JPS6247822A - メモリ−テイスク基板の製造方法 - Google Patents

メモリ−テイスク基板の製造方法

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Publication number
JPS6247822A
JPS6247822A JP18672585A JP18672585A JPS6247822A JP S6247822 A JPS6247822 A JP S6247822A JP 18672585 A JP18672585 A JP 18672585A JP 18672585 A JP18672585 A JP 18672585A JP S6247822 A JPS6247822 A JP S6247822A
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JP
Japan
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die
memory disk
disk substrate
coining
blank
Prior art date
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Pending
Application number
JP18672585A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Yabuki
実 矢吹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP18672585A priority Critical patent/JPS6247822A/ja
Publication of JPS6247822A publication Critical patent/JPS6247822A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、アルミブランク材から表面平滑なメモリーデ
ィスク基板を製造する方法に関するものである。なお、
ここでいうアルミブランク材とは、アルミニウム、アル
ミニウム合金またはそれらの複合材からなるブランク材
を意味するものとする。
〔従来技術とその問題点〕
電子計算機の外部記憶装置に用いられるメモリーディス
クは通常、アルミ製の基板(サブストレート)に磁性体
を被覆した構造となっている。このメモリーディスクは
磁気ヘッドによる読み書きを正確に行うため、高度の平
坦性、平滑性が要求されるが、メモリーディスクの表面
状態は基板の表面状態に左右されるため、基板には極め
て高い寸法精度と高品質の表面状態が要求される。
従来、このようなメモリーディスク基板を製造する方法
としては、アルミブランク材を、(δ)天然ダイヤモン
ドバイトにより超精密切削する方法、中)砥石により両
面を同時に研りする方法、(Clランプ盤を用い砥粒お
よび温水により両面を同時に研磨する方法などがあるが
、いずれも切削あるいは研削による加工であるため、加
工に時間がかかり、生産性が悪いという問題があった。
〔問題点の解決手段とその作用〕
本発明は、上記のような従来技術の問題点に漏み、圧印
加工を利用した極めて生産性の高いメモリーディスク基
板の製造方法を提供するものである。圧印加工は通常、
硬貨の’5!aに用いられる技術で、加圧面に凹凸模様
を形成したダイスで材料を加圧して、材料面に凹凸1+
ffiを形成するというのが一般的な使われ方であった
0本発明はこのような凹凸模様の形成とは異なり、加圧
面の平滑なダイスを用いてアルミブランク材に平滑な面
を圧印することで、メモリーディスク14反を得ようと
するものである。
ところで、高度に平滑な加圧面を存するダイスを、僅か
な凹凸を存するアルミブランク材に押し付けて、その面
を平滑にしようとする場合、両者の間に逃げ場を失った
空気が閉じ込められることがあり、この閉じ込められた
空気は製造されたメモリーディスク基板の平滑性を阻害
する要因となる。そこで本発明は、アルミブランク材を
加圧面の平滑な二つのダイスの間に挟んで圧印加工する
際に、その圧印加工を真空中で行うことを特徴とするも
のである。
このように真空中で圧印加工を行えば、ダイスとアルミ
ブランク材の間に空気が閉じ込められることがなくなり
、高度に平滑な表面を存するメモリーディスク基板を製
造することができる。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。第1
図および第2図は本発明方法の実施に好適な装置を示す
0図において11は例えば10−’Torr以下に減圧
される真空室で、その中には圧印機12、ロボフ)13
およびコンベア14が設置されている。
圧印機12は、固定された下ダイス15と、その下ダイ
ス15と一体のガイドピン16にガイドされて上下する
上ダイス17とを備えている。上ダイス17は上端が真
空室11外に延びるロッド18の下端に固定されており
、ロッド18は真空室11外において通常のプレス機の
駆動機構(図示せず)により上下に駆動されるようにな
っている。またリフ11日の中間部にはフランジ19が
溶接され、このフランジ19の周縁と真空室11のロッ
ド穴の周縁との間は伸縮するベローズ20によって密閉
されている。したがってリフ11日は真空室11内の真
空度を低下させることなく上下動可能である。
下ダイス15と上ダイス17の詳細は第3図(イ)のと
おりである、すなわち下ダイス15は、円盤状凸部21
を存し、その上面は平滑な加圧面22となっており、且
つその中央部には円柱状突起23が形成されている。ま
た上ダイス17は、上記円盤状凸部21と嵌合する円盤
状凹部24を有し、その下面(底面)は平滑な加圧面2
5となっており、且つその中央部には上記円柱状突起2
3と嵌合する凹陥部26が形成されている。
圧印加工は次のようにして行われる。まず第3図(イ)
のように下ダイス15上に、中央に穴のあいたアルミブ
ランク材27を載せる。つぎに同図(ロ)に示すように
上ダイス17を下降させ、アルミブランク材27を加圧
する。アルミブランク材27はその周囲を上ダイス17
の内周面28で拘束されているため、一定限度以上の広
がりを阻止され、その ・両面に両ダイスの平滑な加圧
面22.25が圧印されることになる。この圧印を大気
中で行うと、アルミブランク材27と加圧面22.25
の間に空気が閉じ込められ、圧印加工面の平滑性が損な
われることがあるため、本発明は、これを真空室11内
で行うものである。圧印後は同図(ハ)に示すように上
ダイス17を上昇させ、成形されたメモリーディスク基
板29を下ダイス15から取り外す。
なお、上ダイス17を上昇させる際に、成形されたメモ
リーディスク基板29が上ダイス17内に残るおそれの
あるときは、第4図に示すように上ダイス17を、加圧
面25を有する円柱部17aと内周面2日を有する筒部
17bとに分け、両者を別個に駆動できるようにして、
筒部17bを先に上昇させるようにすればよい。
再び第2図に戻ると、コンベア14は、所定枚数のアル
ミブランク材またはメモリーディスク基板を収納したケ
ース30を矢印方向に順次1ブロツクずつ送る働きをす
る0図の状態は、コンベア14上のAから■までの九ブ
ロックの内、AからEまでの六ブロックにケース30が
載り、他の三ブロック(G〜■)が空の状態である。A
−Cブロックにあるケース30は加工前のアルミブラン
ク材を収納しており、E、Fブロックにあるケース30
は加工後のメモリーディスク基板を収納している。
ロボット13は、Dブロックにあるケース30からアル
ミブランク材27を1枚抜き取り、下ダイス15上に載
せる操作と、圧印加工により仕上げられたメモリーディ
スク基板29を下ダイス15がら外し、ケース30の元
の位置に納める操作を繰り返しjトうものである。
Dブロックにあるケース3o内の全てのアルミブランク
材の圧印加工が終わると、各ケース3oはコンベア14
により送られてlブロックずつ前進し、今度はCブロッ
クからDブロックに来たケース3゜内のアルミブランク
材を順次圧印加工することになる。この段階ではASH
,lブロックが空になるわけである。
以上のようにして真空室ll内で圧印加工によりメモリ
ーディスク基板が次々に製造される。なお31は真空室
11の真空引き口であり、真空ポンプ(図示せず)に接
続されている。
真空室11内の真空度を低下させずに、アルミブランク
材の送り込みと、仕上がったメモリーディスク基板の取
り出しを行うため、真空室11の隣には前室32が設け
られている。真空室11と前室32は開閉可能なシャッ
ター33により仕切られており、また前室32の人口に
も開閉可能なシャッター34が設けられている。前室3
2内には送り込みコンベア35と取り出しコンベア36
が設置されている。また前室32内は、両シャッター3
3・34を閉じた状態で、真空引き口37に接続した真
空ポンプ(図示せず)で真空引きすることにより、真空
室と同等の真空度が得られるようになっている。
真空室ll内で圧印加工が行われている間に前室32内
では次の1!傭を行う、まず入口のシャッター34を開
き、送り込みコンベア35上にアルミブランク材を収納
した3個のケース3oを載せ、シャッター34を閉じた
後、真空引きを行う、この状態で待機し、真空室11内
での圧印加工が進行し、Aブロックにあったケース30
がDブロックまで進んだ時、すなわちA〜Cブロックが
空になり、G〜■ブロックに全てケース30が載った時
点で、画室の境のシャッター33を開き、送り込みコン
ベア35上のケース30をA−Cブロックに送り込むと
同時に、G〜!ブロックにあるケース30を前室32内
の取り出しコンベア36上に取り出す0次にシャッター
33を閉じ、前室用の真空ポンプを停止した後、入口の
シャッター34を開いて、取り出しコンベア36上から
完成品を収納したケースを取り出す。
このようにすれば真空室ll内の真空度を低下させずに
、かつ圧印作業に影響を与えることなく、アルミブラン
ク材の送り込みと、仕上がったメモリーディスク基板の
取り出しを行うことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、表面平滑なメモリ
ーディスク基板を圧印加工により製造できるので、極め
て生産性が高く、また圧印加工は真空中で行うので、ダ
イス加圧面とアルミブランク材との間に空気が閉じ込め
られ、圧印加工面の平滑性が順なわれることもなく、品
質の良好なメモリーディスク基板を製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法の実施に好適な装置の一例を
示す縦断面図、第2図は第1図の装置の■−■線におけ
る断面図、第3図(イ)〜(ハ)は同装置による圧印工
程を示す縦断面図、第4図は同装置に用いる上ダイスの
他の例を示す縦断面図である。 11〜真空室、12〜圧印機、13〜ロボツト、14〜
コンベア、15〜下ダイス、17〜上ダイス、20〜ベ
ローズ、22〜加圧面、25〜加圧面、27〜アルミブ
ランク材、29〜メモリーデイスク基板゛・へ’−,−
’ 第1図 寥 第3図 (イ)                (ロ)   
             什9第4図 手続主甫正書(自発) 昭和61年 4月エフ日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルミブランク材を加圧面の平滑な二つのダイスの間に
    挟んで圧印加工することによりメモリーディスク基板を
    製造するに際し、上記圧印加工を真空中で行うことを特
    徴とするメモリーディスク基板の製造方法。
JP18672585A 1985-08-27 1985-08-27 メモリ−テイスク基板の製造方法 Pending JPS6247822A (ja)

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JP18672585A JPS6247822A (ja) 1985-08-27 1985-08-27 メモリ−テイスク基板の製造方法

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JP18672585A JPS6247822A (ja) 1985-08-27 1985-08-27 メモリ−テイスク基板の製造方法

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JPS6247822A true JPS6247822A (ja) 1987-03-02

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ID=16193540

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JP18672585A Pending JPS6247822A (ja) 1985-08-27 1985-08-27 メモリ−テイスク基板の製造方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63286225A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Furukawa Alum Co Ltd 金属板の鏡面加工法
JPS63286224A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Fuarukoa Kk メモリ−ディスク用アルミニウム基板の製造方法
JPS647322A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Fuarukoa Kk Production of aluminum substrate for memory disk
JPH0262721A (ja) * 1988-08-30 1990-03-02 Furukawa Alum Co Ltd 磁気シート張付け用金属ディスク基板の製法
JPH0322158U (ja) * 1989-07-14 1991-03-06

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