JPS6240789A - Laser diode driving circuit - Google Patents

Laser diode driving circuit

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JPS6240789A
JPS6240789A JP60179255A JP17925585A JPS6240789A JP S6240789 A JPS6240789 A JP S6240789A JP 60179255 A JP60179255 A JP 60179255A JP 17925585 A JP17925585 A JP 17925585A JP S6240789 A JPS6240789 A JP S6240789A
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laser diode
circuit
output
photodiode
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Katsumi Nagano
克己 長野
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Toshiba Corp
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Publication date
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    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
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    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
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    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Abstract

PURPOSE:To stably control the light output of a laser diode to a prescribed output value by inversely amplifying a differential current between a reference current of a current source and a photovoltaic current of a photodiode, feeding back it to the forward current circuit of the laser diode, and controlling it to a current value corresponding to the reference current. CONSTITUTION:Since a photovoltaic current Is of a photodiode PD is proportional to a light output Po, the current Is is detected to control to feed back the output Po, thereby controlling the light output Po at constant value. The output Po is controlled so that the detected current Is becomes equal to a reference current Iref to be constant. In other words, in the state of Is Iref, no a base flowing current to a control transistor Q1 is presented, and the transistor Q1 is turned OFF. This, a bias current Ib from a bias current circuit 5 flows to the base of a driving transistor Q2, which is thus turned ON, the maximum upper limit current specified by a current limiting resistor R1 flows to a laser diode LD to increase the output Po.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、レーザダイオードの光出力を安定に一定の
出力値に制御するレーザダイオード駆動回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a laser diode drive circuit that stably controls the optical output of a laser diode to a constant output value.

[発明の技術的背景とその問題点] 一般にレーザダイオード駆動回路には、レーザダイオー
ドの光出力を一定の出力値に制御し゛C光出力の安定化
を図る制御回路が付設されている。
[Technical Background of the Invention and Problems Therewith] Generally, a laser diode drive circuit is provided with a control circuit that controls the optical output of the laser diode to a constant output value and stabilizes the optical output of the laser diode.

w412図は、このような従来のレーザダイオード駆動
回路を示すものでレーザダイオードデータブックに記載
されて公知となっている回路である。
Figure w412 shows such a conventional laser diode drive circuit, which is a well-known circuit described in the laser diode data book.

同図中符号LDはレーザダイオード、PDはレーザダイ
オードLDの光出力をモニターするためのフォトダイオ
ードで、レーザダイオードLDとフォトダイオードPD
とは、1個のパッケージ11中に内蔵され、パッケージ
11からは、レーザダイオードLDのアノードおよびフ
ォトダイオードPDのカソードを共通接続した共通接続
端子116と、レーザダイオードしDのカソード端子1
1bと、フォトダイオードPDのアノード端子11Cと
の合計3本の端子ビンが外部にとり出されている。レー
ザダイオードLDの一方の出ノj面はフォトダイオード
PDに向けられ、他方の出力面から外部に光出力POが
とり出される。
In the figure, LD is a laser diode, and PD is a photodiode for monitoring the optical output of the laser diode LD.
is built in one package 11, and from the package 11 there is a common connection terminal 116 that commonly connects the anode of the laser diode LD and the cathode of the photodiode PD, and a cathode terminal 1 of the laser diode D.
1b and an anode terminal 11C of the photodiode PD, a total of three terminal bins are taken out to the outside. One output surface of the laser diode LD is directed toward the photodiode PD, and an optical output PO is taken out from the other output surface.

12は電源入力端子で、この電源入力端子12に与えら
れる電源電圧子Vccが、第1のオペアンプへ1を備え
たバイアス点設定回路13により適宜電圧値に分圧設定
されて共通接続端子11aに供給される。
Reference numeral 12 denotes a power supply input terminal, and the power supply voltage Vcc applied to the power supply input terminal 12 is divided into appropriate voltage values by a bias point setting circuit 13 equipped with 1 to the first operational amplifier, and is applied to the common connection terminal 11a. Supplied.

14はフォトダイオードPDの光起電流検出回路で、第
2のオペアンプA2が備えられている。
14 is a photovoltaic current detection circuit for the photodiode PD, which is equipped with a second operational amplifier A2.

15は次段に接続されたトランジスタQ5を駆動するた
めの演算回路で、光起電流検出回路14の出力信号を入
力して、これに所要の演算を施こし、トランジスタQ5
の制御用電圧を出力するものである。演算回路15には
第3のオペアンプA3が備えられている。
15 is an arithmetic circuit for driving the transistor Q5 connected to the next stage, which inputs the output signal of the photovoltaic current detection circuit 14, performs necessary arithmetic operations on it, and drives the transistor Q5.
It outputs a control voltage of . The arithmetic circuit 15 is equipped with a third operational amplifier A3.

トランジスタQ5はレーザダイオードしDの順方向電流
回路16に接続されており、演算回路15の制御を受け
てレーザダイオードLDの順方向電流Ifを所定の電流
値に規定する。このようにして順方向電流I 、fが所
定の電流値に規定されることにより、レーデダイオード
L Dの光出力POが一定の出力値となるように制御さ
れる。
The transistor Q5 is connected to the forward current circuit 16 of the laser diode D, and is controlled by the arithmetic circuit 15 to define the forward current If of the laser diode LD to a predetermined current value. By regulating the forward currents I and f to predetermined current values in this manner, the optical output PO of the radar diode LD is controlled to a constant output value.

ところでシー11ダイオードLDは光情報処理や光通信
等の光源として多用されるので、これを駆動する駆動回
路は高速駆動性を有し、1つコスト低減を図れるものが
求められる。
Incidentally, since the C-11 diode LD is frequently used as a light source for optical information processing, optical communications, etc., a drive circuit for driving it is required to have high-speed driving performance and to reduce costs.

しかしながら上記のレーザダイオード駆動回路にあって
は、合計3個のオペアンプA+ 、A2、A3が備えら
れ、かなり?Q雑な回路構成であるのでコスト高につき
、また上記3個のオペアンプのうち2個のオペアンプΔ
2、A3は光出力のフィードバックループ内に配設され
ているので、光出力Poが変化したとき、これを一定の
値に安定させるまでの応答時間が比較的艮くなり、高速
駆動性に欠けるという問題点があった。
However, in the above laser diode drive circuit, a total of three operational amplifiers A+, A2, and A3 are provided, which is quite large. Q: Due to the complicated circuit configuration, the cost is high, and two of the three operational amplifiers mentioned above
2. Since A3 is placed in the feedback loop of the optical output, when the optical output Po changes, the response time until it stabilizes at a constant value is relatively short, resulting in a lack of high-speed drive performance. There was a problem.

[発明の目的] この発明は、上記事情に基づいてなされたちので、比較
的簡単な回路構成でありながら光出力を一定の出力値に
安定に制御することができ、且つ高速駆動性を有するレ
ーザダイオード駆動回路を提供することを目的とする。
[Objective of the Invention] The present invention has been made based on the above circumstances, and therefore provides a laser that can stably control the optical output to a constant output value and has high-speed drive performance with a relatively simple circuit configuration. The purpose is to provide a diode drive circuit.

[発明の概要] この発明は、上記目的を達成するために第1図に示すよ
うに、レーザダイオードLDの光出力POをモニターす
るフォトダイオードPDの光起電流1sと、基準電流源
1に流れる基rP雷電流refとの差電流を反転増幅手
段2により反転増幅して、前記レーザダイオードLDの
順方向電流回路4にフィードバックし、当該順方向電流
1fを基tP−電流1refに対応した電流値にイー1
tilして、レーザダイオードLDの光出力を一定の値
に制御し、且つフィードバック回路3には反転増幅手段
2を配設するという比較的簡単な回路構成とすることに
より高速駆動性が得られるようにしたものである。
[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention, as shown in FIG. The difference current from the basic rP lightning current ref is inverted and amplified by the inverting amplification means 2, and fed back to the forward current circuit 4 of the laser diode LD, and the forward current 1f is converted into a current value corresponding to the basic tP-current 1ref. Nii 1
til, the optical output of the laser diode LD is controlled to a constant value, and the feedback circuit 3 is provided with the inverting amplification means 2, making it possible to obtain high-speed drive performance. This is what I did.

[第1実施例] 以下この発明の第1実施例を第2図に基づいて説明する
[First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 2.

なお第2図において前記第1図および第12図における
回路素子等と同一ないし均等のものは、前記と同一符号
を以って示し重複した説明を省略する。
In FIG. 2, the same or equivalent circuit elements as those in FIG. 1 and FIG. 12 are denoted by the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

まず構成を説明すると、第1実施例においては、反転増
幅手段としてフィードバック回路3に制御用トランジス
タQ1が接続され、また順方向電流回路4には、駆動用
トランジスタQ2が接続されている。5は駆動用トラン
ジスタQ2のバイアス電流回路で、制御用トランジスタ
Q1の出力回路も兼ねている。R+ はレーザダイオー
ドL、Dの電流制限抵抗で、過電流防止用として接続さ
れている。
First, the configuration will be described. In the first embodiment, a control transistor Q1 is connected to the feedback circuit 3 as an inverting amplification means, and a driving transistor Q2 is connected to the forward current circuit 4. 5 is a bias current circuit for the drive transistor Q2, which also serves as an output circuit for the control transistor Q1. R+ is a current limiting resistor for laser diodes L and D, which is connected to prevent overcurrent.

次に第3図および第4図も用いて作用を説明する。第3
図はレーザダイオードLDの順方向電流■fと光出力p
oの関係を示す特性図、第4図はレーザダイオードLD
の光出力POとフォトダイオードPDに生じるモニタ電
流(光起電流)Isの関係を示す特性図である。
Next, the operation will be explained with reference to FIGS. 3 and 4. Third
The figure shows forward current f and optical output p of laser diode LD.
Figure 4 is a characteristic diagram showing the relationship between o and laser diode LD.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the optical output PO and the monitor current (photovoltaic current) Is generated in the photodiode PD.

第3図からレーザダイオードL Dは順方向電流■fが
ある′しきい値電流″例えば60mAに達すると発振し
て光出力Poが得られ、以後光出力POは、順方向電流
ifに比例して増大する。一方、フォトダイオードPD
は、この光出力POを受【ノて光起電流1sが生じるが
、第4図に示すように、光起電流ISは光出力Poに比
例して増大する。順方向電流1f、光出力PO,および
光起電流1sの関係の数値例をあげると、空温で、順方
向電流rf:90mA 光出力Po   :10mW 光起電流Is  :0.75mA である。
From Figure 3, the laser diode LD oscillates when the forward current f reaches a ``threshold current'' of 60 mA, for example, to obtain an optical output Po, and thereafter the optical output PO is proportional to the forward current if. On the other hand, the photodiode PD
receives this optical output PO and generates a photovoltaic current 1s, but as shown in FIG. 4, the photovoltaic current IS increases in proportion to the optical output Po. To give a numerical example of the relationship between forward current 1f, optical output PO, and photovoltaic current 1s, at air temperature, forward current rf: 90 mA, optical output Po: 10 mW, photovoltaic current Is: 0.75 mA.

したがって上記数値例により光起電流1sと光出力PO
との比例関係を数式で示すと次式のようになる。
Therefore, according to the above numerical example, the photovoltaic current 1s and the optical output PO
The proportional relationship between .

I s/Po=0.75 <mA)/10 (mW>・
・・(1) 上記のようにフォトダイオードPOの光起電流Isは、
光出力poに比例しているので、光起電流isを検出し
て光出力POをフィードバックijJ御することにより
、光出力POを一定値に制御することができるのである
。そこでこの発明では、次に)ホベるように、検出され
た光起電流ISが、基準ff1ilrefと等しくなる
ように光出力POを制御して、これを一定値となるよう
にしている。
I s/Po=0.75 <mA)/10 (mW>・
...(1) As mentioned above, the photovoltaic current Is of the photodiode PO is
Since it is proportional to the optical output po, the optical output PO can be controlled to a constant value by detecting the photovoltaic current is and controlling the optical output PO through feedback ijJ. Therefore, in the present invention, the optical output PO is controlled so that the detected photovoltaic current IS is equal to the reference ff1ilref, as shown in the next step), and is kept at a constant value.

即ち、光起電流■Sと基準電流1refとの関係が、I
s<Irefの状態では、制御用トランジスタQ1への
ベース流入電流は無く、当該制御用トランジスタQ1は
オフ状態となる。このため駆動用トランジスタQ2のベ
ースには、バイアス電流回路5からのバイアス電流tb
が流入してオン状態となり、レーザダイオードLDには
電流制限抵抗R1により規定される最大上限電流が流れ
て光出力poが増大される。
That is, the relationship between the photovoltaic current ■S and the reference current 1ref is
In a state where s<Iref, there is no base current flowing into the control transistor Q1, and the control transistor Q1 is turned off. Therefore, the bias current tb from the bias current circuit 5 is applied to the base of the driving transistor Q2.
flows into the laser diode LD, turning it on, and the maximum upper limit current defined by the current limiting resistor R1 flows through the laser diode LD, increasing the optical output po.

光出力′POが増大し、これに伴なって光起電流Isが
増大し、Is>Iref’の関係になると、光起電流I
sと基準電流Irefとの差電流に相当するベース電流
が制御用トランジスタQ1に流入し、制御用トランジス
タQ+ のコレクタには、この差電流の増幅電流が流れ
る。このためバイアス電流回路5のバイアス電流rbは
、上記の増幅電流分だけ制御用トランジスタQ1側に流
れ、駆動用トランジスタQ2のベースバイアス電流はそ
の分だけ減少する。而して駆動用トランジスタQ2は、
I制御用トランジスタQ1の反転増幅電流により駆動さ
れることになり、光起電流[Sと基準電流rrefとの
差電流の大小に対応して、駆動用トランジスタQ2は、
レーザダイオードLDの順方向電流1「を制限し、その
値を低下させる。
When the optical output 'PO increases and the photovoltaic current Is increases accordingly, and the relationship Is>Iref' is established, the photovoltaic current I
A base current corresponding to the difference current between s and the reference current Iref flows into the control transistor Q1, and an amplified current of this difference current flows into the collector of the control transistor Q+. Therefore, the bias current rb of the bias current circuit 5 flows toward the control transistor Q1 by the amount of the amplified current, and the base bias current of the drive transistor Q2 decreases by that amount. Therefore, the driving transistor Q2 is
It will be driven by the inverted amplified current of the I control transistor Q1, and depending on the magnitude of the difference current between the photovoltaic current [S and the reference current rref, the driving transistor Q2 will be
The forward current 1'' of the laser diode LD is limited and its value is lowered.

上記のようにフィードバック回路3の作用により、レー
ザダイオードLDの光出力Poは、フォトダイオードP
Dの光起電流1sが、ヰr!!電流Irefと等しくな
るような出力値で一定になるように制御される。
As described above, due to the action of the feedback circuit 3, the optical output Po of the laser diode LD is changed to that of the photodiode P.
The photovoltaic current 1s of D is IR! ! The output value is controlled to be constant so as to be equal to the current Iref.

前記の数値例で云えば、基準電流源1の基準電流1re
ftfi0.75mAに設定サレレハ、レーザダイオー
ドLDの正方向電流Ifは、この基準電流値0.75m
Aに対応した90mAとなるように制御され、この結果
、光出力POは10mWで一定となるように制御される
In the numerical example above, the reference current 1re of the reference current source 1
ftfi is set to 0.75 mA, and the forward current If of the laser diode LD is set to this reference current value of 0.75 m.
As a result, the optical output PO is controlled to be constant at 10 mW.

なお第2図の回路構成で示すように、順方向電流回路4
で得られる上記の制御電流には、フォトダイオードPD
に流れる光起電流分Isも含まれる。したがってこの光
起電流分ISだけ、順方向電流Ifの制御作用には誤差
が生じるが、前記の数値例で示したように光起電流Is
は、順方向電流)fの100分の1以下の値であるので
、上記の誤差は殆んど無視することができて、順方向電
流回路4に流れる制御電流は、レーザダイオードLDの
順方向電流Ifに等しいとみなして差支えない。
Note that as shown in the circuit configuration of FIG. 2, the forward current circuit 4
The above control current obtained by the photodiode PD
Also included is the photovoltaic current Is flowing through. Therefore, an error occurs in the control action of the forward current If by this photovoltaic current IS, but as shown in the numerical example above, the photovoltaic current Is
is a value less than 1/100 of the forward current) f, so the above error can be almost ignored, and the control current flowing through the forward current circuit 4 is the forward direction current of the laser diode LD. It can be regarded as equal to the current If.

そしてこのような出か安定化作用において、この実施例
ではフィードバック回路3に制御用トランジスタQ1と
駆動用トランジスタQ2の2個のトランジスタ、および
電流制限抵抗R1が接続されているのみで、前記第12
図に示した従来のものと較べると構成素子数が極めて少
なく、簡単な回路構成となっているので光出力POの変
化に対するフィードバック系の応答遅れは極めて小とな
リ、レーザダイオードLDを高周波でパルス駆動しても
、適切な安定化作用が得られる。このことについては次
の具体例によりさらに説明する。
In this output stabilizing effect, in this embodiment, only two transistors, a control transistor Q1 and a driving transistor Q2, and a current limiting resistor R1 are connected to the feedback circuit 3;
Compared to the conventional system shown in the figure, the number of components is extremely small and the circuit configuration is simple, so the response delay of the feedback system to changes in the optical output PO is extremely small. Appropriate stabilizing effects can also be achieved with pulsed driving. This will be further explained using the following specific example.

次いで第5図には、上記第1実施例の具体例を示す。こ
の具体例はレーザダイオードLDを高周波のパルス電流
で駆動し、そのパルス光出力を、外部に備えたフォトダ
イオードセンサDP2で検出しようとするものである。
Next, FIG. 5 shows a specific example of the first embodiment. In this specific example, a laser diode LD is driven with a high-frequency pulsed current, and its pulsed light output is detected by an externally provided photodiode sensor DP2.

第5図中筒号6は、レーザダイオードLDをスイッチン
グ駆動するためのスイッチング回路で、スイッチング用
トランジスタQ3、抵抗R5〜R8、コンデンサC2お
よびダイオードDで高速スイッチング回路が構成されて
いる。7はスイッチング回路6駆動用のパルス用圧を入
力さける電圧入力端子である。
Reference number 6 in FIG. 5 is a switching circuit for switching and driving the laser diode LD, and a switching transistor Q3, resistors R5 to R8, a capacitor C2, and a diode D constitute a high-speed switching circuit. Reference numeral 7 denotes a voltage input terminal to which pulse voltage for driving the switching circuit 6 is input.

またフォトダイオードセンサDP2には、検出した光起
電流IOを増幅して出力端子8から電圧出力Voを出力
させるためのセンスアンプが接続されている。センスア
ンプはオペアンプ△3およびフィードバック抵抗R3で
構成されている。
Further, a sense amplifier for amplifying the detected photovoltaic current IO and outputting a voltage output Vo from the output terminal 8 is connected to the photodiode sensor DP2. The sense amplifier consists of an operational amplifier Δ3 and a feedback resistor R3.

この具体例では、基準電流源が抵抗値8.2にΩの抵抗
R2で構成されている。制御用トランジスタQ1の所要
のベース・エミッタ間電圧Vbeを例えば0.6Vとす
ると、基準電流frefは、0.6V/8.2にΩ=7
3μAに設定されている。
In this specific example, the reference current source consists of a resistor R2 with a resistance value of 8.2 Ω. If the required base-emitter voltage Vbe of the control transistor Q1 is, for example, 0.6V, the reference current fref is 0.6V/8.2, Ω=7.
It is set to 3μA.

したがってレーザダイオードLDの光出力p。Therefore, the optical output p of the laser diode LD.

は、フォトダイオードPDの光起電流isが、上記の基
準電流1 refと等しい73μAとなるように制御さ
れるので、前記(1)式の両者の比例関係をそのまま適
用すると、約1mWの光出力poがレーザダイオードL
Dから得られる。
is controlled so that the photovoltaic current is of the photodiode PD is 73 μA, which is equal to the above reference current 1 ref, so if the proportional relationship between the two in equation (1) is applied as is, the optical output is approximately 1 mW. po is laser diode L
Obtained from D.

このような具体例において、電圧入力端子7から入力電
圧■iとして1MH2の繰返し周波数のパルス電圧を入
力して、レーザダイオードLDをパルス駆動したときの
パルス応答特性を第6図の(A)、(B)、(C)に示
す。第6図(A>は、入力電圧v1と、レーザダイオー
ドLDのアノード電圧(駆動電圧)Vd間の応答特性を
示す図、第6図(B)は、入力電圧viとレーザダイオ
ードLDの順方向電流jf間の応答特性を示す図、第6
図(C)は、入力電圧Viと外部の電圧出力VO間の応
答特性を示す図である。
In such a specific example, the pulse response characteristics when the laser diode LD is pulse-driven by inputting a pulse voltage with a repetition frequency of 1 MH2 as the input voltage ■i from the voltage input terminal 7 are shown in FIG. 6 (A). Shown in (B) and (C). Figure 6 (A> is a diagram showing the response characteristics between the input voltage v1 and the anode voltage (driving voltage) Vd of the laser diode LD, and Figure 6 (B) is a diagram showing the response characteristics between the input voltage vi and the forward direction of the laser diode LD. Diagram showing response characteristics between current jf, No. 6
Figure (C) is a diagram showing the response characteristic between the input voltage Vi and the external voltage output VO.

第6図(B)の特性から、レーザダイオードLDには発
光時に約58mAの順方向電流Ifが流れている。
From the characteristics shown in FIG. 6(B), a forward current If of approximately 58 mA flows through the laser diode LD when emitting light.

またフォトダイオードセン#fDP2およびセンスアン
プからなる外部の検出系を経て出力端子8から出力され
るパルス出力電圧VOは、振幅値がほぼO’、2Vでラ
イズタイムtr、およびフォールタイムtfは、それぞ
れ40nsec、および5onsec程度で極めて高速
のパルス応答性が(qられ、このようなパルス駆動にお
いても光出力POは安定して一定値に制御されることが
確認された。なお上記のライズタイムtrおよびフォー
ルタイムtfはセンスアンプ自身等の応答遅れを含んだ
値である。
Furthermore, the pulse output voltage VO outputted from the output terminal 8 through the external detection system consisting of the photodiode sensor #fDP2 and the sense amplifier has an amplitude value of approximately O', 2V, and a rise time tr and a fall time tf, respectively. It was confirmed that extremely high-speed pulse response of about 40 nsec and 5 onsec (q) was achieved, and the optical output PO was stably controlled to a constant value even in such pulse driving.The above rise time tr and The fall time tf is a value that includes the response delay of the sense amplifier itself.

因みに出力電圧の振幅0.2Vのとぎ、フォトダイオー
ドセンサDP2に流れる光起電流Ioは、この出力振幅
値を、オペアンプA4のフィードバック抵抗R4=10
0にΩで割った値に等しく、その値は0.2V/100
KΩ=2μAである。
Incidentally, when the amplitude of the output voltage is 0.2V, the photovoltaic current Io flowing to the photodiode sensor DP2 changes this output amplitude value to the feedback resistance R4 of the operational amplifier A4 = 10.
Equal to 0 divided by Ω, the value is 0.2V/100
KΩ=2μA.

[第2実施例] 第7図には、この発明の第2実施例を示す。この実施例
は、制御用トランジスタとして、前記第1実施例におけ
るnpnトランジスタQ1に代えて、JFETQ4を用
い、光出力poの制御精度を一層高めるようにしたもの
である。
[Second Embodiment] FIG. 7 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a JFET Q4 is used as a control transistor in place of the npn transistor Q1 in the first embodiment, and the control accuracy of the optical output po is further improved.

上記のJFETQ4を用いた虐政外の他の構成は、前記
第2図に示した第1実施例のものと同様である。
Other than the above-mentioned structure using JFETQ4, the other structure is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 2 above.

前記第5図の具体例で述べたように、基準電流[ref
は100μA以下程度の電流値が適用され、光出力PO
は、これによって生じるフォトダイオードPDの光起電
流ISが、この基準電流Irefと等しくなる(Is=
Iref)ような出力値に制御される。フォトダイオー
ドPDの光起電流1sは、上記のように低い電流値であ
るので、前記第1実施例におけるように制御用トランジ
スタとしてnpnトランジスタQ1を用いると、これに
μΔ程度のベース電流が流れ、このベース電流分が、光
起電流■Sに含まれるため、l5=1refとなるよう
に光起電流isを制t11tt’る上で、ベース電流分
だけの制御誤差が生じる。
As described in the specific example of FIG. 5, the reference current [ref
A current value of about 100μA or less is applied, and the optical output PO
The photovoltaic current IS of the photodiode PD caused by this becomes equal to this reference current Iref (Is=
Iref). The photovoltaic current 1s of the photodiode PD has a low current value as described above, so when the npn transistor Q1 is used as the control transistor as in the first embodiment, a base current of about μΔ flows through it. Since this base current component is included in the photovoltaic current ■S, a control error corresponding to the base current component occurs when controlling the photovoltaic current is t11tt' so that l5=1ref.

これを、第2実施例では、制御用トランジスタとしてゲ
ート入力インピーダンスの高いJ FETを用いること
により、ゲート電流をほぼゼロとして上記の制御誤差を
解消するようにしたものである。
In the second embodiment, a JFET with a high gate input impedance is used as a control transistor, thereby making the gate current almost zero and eliminating the above control error.

[第3実−流例] 第8図には、この発明の第3実施例を示す。[Third practice - flow example] FIG. 8 shows a third embodiment of the invention.

この実施例は、フォトダイオードPDおよび基準電流源
1の接続点と、制御用トランジスタQ1のベースとの間
に電圧コンパレータvCを接続して、制御精麿を一層高
めるようにしたものである。
In this embodiment, a voltage comparator vC is connected between the connection point between the photodiode PD and the reference current source 1 and the base of the control transistor Q1 to further improve control accuracy.

電圧コンパレータvCの基準電圧yret’は、図の例
では接地レベルに設定されている。
The reference voltage yret' of the voltage comparator vC is set to the ground level in the illustrated example.

この実施例においても、基準電流源1の基準電流ISと
、フォトダイオードPDの光起電流ISとの差電流に対
応した信号弁が電圧コンパレータVCを介して制御用ト
ランジスタQ1により反転増幅され、その増幅出力が順
方向電流回路4にフィードバックされて、レーザダイオ
ードLDの順方向電流1fh′X呈準電流Trefに対
応した電流値に制御される。このような基本Vノ作は、
前記第1実施例の場合と同様である。
In this embodiment as well, the signal valve corresponding to the difference current between the reference current IS of the reference current source 1 and the photovoltaic current IS of the photodiode PD is inverted and amplified by the control transistor Q1 via the voltage comparator VC. The amplified output is fed back to the forward current circuit 4, and is controlled to a current value corresponding to the forward current 1fh'X reference current Tref of the laser diode LD. This kind of basic V work is
This is the same as in the first embodiment.

そして上記の制御動作において、この実施例では、フォ
トダイオードPDのアノードの電圧が、電圧コンパレー
タVCの基Q−雷電圧ref、即ち接地レベルに等しく
なるように設定される。
In the above control operation, in this embodiment, the voltage at the anode of the photodiode PD is set to be equal to the base Q-lightning voltage ref of the voltage comparator VC, that is, the ground level.

前記第1実施例の場合のようにフォトダイオードPDの
アノードが制御用トランジスタQ1のベースに直接接続
されていた場合は、フォトダイオードPDのアノードの
電位は制御用トランジスタQ1の温度特性の影響を受け
て温度依存性を有し、当該レーザダイオード駆動回路の
先出ツノ安定化作用にも温度依存性が生じる。
When the anode of the photodiode PD is directly connected to the base of the control transistor Q1 as in the case of the first embodiment, the potential of the anode of the photodiode PD is affected by the temperature characteristics of the control transistor Q1. The laser diode driving circuit has a temperature dependence, and the stabilization effect of the leading horn of the laser diode drive circuit also has a temperature dependence.

しかるにこの実施例においては、フォトダイオードPD
の電圧は、電圧コンパレータ■Cの基準電圧Vrefに
規定されて、制御用トランジスタQ1の温度特性の影響
が除去される。
However, in this embodiment, the photodiode PD
The voltage is defined by the reference voltage Vref of the voltage comparator C, and the influence of the temperature characteristics of the control transistor Q1 is removed.

また、例えばレーザダイオードLDのアノードの電位が
1.5■で、制御用トランジスタQ1のベース・エミッ
タ間電圧vbeが0.6Vであるとすると、前記第1実
施例の場合はフォトダイオ−1’PDは1.5V−0,
6V=0.9V(7)逆方向バイアス電圧で作動する。
Further, for example, if the potential of the anode of the laser diode LD is 1.5V and the base-emitter voltage vbe of the control transistor Q1 is 0.6V, in the case of the first embodiment, the photodiode 1' PD is 1.5V-0,
6V=0.9V (7) Operates with reverse bias voltage.

しかるにこの第3実施例においてはフォトダイオードP
Dのアノードは、電圧コンパレータVCの基準電圧Vr
efである接地レベルとなっているため、上記の逆方向
バイアス電圧は1.5V−OV=1.5Vとなって、前
記第1実施例の場合も大なる値に設定される。このため
フォトダイオードPDの検出感度が上界し、前記の温度
特性の影響除去作用とも相まって、レーザダイオードL
Dの光出力Po安定化作用が一層高精度になされる。
However, in this third embodiment, the photodiode P
The anode of D is connected to the reference voltage Vr of the voltage comparator VC.
Since it is at the ground level which is ef, the above-mentioned reverse bias voltage is 1.5V-OV=1.5V, which is also set to a large value in the case of the first embodiment. For this reason, the detection sensitivity of the photodiode PD reaches an upper limit, and combined with the effect of eliminating the influence of temperature characteristics mentioned above, the laser diode L
The optical output Po stabilizing effect of D is performed with higher precision.

[第4実施例] 第4実施例、および後述の第5実施例ならびに第6実施
例は、前述のようにレーザダイオードLDと、フォトダ
イオードPDとが1個のバッグージ11中に内蔵されて
、当該レーザダイオードLDのアノードとフォトダイオ
ードPDのカソードとが共通接続されているという接続
態様の制約から解除されて、レーザダイオードLDおよ
びフォトダイオードPDを回路構成上任意に接続できる
場合の各構成例を示している。
[Fourth Embodiment] In the fourth embodiment, and the fifth and sixth embodiments described below, the laser diode LD and the photodiode PD are built into one baggee 11 as described above, Examples of configurations in which the laser diode LD and photodiode PD can be arbitrarily connected in the circuit configuration by removing the restriction on the connection mode that the anode of the laser diode LD and the cathode of the photodiode PD are commonly connected are shown below. It shows.

まず第9図(△)には、この発明の第4実施例を示す。First, FIG. 9 (Δ) shows a fourth embodiment of the present invention.

この実施例は、駆動用トランジスタQ2としてpnpト
ランジスタを用い、基準電流源1とフォトダイオードP
Dの接続点を、当該駆動用トランジスタQ2のベースに
直接接続して前記第1実施例における制御用トランジス
タQ1に相当するトランジスタの配設を省略し、回路構
成をより一層簡単にするという点に主眼をおいたもので
ある。レーザダイオードLDは駆動用トランジスタQ2
のエミッタ回路に接続されて、当該駆動用トランジスタ
Q2はエミッタホロワ接続とされている。
This embodiment uses a pnp transistor as the driving transistor Q2, and a reference current source 1 and a photodiode P.
The connection point of D is directly connected to the base of the driving transistor Q2, thereby omitting the provision of a transistor corresponding to the control transistor Q1 in the first embodiment, and further simplifying the circuit configuration. This is the main focus. Laser diode LD is driving transistor Q2
The driving transistor Q2 is connected to the emitter circuit of the transistor Q2 in an emitter follower connection.

作用を説明すると、光起電流ISと基準電流Irefと
の関係が、[s<Irefの状態では、この光起電流i
sと基準電流1refとの差電流に相当するベース電流
が駆動用トランジスタQ2のベースに流れ、そのエミッ
タ回路には、この差電流の増幅電流に対応した順方向電
流Ifが流れる。而してレーザダイオードLDに、この
増幅された順方向電流Ifにより光出力Poが増大され
る。このようにこの実施例においても光起電流■Sと基
準電流1refとの差電流に対応して順方向電流Ifが
反転増大されて光出力poが増大する。
To explain the effect, the relationship between the photovoltaic current IS and the reference current Iref is [in the state of s<Iref, this photovoltaic current i
A base current corresponding to the difference current between s and the reference current 1ref flows through the base of the driving transistor Q2, and a forward current If corresponding to the amplified current of this difference current flows through its emitter circuit. The optical output Po of the laser diode LD is increased by this amplified forward current If. In this manner, in this embodiment as well, the forward current If is reversed and increased in response to the difference current between the photovoltaic current ``S'' and the reference current 1ref, and the optical output po is increased.

光出力POが増大し、これに伴なって光起電流Isが増
大し、is> Irefの関係になると、駆動用トラン
ジスタQ2のベース電流は無くなり、当該駆動用トラン
ジスタQ2は、オフに転じて順方向電流Ifを遮断し、
光出力POが低下する。
When the optical output PO increases and the photovoltaic current Is increases accordingly, and the relationship is > Iref, the base current of the driving transistor Q2 disappears, and the driving transistor Q2 turns off and turns off. Cut off the directional current If,
Optical output PO decreases.

上記のようなフィードバック作用により、レーザダイオ
ードLDの光出力Poは、フォトダイオードPDの光起
電流Isが、基準電流■refと等しくなるような出力
値で一定となるように制御される。この実施例では回路
の構成素子数が少ないので、高速駆動性という点では一
層優れた効果が得られる。
Due to the feedback action described above, the optical output Po of the laser diode LD is controlled to be constant at an output value such that the photovoltaic current Is of the photodiode PD is equal to the reference current ref. In this embodiment, since the number of circuit elements is small, an even better effect can be obtained in terms of high-speed drive performance.

第9図(B)は、駆動用トランジスタQ2 ’ にnp
nトランジスタを用いて上記第9図(A>のコンプリメ
ンタリ回路としたものである。作用については第9図(
A)の場合と同様である。
In FIG. 9(B), the driving transistor Q2' is np
This is a complementary circuit shown in Fig. 9 (A>) using n transistors.The operation is shown in Fig. 9 (A).
This is the same as in case A).

[第5実施例] 第10図(A)には、この発明の第5実施例を示す。こ
の実施例は、駆動用トランジスタQ2どしてpnpトラ
ンジスタを用い、基準電流部1とフォトダイオードPD
との接続点を当該駆動用トランジスタQ2のベースへ接
続したという点は、前記第9図<A)の第4・実施例の
場合と同様である。異なる点は、レーザダイオードL 
Dを駆動用トランジスタQ2のコレクタ回路に接続した
点である。
[Fifth Embodiment] FIG. 10(A) shows a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, pnp transistors are used as the driving transistor Q2, and the reference current section 1 and photodiode PD
This is similar to the case of the fourth embodiment shown in FIG. 9<A) above, in that the connection point with the drive transistor Q2 is connected to the base of the driving transistor Q2. The difference is that the laser diode L
This is the point where D is connected to the collector circuit of the driving transistor Q2.

フォトダイオードPDにより光出力poに応じた光起電
流ISを検出してこれをフィードバックし、先出ノJP
Oを、光起電流ISが基準電流1refと等しくなるよ
うな出力値で一定値になるように制御する作用は、前記
第4実施例の場合とほぼ同様である。
The photovoltaic current IS corresponding to the optical output po is detected by the photodiode PD, and this is fed back to the previously published JP.
The operation of controlling O to a constant output value such that the photovoltaic current IS is equal to the reference current 1ref is almost the same as in the fourth embodiment.

第10図(B)は、駆動用トランジスタQ2’にnpn
トランジスタを用いて上記第10図<A)のコンプリメ
ンタリ回路としたものである。作用は第10図(A>の
場合と同様である。
In FIG. 10(B), the driving transistor Q2' is npn.
This circuit uses transistors to form the complementary circuit shown in FIG. 10 <A). The action is the same as in the case of FIG. 10 (A>).

[第6実施例] 第11図(A)には、この発明の第6実施例を示す。こ
の実施例は、レーザダイオードLDのカソードと、フォ
トダイオードPDのカソードとが共通接続され、その接
続点から共通接続端子がひき出されているという制約が
存在する場合の回路構成を示している。
[Sixth Embodiment] FIG. 11(A) shows a sixth embodiment of the present invention. This embodiment shows a circuit configuration where there is a restriction that the cathode of the laser diode LD and the cathode of the photodiode PD are commonly connected and a common connection terminal is drawn out from the connection point.

上記のように、フォトダイオードPDのカソードが、レ
ーザダイオードLDのカソードに接続されているという
点を除けば、その他の回路構成は、前記第9図(A)に
示した第4実施例の場合と同様である。
As mentioned above, except for the fact that the cathode of the photodiode PD is connected to the cathode of the laser diode LD, the other circuit configuration is the same as that of the fourth embodiment shown in FIG. 9(A). It is similar to

この実施例では、駆動用トランジスタQ2を流れる制御
1m流と、フォトダイオードPDを流れる光起電流IS
との和の電流が、レーザダイオードLDに順方向電流I
fとして流れる。このため順方向電流1fと制御電流と
の間には光起電流1.8の分だけ誤差が生じる。しかし
前記したように光起電流ISは、順方向電流[fの10
0分1以下の値であるので、上記の誤差は殆んど無視す
ることができ、駆動用トランジスタQ2に流れる制御電
流と、レーザダイオードLDの順方向電流1fとは等し
いとみなして差支えない。
In this example, a control current of 1 m flows through the driving transistor Q2, and a photovoltaic current IS flows through the photodiode PD.
The sum of the currents is the forward current I in the laser diode LD.
flows as f. Therefore, an error of 1.8 photovoltaic current occurs between the forward current 1f and the control current. However, as mentioned above, the photovoltaic current IS is a forward current [f of 10
Since the value is less than 1/0, the above error can be almost ignored, and the control current flowing through the driving transistor Q2 and the forward current 1f of the laser diode LD can be considered to be equal.

したがってこの実施例による光出力POの安定化制御作
用は、前記第4実施例のものとほぼ同様である。
Therefore, the stabilization control effect of the optical output PO according to this embodiment is almost the same as that of the fourth embodiment.

第11図(B)は、駆動用トランジスタQ2’としてp
npトランジスタを用い、上記第11図(A)のコンプ
リメンタリ回路として構成したものである。作用は上記
第11図(A>のものとほぼ同様である。
FIG. 11(B) shows p as the driving transistor Q2'.
This circuit uses np transistors and is configured as the complementary circuit shown in FIG. 11(A). The action is almost the same as that shown in FIG. 11 (A>) above.

[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、レーザダイオー
ドの光出力をモニターするフォトダイオ−ドの出力回路
に基*電流源を接続し、この基準電流源の基準電流とフ
ォトダイオードの光起電流との差電流を反転増幅し、そ
の増幅出力をフィードバック回路を介してレーザダイオ
ードの順方向電流回路にフィードバックし、当該レーザ
ダイオードの順方向電流を基準電流に対応した電流値に
制御するようにしたので、レーザダイオードの光出力を
安定に一定の出力値に制御することができる。またフィ
ードバック回路は比較的筒中な回路構成として応答遅れ
を極めて少なくしであるので高速駆動性が得られ、ざら
にはコスト低減を図ることができるという利点がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a base current source is connected to the output circuit of a photodiode that monitors the optical output of a laser diode, and the reference current of this reference current source and the photodiode are The difference current from the photovoltaic current of Therefore, the optical output of the laser diode can be stably controlled to a constant output value. Further, since the feedback circuit has a relatively compact circuit configuration and has extremely low response delay, it has the advantage of achieving high-speed drive performance and further reducing costs.

【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明に係わるレーデダイオード駆動回路の
基本的構成を示す回路図、第2図はこの発明の第1実旅
例を示す回路図、第3図は同上第1実施例に使用される
レーザダイオードの順方向電流と光出力との関係を示す
特性図、第4図は同上第1実施例に使用されるシー11
ダイオードの光出力とフォトダイオードのモニタ電流と
の関係を示す特性図、第5図はこの発明の具体例を示す
回路図、第6図は同上具体例のパルス駆動特性を示す特
性図、第7図はこの発明の第2実施例を示す回路図、第
8図はこの発明の第3実施例を示す回路図、第9図はこ
の発明の第4実施例を示す回路 。 図、第10図はこの発明の第5実施例を示す回路図、第
11図はこの発明の第6実施例を示す回路図、第12図
は従来のレーザダイオード駆動回路を示す回路図である
。 1・・・基準電流源、 2・・・反転増幅手段、 3・・・フィードバック回路、 4・・・順方向電流回路、 LD・・・レーザダイオード、 PD・・・フォトダイオード、 Q+ 、Q4・・・制御用トランジスタ、Q2・・・駆
動用トランジスタ、 VC・・・電圧コンパレータ。 第1図 第2図 用具ろ藺11万Fl、、 I↑(mA−う−第8図 尤”L h Pd、mW)→ 第4図 第6図(A) 第6図(B) 第6図(C) 第9図fA) 第10図(A) 第9図旧) 第10図(B) 手続ネrti正書く自発) 昭和61年4月2ど日 特許庁長官  宇 賀 通 部  殿 1、事件の表示 昭和60年特許願第179255号 2、発明の名称 レーザダイオード駆動回路 3、補正をする者 事イ1との関係 特許出願人 住所(居所) 神奈川県用崎市幸区堀用町72番地氏名
(名称) 株式会社 東 芝 代表者  渡 里 杉 −部 4、代 理 人   郵便番号 105住 所    
東京都港区虎ノ門1丁目2番3号虎ノ門第−ビル5階 (発送日  昭和  年  月  日)6、補正の対象 (1)  明細書の「特許請求の範囲」の欄(2)  
明細書の「発明の詳細な説明」の欄(3)  図面 7、補正の内容 (1)  明l1lI書の「特許請求の範囲」を別紙の
ように補正する。 (2)  明18書の第5頁第6行目乃至同頁筒18行
目に 「この発明は、・・・・・・・・・したものである。」
とあるのを、 [この発明は、上記目的を達成するために第1図に示す
ように、レーザダイオードLDの光出力Poを検出する
光検出手段(以下[フォトダイオードJと呼ぶ)PDの
光起電流ISと、基#−電流源1に流れる基準電流T 
refとが等しくなるように電流制御子′段2が前記レ
ーザダイオードLDの順方向電流回路4の順方向電流を
制御することで、    ′害該順方向電流Ifを基準
電流1 refに対応した電流値に制御して、レーザダ
イオードLDの光出力を一定の値に制御し、且つ順方向
電流Ifを制御するためのフィードバック回路3に(よ
電流制御手段2を配設するという比較的簡単な回路構成
とすることにより高速駆動性が1qられるように6たも
のである。」 と補正する。 (3)明細書の第22頁第19行目乃至第23頁第12
行目に、 「以」二説明したようにこの発明によれば・・・・・・
利点がある。」 とあるのを、 [以上説明したようにこの発明によれば、レーザダイオ
ードの光出力を検出する光検出手段の出力回路に基準電
流t$iを接続し、この基準電流源の基r¥雷電流フォ
トダイオードの光起電流とが等しくなるようにレーザダ
イオードの順方向電流回路の順方向電流を制御すること
で該順方向電流を基1M電流に対応した電流値に制御す
るようにしたので、レーザダイオードの光出力を安定に
一定の出力埴に制御することができる。また順方向電流
を制御するためのフィードバック回路は比較的簡単な回
路構成として応答遅れを挽めて少なくしであるので高速
駆動性が得られ、ざらにはコスト低減を図ることができ
るという利点がある。」と補正する。 (4)  図面の第1図を別紙のように補正する。 8、添付書類の目録 (1)特許請求の範囲 (2)図面(第1図〉 以上 特許請求の範囲 (1)  レーザダイオードと、前記レーザダイオード
の光出力に対応した値の光起電流を出力する光検出手段
と、該光検出手段の出力回路に接続され、電流値が所定
の基準電流値に設定された基準電流源と、前記光検出手
段の光起電流と前記基準電流源の基準電流とが等しくな
るように前記レーザダイオードに供給される順方向電流
を制御する電流制御手段とを有することを特徴とするレ
ーザダイオード駆動回路。 (2)前記電流制御手段は、前記光検出手段の光起電流
と前記基準電流源の基準電流との差電流を反転増幅する
反転増幅手段と、該反転増幅手段からの反転増幅出力を
前記順方向電流回路にフィードバックし、前記順方向電
流を前記Ql電流に対応した電流値に制御するフィード
バック回路とを具備することを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のレーザダイオード駆動回路。 第1図
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a circuit diagram showing the basic configuration of a radar diode drive circuit according to the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a first practical example of the invention, and Fig. A characteristic diagram showing the relationship between forward current and optical output of the laser diode used in the first embodiment of the same as above, FIG.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the light output of the diode and the monitor current of the photodiode. FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of the present invention. FIG. FIG. 8 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, FIG. 8 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention, and FIG. 9 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the invention. 10 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of this invention, FIG. 11 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of this invention, and FIG. 12 is a circuit diagram showing a conventional laser diode drive circuit. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Reference current source, 2...Inverting amplification means, 3...Feedback circuit, 4...Forward current circuit, LD...Laser diode, PD...Photodiode, Q+, Q4・...Control transistor, Q2...Drive transistor, VC...Voltage comparator. Figure 1 Figure 2 Tools 110,000 Fl, I↑(mA-U-Figure 8 = L h Pd, mW) → Figure 4 Figure 6 (A) Figure 6 (B) 6 Figure (C) Figure 9fA) Figure 10 (A) Old Figure 9) Figure 10 (B) Procedure Nerti (properly written spontaneously) April 2, 1986 Director General of the Patent Office Uga Tsuri Department 1 , Indication of the case 1985 Patent Application No. 179255 2 Name of the invention Laser diode drive circuit 3 Relationship with the person making the amendment 1 Patent applicant address (residence) Horiyo-cho, Saiwai-ku, Yozaki City, Kanagawa Prefecture Address 72 Name Toshiba Corporation Representative Watari Sugi - Department 4, Agent Postal code 105 Address
5F, Toranomon Building, 1-2-3 Toranomon, Minato-ku, Tokyo (Date of shipment: Month, Day, 1927) 6, Subject of amendment (1) “Claims” column of the specification (2)
"Detailed Description of the Invention" column of the specification (3) Drawing 7, Contents of amendment (1) The "Claims" of Book 111I will be amended as shown in the attached sheet. (2) Mei 18, page 5, line 6 to line 18 of the same page, ``This invention is...''.
[In order to achieve the above object, the present invention, as shown in FIG. Electromotive current IS and reference current T flowing through base #-current source 1
The current controller stage 2 controls the forward current of the forward current circuit 4 of the laser diode LD so that the forward current If becomes equal to the reference current 1 ref. A relatively simple circuit in which the current control means 2 is provided in the feedback circuit 3 for controlling the optical output of the laser diode LD to a constant value and controlling the forward current If. (3) From page 22, line 19 to page 23, line 12 of the specification.
As explained in the second line, according to this invention...
There are advantages. ” [As explained above, according to the present invention, the reference current t$i is connected to the output circuit of the photodetection means for detecting the optical output of the laser diode, and the base r¥ of this reference current source is By controlling the forward current of the forward current circuit of the laser diode so that the photovoltaic current of the lightning current photodiode is equal, the forward current is controlled to a current value corresponding to the base 1M current. , the optical output of the laser diode can be stably controlled to a constant output level. In addition, the feedback circuit for controlling the forward current has a relatively simple circuit configuration to minimize response delays, resulting in high-speed drive performance and, moreover, the advantage of being able to reduce costs. be. ” he corrected. (4) Amend Figure 1 of the drawings as shown in the attached sheet. 8. List of attached documents (1) Claims (2) Drawings (Figure 1) Claims (1) A laser diode and a photovoltaic current outputting a value corresponding to the optical output of the laser diode. a reference current source connected to the output circuit of the photodetection means and whose current value is set to a predetermined reference current value; a photovoltaic current of the photodetection means and a reference current of the reference current source; A laser diode drive circuit characterized in that it has a current control means for controlling a forward current supplied to the laser diode so that the forward current supplied to the laser diode is equal to an inverting amplifying means for inverting and amplifying the difference current between the electromotive current and the reference current of the reference current source; and an inverting amplifying output from the inverting amplifying means is fed back to the forward current circuit, and the forward current is converted into the Ql current. 1. The laser diode drive circuit according to claim 1, further comprising a feedback circuit that controls the current value to a value corresponding to the current value.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 レーザダイオードに順方向電流を供給する順方向電流回
路と、 前記レーザダイオードの光出力をモニターし、該光出力
のレベルに対応した値の光起電流を出力するフォトダイ
オードと、 該フォトダイオードの出力回路に接続され、電流値が所
定の基準電流値に設定された基準電流源と、 前記フォトダイオードの光起電流と前記基準電流源の基
準電流との差電流を反転増幅する反転増幅手段と、 該反転増幅手段からの反転増幅出力を前記順方向電流回
路にフィードバックし、前記順方向電流を前記基準電流
に対応した電流値に制御するフィードバック回路とを有
することを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
[Scope of Claims] A forward current circuit that supplies a forward current to a laser diode; a photodiode that monitors the optical output of the laser diode and outputs a photovoltaic current having a value corresponding to the level of the optical output; , a reference current source connected to the output circuit of the photodiode and having a current value set to a predetermined reference current value, and inverting and amplifying the difference current between the photovoltaic current of the photodiode and the reference current of the reference current source. and a feedback circuit that feeds back an inverted amplified output from the inverting amplification means to the forward current circuit and controls the forward current to a current value corresponding to the reference current. Laser diode drive circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0625776A1 (en) 1989-10-04 1994-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic recording and reproducing apparatus
CN113809633A (en) * 2021-07-16 2021-12-17 中国科学院福建物质结构研究所 Feedback drive circuit of high-power semiconductor laser driving source

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