JPS6249639A - 接続方式 - Google Patents
接続方式Info
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- JPS6249639A JPS6249639A JP60191353A JP19135385A JPS6249639A JP S6249639 A JPS6249639 A JP S6249639A JP 60191353 A JP60191353 A JP 60191353A JP 19135385 A JP19135385 A JP 19135385A JP S6249639 A JPS6249639 A JP S6249639A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば太陽電池にインタコネクタを接続す
る場合に好適に用いられる接続方式に関する。
る場合に好適に用いられる接続方式に関する。
背景技術
従来、人工衛星など宇宙空間で用いられている太陽電池
に電力を取り出すためなどのインタコネクタを接続する
場合、はんだ付けまたは溶接によって接続が行なわれて
いた。はんだ付けによる接続は、太陽電池の電極とイン
タコネクタとの間にはんだを介在し、加熱手段によって
加熱して、比較的低い温度（共晶はんだの場合２００℃
〜３００℃）ではんだ付は作業が可能である。このよう
なはんだ付けによる接続部の接続強度は、４５゛斜め上
方に引っ張る引っ張り強度で、１２５０ｇ〜４３００ｇ
程度である。このようなはんだ付けによる接続方式では
、特に人工衛星用太陽電池では大きな変化幅を有する温
度変化にさらされるため、そのような状況下では、耐疲
労性が比較的低いという１！！題豆があった。
に電力を取り出すためなどのインタコネクタを接続する
場合、はんだ付けまたは溶接によって接続が行なわれて
いた。はんだ付けによる接続は、太陽電池の電極とイン
タコネクタとの間にはんだを介在し、加熱手段によって
加熱して、比較的低い温度（共晶はんだの場合２００℃
〜３００℃）ではんだ付は作業が可能である。このよう
なはんだ付けによる接続部の接続強度は、４５゛斜め上
方に引っ張る引っ張り強度で、１２５０ｇ〜４３００ｇ
程度である。このようなはんだ付けによる接続方式では
、特に人工衛星用太陽電池では大きな変化幅を有する温
度変化にさらされるため、そのような状況下では、耐疲
労性が比較的低いという１！！題豆があった。
一方、溶接による接続方式では、定電圧制御方式の直流
電源を用いたいわゆるパラレルギャップ溶接が行なわれ
ている。このような電気溶接では、一対の電極を用意し
、この電極間にインタコネクタと太陽電池の電極とを介
して電流を流すことによって、溶接位置を数１００℃〜
１０００℃程度に加熱し溶接を行なうとともに、前記溶
接電極によってインクコネクタと太陽電池とを加圧し溶
接を行なうようにしていた。
電源を用いたいわゆるパラレルギャップ溶接が行なわれ
ている。このような電気溶接では、一対の電極を用意し
、この電極間にインタコネクタと太陽電池の電極とを介
して電流を流すことによって、溶接位置を数１００℃〜
１０００℃程度に加熱し溶接を行なうとともに、前記溶
接電極によってインクコネクタと太陽電池とを加圧し溶
接を行なうようにしていた。
発明が解決しようとする問題点
このような溶接による接続方式では、溶接部の溶接強度
を向上しようとすると、インクコネクタと太陽電池の電
極との溶接部の面積を増大する必要があり、そのために
は前記溶接電極の加熱部の面積を増大する必要があり、
また加熱のための電力を増大しなければならないという
問題点があった。
を向上しようとすると、インクコネクタと太陽電池の電
極との溶接部の面積を増大する必要があり、そのために
は前記溶接電極の加熱部の面積を増大する必要があり、
また加熱のための電力を増大しなければならないという
問題点があった。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、はんだ付けと
溶接とが、それぞれ有する問題点を解消し、耐疲労性に
優れ、また接続強度を格段に向上することがでさる接続
方式を提供することである。
溶接とが、それぞれ有する問題点を解消し、耐疲労性に
優れ、また接続強度を格段に向上することがでさる接続
方式を提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、相互に接続されるべき複数の対象物と、
各対象物を加熱して、対象物の溶接位置で溶接が行なわ
れる加熱手段とを準備し、 溶接位置以外の位置であって、加熱手段からの熱によっ
てはんだが溶融される位置にはんだを配置し、 前記複数の対象物を加熱手段によって加熱して溶接位置
で溶接を行なうとともに、加熱手段からの熱によっては
んだ付けを行なうようにしたことを特徴とする接続方式
である。
れる加熱手段とを準備し、 溶接位置以外の位置であって、加熱手段からの熱によっ
てはんだが溶融される位置にはんだを配置し、 前記複数の対象物を加熱手段によって加熱して溶接位置
で溶接を行なうとともに、加熱手段からの熱によっては
んだ付けを行なうようにしたことを特徴とする接続方式
である。
作 用
相互に固定されるべき複数の対象物と、各Ｎ象物を加熱
して溶接を行なう加熱手段とを準備する。
して溶接を行なう加熱手段とを準備する。
また加熱手段によって溶接される対象物の溶接位置以外
の位置であって、加熱手段からの熱によってはんだが溶
融される位置にはんだを配置する。
の位置であって、加熱手段からの熱によってはんだが溶
融される位置にはんだを配置する。
したがって前記複数の対象物を加熱手段によって加熱し
て、溶接位置で溶接を行なうことができるとともに、加
熱手段からの熱によって、はんだ付けを同時に行なうよ
うにすることができる。したがってこのような接続方式
により、耐疲労性と接続強度が共に向上された接続を行
なうことができ実施例 第１図は本発明の一実施例の接続方式を実現する構成を
説明する断面図であり、第２図は第１図の切断面線■−
■から見た断面図である。第１図および第２図を参照し
て、本実施例を実現する構成について説明する０本実施
例において行なわれる溶接は、たとえば定電圧制御方式
の直流電源１を用いたいわゆるパラレルギャップ溶接を
用いて行なう。この溶接方式では、一対の溶接電極ヘッ
ド２，３が用いられ、その間には距離りを有する平行な
間隙４が形成される。
て、溶接位置で溶接を行なうことができるとともに、加
熱手段からの熱によって、はんだ付けを同時に行なうよ
うにすることができる。したがってこのような接続方式
により、耐疲労性と接続強度が共に向上された接続を行
なうことができ実施例 第１図は本発明の一実施例の接続方式を実現する構成を
説明する断面図であり、第２図は第１図の切断面線■−
■から見た断面図である。第１図および第２図を参照し
て、本実施例を実現する構成について説明する０本実施
例において行なわれる溶接は、たとえば定電圧制御方式
の直流電源１を用いたいわゆるパラレルギャップ溶接を
用いて行なう。この溶接方式では、一対の溶接電極ヘッ
ド２，３が用いられ、その間には距離りを有する平行な
間隙４が形成される。
電極５が一方表面に形成されている太陽電池セル６の電
極５側に、インタコネクタ７を配置する。
極５側に、インタコネクタ７を配置する。
前記溶接電極ヘッド２．３に設けられた切り欠さ８．９
の直下方のインクコネクタ７と電極５との間に、それぞ
れはんだ１０．１１を配置する。
の直下方のインクコネクタ７と電極５との間に、それぞ
れはんだ１０．１１を配置する。
このようなパラレルギャップ溶接では、太陽電池セル６
にインクコネクタ７を溶接する際の電圧を、予め設定さ
れた一定電圧になるように制御し、電極５とインクコネ
クタ７とに流れる電流を制御している。このような制御
によって、電極５とインクコネクタとに流れる電流によ
って発生されるジュール熱が制御され、このジュール熱
と溶接電極ヘッド２，３の矢符Ａ１方向への加圧力によ
って溶接を行なうようにする。
にインクコネクタ７を溶接する際の電圧を、予め設定さ
れた一定電圧になるように制御し、電極５とインクコネ
クタ７とに流れる電流を制御している。このような制御
によって、電極５とインクコネクタとに流れる電流によ
って発生されるジュール熱が制御され、このジュール熱
と溶接電極ヘッド２，３の矢符Ａ１方向への加圧力によ
って溶接を行なうようにする。
第３図は溶接電極へラド２．３に電流を流して溶接を行
なう状態を示す断面図であり、第４図はインクコネクタ
フに関する接続態状態を説明する図である。第３図およ
び第４図を参照して、本実施例の接続動作を説明する。
なう状態を示す断面図であり、第４図はインクコネクタ
フに関する接続態状態を説明する図である。第３図およ
び第４図を参照して、本実施例の接続動作を説明する。
直流電源１から溶接電極ヘッド２．３に一定値の直流電
流を流すと、この電流はインクコネクタ７および電極５
をたとえば矢符Ａ２で示す方向に流れる。このとき発生
されるジュール熱で、溶接による接続に適した温度（た
とえば数１００℃〜１０００℃）が得られる部分は、第
３図の２重斜線を付して示す溶接温度領域１２である。
流を流すと、この電流はインクコネクタ７および電極５
をたとえば矢符Ａ２で示す方向に流れる。このとき発生
されるジュール熱で、溶接による接続に適した温度（た
とえば数１００℃〜１０００℃）が得られる部分は、第
３図の２重斜線を付して示す溶接温度領域１２である。
したがってインクコネクタ７と電極５との境界で、それ
ぞれが溶融され合金化または金属融着が発生する融着部
１３で溶接が行なわれる。
ぞれが溶融され合金化または金属融着が発生する融着部
１３で溶接が行なわれる。
一方、前述したようにインタコネクタ７と電極５との間
に配置されたはんだ１０．１１は、前記ジュール熱がイ
ンタコネクタ７および電極５を介して伝えられ溶融され
る。このようにして、はんだ１０．１１によって、イン
クコネクタ７と電極５とのはんだ付けが行なわれる。
に配置されたはんだ１０．１１は、前記ジュール熱がイ
ンタコネクタ７および電極５を介して伝えられ溶融され
る。このようにして、はんだ１０．１１によって、イン
クコネクタ７と電極５とのはんだ付けが行なわれる。
一方、溶接電極ヘッド２．３による溶接時には、溶接電
極ヘッド２，３は共に矢符Ａ１方向にインタコネクタ７
および電極５への加圧力を加えられており、前記ジュー
ル熱およびこの加圧力によって溶接およびはんだ付けが
行なわれる。ここで前記はんだ１０．１１が配［される
ことによって、インクコネクタ７は部分的に持ち上げら
れるけれども、溶接電極ヘッド２，３に形成された切り
欠き８，９によって、この持ち上げられた部分が逃がさ
れ、持ち上げられた部分にはさまれた部分のインクコネ
クタ７を溶接電極ヘッド２．３の底面１４．１５が平坦
に接触することができる。したがって溶接電極へラド２
，３は、インタコネクタ７および電極５に、溶接に必要
な電流を確実にながせずことができる。
極ヘッド２，３は共に矢符Ａ１方向にインタコネクタ７
および電極５への加圧力を加えられており、前記ジュー
ル熱およびこの加圧力によって溶接およびはんだ付けが
行なわれる。ここで前記はんだ１０．１１が配［される
ことによって、インクコネクタ７は部分的に持ち上げら
れるけれども、溶接電極ヘッド２，３に形成された切り
欠き８，９によって、この持ち上げられた部分が逃がさ
れ、持ち上げられた部分にはさまれた部分のインクコネ
クタ７を溶接電極ヘッド２．３の底面１４．１５が平坦
に接触することができる。したがって溶接電極へラド２
，３は、インタコネクタ７および電極５に、溶接に必要
な電流を確実にながせずことができる。
このようにして行なわれた接続方式によれば、第４図に
示すように溶接による接続領域１６．１７およびはんだ
付けによる接続領域１８．１９が得られ、溶接のみの接
続領域１６．１７よりも大きな面積の接続領域を得るこ
とができる。したがってインクコネクタ７を、４５°斜
め上方から引っ張る場合の引っ張り強度で１２５０．〜
４３００゜の引っ張り強度が得られることが確認されて
いる。
示すように溶接による接続領域１６．１７およびはんだ
付けによる接続領域１８．１９が得られ、溶接のみの接
続領域１６．１７よりも大きな面積の接続領域を得るこ
とができる。したがってインクコネクタ７を、４５°斜
め上方から引っ張る場合の引っ張り強度で１２５０．〜
４３００゜の引っ張り強度が得られることが確認されて
いる。
この引っ張り強度は、先行技術で説明したはんだ付けの
みの引っ張り強度および溶接のみの引っ張り強度と比較
して、約２倍の引っ張り強度となっている。＊た溶接に
よる接続領域１６．１７の接続面積は減少せず、したが
って耐疲労性は少なくとも従来の１０接のみによる耐疲
労性の程度に維持することができる。
みの引っ張り強度および溶接のみの引っ張り強度と比較
して、約２倍の引っ張り強度となっている。＊た溶接に
よる接続領域１６．１７の接続面積は減少せず、したが
って耐疲労性は少なくとも従来の１０接のみによる耐疲
労性の程度に維持することができる。
前述の実施例では、インクコネクタ７と太陽電池セル６
の電極５とを接続する場合について説明したが、本発明
の接続方式はその他の広範囲の技術分野において実施さ
れることができる。また本発明における溶接は、前述の
実施例におけるパラレルギャップ方式に限るものではな
い。
の電極５とを接続する場合について説明したが、本発明
の接続方式はその他の広範囲の技術分野において実施さ
れることができる。また本発明における溶接は、前述の
実施例におけるパラレルギャップ方式に限るものではな
い。
前述の実施例では、溶接電極ヘッド２．３による溶接と
同時に、はんだ付けを行なうようにしたけれども、本発
明の他の実施例として、溶接電極へラド２，３によって
溶接を行ない、その余熱を利用してインクコネクタ７と
電極５との間に溶融はんだを注入して、はんだ付けする
ようにしても゛よ 覧１゜ 効 果 以上のように本発明に従えば、相互に接続されるべき複
数の対象物と、各対象物を加熱して溶接を行なう加熱手
段とを準備する。また溶接位置以外の位置であって、加
熱手段からの熱によってはんだが溶融される位置にはん
だを配置する。このような構成を用いて、加熱手段によ
って各対象物を加熱して、溶接位置で溶接を行なうこと
ができる。この溶接時において、加熱手段からの熱がは
んだに伝えられ、はんだが溶融されてはんだ付けも同時
に行なわれる。したがって溶接とはんだ付けとの強度お
よび耐疲労性が、それぞれ相乗された強度と耐疲労性を
有する接続を実現することができる。
同時に、はんだ付けを行なうようにしたけれども、本発
明の他の実施例として、溶接電極へラド２，３によって
溶接を行ない、その余熱を利用してインクコネクタ７と
電極５との間に溶融はんだを注入して、はんだ付けする
ようにしても゛よ 覧１゜ 効 果 以上のように本発明に従えば、相互に接続されるべき複
数の対象物と、各対象物を加熱して溶接を行なう加熱手
段とを準備する。また溶接位置以外の位置であって、加
熱手段からの熱によってはんだが溶融される位置にはん
だを配置する。このような構成を用いて、加熱手段によ
って各対象物を加熱して、溶接位置で溶接を行なうこと
ができる。この溶接時において、加熱手段からの熱がは
んだに伝えられ、はんだが溶融されてはんだ付けも同時
に行なわれる。したがって溶接とはんだ付けとの強度お
よび耐疲労性が、それぞれ相乗された強度と耐疲労性を
有する接続を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例の接続方式を実現する構成を
示す断面図、第２図は第１図の切断面線■−■からみた
断面図、第３図は溶接電極へラド２．３に直流電流を流
している状態を示す断面図、＃１４図はインクコネクタ
フに関する接続状態を説明する図である。 １・・・直流電源、２．３・・・溶接電極ヘッド、５・
・・電極、７・・・インクコネクタ、８，９・・・切り
欠き、１０．１１・・・はんだ、１２・・・溶接温度領
域、１３・・・融着部、１６．１７・・・溶接による接
続領域、１８ｇ １９・・・はんだ付けによる接続領域
代理人 弁理士 回教 圭一部 第１図 第３図
示す断面図、第２図は第１図の切断面線■−■からみた
断面図、第３図は溶接電極へラド２．３に直流電流を流
している状態を示す断面図、＃１４図はインクコネクタ
フに関する接続状態を説明する図である。 １・・・直流電源、２．３・・・溶接電極ヘッド、５・
・・電極、７・・・インクコネクタ、８，９・・・切り
欠き、１０．１１・・・はんだ、１２・・・溶接温度領
域、１３・・・融着部、１６．１７・・・溶接による接
続領域、１８ｇ １９・・・はんだ付けによる接続領域
代理人 弁理士 回教 圭一部 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 相互に接続されるべき複数の対象物と、 各対象物を加熱して、対象物の溶接位置で溶接が行なわ
れる加熱手段とを準備し、 溶接位置以外の位置であって、加熱手段からの熱によっ
てはんだが溶融される位置にはんだを配置し、 前記複数の対象物を加熱手段によって加熱して溶接位置
で溶接を行なうとともに、加熱手段からの熱によっては
んだ付けを行なうようにしたことを特徴とする接続方式
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191353A JPS6249639A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 接続方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191353A JPS6249639A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 接続方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249639A true JPS6249639A (ja) | 1987-03-04 |
Family
ID=16273162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191353A Pending JPS6249639A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 接続方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6249639A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1085568A1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-21 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for the electrical and mechanical interconnection of microelectronic components |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60191353A patent/JPS6249639A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1085568A1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-21 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for the electrical and mechanical interconnection of microelectronic components |
| US6423938B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-07-23 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for the electrical and/or mechanical interconnection of components of a microelectronic system |
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