JPS6247221U - - Google Patents

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JPS6247221U
JPS6247221U JP13775685U JP13775685U JPS6247221U JP S6247221 U JPS6247221 U JP S6247221U JP 13775685 U JP13775685 U JP 13775685U JP 13775685 U JP13775685 U JP 13775685U JP S6247221 U JPS6247221 U JP S6247221U
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JP
Japan
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transistor
diode
current
control
pair
Prior art date
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Pending
Application number
JP13775685U
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Japanese (ja)
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  • Attenuators (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の可変減衰器の実施例を示す回
路図である。第2図、第3図、第4図及び第5図
は本考案の互いに異なる他の実施例の要部を示す
回路図である。第6図は従来例の回路図であり、
第7図はその要部等価回路図である。第8図は他
の従来例の回路図である。 Q,Q…差動対トランジスタ、R,R
…負荷抵抗、D,D,D,D…ダイオー
ド、Q,Qa,Qb…制御トランジスタ、
7…供給手段、Q…第1トランジスタ、Q
第2トランジスタ、Q10,Q11,Q12,Q
13…第3〜第6トランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the variable attenuator of the present invention. FIGS. 2, 3, 4, and 5 are circuit diagrams showing main parts of other different embodiments of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional example,
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the main part. FIG. 8 is a circuit diagram of another conventional example. Q 1 , Q 2 ... Differential pair transistor, R 1 , R 2
...Load resistance, D1 , D2 , D3 , D4 ...Diode, Q7 , Q7a , Q7b ...Control transistor,
7... Supply means, Q 8 ... First transistor, Q 9 ...
Second transistor, Q 10 , Q 11 , Q 12 , Q
13 ...Third to sixth transistors.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) トランジスタの出力電極に接続された負荷
抵抗と、前記負荷抵抗と基準電位点間に接続され
たダイオードと、前記ダイオードの導通電流を制
御する制御トランジスタとを備え、前記負荷抵抗
に対する前記ダイオードの導通抵抗の比を前記制
御手段により変化させて減衰量を変える可変減衰
器において、前記制御トランジスタの制御信号が
加えられ前記制御トランジスタを流れる電流量と
所定の関係をもつた電流量が流れる第1トランジ
スタと、前記第1トランジスタの電流によつて駆
動される前記制御トランジスタを流れる電流量と
同一の電流量を前記ダイオードに供給する供給手
段を設けたことを特徴とする可変減衰器。 (2) 前記負荷抵抗は2つの差動対トランジスタ
の各々の出力電極に接続された一対の抵抗よりな
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
項記載の可変減衰器。 (3) 前記ダイオードは一端が前記一対の抵抗に
個別に接続された一対のダイオードからなり、前
記一対のダイオードの他端は共通に前記制御トラ
ンジスタに接続されていることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第2項に記載の可変減衰器。 (4) 前記供給手段は前記第1トランジスタの電
流を供給する第2トランジスタと、該第2トラン
ジスタと共にカレントミラー回路を形成する第3
、第4トランジスタとからなり、該第3、第4ト
ランジスタの出力電極が前記一対のダイオードの
一端にそれぞれ接続されており、また前記制御ト
ランジスタと第1トランジスタの電流比を2:1
になるように設定する手段が設けられている実用
新案登録請求の範囲第3項に記載の可変減衰器。 (5) 前記制御トランジスタは制御電極が共通に
接続された第1、第2制御トランジスタからなり
、前記ダイオードは一端が前記一対の抵抗に個別
に接続され他端が前記第1制御トランジスタに接
続された第1、第2ダイオードと、一端が同じく
前記一対の抵抗に個別に接続され他端が前記第2
トランジスタに接続された第3、第4ダイオード
とからなり、一方前記供給手段は前記第1トラン
ジスタの電流を供給する第2トランジスタと、該
第2トランジスタと共にカレントミラー回路を構
成する第3、第4、第5、第6トランジスタから
なり、前記第3、第4、第5、第6トランジスタ
の出力電極はそれぞれ第1、第2、第3、第4ダ
イオードに接続されていることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第2項に記載の可変減衰器。 (6) 前記供給手段は前記第1トランジスタの電
極を供給する第2トランジスタと、該第2トラン
ジスタと共にカレントミラー回路を構成する第3
トランジスタとからなり、前記ダイオードは一端
が前記一対の抵抗にそれぞれ接続され他端が前記
第3トランジスタの電極に共通接続された第3、
第4ダイオードとからなり、前記第3トランジス
タからの電流は第3ダイオードと第1ダイオード
を通して制御トランジスタに流れる電流と、第4
ダイオードと第2ダイオードを通して制御トラン
ジスタに流れる電流とに分流する実用新案登録請
求の範囲第2項記載の可変減衰器。 (7) 前記ダイオードは一端が前記負荷抵抗に接
続され、他端が制御トランジスタを介して基準電
位点に接続された1つのダイオードからなり、前
記制御トランジスタは飽和領域近くで動作するこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記
載の可変減衰器。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A load resistor connected to an output electrode of a transistor, a diode connected between the load resistor and a reference potential point, and a control transistor that controls the conduction current of the diode. wherein the variable attenuator changes the amount of attenuation by changing the ratio of conduction resistance of the diode to the load resistance by the control means, wherein a control signal of the control transistor is applied and a predetermined relationship is established with the amount of current flowing through the control transistor. a first transistor through which an amount of current flows, and supply means for supplying the same amount of current to the diode as the amount of current flowing through the control transistor driven by the current of the first transistor. variable attenuator. (2) Utility model registration claim 1, characterized in that the load resistor consists of a pair of resistors connected to the output electrodes of each of two differential pair transistors.
Variable attenuator as described in section. (3) Registration of a utility model characterized in that the diodes are comprised of a pair of diodes, one end of which is individually connected to the pair of resistors, and the other ends of the pair of diodes are commonly connected to the control transistor. A variable attenuator according to claim 2. (4) The supply means includes a second transistor that supplies the current of the first transistor, and a third transistor that forms a current mirror circuit together with the second transistor.
, and a fourth transistor, the output electrodes of the third and fourth transistors are respectively connected to one end of the pair of diodes, and the current ratio of the control transistor and the first transistor is 2:1.
The variable attenuator according to claim 3, which is provided with means for setting the attenuator so that (5) The control transistor includes first and second control transistors whose control electrodes are connected in common, and the diode has one end connected individually to the pair of resistors and the other end connected to the first control transistor. first and second diodes, one end of which is individually connected to the pair of resistors and the other end of which is connected to the second resistor.
The supply means includes a second transistor that supplies the current of the first transistor, and third and fourth diodes that form a current mirror circuit together with the second transistor. , fifth and sixth transistors, and the output electrodes of the third, fourth, fifth and sixth transistors are connected to the first, second, third and fourth diodes, respectively. A variable attenuator according to claim 2 of the utility model registration claim. (6) The supply means includes a second transistor that supplies the electrode of the first transistor, and a third transistor that constitutes a current mirror circuit together with the second transistor.
a third transistor, the diode having one end connected to each of the pair of resistors and the other end commonly connected to the electrode of the third transistor;
a fourth diode, and the current from the third transistor flows through the third diode and the first diode to the control transistor;
The variable attenuator according to claim 2, which is a registered utility model, and divides the current into a diode and a current flowing to the control transistor through the second diode. (7) The diode is characterized in that one end is connected to the load resistor and the other end is connected to a reference potential point via a control transistor, and the control transistor operates near a saturation region. A variable attenuator according to claim 1 of the utility model registration claim.
JP13775685U 1985-09-09 1985-09-09 Pending JPS6247221U (en)

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