JPS6248119A - Semiconductor output circuit - Google Patents

Semiconductor output circuit

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JPS6248119A
JPS6248119A JP60188969A JP18896985A JPS6248119A JP S6248119 A JPS6248119 A JP S6248119A JP 60188969 A JP60188969 A JP 60188969A JP 18896985 A JP18896985 A JP 18896985A JP S6248119 A JPS6248119 A JP S6248119A
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JP
Japan
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output
voltage
level
circuit
transistor
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JP60188969A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazutoshi Shimizume
和年 清水目
Hiroyoshi Tanaka
田中 広吉
Isamu Uematsu
植松 偉
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To decrease practically sufficiently the transition speed in transiting a signal level of a tri-state output TS by using an equivalent impedance of a MOS transistor (TR) as a voltage division impedance required for setting a signal level of the three value output TS to an intermediate value. CONSTITUTION:In sending the intermediate voltage VM as the three value output TS, MOS TRs W11, W12 are turned off and switching MOS TRs W15, W16 are turned on. The MOS TRs W13, W14 act like diodes and the charging or discharge current to/from a capacitor C2 is supplied through the equivalent impedance. Since the impedance is high when viewed from a connection midpoint PO to the MOS TRs W11, W12 in this sate, the MOS TRs W11, W12 do not give adverse effect onto the charging through the MOS TRs W13, W14. Thus, the three value output TS in its voltage level is transited from a VDD to the VM or from a VSS to the VM so as to shorten sufficiently the required transition time.

Description

【発明の詳細な説明】 A産業上の利用分野 本発明は半導体出力回路に関し、特にMO3LS r 
 (metal oxtde semiconduct
or large scaleintegrated 
circuit)における3値出力回路に適用して好適
なものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A. Industrial Application Field The present invention relates to semiconductor output circuits, and in particular to MO3LS r
(metal oxtde semiconductor
or large scale integrated
This is suitable for application to a ternary output circuit in a circuit.

B発明の概要 本発明は、高い電圧レベルと、低い電圧レベルと、中間
電圧しさルとを有する3値出力を送出する半導体出力回
路において、高い電圧レベル及び低い電圧レベルを出力
する第1及び第2の出力トランジスタがオフ動作したと
き、スイッチ回路を介して第3及び第4の出力トランジ
スタをオン動作させることによって、当該第3及び第4
の出力トランジスタの等価インピーダンスの分圧電圧と
して中間電圧レベルを出力するようにすることにより、
3値出力の信号レベルが遷移するときの遷移時間を格段
的に短縮し得る。
B. Summary of the Invention The present invention provides a semiconductor output circuit that sends out a three-value output having a high voltage level, a low voltage level, and an intermediate voltage level. When the second output transistor is turned off, the third and fourth output transistors are turned on via the switch circuit.
By outputting an intermediate voltage level as a divided voltage of the equivalent impedance of the output transistor,
The transition time when the signal level of the ternary output changes can be significantly shortened.

C従来の技術 MO3LSIにおいて従来から用いられている半導体出
力回路として、3つの電圧レベルの出力を送出し得る3
値出力回路が、例えば面積比較型のP L L (ph
ase 1ocked 1oop )回路において用い
られている。従来の3値出力回路は電圧VDDでなる論
理「1」レベルをもち、電圧V33でなる論理「0」レ
ベルをもち、その中間レベルとして電圧■イをもつよう
な3値出力を発生する第3図に示すような構成のものが
用いられている。
C. Conventional technology As a semiconductor output circuit conventionally used in MO3LSI, it is possible to send out outputs at three voltage levels.
The value output circuit is, for example, an area comparison type P L L (ph
ase 1ocked 1oop ) circuit. A conventional three-value output circuit has a logic "1" level of voltage VDD, a logic "0" level of voltage V33, and a third circuit that generates a three-value output having voltage ■A as an intermediate level. The structure shown in the figure is used.

第3図において1は全体としてPLL回路を示し、クロ
ック発振回路2において発振されたクロック信号SCK
 (第4図(B))の位相を外部から間欠的に入力され
る基準信号REF (第4図(A))の立上り位相に位
相ロックさせるように動作するものである。
In FIG. 3, 1 indicates the PLL circuit as a whole, and the clock signal SCK oscillated in the clock oscillation circuit 2
It operates to lock the phase of the reference signal REF (FIG. 4(B)) to the rising phase of the reference signal REF (FIG. 4(A)) which is intermittently inputted from the outside.

基準信号REFは縦続接続された2段のDフリップフロ
ップ回路3及び4に与えられる。前段のフリップフロッ
プ回路3は、そのD入力端に基準信号REFを受けると
共に、Q出力を後段のフリップフロップ回路4のD入力
端に送出する。
The reference signal REF is applied to two stages of D flip-flop circuits 3 and 4 which are connected in series. The front-stage flip-flop circuit 3 receives the reference signal REF at its D input terminal, and sends the Q output to the D input terminal of the rear-stage flip-flop circuit 4.

基準信号REF及びフリップフロップ回路3のQ出力は
、第1のエクスクル−シブオア回路5に与えられ、その
出力EXI(第4図(E))がインバータ7を介して3
値出力回路8にB入力として供給される。またフリップ
フロップ回路3及び4のQ出力は、第2のエクスクル−
シブオア回路6に与えられ、その出力EX2 (第4図
(F))が3値出力回路8のA入力として供給される。
The reference signal REF and the Q output of the flip-flop circuit 3 are given to the first exclusive OR circuit 5, and its output EXI (FIG. 4(E)) is supplied to the 3
It is supplied to the value output circuit 8 as a B input. Furthermore, the Q outputs of the flip-flop circuits 3 and 4 are connected to the second exclusive circuit.
The output EX2 (FIG. 4(F)) is supplied as the A input of the ternary output circuit 8.

3′値出力回路8の3値出力TS (第4図(G))は
ローパスフィルタ9において積分されてクロック発振回
路2に対する制御電圧出力COTとして送出される。
The 3-value output TS (FIG. 4(G)) of the 3'-value output circuit 8 is integrated in the low-pass filter 9 and sent as a control voltage output COT to the clock oscillation circuit 2.

第3図の構成において、エクスクル−シブオア回路5の
出力EXIは、第4図(E)に示すように、フリップフ
ロップ回路3のD入力すなわち基準信号REF (第4
図(A))が立ち上がってから、Q出力Q1が立ち上が
るまでの間論理「1」レベルになり、その結果基準信号
REFとクロック信号SCKとの間の位相差を表してい
る。
In the configuration shown in FIG. 3, the output EXI of the exclusive OR circuit 5 is connected to the D input of the flip-flop circuit 3, that is, the reference signal REF (the fourth
The period from when Q output Q1 rises until the Q output Q1 rises is at the logic "1" level, and as a result represents the phase difference between the reference signal REF and the clock signal SCK.

これに対してエクスクル−シブオア回路6の出力EX2
  (第4図(F))は、フリップフロップ回路3のQ
出力Ql  (第41ffl (C) )が立ち上がっ
てからフリップフロップ回路4のQ出力Q2  (第4
図(D))が立ち上がるまでの間論理rlJになり、こ
れによりクロック信号SCKの1周期の区間を表してい
る。
On the other hand, the output EX2 of the exclusive OR circuit 6
(Fig. 4(F)) is the Q of the flip-flop circuit 3.
After the output Ql (41st ffl (C)) rises, the Q output Q2 (4th
(D)) becomes a logic rlJ until it rises, thereby representing one period of the clock signal SCK.

3値出力回路8は出力を、出力EXI及びEX2の論理
レベルの変化に応じて、出力EX1及びEX2が論理「
1」及び「0」の状態のとき、論理「1」レベル(すな
わち電圧VDD)に立ち上げ、また出力EXI及びEX
2が論理「0」及び「1」のとき論理「0」レベル(す
なわち電圧v、3)に立ち下げ、出力EXI及びEX2
が論理「0」及び「0」のとき中間電圧レベル■9を維
持するように動作する。従って第4図に示すように、ク
ロック信号SCKが基準信号REFに位相ロックしてい
なければ、3値出力TSのうち信号レベルが論理「0」
 (すなわち電圧V。)の区間と比較して論理レベル「
1」 (すなわち電圧V DD)の区間が狭くなる。従
ってこれをローパスフィルタ9において積分して得られ
る制′IJt圧出力COTの信号レベルは、中間の電圧
レベルvI4より低い値になる。このときクロック発振
回路2は、この制御電圧出力COTの信号レベルを上昇
させるように発振周波数を変更制御する。
The ternary output circuit 8 outputs the outputs EX1 and EX2 according to the change in the logic level of the outputs EXI and EX2.
1” and “0”, it rises to logic “1” level (that is, voltage VDD) and outputs EXI and EX
2 falls to logic "0" level (i.e. voltage v, 3) when logic "0" and "1", outputs EXI and EX2
When is logic "0" and "0", it operates to maintain the intermediate voltage level ■9. Therefore, as shown in FIG. 4, if the clock signal SCK is not phase-locked to the reference signal REF, the signal level of the ternary output TS is logic "0".
(i.e. voltage V.) compared to the logic level "
1'' (that is, the voltage V DD) becomes narrower. Therefore, the signal level of the control IJt pressure output COT obtained by integrating this in the low-pass filter 9 becomes a value lower than the intermediate voltage level vI4. At this time, the clock oscillation circuit 2 changes and controls the oscillation frequency so as to increase the signal level of the control voltage output COT.

その結果クロック信号SCKの位相が基準信号REFの
位相とロックするように制御される。がくしてPLL回
路1は、間欠的に到来する基準信号REFの位相にクロ
ック信号SCKの位相をロックさせるような位相ロック
動作をすることになる。
As a result, the phase of clock signal SCK is controlled to lock with the phase of reference signal REF. As a result, the PLL circuit 1 performs a phase locking operation in which the phase of the clock signal SCK is locked to the phase of the intermittently arriving reference signal REF.

かかる構成の面積比較型のPLL回路1において、3値
出力回路8として従来、第5図に示す構成のものが用い
られている。すなわち3値出力回路8は、Pチャネルを
有するMOSトランジスタ(以下PMO3と呼ぶ)Wl
と、Nチャネルを有するMOSトランジスタ(以下NM
O3と呼ぶ)W2とを互いに直列に接続してトランジス
タW1のドレインを高い電圧レベルの電圧源VDDに接
続すると共に、トランジスタW2のソースを低い電圧レ
ベルの電圧源VSSに接続する。トランジスタW1のゲ
ートにはエクスクル−シブオア回路5の出力EX1をイ
ンバータ7において論理レベルヲ反転して得られるB入
力が与えられ、またトランジスタW2のゲートにエクス
クル−シブオア回路6の出力EX2でなるA入力が与え
られる。
In the area comparison type PLL circuit 1 having such a configuration, the configuration shown in FIG. 5 has conventionally been used as the ternary output circuit 8. That is, the ternary output circuit 8 includes a MOS transistor (hereinafter referred to as PMO3) Wl having a P channel.
and an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as NM
W2 (referred to as O3) are connected in series with each other, the drain of transistor W1 is connected to a voltage source VDD at a high voltage level, and the source of transistor W2 is connected to a voltage source VSS at a low voltage level. A B input obtained by inverting the logic level of the output EX1 of the exclusive OR circuit 5 in an inverter 7 is applied to the gate of the transistor W1, and an A input, which is the output EX2 of the exclusive OR circuit 6, is applied to the gate of the transistor W2. Given.

トランジスタW1のソース及びトランジスタW2のドレ
インの接続中点には、一端がアースされたコンデンサC
Iが接続され、トランジスタW1がオン動作したときコ
ンデンサC1を電圧源■DDによって充電し、これとは
逆にトランジスタW2がオン動作した時コンデンサC1
の充電電圧を低い電圧RV s sの電圧まで放電する
ようになされている。
A capacitor C whose one end is grounded is connected at the midpoint between the source of the transistor W1 and the drain of the transistor W2.
When I is connected and transistor W1 turns on, capacitor C1 is charged by voltage source ■DD, and conversely, when transistor W2 turns on, capacitor C1 is charged.
The charging voltage is discharged to a lower voltage RVss.

かかる構成に加えて、コンデンサC1の非アース側端に
は、電源VDD及びVS2間に直列に接続された直列抵
抗R1及びR2の接続中点が接続され、トランジスタW
1及びW2がオフ状態になった時、直列抵抗R1及びR
2の分圧電圧をコンデンサC1に充電するようになされ
、かくしてコンデンサC1に論理「1」の電圧V。及び
論理「0」の電圧VSSの中間電圧■8を維持させた状
態を得るようになされている。
In addition to this configuration, the non-ground end of the capacitor C1 is connected to the midpoint of series resistors R1 and R2 connected in series between the power supplies VDD and VS2, and the transistor W
1 and W2 are in the off state, the series resistors R1 and R
2 is applied to charge the capacitor C1, thus providing a logic "1" voltage V on the capacitor C1. and a state in which the intermediate voltage (18) of the voltage VSS of logic "0" is maintained is obtained.

なおこのときコンデンサC1側からトランジスタW1及
びW2側を見たときのインピーダンスは高インピーダン
ス状態になっている。
Note that at this time, the impedance when looking at the transistors W1 and W2 from the capacitor C1 side is in a high impedance state.

コンデンサC1の非アース側端の電圧は、3値出力TS
として送出される。
The voltage at the non-ground side end of capacitor C1 is the three-value output TS
Sent as .

第5図の構成において、第6図に示すように、B入力(
すなわちEXIの反転出力)の信号レベルが論理「0」
で、かつA入力(すなわちEX2)が論理「0」のとき
、PMO3でなるトランジスタW1がオン、かつNMO
3でなるトランジスタW2がオフ状態に制御され、それ
によりコンデンサC1が高い電圧レベル■。。に充電さ
れた状態が得られ、これが3値出力TSとして送出され
る。
In the configuration of FIG. 5, as shown in FIG.
In other words, the signal level of the inverted output of EXI is logic "0"
, and when the A input (i.e. EX2) is logic "0", transistor W1 consisting of PMO3 is on and NMO
Transistor W2 consisting of 3 is controlled to an off state, thereby causing capacitor C1 to reach a high voltage level ■. . A charged state is obtained, and this is sent out as a ternary output TS.

同様にして、B入力が論理「1」で、A入力が論理ro
」のとき、トランジスタW1及びW2が共にオフ動作す
ることにより、コンデンサC1が抵抗R1及びR2の分
圧電圧(すなわち中間電圧V、4)に充電され、これが
3値出力TSとして送出される。
Similarly, the B input is logic "1" and the A input is logic ro.
'', transistors W1 and W2 are both turned off, so that capacitor C1 is charged to the divided voltage of resistors R1 and R2 (ie, intermediate voltage V, 4), and this is sent out as ternary output TS.

さらにB入力が論理「1」で、A入力が論理「1」のと
きには、NMO3でなるトランジスタW2がオン動作す
ることにより、コンデンサC1が低い電圧VSSにまで
放電され、これが3値出力TSとして送出される。
Furthermore, when the B input is logic "1" and the A input is logic "1", the transistor W2 made of NMO3 turns on, and the capacitor C1 is discharged to a low voltage VSS, which is sent out as a ternary output TS. be done.

かくして第5図の構成によれば、エクスクル−シブオア
回路5及び6 (第3図)の出力EXI及びEX2によ
ってトランジスタW1及びW2をオン、オフ制御するこ
とにより、論理「1」レベルの電圧VDDと論理「0」
レベルの電圧Vs3と、その中間の電圧V、4とでなる
3値出力TSを得ることができる。
Thus, according to the configuration shown in FIG. 5, by controlling the transistors W1 and W2 on and off by the outputs EXI and EX2 of the exclusive OR circuits 5 and 6 (FIG. 3), the voltage VDD of logic "1" level and Logic "0"
A ternary output TS consisting of the level voltage Vs3 and intermediate voltages V and 4 can be obtained.

D発明が解決しようとする問題点 ところが、第5図の構成によると、中間値電圧VMを得
るために、コンデンサCIに分圧抵抗R1及びR2を接
続しているために、以下に述べる不都合が生じる。
D Problems to be Solved by the Invention However, according to the configuration shown in FIG. 5, the voltage dividing resistors R1 and R2 are connected to the capacitor CI in order to obtain the intermediate value voltage VM, which causes the following disadvantages. arise.

すなわち分圧抵抗R1及びR2の抵抗値を十分大きい値
に選定しないと、第6図において曲線に2で示すように
、トランジスタW1又はW2がオン動作した時、抵抗R
1及びR2の値が小さいために、これらの抵抗に無視し
得ない電流が流れるために、主として抵抗R1及びR2
の抵抗値及びオン動作したトランジスタW1又はW2の
等価抵抗値との分圧電圧で決まる電圧にまでコンデンサ
C1の充電電圧が低下してしまう問題がある。このよう
に論理「1」レベル、又は論理rOJレベルの電圧値が
低下すると、3値出力TSを受ける後段の回路の動作が
不安定になる不都合を生じさせる。
In other words, if the resistance values of voltage dividing resistors R1 and R2 are not selected to be sufficiently large, when transistor W1 or W2 is turned on, as shown by curve 2 in FIG.
Because the values of R1 and R2 are small, a non-negligible current flows through these resistors.
There is a problem in that the charging voltage of the capacitor C1 decreases to a voltage determined by the resistance value of the capacitor C1 and the equivalent resistance value of the turned-on transistor W1 or W2. If the voltage value of the logic "1" level or the logic rOJ level decreases in this way, the operation of the subsequent stage circuit receiving the ternary output TS will become unstable.

従ってこの観点から見れば、分圧抵抗R1及びR2の抵
抗値はできる限り大きい方が良いと考えられるが、かく
するとコンデンサC1の充電電圧が論理rlJレベル又
は論理rOJレベルから中間電圧■9のレベルに遷移す
る際に、その遷移時間が大きくなり、第6図において曲
線に1で示すように、電圧■。I、又はV。から電圧v
1.lに遷移する際に、3値出力TSの波形が大きくな
まる結果を生ずる。
Therefore, from this point of view, it is considered that the resistance values of the voltage dividing resistors R1 and R2 should be as large as possible, but in this way, the charging voltage of the capacitor C1 changes from the logic rlJ level or the logic rOJ level to the intermediate voltage ■9 level. When transitioning to , the transition time increases, and as shown by 1 on the curve in FIG. 6, the voltage ■. I or V. voltage v from
1. When transitioning to 1, the waveform of the ternary output TS becomes large.

このようになまった3値出力TSを用いてクロック発振
回路(第3図)に対する制御電圧出力COTを得ようと
すると、波形なまりが制御電圧出力COTの誤差として
影響を与えてしまうために、位相ロック精度が劣化する
結果を生ずる。
If you try to obtain the control voltage output COT for the clock oscillation circuit (Fig. 3) using the 3-value output TS that has been rounded in this way, the waveform rounding will affect the control voltage output COT as an error, so the phase will be affected. This results in deterioration of lock accuracy.

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、第5図の
従来の構成がもっている問題点を有効に解決し得るよう
にした3値出力回路を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and is intended to propose a ternary output circuit that can effectively solve the problems of the conventional configuration shown in FIG.

E問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、高い電
圧レベルVDDの出力レベル信号を送出する第1の出力
トランジスタWllと、低い電圧レベルVSSの出力レ
ベル信号を送出する第2の出力トランジスタW12と、
高い電圧VOO及び低い電圧VSS間の中間電圧vHの
信号レベルを、オン動作時の等価インピーダンスの分圧
電圧として送出する第3及び第4の出力トランジスタW
13及びW14とを有し、第1及び第2の出力トランジ
スタWll及びW12がオフ動作したとき、スイッチ回
路W15、W2Bを通じて第3及び第4の出力トランジ
スタW13及びW14に高い電圧VDD及び低い電圧V
。を供給することにより、当該第3及び第4の出力トラ
ンジスタW13及びW14から中間電圧V4のレベル信
号を送出させるようにする。
E Means for Solving the Problem In order to solve this problem, the present invention provides a first output transistor Wll which sends out an output level signal of a high voltage level VDD, and a first output transistor Wll which sends out an output level signal of a low voltage level VSS. a second output transistor W12,
The third and fourth output transistors W send out the signal level of the intermediate voltage vH between the high voltage VOO and the low voltage VSS as a divided voltage of equivalent impedance during ON operation.
13 and W14, and when the first and second output transistors Wll and W12 are turned off, a high voltage VDD and a low voltage V are applied to the third and fourth output transistors W13 and W14 through the switch circuits W15 and W2B.
. By supplying this, a level signal of intermediate voltage V4 is sent out from the third and fourth output transistors W13 and W14.

F作用 第1の出力トランジスタWll又は第2の出力トランジ
スタW12がオン制御されると、高い電圧レベルVDD
の出力レベル信号が出力トランジスタWllを通じて送
出され、又は低い電圧レベルVSSの出力レベル信号が
第2の出力トランジスタW12を通じて送出される。
When the F-action first output transistor Wll or the second output transistor W12 is turned on, the high voltage level VDD
An output level signal of VSS is delivered through the output transistor Wll, or an output level signal of a lower voltage level VSS is delivered through the second output transistor W12.

これに対して中間電圧Vイのレベル信号は、第1及び第
2の出力トランジスタWll及びW12が共にオフ動作
しているとき、スイッチ回路W15、W2Bを通じて第
3及び第4の出力トランジスタW13及びW14に高い
電圧v0及び低い電圧VSSが供給されることにより、
出力トランジスタW13及びW14の等価インピーダン
スの比率で分割された中間電圧VMになり、これが第3
及び第4の出力トランジスタW13及びW14から送出
される。
On the other hand, when both the first and second output transistors Wll and W12 are in an off state, the level signal of the intermediate voltage Vi is transmitted to the third and fourth output transistors W13 and W14 through the switch circuits W15 and W2B. By supplying high voltage v0 and low voltage VSS to
The intermediate voltage VM is divided by the ratio of the equivalent impedance of the output transistors W13 and W14, and this is the third voltage.
and is sent out from the fourth output transistors W13 and W14.

このようにして3値しベル信号を出力するにつき、各レ
ベル信号の送出時に、出力端から他の出力トランジスタ
を見たときのインピーダンスは高インピーダンスになる
ことにより、互いに干渉し合うことなく所定の出力レベ
ル信号を送出し得る。
In this way, when a ternary bell signal is output, the impedance when looking at other output transistors from the output terminal becomes high impedance when each level signal is sent, so that the predetermined level can be maintained without interfering with each other. An output level signal may be sent.

従って従来の場合のように、中間電圧■イのレベル信号
を送出するための構成が出力レベル信号の遷移時に影響
を与えるといった問題を有効に回避し得、かくして遷移
速度の速い半導体出力回路を容易に実現し得る。
Therefore, it is possible to effectively avoid the problem that the configuration for sending the level signal of the intermediate voltage A affects the transition of the output level signal, which is the case in the conventional case, and thus it is easy to create a semiconductor output circuit with a fast transition speed. can be realized.

G実施例 以下図面について本発明の一実施例を詳述する。G example An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第5図との対応部分に同一符号を付して第1図に示すよ
うに、3値出力回路8は、電圧源V0及びVSS間に直
列に接続されたPMO3でなるMOSトランジスタWl
l及びNMOSでなるMOSトランジスタW12とを有
し、その接続中点POにコンデンサC2が接続され、こ
のコンデンサC2の充電電圧が3値出力TSとして送出
される。
As shown in FIG. 1 with the same reference numerals assigned to parts corresponding to those in FIG.
A capacitor C2 is connected to the connection midpoint PO of the capacitor C2, and the charging voltage of the capacitor C2 is sent out as a ternary output TS.

MOS)ランジスタWllのソース及びMOSトランジ
スタW12のドレインの接続中点POには、それぞれダ
イオード接続されたMOS)ランジスタW13及びW1
4が接続されている。MOSトランジスタW13はPM
O3でなり、ゲート及びソースが共通に接続されて接続
中点POに接続され、かつドレインがPMO3でなるM
OSトランジスタW15を通じて高い電圧レベルの電圧
源■、に接続されている。またMOS)ランジスタW1
4のゲート及びソースは共通に接続されて接続中点PO
に接続され、かつドレインがNMOSでなるMOSトラ
ンジスタW16を通じて低い電圧レベルの電圧源VSS
に接続されている。
At the connection midpoint PO between the source of the MOS transistor Wll and the drain of the MOS transistor W12, there are diode-connected MOS transistors W13 and W1, respectively.
4 is connected. MOS transistor W13 is PM
M, whose gate and source are commonly connected to the connection midpoint PO, and whose drain is PMO3.
It is connected to a voltage source (2) at a high voltage level through the OS transistor W15. Also MOS) transistor W1
The gates and sources of 4 are commonly connected to the connection midpoint PO
A voltage source VSS at a low voltage level is connected to the voltage source VSS through a MOS transistor W16 whose drain is an NMOS.
It is connected to the.

Mo3)ランジスタW15及びW2Oは、それぞれスイ
ッチ回路を構成し、トランジスタW15のゲートにNA
ND回路NAND 1の出力を直接トランジスタW15
のゲートに供給し、かつインバータIN2によって反転
してトランジスタW16に供給する。
Mo3) Transistors W15 and W2O each constitute a switch circuit, and the gate of transistor W15 has an NA
The output of the ND circuit NAND 1 is directly connected to the transistor W15.
and is inverted by an inverter IN2 and supplied to the transistor W16.

NAND回路NAND1には第1の入力としてB入力が
与えられると共に、第2の入力としてA入力がインバー
タINIを通じて与えられる。
The NAND circuit NAND1 receives the B input as a first input, and the A input as a second input through the inverter INI.

ここでA入力及びB入力は、それぞれ第6図について上
述したと同様の論理レベルの組合わせによって、3値出
力TSを発生するように論理レベルが選定される。かく
してB入力が論理「1」かつA入力が論理「0」のとき
NAND回路NAND1の出力が論理「0」になること
により、MOSトランジスタW15及びW2Oを共にオ
ン動作させる。これに対してこの条件以外の状態では、
NAND回路NAND 1の出力が論理「1」になるこ
とにより、MO5I−ランジスタW15及びW2Oを共
にオフ制御する。
Here, the logic levels of the A input and the B input are selected so as to generate the ternary output TS by the same combination of logic levels as described above with respect to FIG. Thus, when the B input is logic "1" and the A input is logic "0", the output of the NAND circuit NAND1 becomes logic "0", thereby turning on both MOS transistors W15 and W2O. On the other hand, under other conditions,
When the output of the NAND circuit NAND 1 becomes logic "1", both MO5I transistors W15 and W2O are turned off.

A入力及びB入力は、それぞれMo3)ランジスタW1
2及びWllのゲートに与えられ、かくしてB入力が論
理「0」かつA入力が論理「0」のときMOSトランジ
スタWllをオン動作させ、また8人力が論理「1」か
つA入力が論理「1」のときMo3)ランジスタW12
だけをオン動作させる。
A input and B input are each Mo3) transistor W1
2 and the gate of Wll, thus turning on the MOS transistor Wll when the B input is logic "0" and the A input is logic "0", and the MOS transistor Wll is turned on when the B input is logic "1" and the A input is logic "1". ” when Mo3) transistor W12
Only turn on to operate.

第1図の構成において、第6図の場合と同様にして3値
出力TSのレベルを高い電圧レベルv0に設定する動作
、モードにおいては、A入力及びB入力がそれぞれ論理
「0」及び「0」になる。このときPMO3でなるMo
SトランジスタWllがオン動作してコンデンサC2が
電圧vnoによって充電され、この充電電圧が3値出力
TSとして送出される。
In the configuration of FIG. 1, in the operation and mode in which the level of the ternary output TS is set to a high voltage level v0 in the same manner as in the case of FIG. "become. At this time, Mo formed by PMO3
The S transistor Wll turns on and the capacitor C2 is charged with the voltage vno, and this charged voltage is sent out as a three-value output TS.

この動作モードから、続いて中間電圧v、4を送出する
動作モードにするとき、A入力及びB入力がそれぞれ論
理「0」及び「1」に切り換わる。
From this mode of operation, the A and B inputs switch to logic "0" and "1", respectively, when entering the mode of operation in which the intermediate voltage v,4 is subsequently delivered.

このときMo3)ランジスタWll及びW12は共にオ
フ動作し、これらのトランジスタを通じてコンデンサC
2を充電又は放電することができない状態になる。とこ
ろがこのときには、NAND回路NAND1の出力が論
理「0」になることにより、スイッチ回路を構成するM
OSトランジスタW15及びW2Oがオン動作し、Mo
3)ランジスタW15を通じて電圧源V!+11の電圧
がMOSトランジスタW13のドレインに供給されると
同時に電圧源v5.の電圧がMo3)ランジスタW16
を通じてMO5I−ランジスタW14のドレインに供給
される。
At this time, Mo3) transistors Wll and W12 are both turned off, and the capacitor C is connected through these transistors.
2 becomes unable to be charged or discharged. However, at this time, since the output of the NAND circuit NAND1 becomes logic "0", the M
OS transistors W15 and W2O turn on, and Mo
3) Voltage source V! through transistor W15. +11 voltage is supplied to the drain of MOS transistor W13, and at the same time voltage source v5. voltage is Mo3) transistor W16
MO5I is supplied to the drain of transistor W14 through MO5I.

この動作モードにおいては、コンデンサC2には、第2
図(A)に示すように、電圧源vDDからMOS)ラン
ジスタW15、W13を通じてコンデンサC2に対する
充電路が形成されると共に、電圧源VSSからMOSト
ランジスタW16、W14を通じてコンデンサC2に対
する放電路が形成される。ところでMo3)ランジスタ
W13及びW14はそれぞれダイオード接続されている
ことにより、ドレイン及びソース間にそれぞれ所定の等
価インピーダンスR11及びR12をもつ状態でドレイ
ン及びソース間に電流を流す状態になる。
In this mode of operation, capacitor C2 has a second
As shown in Figure (A), a charging path for capacitor C2 is formed from voltage source vDD through MOS transistors W15 and W13, and a discharging path for capacitor C2 is formed from voltage source VSS through MOS transistors W16 and W14. . By the way, the Mo3) transistors W13 and W14 are diode-connected, so that a current flows between the drain and the source with predetermined equivalent impedances R11 and R12, respectively.

従って結局コンデンサC2に対して第2図(B)に示す
ように、MOSトランジスタW13及びW14の等価抵
抗R11及びR12の直列回路を電圧源VOO及びv、
3間に接続し、この接続中点にコンデンサC2を接続し
たと等価な回路を構成することになり、その結果コンデ
ンサC2には等価抵抗R11及びR12によって電圧■
。、及びVSSの電位差を分圧して得られる電圧に充電
されることになる。
Therefore, as shown in FIG. 2(B), for capacitor C2, a series circuit of equivalent resistances R11 and R12 of MOS transistors W13 and W14 is connected to voltage sources VOO and v,
3 and connect capacitor C2 to the midpoint of this connection, an equivalent circuit will be constructed. As a result, capacitor C2 will have a voltage of
. , and VSS to a voltage obtained by dividing the voltage.

この動作モードに続いて、3値出力TSが電圧レベルV
SSになる動作モードにおいては、B入力及びA入力が
それぞれ論理「1」及びrlJになり、かくしてNMo
3でなるMOSトランジスタW12だけがオン動作する
。このときコンデンサC2はトランジスタW12を通じ
て電圧源VSSによって充電され、この電圧が3値出力
TSとして送出される。
Following this mode of operation, the ternary output TS is at voltage level V
In the SS mode of operation, the B and A inputs are logic '1' and rlJ, respectively, thus NMo
Only the MOS transistor W12 consisting of 3 is turned on. At this time, capacitor C2 is charged by voltage source VSS through transistor W12, and this voltage is sent out as ternary output TS.

第1図の構成によれば、3値出力TSを電圧レベルVI
ID又はVSSにする場合には、MOSトランジスタW
ll又はW12をオン動作させる。このときMOSトラ
ンジスタW13及びW14のドレインに接続されている
スイッチ用のMOS)ランジスタW15及びW16はオ
フ動作していることにより、トランジスタW13及びW
14は接続中点Po側から見て高インピーダンスをもつ
状態になり、これによりMOS)ランジスタWll及び
WL2からコンデンサC2に対する充電動作に影響を及
ぼさない状態になる。
According to the configuration shown in FIG. 1, the ternary output TS is set to the voltage level VI
When using ID or VSS, MOS transistor W
ll or W12 is turned on. At this time, the switching MOS transistors W15 and W16 connected to the drains of the MOS transistors W13 and W14 are in an OFF operation, so that the transistors W13 and W14 are turned off.
14 becomes a state of high impedance when viewed from the connection midpoint Po side, and thereby becomes a state in which it does not affect the charging operation from the MOS transistors Wll and WL2 to the capacitor C2.

これに対して3値出力TSとして中間電圧■8を送出す
る場合には、MOSトランジスタWll及びW12がオ
フ動作すると共に、スイッチ用MOSトランジスタW1
5及びW16がオン動作する。このときMO3I−ラン
ジスタW13及びW14はダイオードとして機能し、そ
の等価インピーダンスを通じてコンデンサC2に対する
充電又は放電電流を供給する。ところがこの状態におい
ては接続中点POからMOS)ランジスタWll及びW
12を見たとき、高インピーダンスの状態になっている
ので、MO3I−ランジスタWll及びW12は、かか
るMOS)ランジスタW13及びW14を通じての充電
動作に悪影響を及ぼさないようにできる。
On the other hand, when sending out the intermediate voltage ■8 as the ternary output TS, the MOS transistors Wll and W12 are turned off, and the switching MOS transistor W1
5 and W16 are turned on. At this time, MO3I-transistors W13 and W14 function as diodes and supply charging or discharging current to capacitor C2 through their equivalent impedance. However, in this state, from the connection midpoint PO to the MOS) transistors Wll and W
12 is in a high impedance state, so that MO3I transistors Wll and W12 can be prevented from adversely affecting the charging operation through such MOS transistors W13 and W14.

従ってMOSトランジスタW13及びW14の等価イン
ピーダンスR11及びR12を必要に応じて低い値に抑
えることができるので、第4図について上述したように
、3(L!出力TSが電圧レベルをVD+、からv、1
に遷移し、又はVSSがら■4に遷移する際に、必要と
する遷移時間を十分に短くすることができる。
Therefore, the equivalent impedances R11 and R12 of the MOS transistors W13 and W14 can be suppressed to a low value as necessary, so that the 3(L! output TS changes the voltage level from VD+ to v, as described above with reference to FIG. 1
The required transition time can be sufficiently shortened when transitioning from VSS to (4) or from VSS to (4).

なお上述においては、MOS)ランジスタW−13及び
W14に対するスイッチ回路として、MOSトランジス
タW15、W16、NAND回路NAND 1、インバ
ータIN2などを含んで構成したが、その他の構成を用
いても良い。
In the above description, the switch circuit for the MOS transistors W-13 and W14 is configured to include the MOS transistors W15 and W16, the NAND circuit NAND 1, the inverter IN2, etc., but other configurations may be used.

H発明の効果 上述のように本発明によれば、3値出力TSの信号レベ
ルを中間値に設定するために必要な分圧インピーダンス
として、MOS)ランジスタの等価インピーダンスを用
いるようにしたことにより、3値出力TSの信号レベル
を遷移するときの遷移速度を実用上十分に短縮し得る半
導体出力回路を容易に得ることができる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the equivalent impedance of a MOS transistor is used as the voltage dividing impedance necessary to set the signal level of the ternary output TS to an intermediate value. It is possible to easily obtain a semiconductor output circuit in which the transition speed when changing the signal level of the ternary output TS can be shortened sufficiently for practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による半導体出力回路の一実施例を示す
接続図、第2図はその動作時の等価回路を示す接続図、
第3図は面積比較型P L L回路を示すブロック図、
第4図はその各部の信号を示す信号波形図、第5図は従
来の3値出力回路を示す接続図、第6図はその動作の説
明に供する信号波形図である。 1・・・・・・PLL回路、2・・・・・・クロック発
振回路、3.4・・・・・・Dフリップフロップ回路、
5.6・・・・・・エクスクル−シブオア回路、8・・
・・・・3値出力回路、9・・・・・・ローパスフィル
タ。 猪S図 を 一シイd1呂力4乞s、a、w’ン 某ら図
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of a semiconductor output circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a connection diagram showing an equivalent circuit during its operation.
FIG. 3 is a block diagram showing an area comparison type PLL circuit,
FIG. 4 is a signal waveform diagram showing the signals of each part, FIG. 5 is a connection diagram showing a conventional three-value output circuit, and FIG. 6 is a signal waveform diagram for explaining its operation. 1...PLL circuit, 2...Clock oscillation circuit, 3.4...D flip-flop circuit,
5.6... Exclusive OR circuit, 8...
...Three-value output circuit, 9...Low pass filter. A picture of a boar, d1, a figure of 4, a, w'n, etc.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 高い電圧レベルの出力レベル信号を送出する第1の出力
トランジスタと、 低い電圧レベルの出力レベル信号を送出する第2の出力
トランジスタと、 上記高い電圧及び低い電圧間の中間電圧のレベル信号を
、オン動作時の等価インピーダンスの分圧電圧として送
出する第3及び第4の出力トランジスタと を有し、上記第1及び第2の出力トランジスタがオフ動
作したとき、スイッチ回路を通じて上記第3及び第4の
出力トランジスタに上記高い電圧及び低い電圧を供給す
ることにより、当該第3及び第4の出力トランジスタか
ら上記中間電圧のレベル信号を送出させるようにしたこ
と を特徴とする半導体出力回路。
[Claims] A first output transistor that sends out an output level signal at a high voltage level, a second output transistor that sends out an output level signal at a low voltage level, and an intermediate voltage between the high voltage and the low voltage. and third and fourth output transistors that send out a level signal of the level signal as a divided voltage of equivalent impedance during ON operation, and when the first and second output transistors are OFF operation, the level signal is transmitted through the switch circuit. A semiconductor output characterized in that the level signal of the intermediate voltage is sent from the third and fourth output transistors by supplying the high voltage and the low voltage to the third and fourth output transistors. circuit.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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