反射アイランド６０に対して、０５μｍ以上の厚さが必要であり５．１μｍ以−にであることが好ましい。同な金属／半導体化合物を具備する反射アイランド６０には十分な電子密度を有するために、１μ乃至、２μｍが必要である。

最大の厚さの制限はない。しかしながら、全体のミラーと光バルブ５の大きさについての考慮により決定される。明らかに、反射が達成されるのにさらに余分の材料を使用したり処理時間を無駄にする必要はない。

酸化物上にフォトレジストリックス（グリッド）パターンが現像され、フォトレジストはグリッドパターン５０のみを残し、正方形のアイランド領域６０の部分が除去される。酸化物はアイランド領域で次にエッチされ、フォトレジストのグリッドの下にのみ残る。金属マトリックス層として作用する金属を形成するショットキバリアがグリッドパターンフォトレジスト−ヒに堆積される。金属６０は２つの層で形成され、第１の層はショットキ接触（例えばプラチナ）として作用し、第２の層は光伝導性層の反射率を強めるリフレクタとして作用するようにしてもよい。

金属６０はアイランド領域でシリコン表面およびフォトレジストグリッド領域上に直接堆積される。フォトレジストを次にリフトオフすることによって、酸化物領域から金属が取り除かれ、１−２μｍの幅を有する酸化物バリア５０のグリッドパターンの間にほぼ８μｍＸ８μｍの金属アイランドを残す。

可視領域の読み出し動作のために、追加の高比抵抗の光陰止層が酸化絶縁層の」二にまたはその代わりに堆積されなければならない。この様な光阻止材料は、別の特許明細書で説明されている　Ｃ　ｄ　Ｔ　ｅ　ｓ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ−、または多重層Ｓｉ／Ｓｉ０２誘導体ミラーである。この絶縁光陽止層は絶縁酸化物に対して前に説明したような同じ工程に従う。生じる構成は絶縁、光阻止チャンネルを有する金属マトリックスの構成であり、下にある元基板の先付勢作用を阻止する。

金属アイランド６０の大きさは使用される光バルブ基板の全体の大きさと、所望の数の個々に制御され、または付勢される所望の画素要素とによって調節される。アイランドが読み出しビーム１２０に対する反射ミラーを形成するのに使用されると、適切な反射に対して最少限度の好ましいサイズがある。

同時に、特定の液晶材料または光バルブ５で使用される他の素子は使用することができる有効な解像度素子の数を決定する。これによって各要素の最少限度の大きさとアイランドＢＯの大きさが決定される。

個々のアイランドの分離はダイオードアレイを横切って適切な電気抵抗を与え、隣接する画素または解像素子を短絡しないように十分に大きくなけれはならない。反射ミラーとして作用するアイランド間の分離距離に必要な最少限度の大きさがある。この場合、分離は反射される放射の波長以下でなければならない。そのため、グリッドパターンとして形成されるバリアの幅は読み出しビーム１２０に使用される放射の波長より小さくしなければならない。

読み出し側ショットキダイオードの製造の次に、浅い角度のＳｉｎ）（層（Ｘの範囲は１乃至２）のようなこの技術分野で使用される材料からなる液晶アラインメント層７０は次に、予め決定されたアラインメント角を設定するのため金属マトリックス６０表面に堆積される。

光バルブの残りの部分は以下のように構成される。ガラスの透明の反対側基板１４０は、はぼ１００−５００オングストロームの厚さのＩＴＯのような材料の層を備える透明な伝導性電極１５０をそれに付着させている。それから１０−２００オングストロームの厚さのＳｉｎ）（の浅い角度の液晶アラインメント層１００が付着される。

液晶アラインメント層１００の付着に次いで、液晶アラインメントスペーサ７５は化学的にまた電気的に液晶媒体を取囲む装置と環境から絶縁するように付着される。スペーサ７５はＸが１乃至２の範囲のＳｉｎ＞（のような材料からなり、２乃至１０μｍの厚さで付着される。この間隔は圧縮または流される液晶材料に必要な所望の厚さを形成する。スペーサ７５の付着に次いで、液晶８０は充填され、装置５は光バルブで決まって行われるように気密ホルダー中に最終的に組立てられる。

液晶８０は、米国特許第３，６９４．０５３号明細書または文献（“Ｔｈｅ　Ｌｌｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｉ−Ｂａｓｅｄ　Ｖｉｓｉｂｌｅｔ。

Ｉ　ＲＤｙｎａｍｉｃ　Ｉｍａｇｅ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ　（Ｖ　Ｉ　Ｄ　Ｉ　Ｃ）　”　Ｕ。

Ｅｆ’ｒｏｎ　ｅｔ　ａｌ、’　ＳＰ　Ｉ　Ｅ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、　４６５−２２頁は既知の液晶媒体からなる。特定の材料は、動作波長、動作方式、必要な応答または回復時間等のような当業者では既知の変数に従って選択される。液晶８ｏは前記米国特許第４゜３７８．９９５号明細書、および第４，０１９，８０７号明細書で説明されるようにハイブリッド電界効果構成で動作される。

ハイブリッド電界効果構成はＳ、　Ｐ、！、　Ｅの２６巻１２０頁（１９８０年）およびＯｐｔｉｃａｌ　Ｅ　ｎｇｎｅｅｒｉｎｇ第１４巻２１７頁（１９７５年）のＪ　ａｎ　Ｇ　ｒｉｎｂｃｒｇその他による記事で説明される。また、液晶は純粋な複屈折モード（ゼロツイスト）で動作される。この方式の動作は強度と位相変調に使用される。

装置を動作させるために、電圧はＡＣ電源１３０によって光バルブ５を横切って供給される。この電源１３０は基本的光バルブの特許明細書で説明された型の通常のＡＣ電源である。

電圧は典型的にピーク−ピークで３０−６０ボルトの範囲ををする対称的に０．　５−１．　０ｍ５ｅｃ方形波電圧である。

光バルブ５の動作は以下の通りである。方形波の各位相では、前面（読み出し側）または後面（入力側）ショットキダイオードが逆にバイアスされ、他方のものは順方向にバイアスされる。例えば、読み出しくマトリックス）側ダイオードに供給される負の電圧はこれらダイオード６０／４０を逆方向にバイアスし、入力側ダイオード３０／４０を順方向にバイアスする。各側のショットキダイオードの交互の逆バイアスによって全電圧サイクルの期間に高比抵抗のシリコン基板４０の継続する完全なデプレッションが生じる。順方向にバイアスされたダイオードは光により発生された多数キャリアを沈めるように動作し、デプレッション領域への少数キャリアの注入を阻止する。ショットキダイオードのこの様な特性、つまり次第に小さくなる少数特性注入比が本発明の基本となっている。

デプレッション領域に関係する電界は従来技術のＭＯＳ基板での解像度の損失を最少限度に止どめるように光により発生されるキャリアを集束する。しかしながら、従来技術のＭＯＳ基板では反対に熱的にまた光により発生された少数キャリアが光バルブ５を通って前後に流れ、絶縁体／シリコン境界面に堆積せず、デプレッション領域を早期に破壊させる。

同様に、少数キャリアの堆積は生じないので、解像度の本質的損失を伴う反転層の形成は完全になくなる。２重ショットキ構造から予測される暗電流は液晶しきい値以下に維持される。さらに、電流を付勢する予測される最大量と共に、液晶を横切って低下する電圧は非常に小さいものに過ぎない。さらに、金属ミラーは無視できる程度の低いインピーダンスを表わすから、完全な先付勢によって基板デプレッション電圧（はぼ３０−４０ボルトの）では最少限度の変化が生じるの装置の全体的動作は他の光バルブに類似している。ビーム１１０は光導波体を付勢し、次に前記の光基板の付勢を行う。

光基板は米国特許第４．２３９．３４８号、および第４゜４４３．０６４号明細書で説明される基準的シリコン光バルブと同じように液晶層８０を付勢する。入力ビーム１２０は透明フェースプレート１４０を通って光バルブ５に入り、液晶層８゜を通過し偏光回転によって局部的に変調される。入来した光ビーム１１０は基板４０によって吸収され、光バルブ５を横切って供給される電源１３０による電圧の変調を制御し、液晶層８゜を通るビーム１２０を変調する。

液晶層８０を通過した後、入力ビーム１２０はショッＩ・キダイオードＧｏ／４０のアレイによって形成された金属ミラーによって反射され、液晶層８０に戻り偏光回転によってさらに変調される。ビーム１２０が液晶層８０を横断することによってビームの全偏光回転のほぼ５０％が生じる。金属ミラーを反射し液晶８０を通過した後、偏光され変調された出力ビーム１２１は光バルブ５を出る。ビームの偏光回転は当該技術では既知のワーイアグリッドポラライザのような多種の手段（図示されない）によって出力強度変調に変換される。

以上説明された発明は、本質的に低い温度で処理される薄膜処理を主として使用する簡単な方法で製造され、効率の高い光バルブを提供する。得られた光バルブは前述の従来技術のＭＯＳおよび硫化カドミウム光基板の問題を解決する。得られた光バルブは可視像変換に適切であり、赤外線領域でも動作する。さらに、本発明のユニークな光導電体は液晶光バルブに限定されず、ＫＤ２ＰＯ４のような固体電子光変調器を使用する光バルブにも使用できる。

前述したように、本発明の好ましい実施例が説明された。

他の変更が本発明の技術的範囲内で可能であることが理解されるであろう。したがって本発明は説明され図示された特定の装置に限定されるものではない。

ぐ国際調査報告１両町ＩＩｌ酊１＾鐸−ｍ＊Ｎｓ、　ＰＣＴ／ＵＳ　８６１０１３９４ＡＮＮＥＸ　Ｔｏ　ＴＨＥ　ｒＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲＥＰＯＲＴ　ＯＮ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）入来放射線のビームを吸収してその光により多数キャリアを生じさせる半導体基板と、前記キャリアを実質上空乏状態にするように基板を維持する前記基板手段の両側に配置された第１および第２のショットキダイオードとを備えている光パルプ装置で使用される光基板。
（２）前記基板手段が、シリコン、ひ化ガリウム、ひ化インジウム、または硫化インジウムの群から選択される基板材料から構成されている請求の範囲第１項記載の光基板。
（３）前記第１のショットキダイオード手段が、前記入来ビームとの光通信において前記基板手段の第１の側に配置され前記基板手段と直接隣接して配置された金属の層を有する金属半導体ダイオードを備え、それによって前記ダイオードが前記層と前記基板手段との境界面によって形成される請求の範囲第１項記載の光導電体。
（４）前記金属が前記基板手段と高いショットキバリアを形成する金属を含んでいる請求の範囲第３項記載の光導波体。
（５）前記金属がインジウムすず酸化物、アルミニウム、プラチナまたは金の群から選択される金属を備えている請求の範囲第４項記載の光導波体。
（６）前記第１のショットキダイオード手段が、前記入来ビームとの光通信において前記基板手段の第１の側に配置された複数の金属半導体ダイオードを備え、前記ダイオードが前記基板手段に直接隣接して配置された金属のグリッドを具備し、それによって前記ダイオードが前記グリッドと前記基板手段との境界面によって形成されている請求の範囲第１項記載の光導波体。
（７）前記金属グリッドがプラチナとシリコン材料のシリサイドを含んでいる請求の範囲第６項記載の光導波体。
（８）前記金属グリッドがインジウムすず酸化物またはプラチナを含んでいる請求の範囲第６項記載の光導波体。
（９）前記第２のショットキダイオード手段が、前記第１の側と反対側にある前記基板手段の第２の側に配置されダ第２の入来放射線ビームを反射するように方向付けられている複数の金属半導体ダイオードを備え、前記ダイオードが前記基板手段と直接隣接して配置された金属のグリッドを含み、それによって前記ダイオードが前記グリッドと前記基板手段の境界面によって形成される請求の範囲第１項記載の光導電体。
（１０）変調ビームを発生させるために偏光回転によって第１の入来ビームを空間的に変調する液晶手段と、前記液晶手段に隣接して配置され、第２の入来ビームを受信し、この第２のビームに応答して前記第１のビームの偏光回転を制御する光導電体手段とを備え、前記光導波体手段が、前記第２のビームを吸収し、その光により多数キャリアを発生させる半導体基板手段と、前記キャリアを実質上空乏状態にするように前記基板を維持し、前記液晶手段を通る前記変調されたビームを反射するために、前記基板の手段の両側に配置された第１および第２のショットキダイオード手段とを具備し、それによって前記変調されたビームが前記液晶手段を２度通過し、通過するごとに偏光回転される２重ショットキダィオード光バルブ。
（１１）前記基板手段が、シリコン、ひ化ガリウム、ひ化インジウムまたはリン化インジウムからなる群から選択される材料の基板を備えている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（１２）前記第１のショットキダイオード手段が、前記光導電体の前記液晶手段と反対側に配置され前記第２の入来ビームと光通信する金属半導体ダイオードを備え、前記ダイオードは前記基板手段に隣接して配置された金属の層を備え、前記ダイオードが前記層と前記基板手段によって形成されている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（１３）前記金属が前記基板手段と高いショットキバリアを形成する金属を含んでいる請求の範囲第１２項記載の光パルプ。
（１４）前記金属が、前記基板手段と接触するプラチナ材料の第１の層と、前記プラチナに隣接するインジウムすず酸化物の第２の層とを備えている請求の範囲第１３項記載の光パルプ。
（１５）前記第１のショットキダイオード手段が、前記光導電体の前記液晶手段と反対側に配置され、前記第２の入来ビームと光通信する複数の金属半導体ダイオードを備え、前記ダイオードが前記基板手段に隣接して配置された金属のグリッドを備え、前記ダイオードが前記グリッドと前記基板手段とによって形成されている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（１６）前記第１のショットキダイオード手段が、前記光導電体の前記液晶手段に隣接する側に配置され前記液晶手段を通る前記変調されたビームを反射するように方向付けられている複数の金属半導体ダイオードを具備し、前記ダイオードが前記基板手段に隣接して配置された金属グリッドを具備し前記ダイオードが前記グリットと前記基板手段によって形成されている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（１７）前記金属グリッドが、前記基板手段に隣接して配置され絶縁グリッドによって囲まれている一般に長方形の複数の孔を形成するためにグリッドパターンにエッチされる酸化物と、複数の金属アイランドを形成するために前記孔中に配置された金属材料とを備えている請求の範囲第１６項記載の光パルプ。
（１８）前記金属材料が前記基板手段と高いショットキバリアを形成する金属を含んでいる請求の範囲第１６項記載の光パルプ。
（１９）前記第２のショットキダイオード手段が前記変調されたビームに対する前記第２のショットキダイオードの反射率を強める金属手段を備えている請求の範囲第１６項記載の光パルプ。
（２０）前記反射率を強める手段が前記孔に配置された第２の金属を備えている請求の範囲第１９項記載の光パルプ。
（２１）一方の端子が前記光導電体手段の前記液晶手段と反対側に配置された前記ショットキダイオード手段の一つに結合されて前記光導電体手段に接続されている２つの端子を有するＡＣ電圧源と、前記電圧源端子の第２端子に結合され前記液晶手段に隣接して配置される前記電圧源を前記液晶手段に接続する伝導性フィルム手段とを備えている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（２２）前記光パルプが、前記液晶手段の外部に配置され、前記第１の入来ビームを受光し前記変調されたビームを送出する第１のフェースプレート手段と、前記光導電体手段の外部に配置され、前記ショットキダイオード手段の一つに隣接している前記第２の入来ビームを受光する第２のフェースプレート手段とを備えている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（２３）前記液晶手段がハイブリッド電界効果構成で動作される１以上の液晶層を備えている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（２４）前記液晶手段が、純粋な複屈折モードで動作される１以上の液晶層を備えている請求の範囲第１０項記載の光パルプ。
（２５）前記隣接したショットキダイオード手段がサファイアフェースプレートに付着された金属グリッドを備え、前記基板手段が前記金属グリットにエピタキシャルに成長されたシリコンの層を備えている請求の範囲第２２項記載の光パルプ。
（２６）ＡＣ電圧源と、前記電圧に応答して変調されたビームを発生させるために偏光回転によって第１の入来ビームを受光し変調する液晶手段と、前記液晶手段に隣接して配置された光情報を含む第２の入来ビームを受光し前記偏光回転を制御するために前記光情報に応答して前記電圧を変調する光導電体手段とを有する型式の光パルプにおいて、前記第２のビームを吸収する半導体基板手段と、前記基板手段の両側に配置され、多数キャリアを空乏状態にするように前記基板手段を維持し、前記液晶手段を通る前記変調されたビームを反射する金属半導体ダイオード手段とを備えている光パルプ。
（２７）前記金属半導体ダイオード手段が、前記ＡＣ電圧のサイクルの前半に前記基板手段を空乏状態に維持する第１のショットキダイオード手段と、前記ＡＣ電圧のサイクルの後半に前記基板手段を空乏状態に維持する第２のショットキダイオード手段とを備えている請求の範囲第２６項記載の光パルプ。
（２８）前記第１のショットキダイオード手段が、前記光導電体の前記液晶手段の反対側に配置されて前記第２の入来ビームと光通信し、前記ショットキダイオード手段が前記基板手段に隣接して配置された金属の層を含み、前記ショットキダイオード手段が前記基板手段の前記層によって形成される請求の範囲第２７項記載の光パルプ。
（２９）前記第１のショットキダイオード手段が、前記光導電体前記液晶手段の反対側に配置されて前記第２の入来ビームと光通信し、前記第１のショットキダイオード手段が前記基板手段に隣接して配置された金属グリッドを含み、複数の金属半導体ダイオードが前記グリッドと前記基板手段とによって形成される請求の範囲第２７項記載の光パルプ。
（３０）前記第２のショットキダイオード手段が、前記液晶手段に隣接した前記光導電体手段の側に配置され、前記液晶手段を通る前記変調されたビームを反射するように方向付けられ、前記第２のショットキダイオード手段が、前記基板手段に隣接して配置される金属グリッドを含み、複数の金属半導体ダイオードが前記グリッドと前記基板手段とによって形成される請求の範囲第２７項記載の光パルプ。
（３１）ＡＣ電圧源と、前記電圧に応答して変調されたビームを発生させるために偏光回転によって第１の入来ビームを受光し変調する液晶手段と、前記液晶手段に隣接して配置された光情報を含む第２の入来ビームを受光し前記偏光回転を制御するために前記光情報に応答して前記電圧を変調する光導波体手段とを有する型の光パルプにおいて、前記第２のビームを吸収する半導体基板手段と、前記基板の両側に配置された多数キャリアを空乏状態にするように前記基板手段を維持し前記液晶手段を通る前記変調されたビームを反射する金属半導体ダイオード手段とを備えている光パルプ。