JPS6239907B2 - - Google Patents
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- JPS6239907B2 JPS6239907B2 JP55134084A JP13408480A JPS6239907B2 JP S6239907 B2 JPS6239907 B2 JP S6239907B2 JP 55134084 A JP55134084 A JP 55134084A JP 13408480 A JP13408480 A JP 13408480A JP S6239907 B2 JPS6239907 B2 JP S6239907B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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- Nuclear Medicine (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被検体にラジオアイソトープ（以下
「RI」と称する）を注入し、臓器等に集中するRI
からの放射線（通常γ線）を、コリメータにより
導き指向性を持たせた後、シンチレータで光に変
換し、これを光電子増倍管（以下「PMT」と称
する）によつて電気信号に変え、この電気信号を
位置計算回路に通すことにより、CRT（陰極線
管）画面上にRIの分布状態に対応する表示を行
なうシンチレーシヨンカメラの調整方法に関する
ものである。
「RI」と称する）を注入し、臓器等に集中するRI
からの放射線（通常γ線）を、コリメータにより
導き指向性を持たせた後、シンチレータで光に変
換し、これを光電子増倍管（以下「PMT」と称
する）によつて電気信号に変え、この電気信号を
位置計算回路に通すことにより、CRT（陰極線
管）画面上にRIの分布状態に対応する表示を行
なうシンチレーシヨンカメラの調整方法に関する
ものである。
一般に抵抗マトリクス方式を採用するシンチレ
ーシヨンカメラでは、イメージの均一性補正の手
段として波形整形回路内で位置計算用の放射線検
出パルスに非線形補正を施すことが不可欠である
とされている。しかし、シンチレータ、ライトガ
イドなどから構成される検出器の光学系の特性の
ばらつきのため、光学系を含めてのPMTレスポ
ンス（PMTの位置応答特性）が無視できぬ程度
にばらつく。そのため、個々の装置毎に非直線補
正のパラメータを変えてやる必要がある。
ーシヨンカメラでは、イメージの均一性補正の手
段として波形整形回路内で位置計算用の放射線検
出パルスに非線形補正を施すことが不可欠である
とされている。しかし、シンチレータ、ライトガ
イドなどから構成される検出器の光学系の特性の
ばらつきのため、光学系を含めてのPMTレスポ
ンス（PMTの位置応答特性）が無視できぬ程度
にばらつく。そのため、個々の装置毎に非直線補
正のパラメータを変えてやる必要がある。
そこで、従来はシンチレーシヨンカメラの波形
整形回路の出力を、多チヤンネルアナライザ（以
下「MCA」と称する）に入力し、手操作で 57Co
（コバルト57）等のポイントソース（点線源）を
シンチレータ面で移動させることにより、PMT
レスポンスを収集していた。
整形回路の出力を、多チヤンネルアナライザ（以
下「MCA」と称する）に入力し、手操作で 57Co
（コバルト57）等のポイントソース（点線源）を
シンチレータ面で移動させることにより、PMT
レスポンスを収集していた。
すなわち、第１図に示すように、シンチレータ
１にライトガイド２を介して結合されたPMT３
の出力は、ケーブル４を介してアナライザユニツ
ト５に個々のPMT３毎に各別にすなわち各チヤ
ンネル毎に設けられた波形整形回路６に与えられ
ている。この波形整形回路６の出力は、抵抗マト
リクス方式の位置計算回路に与えられる出力であ
る。均一性調整に際しては、適宜選定した特定チ
ヤンネルの波形整形回路６の出力をMCA７に入
力し、ポイントソースPSをシンチレータ１表面
で移動させて当該チヤンネルのPMTレスポンス
を収集する。このPMTレスポンスとは第２図に
一例を示すようにPMT３の感度中心からの距離
（偏倚）ｘに対する感度の分布特性(x)である。
１にライトガイド２を介して結合されたPMT３
の出力は、ケーブル４を介してアナライザユニツ
ト５に個々のPMT３毎に各別にすなわち各チヤ
ンネル毎に設けられた波形整形回路６に与えられ
ている。この波形整形回路６の出力は、抵抗マト
リクス方式の位置計算回路に与えられる出力であ
る。均一性調整に際しては、適宜選定した特定チ
ヤンネルの波形整形回路６の出力をMCA７に入
力し、ポイントソースPSをシンチレータ１表面
で移動させて当該チヤンネルのPMTレスポンス
を収集する。このPMTレスポンスとは第２図に
一例を示すようにPMT３の感度中心からの距離
（偏倚）ｘに対する感度の分布特性(x)である。
そしてこのPMTレスポンスをもとに経験的に
波形整形回路６中の第３図に示す非線形回路の抵
抗R2，R3等のパラメータを求め、基準レベル
L1，L2を変えたときの均一性のテスト写真群
（以下「マツプ」と称する）を作成して、もつと
も均一性の美しくなる基準レベルL1，L2に固定
して均一性調整を終了していた。第３図に示す非
線形回路は、抵抗R1〜R4、ダイオードD1，D2、
トランジスタTr1で構成された折れ線非線形回路
であり、IT1は入力端、OT1は出力端である。そ
して、この折れ線非線形回路はダイオードD1と
抵抗R2の直列回路に供給される基準レベルL1
と、ダイオードD2と抵抗R3の直列回路に供給さ
れる基導レベルL2とでそれぞれ折点が決定され
る。マツプとはこれら基準レベルL1，L2をそれ
ぞれ横軸縦軸にとつて各々、変化させた時の各状
態についてそれぞれ均一性のテスト写真を得て、
これを第４図に示すように基準レベルL1，L2の
座標と関連づけて配置、整理したものである。こ
の場合基準レベルL1，L2は折れ線非線形特性の
折点のレベルを決定するものであり、L1＜L2の
領域とL1＞L2の領域は（L1とL2が入れ替わるだ
けで）同じ条件となるのでL1≦L2とする。（L1＞
L2の領域は考えない。）このようにして得たマツ
プ上の近接する個所は条件がほぼ同様であり類似
した均一性傾向を示すことから、マツプ上の均一
性の良、不良の分布から良好な均一性の得られる
基準レベルL1，L2を容易に探し出すことが可能
となる。
波形整形回路６中の第３図に示す非線形回路の抵
抗R2，R3等のパラメータを求め、基準レベル
L1，L2を変えたときの均一性のテスト写真群
（以下「マツプ」と称する）を作成して、もつと
も均一性の美しくなる基準レベルL1，L2に固定
して均一性調整を終了していた。第３図に示す非
線形回路は、抵抗R1〜R4、ダイオードD1，D2、
トランジスタTr1で構成された折れ線非線形回路
であり、IT1は入力端、OT1は出力端である。そ
して、この折れ線非線形回路はダイオードD1と
抵抗R2の直列回路に供給される基準レベルL1
と、ダイオードD2と抵抗R3の直列回路に供給さ
れる基導レベルL2とでそれぞれ折点が決定され
る。マツプとはこれら基準レベルL1，L2をそれ
ぞれ横軸縦軸にとつて各々、変化させた時の各状
態についてそれぞれ均一性のテスト写真を得て、
これを第４図に示すように基準レベルL1，L2の
座標と関連づけて配置、整理したものである。こ
の場合基準レベルL1，L2は折れ線非線形特性の
折点のレベルを決定するものであり、L1＜L2の
領域とL1＞L2の領域は（L1とL2が入れ替わるだ
けで）同じ条件となるのでL1≦L2とする。（L1＞
L2の領域は考えない。）このようにして得たマツ
プ上の近接する個所は条件がほぼ同様であり類似
した均一性傾向を示すことから、マツプ上の均一
性の良、不良の分布から良好な均一性の得られる
基準レベルL1，L2を容易に探し出すことが可能
となる。
しかしこのような調整方式を採用した場合には
次のような問題がある。
次のような問題がある。
(1) ポイントソースPSの移動が手動なので位置
設定の精度に問題がある。
設定の精度に問題がある。
(2) PMTレスポンスの測定を手操作に頼るので
時間がかかる。
時間がかかる。
(3) PMTレスポンスの測定にケーブル４、アナ
ライザユニツト５等が必要なため測定が大がか
りになる。
ライザユニツト５等が必要なため測定が大がか
りになる。
(4) 非直線補正のパラメータを経験的に決定して
いるため、パラメータ決定に安定性がなく、し
かも均一性の状態が装置毎にばらつく。
いるため、パラメータ決定に安定性がなく、し
かも均一性の状態が装置毎にばらつく。
(5) マツプの中での最良均一性を示す基準レベル
L1，L2の判断基準が確立していない。
L1，L2の判断基準が確立していない。
本発明は、上述した事情を背景としてなされた
もので、均一性の調整を簡単に且つ精度良く行な
うことができ、しかも調整の自動化を可能とする
シンチレーシヨンカメラの調整方法を提供するこ
とを目的としている。
もので、均一性の調整を簡単に且つ精度良く行な
うことができ、しかも調整の自動化を可能とする
シンチレーシヨンカメラの調整方法を提供するこ
とを目的としている。
すなわち、本発明に係る方法の特徴とするとこ
ろは、複数の光電子増倍管により被検体内の放射
性同位元素からの放射線をシンチレータおよびラ
イトガイドを介して検出し、設定レベル以下の信
号成分を除去するスレシホールド回路と非線形補
正のための非線形回路とこれらの間に介挿された
インピーダンス変換回路とを有してなる波形成形
回路により前記光電子増倍管の検出信号を波形成
形した後抵抗マトリクス方式位置計算回路により
位置計算して前記放射線の前記シンチレータへの
入射位置を求める構成のインチレーシヨンカメラ
の均一性調整を行なうにあたり、前記シンチレー
シヨンカメラの放射線入射面に対向する位置にお
いて放射線源を中央演算装置によつて制御される
線源移動装置を用いて移動させ特定の光電子増倍
管の感度中心を前記中央演算装置によつて求める
第１の工程と、この第１の工程で得た感度中心に
対し前記放射線源を前記線移動装置によつて複数
方向へ移動させることにより前記光電子増倍管の
前記感度中心からの距離に対する平均レスポンス
を前記中央演算装置によつて求める第２の工程
と、この第２の工程により測定した平均レスポン
スを前記非線形回路と同様の回路構成を有するパ
ラメータ固定用治具を使用して処理し、この治具
の回路の基準レベルL11，L12をそれぞれ横軸、縦
軸とした座標系を想定し、この座標系の各座標位
置に対応する基準レベルを設定した場合に得られ
た均一性テスト写真を配置して均一性テスト写真
マツプを構成し、この写真マツプ中の最も均一性
の優れた写真を選び出し、この選び出された写真
の座標位置に対応する基準レベルL11，L12から前
記非線形回路の非線形特性の傾きK1，K2を求
め、この傾きK1，K2から前記非線形回路のイン
ピーダンス値を設定する第３の工程とを有するこ
とを特徴とする。
ろは、複数の光電子増倍管により被検体内の放射
性同位元素からの放射線をシンチレータおよびラ
イトガイドを介して検出し、設定レベル以下の信
号成分を除去するスレシホールド回路と非線形補
正のための非線形回路とこれらの間に介挿された
インピーダンス変換回路とを有してなる波形成形
回路により前記光電子増倍管の検出信号を波形成
形した後抵抗マトリクス方式位置計算回路により
位置計算して前記放射線の前記シンチレータへの
入射位置を求める構成のインチレーシヨンカメラ
の均一性調整を行なうにあたり、前記シンチレー
シヨンカメラの放射線入射面に対向する位置にお
いて放射線源を中央演算装置によつて制御される
線源移動装置を用いて移動させ特定の光電子増倍
管の感度中心を前記中央演算装置によつて求める
第１の工程と、この第１の工程で得た感度中心に
対し前記放射線源を前記線移動装置によつて複数
方向へ移動させることにより前記光電子増倍管の
前記感度中心からの距離に対する平均レスポンス
を前記中央演算装置によつて求める第２の工程
と、この第２の工程により測定した平均レスポン
スを前記非線形回路と同様の回路構成を有するパ
ラメータ固定用治具を使用して処理し、この治具
の回路の基準レベルL11，L12をそれぞれ横軸、縦
軸とした座標系を想定し、この座標系の各座標位
置に対応する基準レベルを設定した場合に得られ
た均一性テスト写真を配置して均一性テスト写真
マツプを構成し、この写真マツプ中の最も均一性
の優れた写真を選び出し、この選び出された写真
の座標位置に対応する基準レベルL11，L12から前
記非線形回路の非線形特性の傾きK1，K2を求
め、この傾きK1，K2から前記非線形回路のイン
ピーダンス値を設定する第３の工程とを有するこ
とを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。ここでは、本発明の一実施例を３つのポイ
ントにわけてそれぞれ詳細に説明する。
する。ここでは、本発明の一実施例を３つのポイ
ントにわけてそれぞれ詳細に説明する。
〔〕 均一性イメージを左右する要素としても
つとも大きなものは検出系、波形整形回路も含
めたPMTレスポンスであることは周知の通り
であるが、本実施例では検出器系のみのPMT
レスポンスを、波形整形回路に設けられたスレ
シホールド回路および非線形回路にて、ある基
準となるPMTレスポンスに似せるべくパラメ
ータを設定する。この場合、この基準となる
PMTレスポンスは、過去に得られた均一性イ
メージのうち均一性の非常に美しくなつたとき
のスレシホールド回路および非線形回路を通し
た後のPMTレスポンスとし、これを＊(x)と
表現する。
つとも大きなものは検出系、波形整形回路も含
めたPMTレスポンスであることは周知の通り
であるが、本実施例では検出器系のみのPMT
レスポンスを、波形整形回路に設けられたスレ
シホールド回路および非線形回路にて、ある基
準となるPMTレスポンスに似せるべくパラメ
ータを設定する。この場合、この基準となる
PMTレスポンスは、過去に得られた均一性イ
メージのうち均一性の非常に美しくなつたとき
のスレシホールド回路および非線形回路を通し
た後のPMTレスポンスとし、これを＊(x)と
表現する。
すなわち、この場合のスレシホールド回路お
よび非線形回路で構成される部分、非線形補正
部の構成は例えば第５図に示すようになつてい
る。すなわち抵抗R5，R6およびダイオードD3
からなるスレシホールド回路THと、抵抗R7〜
R9およびダイオードD4，D5からなり２個の折
点を有する折れ線非線形回路NLと、これらス
レシホールド回路TH非線形回路NL間に設けら
れたトランジスタTr1および抵抗R10からなる
第１のエミツタフオロワEF1と、非線形回路
NLの出力側に設けられたトランジスタTr2およ
び抵抗R11からなる第２のエミツタフオロワ
EF2とで構成されている。
よび非線形回路で構成される部分、非線形補正
部の構成は例えば第５図に示すようになつてい
る。すなわち抵抗R5，R6およびダイオードD3
からなるスレシホールド回路THと、抵抗R7〜
R9およびダイオードD4，D5からなり２個の折
点を有する折れ線非線形回路NLと、これらス
レシホールド回路TH非線形回路NL間に設けら
れたトランジスタTr1および抵抗R10からなる
第１のエミツタフオロワEF1と、非線形回路
NLの出力側に設けられたトランジスタTr2およ
び抵抗R11からなる第２のエミツタフオロワ
EF2とで構成されている。
この非線形補正部の入力端IT2には、レベル
（ゲイン）およびベースラインの調整の施され
たPMT３からの検出信号が入力され、出力軸
OT2からは、非線形補正が施された信号が（位
置計算のための）抵抗マトリクス回路に与える
べく出力される。そして、このスレシホールド
回路THのスレシホールドレベルは、抵抗R6に
与えられる基準レベルL10によつて決定され、
非線形回路NLの折点レベルは、ダイオードD4
と抵抗R8の直列回路に供給される基準レベル
L11およびダイオードD5と抵抗R9の直列回路に
供給される基準レベルL12によつて決定され
る。また、折れ線特性の傾斜は、抵抗R8，R9
の値によつて決定される。
（ゲイン）およびベースラインの調整の施され
たPMT３からの検出信号が入力され、出力軸
OT2からは、非線形補正が施された信号が（位
置計算のための）抵抗マトリクス回路に与える
べく出力される。そして、このスレシホールド
回路THのスレシホールドレベルは、抵抗R6に
与えられる基準レベルL10によつて決定され、
非線形回路NLの折点レベルは、ダイオードD4
と抵抗R8の直列回路に供給される基準レベル
L11およびダイオードD5と抵抗R9の直列回路に
供給される基準レベルL12によつて決定され
る。また、折れ線特性の傾斜は、抵抗R8，R9
の値によつて決定される。
ここで、第６図ａ〜ｃを参照して第５図にお
ける非線形補正の概略を説明する。
ける非線形補正の概略を説明する。
まず、第６図ａはオリジナルのPMTレスポ
ンス(x)を示すもので、これは第５図におけ
る入力端IT2におけるPMTレスポンスである。
これを第５図のスレシホールド回路THに通し
た後のPMTレスポンスが第６図ｂのTH(x)で
あり、このスレシホールド処理を規定する関数
がTH(x)である。これをさらに第５図の非線形
回路NLに与え、これを通過させることによ
り、第６図ｃに示すような′＊(x)なるPMT
レスポンスを得ることができる。この場合、第
６図ａ〜ｃにおける各レスポンスはすべて正規
化して示している。その時の非線形処理を規定
する関数がＮ(x)である。
ンス(x)を示すもので、これは第５図におけ
る入力端IT2におけるPMTレスポンスである。
これを第５図のスレシホールド回路THに通し
た後のPMTレスポンスが第６図ｂのTH(x)で
あり、このスレシホールド処理を規定する関数
がTH(x)である。これをさらに第５図の非線形
回路NLに与え、これを通過させることによ
り、第６図ｃに示すような′＊(x)なるPMT
レスポンスを得ることができる。この場合、第
６図ａ〜ｃにおける各レスポンスはすべて正規
化して示している。その時の非線形処理を規定
する関数がＮ(x)である。
そこで本実施例における第１のポイントは、
＊(x)〜′＊(x)＝Ｎ〔TH（(x)）〕 ……(1)
なるＮ(x)、TH(x)を見つけること、つまり第
５図のパラメータ（基準レベル）L10，L11，
L12、抵抗R8，R9を基準となるPMTレスポンス
＊(x)に似るように同定することにある。
５図のパラメータ（基準レベル）L10，L11，
L12、抵抗R8，R9を基準となるPMTレスポンス
＊(x)に似るように同定することにある。
〔〕 従来PMTレスポンスの測定はすでに述べ
たような手順で行なつていたが、これを自動化
することにより、測定が容易になると共に測定
精度が向上する。
たような手順で行なつていたが、これを自動化
することにより、測定が容易になると共に測定
精度が向上する。
第７図は本実施例におけるPMTレスポンス
の自動測定システムの構成を示すものである。
同図において、１はシンチレータ、２はライト
ガイド、３はPMT、８は適宜選定した特定チ
ヤンネル、例えば検出器中心のPMT３の出力
を取り出すケーブル、９はシンチレーシヨンカ
メラの装置本体の波形整形回路と同様の回路構
成を有し且つ非線形補正部の各パラメータの選
択設定を行ない得るように構成したパラメータ
同定用の治具、１０は治具９の出力が入力され
るMCA、１１はMCA１０の制御バスCB1で接
続された例えばいわゆるパーソナル（マイク
ロ）コンピユータのごとき中央演算装置（以下
「CPU」と称する）、１２はCPU１１に制御バ
スCB2を介して接続された線源移動装置であ
る。線源移動装置１２は、例えば通常のＸ−Ｙ
プロツタの可動子にポイントソースPS（ 57Co
等の線源パツク）を取着したものとし、CPU
１１の制御によつてシンチレータ１の面上でポ
イントソースPSを縦横に移動させることがで
きる。
の自動測定システムの構成を示すものである。
同図において、１はシンチレータ、２はライト
ガイド、３はPMT、８は適宜選定した特定チ
ヤンネル、例えば検出器中心のPMT３の出力
を取り出すケーブル、９はシンチレーシヨンカ
メラの装置本体の波形整形回路と同様の回路構
成を有し且つ非線形補正部の各パラメータの選
択設定を行ない得るように構成したパラメータ
同定用の治具、１０は治具９の出力が入力され
るMCA、１１はMCA１０の制御バスCB1で接
続された例えばいわゆるパーソナル（マイク
ロ）コンピユータのごとき中央演算装置（以下
「CPU」と称する）、１２はCPU１１に制御バ
スCB2を介して接続された線源移動装置であ
る。線源移動装置１２は、例えば通常のＸ−Ｙ
プロツタの可動子にポイントソースPS（ 57Co
等の線源パツク）を取着したものとし、CPU
１１の制御によつてシンチレータ１の面上でポ
イントソースPSを縦横に移動させることがで
きる。
このような構成において、まず、PMT３の
感度中心を求める処理手順を説明する。
感度中心を求める処理手順を説明する。
CPU１１にて線源移動装置１２の初期位置
を決定し、ポイントソースPSの初期位置を決
める。その時のPMT３の出力はケーブル８を
通つて治具９に入力される。この治具９の出力
はMCA１０に入力される。MCA１０は予じめ
設定されたカウント値にてデータ収集をストツ
プし、収集データを制御バスCB1を介してCPU
１１に転送し、もつとも発生頻度の高い出力波
形のピーク値（以下「チヤンネルピーク値」と
称する）を検出し、その値に応じ制御バスCB2
を介して線源移動装置１２を動作させポイント
ソースPSを移動させる。同様の操作を繰り返
し逐次感度中心、つまりチヤンネルピーク値の
最も大きくなる位置を探索していく。
を決定し、ポイントソースPSの初期位置を決
める。その時のPMT３の出力はケーブル８を
通つて治具９に入力される。この治具９の出力
はMCA１０に入力される。MCA１０は予じめ
設定されたカウント値にてデータ収集をストツ
プし、収集データを制御バスCB1を介してCPU
１１に転送し、もつとも発生頻度の高い出力波
形のピーク値（以下「チヤンネルピーク値」と
称する）を検出し、その値に応じ制御バスCB2
を介して線源移動装置１２を動作させポイント
ソースPSを移動させる。同様の操作を繰り返
し逐次感度中心、つまりチヤンネルピーク値の
最も大きくなる位置を探索していく。
感度中心検出後はPMTレスポンスの測定を
実行する。情報の流れは先に述べた感度中心探
索の場合と同じであるが、線源移動装置１２に
よるポイントソースPSの移動は、例えば感度
中心からX+方向に５mm間隔ごとに設定して感
度中心から70mmの位置まで移動し、逐時その収
集されたチヤンネルピーク値をCPU１１に従
属する磁気テープ等の記憶装置に保存する。70
mmの位置まで移動して収集データがCPU１１
を介して記憶装置に転送されると、ポイントソ
ースPSは感度中心に戻り次はX-方向に同様の
動作をする。同じことをY+、Y-方向について
も実行し、すべてのデータ収集完了後X+、
X-、Y+、Y-方向の平均のPMTレスポンスを計
算し、これを正規化した後CPU１１に従属す
るプリンタに打出してプログラムを終了する。
実行する。情報の流れは先に述べた感度中心探
索の場合と同じであるが、線源移動装置１２に
よるポイントソースPSの移動は、例えば感度
中心からX+方向に５mm間隔ごとに設定して感
度中心から70mmの位置まで移動し、逐時その収
集されたチヤンネルピーク値をCPU１１に従
属する磁気テープ等の記憶装置に保存する。70
mmの位置まで移動して収集データがCPU１１
を介して記憶装置に転送されると、ポイントソ
ースPSは感度中心に戻り次はX-方向に同様の
動作をする。同じことをY+、Y-方向について
も実行し、すべてのデータ収集完了後X+、
X-、Y+、Y-方向の平均のPMTレスポンスを計
算し、これを正規化した後CPU１１に従属す
るプリンタに打出してプログラムを終了する。
以上の処理においては治具９のゲイン設定、
MCA１０の較正など若干の手作業は含まれる
が、ほぼCPU１１による周辺機器制御によつ
ておおむねオンラインで実行でき、測定が精度
良く能率的に行なえる。またPMTレスポンス
の測定にシンチレーシヨンカメラのコンソール
内蔵のアナライザ部分を用いずに、それと同様
の回路構成を有する波形整形回路を治具化した
ものを用いることによつて、内蔵アナライザ部
分と等価なPMTレスポンスを得ることがで
き、PMTレスポンスの測定および最適なパラ
メータの選定が容易に行なえる。
MCA１０の較正など若干の手作業は含まれる
が、ほぼCPU１１による周辺機器制御によつ
ておおむねオンラインで実行でき、測定が精度
良く能率的に行なえる。またPMTレスポンス
の測定にシンチレーシヨンカメラのコンソール
内蔵のアナライザ部分を用いずに、それと同様
の回路構成を有する波形整形回路を治具化した
ものを用いることによつて、内蔵アナライザ部
分と等価なPMTレスポンスを得ることがで
き、PMTレスポンスの測定および最適なパラ
メータの選定が容易に行なえる。
これが、本実施例の第２のポイントである。
〔〕 本実施例における第３のポイントは、第
５図の非線形補正部において、スレシホールド
回路THと非線形回路NLの間にEF1なるエミツ
タフオロワを挿入した点にあり、両回路を分離
することにより以下に述べるように、マツプの
構造を基準となるマツプの構造に似せる操作が
容易になる。
５図の非線形補正部において、スレシホールド
回路THと非線形回路NLの間にEF1なるエミツ
タフオロワを挿入した点にあり、両回路を分離
することにより以下に述べるように、マツプの
構造を基準となるマツプの構造に似せる操作が
容易になる。
まず、第８図ａに示すようなマツプについて
マツプと非線形補正との関係を詳説する。
マツプと非線形補正との関係を詳説する。
マツプが△OABなる三角形になつているの
はL11≦L12としている（L11＞L12の領域を考え
ないこととしている）ためである。同一マツプ
については、非線形回路NLの抵抗R7，R8，R9
の値は固定しておく。マツプは実際には第８図
ａの各座標点毎に撮像された均一性のテスト写
真が配置されたものであり、例えばL11方向に
６個、L12方向に６個の座標点をとつた場合21
枚のテスト写真で構成されることになる。
はL11≦L12としている（L11＞L12の領域を考え
ないこととしている）ためである。同一マツプ
については、非線形回路NLの抵抗R7，R8，R9
の値は固定しておく。マツプは実際には第８図
ａの各座標点毎に撮像された均一性のテスト写
真が配置されたものであり、例えばL11方向に
６個、L12方向に６個の座標点をとつた場合21
枚のテスト写真で構成されることになる。
そして、第８図ａに示したマツプの辺OA上
の非線形特性は、同図ｂに示すように、傾き K1＝R8／（R7＋R8） K2＝（R8R9）／｛R7＋（R8R9）｝ （R8R9はR8とR9の並列合成抵抗を示す） および基準レベルL12により決定され、基準レ
ベルL12の変化により図示矢印のように傾きK1
の直線と傾きK2の直線の交点（つまり折点）
の位置が変化する。また辺OBの非線形特性
は、同図ｃに示すように傾きK2と基準レベル
L11により決定され、基準レベルL11の変化によ
り折点位置が変化する。さらに、マツプの△
OAB内の非線形特性は、同図ｄに示すように
傾きK1，K2と基準レベルL11，L12により決定
され、基準レベルL11，L12の変化により２個の
折点位置がそれぞれ変化する。
の非線形特性は、同図ｂに示すように、傾き K1＝R8／（R7＋R8） K2＝（R8R9）／｛R7＋（R8R9）｝ （R8R9はR8とR9の並列合成抵抗を示す） および基準レベルL12により決定され、基準レ
ベルL12の変化により図示矢印のように傾きK1
の直線と傾きK2の直線の交点（つまり折点）
の位置が変化する。また辺OBの非線形特性
は、同図ｃに示すように傾きK2と基準レベル
L11により決定され、基準レベルL11の変化によ
り折点位置が変化する。さらに、マツプの△
OAB内の非線形特性は、同図ｄに示すように
傾きK1，K2と基準レベルL11，L12により決定
され、基準レベルL11，L12の変化により２個の
折点位置がそれぞれ変化する。
このようなマツプの特性を利用して、均一性
テスト写真の非常に美しくなるときのマツプ構
造（基準マツプ）に似せるように非線形回路
NLのパラメータを決定する。
テスト写真の非常に美しくなるときのマツプ構
造（基準マツプ）に似せるように非線形回路
NLのパラメータを決定する。
ここで、もしも第５図に示した非線形補正部
の回路でエミツタフオロワEF1がなければ、ス
レシホールド回路THとの非線形回路NLが分離
されないため、基準レベルL10，L11，L12の与
えられる各端子の間に別のループができ、先に
述べたごとく簡単なマツプの写像の考えが適用
できない。そればかりでなく均一性イメージに
非線形回路NLに次いで大きく影響する本来は
分解能イメージの補正に用いられるスレシホー
ルド回路THのスレシホールドレベルの決定が
非直線回路NLの定数に関連して変化すること
になり、パラメータの設定が非常に頻雑にな
る。
の回路でエミツタフオロワEF1がなければ、ス
レシホールド回路THとの非線形回路NLが分離
されないため、基準レベルL10，L11，L12の与
えられる各端子の間に別のループができ、先に
述べたごとく簡単なマツプの写像の考えが適用
できない。そればかりでなく均一性イメージに
非線形回路NLに次いで大きく影響する本来は
分解能イメージの補正に用いられるスレシホー
ルド回路THのスレシホールドレベルの決定が
非直線回路NLの定数に関連して変化すること
になり、パラメータの設定が非常に頻雑にな
る。
そこで本実施例においては、EF1なるエミツ
タフオロワを挿入して上述の問題を解決してい
る。
タフオロワを挿入して上述の問題を解決してい
る。
具体的なパラメータの決定手順について第９
図ａ，ｂを参照して説明する。
図ａ，ｂを参照して説明する。
第９図ａにおいてPR1はこれからパラメータ
を決定しようとする非線形補正部の回路系にお
いて、スレシホールドレベルを決定する基準レ
ベルL10＝０ｍＶとし、接点を決定する基準レ
ベルL11，L12をプルアツプしたときのPMTレ
スポンスであり、PR2は基準マツプの辺OB上
の適宜箇所でとつたPMTレスポンスであつ
て、このPR1−PR2特性を基準マツプの辺OB上
の特性に似せるようにパラメータK2＝G2／G1
（G1，G2は図示G1，G2部の傾き）を決定する。
次に同図ｂにおいて、PR3は基準マツプの辺
OA上の適宜箇所でとつたPMTレスポンスであ
り、このPR1−PR3特性を基準マツプの辺OA上
の特性に似せるようにK2／K1を決定し、この
K2／K1と先に求めたパラメータK2よりパラメ
ータK1＝K2G3／G4（G3，G4は図示G3，G4部の
傾き）を決定する。こうして求めたK1，K2よ
り R8＝（１−K1）／R7K1 R9＝１／｛（１−K2）R7K1−１／R8｝ として抵抗R8，R9を逆算する。R7は予じめ設
定されている。スレシホールドレベルの変化は
第９図ａ，ｂの曲線（折れ線）の縦軸方向への
平行移動と等価であり、第９図ａに示す曲線と
横軸PR1の交点Ｔの値を電圧値に換算したもの
がかけるべきスレシホールドレベルに相当する
ので、これに応じて基準レベルL10を決定す
る。
を決定しようとする非線形補正部の回路系にお
いて、スレシホールドレベルを決定する基準レ
ベルL10＝０ｍＶとし、接点を決定する基準レ
ベルL11，L12をプルアツプしたときのPMTレ
スポンスであり、PR2は基準マツプの辺OB上
の適宜箇所でとつたPMTレスポンスであつ
て、このPR1−PR2特性を基準マツプの辺OB上
の特性に似せるようにパラメータK2＝G2／G1
（G1，G2は図示G1，G2部の傾き）を決定する。
次に同図ｂにおいて、PR3は基準マツプの辺
OA上の適宜箇所でとつたPMTレスポンスであ
り、このPR1−PR3特性を基準マツプの辺OA上
の特性に似せるようにK2／K1を決定し、この
K2／K1と先に求めたパラメータK2よりパラメ
ータK1＝K2G3／G4（G3，G4は図示G3，G4部の
傾き）を決定する。こうして求めたK1，K2よ
り R8＝（１−K1）／R7K1 R9＝１／｛（１−K2）R7K1−１／R8｝ として抵抗R8，R9を逆算する。R7は予じめ設
定されている。スレシホールドレベルの変化は
第９図ａ，ｂの曲線（折れ線）の縦軸方向への
平行移動と等価であり、第９図ａに示す曲線と
横軸PR1の交点Ｔの値を電圧値に換算したもの
がかけるべきスレシホールドレベルに相当する
ので、これに応じて基準レベルL10を決定す
る。
以上詳述したように、本発明によれば、均一性
の調整を簡単に且つ精度良く行なうことのでき、
しかも調整の自動化を可能とする調整方法を提供
することができる。
の調整を簡単に且つ精度良く行なうことのでき、
しかも調整の自動化を可能とする調整方法を提供
することができる。
なお、本発明は上述し且つ図面に示す実施例に
のみ限定されることはなく、その要旨を変更しな
い範囲内において種々変形して実施できることは
いうまでもない。
のみ限定されることはなく、その要旨を変更しな
い範囲内において種々変形して実施できることは
いうまでもない。
第１図は従来のPMTレスポンス測定方式を説
明するためのシステム構成図、第２図はPMTレ
スポンスの一例を示す図、第３図は非線形回路の
一例の構成を示す図、第４図はマツプの概念を説
明するための図、第５図は本発明の一実施例にお
ける非線形補正部の回路構成の一例を示す回路
図、第６図ａ〜ｃは非線形補正の概念を説明する
ための図、第７図は同実施例におけるPMTレス
ポンス測定の自動化システム全体の構成を示すシ
ステムブロツク図、第８図ａ〜ｄは同実施例にお
けるマツプと非線形補正の関係を説明するための
図、第９図ａ，ｂは同実施例における非線形補正
部のパラメータ決定の方法を説明するための図で
ある。 １……シンチレータ、２……ライトガイド、３
……光電子倍増管（PMT）、８……ケーブル、９
……治具、１０……多チヤンネルアナライザ
（MCA）、１１……中央演算装置（CPU）、１２…
…線源移動装置、PS……ポイントソース、TH…
…スレシホールド回路、NL……非線形回路、
EF1，EF2……エミツタフオロワ。
明するためのシステム構成図、第２図はPMTレ
スポンスの一例を示す図、第３図は非線形回路の
一例の構成を示す図、第４図はマツプの概念を説
明するための図、第５図は本発明の一実施例にお
ける非線形補正部の回路構成の一例を示す回路
図、第６図ａ〜ｃは非線形補正の概念を説明する
ための図、第７図は同実施例におけるPMTレス
ポンス測定の自動化システム全体の構成を示すシ
ステムブロツク図、第８図ａ〜ｄは同実施例にお
けるマツプと非線形補正の関係を説明するための
図、第９図ａ，ｂは同実施例における非線形補正
部のパラメータ決定の方法を説明するための図で
ある。 １……シンチレータ、２……ライトガイド、３
……光電子倍増管（PMT）、８……ケーブル、９
……治具、１０……多チヤンネルアナライザ
（MCA）、１１……中央演算装置（CPU）、１２…
…線源移動装置、PS……ポイントソース、TH…
…スレシホールド回路、NL……非線形回路、
EF1，EF2……エミツタフオロワ。
Claims (1)
- １ 複数の光電子増倍管により被検体内の放射性
同位元素からの放射線をシンチレータおよびライ
トガイドを介して検出し、設定レベル以下の信号
成分を除去するスレシホールド回路と非線形補正
のための非線形回路とこれらの間に介挿されたイ
ンピーダンス変換回路とを有してなる波形成形回
路により前記光電子増倍管の検出信号を波形成形
した後抵抗マトクリス方式位置計算回路により位
置計算して前記放射線の前記シンチレータへの入
射位置を求める構成のシンチレーシヨンカメラの
均一性調整を行なうにあたり、前記シンチレーシ
ヨンカメラの放射線入射面に対向する位置におい
て放射線源を中央演算装置によつて制御される線
源移動装置を用いて移動させ特定の光電子増倍管
の感度中心を前記中央演算装置によつて求める第
１の工程と、この第１の工程で得た感度中心に対
し前記放射線源を前記線源移動装置によつて複数
方向へ移動させることにより前記光電子増倍管の
前記感度中心からの距離に対する平均レスポンス
を前記中央演算装置によつて求める第２の工程
と、この第２の工程により測定した平均レスポン
スを前記非線形回路と同様の回路構成を有するパ
ラメータ固定用治具を使用して処理し、この治具
の回路の基準レベルL11，L12をそれぞれ横軸、縦
軸とした座標系を想定し、この座標系の各座標位
置に対応する基準レベルを設定した場合に得られ
た均一性テスト写真を配置して均一性テスト写真
マツプを構成し、この写真マツプ中の最も均一性
の優れた写真を選び出し、この選び出された写真
の座標位置に対応する基準レベルL11，L12から前
記非線形回路の非線形特性の傾きK1，K2を求
め、この傾きK1，K2から前記非線形回路のイン
ピーダンス値を設定する第３の工程とを有するこ
とを特徴とするシンチレーシヨンカメラの調整方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134084A JPS5759183A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Scintillation camera and its adjusting method |
| EP81107501A EP0048923B1 (en) | 1980-09-26 | 1981-09-21 | Method of compensating a scintillation camera and system arranged to carry out said method |
| DE8181107501T DE3174319D1 (en) | 1980-09-26 | 1981-09-21 | Method of compensating a scintillation camera and system arranged to carry out said method |
| US06/304,874 US4516025A (en) | 1980-09-26 | 1981-09-23 | Method and apparatus for controlling scintillation camera |
| CA000386653A CA1162661A (en) | 1980-09-26 | 1981-09-25 | Method and apparatus for controlling scintillation camera |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134084A JPS5759183A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Scintillation camera and its adjusting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5759183A JPS5759183A (en) | 1982-04-09 |
| JPS6239907B2 true JPS6239907B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=15120026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55134084A Granted JPS5759183A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Scintillation camera and its adjusting method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4516025A (ja) |
| EP (1) | EP0048923B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5759183A (ja) |
| CA (1) | CA1162661A (ja) |
| DE (1) | DE3174319D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150110U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-25 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2546633B1 (fr) * | 1983-05-27 | 1985-07-05 | Thomson Csf | Procede de traitement des impulsions de localisation delivrees par une gammacamera et gammacamera mettant en oeuvre ce procede |
| JPS6413374A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Murata Machinery Ltd | Flow rate control of centralized blower system |
| US4882494A (en) * | 1988-02-26 | 1989-11-21 | Michael D. Duncan | Apparatus and method for flooding a nuclear imaging device with radiation from an imaging source |
| EP0535634B1 (en) * | 1991-10-03 | 1998-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector and its manufacturing method |
| US5237173A (en) * | 1992-04-01 | 1993-08-17 | Independent Scintillation Imaging Systems, Inc. | Gain calibration in a scintillation camera |
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| CA2212196A1 (en) | 1997-08-01 | 1999-02-01 | Is2 Research Inc. | Medical diagnostic apparatus and method |
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| US3745345A (en) * | 1971-11-09 | 1973-07-10 | Nuclear Chicago Corp | Radiation imaging device |
| US3911278A (en) * | 1972-07-05 | 1975-10-07 | Ohio Nuclear | Radiation sensing device |
| FR2211664B1 (ja) * | 1972-12-21 | 1976-08-27 | Schlumberger Prospection | |
| US3851177A (en) * | 1973-02-23 | 1974-11-26 | Searle & Co | Scintillation camera with improved linearity |
| US3953735A (en) * | 1973-06-14 | 1976-04-27 | Ohio Nuclear, Inc. | Radiation sensing device |
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| US4228515A (en) * | 1978-06-13 | 1980-10-14 | Sebastian Genna | Method and apparatus of digital calibration and position analysis of a radiant emission |
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-
1980
- 1980-09-26 JP JP55134084A patent/JPS5759183A/ja active Granted
-
1981
- 1981-09-21 DE DE8181107501T patent/DE3174319D1/de not_active Expired
- 1981-09-21 EP EP81107501A patent/EP0048923B1/en not_active Expired
- 1981-09-23 US US06/304,874 patent/US4516025A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-09-25 CA CA000386653A patent/CA1162661A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0048923B1 (en) | 1986-04-09 |
| JPS5759183A (en) | 1982-04-09 |
| CA1162661A (en) | 1984-02-21 |
| US4516025A (en) | 1985-05-07 |
| DE3174319D1 (en) | 1986-05-15 |
| EP0048923A1 (en) | 1982-04-07 |
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