JPS6237910A - 超伝導インダクタ - Google Patents
超伝導インダクタInfo
- Publication number
- JPS6237910A JPS6237910A JP60177017A JP17701785A JPS6237910A JP S6237910 A JPS6237910 A JP S6237910A JP 60177017 A JP60177017 A JP 60177017A JP 17701785 A JP17701785 A JP 17701785A JP S6237910 A JPS6237910 A JP S6237910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- inductor
- ground plane
- ground surface
- inductance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はインダクタンス値の調整可能な超伝導インダク
タに関する。
タに関する。
（従来技術）
超伝導インダクタは、従来の超伝導集積回路、特にジョ
セフソン集積回路においてよく使用されている。その代
表的な例としてアブライドフイジックスレターズ、２７
巻、４３２〜４３４頁、１９７４年（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）に述べられているよ
うな超伝導量子干渉計ゲート、またはアイイーイーイー
トランズアクションズオンマイクロウエーブセオリーア
ンドテクニイクス、第ＭＴＴ−２８巻、第５号。
セフソン集積回路においてよく使用されている。その代
表的な例としてアブライドフイジックスレターズ、２７
巻、４３２〜４３４頁、１９７４年（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）に述べられているよ
うな超伝導量子干渉計ゲート、またはアイイーイーイー
トランズアクションズオンマイクロウエーブセオリーア
ンドテクニイクス、第ＭＴＴ−２８巻、第５号。
５００ 頁、１９８０ 年（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒ
ｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）に述べられている
ような超伝導トランスフォーマなどがある。しかしこれ
らのデバイスに使用されている超伝導インダクタは、い
ずれもインダクタンス値の固定されているものであった
。したがって集積化されたデバイスがひとたび完成する
と、その回路に組み込まれているインダクタのインダク
タンスの調節は困難であった。第４図と第５図に従来の
代表的な超伝導インダクタの断面図を示す。第４図は従
来のストリップ線型超伝導インダクタ、第５図は従来の
コープレーナ型超伝導インダクタである。第４、第５図
中１は超伝導インダクタ、２は超伝導接地面、３は絶縁
膜、４は基板である。超伝導インダクタのインダクタン
ス値は一般的にその幾何学的形状および超伝導膜の磁場
侵入長によって決まる。幾何学的型状とは第４、第５図
を例にすると、インダクタの長さ、幅、厚さ、絶縁膜の
厚さく又は超伝導インダク夕と超伝導接地面間の距離）
、超伝導接地面の大きさなどである。上記の幾何学的形
状は、集積化されたデバイスの完成時にすべて決定され
、調節出来るものではなかった。また超伝導膜（第４、
第５図中の１と２）の磁場侵入長は膜の超伝導転移温度
近辺で変化し、それにより超伝導インダクタのインダク
タンスは変化する。しかしこのような、温度によってイ
ンダクタのインダクタンス値を調整する方法は、集積回
路各部の最大超伝導電流値、超伝導ギャップエネルギー
などが温度変化により同時に変動するため、現実的なも
のではない。
ａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒ
ｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）に述べられている
ような超伝導トランスフォーマなどがある。しかしこれ
らのデバイスに使用されている超伝導インダクタは、い
ずれもインダクタンス値の固定されているものであった
。したがって集積化されたデバイスがひとたび完成する
と、その回路に組み込まれているインダクタのインダク
タンスの調節は困難であった。第４図と第５図に従来の
代表的な超伝導インダクタの断面図を示す。第４図は従
来のストリップ線型超伝導インダクタ、第５図は従来の
コープレーナ型超伝導インダクタである。第４、第５図
中１は超伝導インダクタ、２は超伝導接地面、３は絶縁
膜、４は基板である。超伝導インダクタのインダクタン
ス値は一般的にその幾何学的形状および超伝導膜の磁場
侵入長によって決まる。幾何学的型状とは第４、第５図
を例にすると、インダクタの長さ、幅、厚さ、絶縁膜の
厚さく又は超伝導インダク夕と超伝導接地面間の距離）
、超伝導接地面の大きさなどである。上記の幾何学的形
状は、集積化されたデバイスの完成時にすべて決定され
、調節出来るものではなかった。また超伝導膜（第４、
第５図中の１と２）の磁場侵入長は膜の超伝導転移温度
近辺で変化し、それにより超伝導インダクタのインダク
タンスは変化する。しかしこのような、温度によってイ
ンダクタのインダクタンス値を調整する方法は、集積回
路各部の最大超伝導電流値、超伝導ギャップエネルギー
などが温度変化により同時に変動するため、現実的なも
のではない。
（発明の目的）
本発明の目的は、回路動作中に調節可能な超伝導インダ
クタを提供する事にある。
クタを提供する事にある。
（発明の構成）
本発明の構成は、薄膜により基板」二に構成される超伝
導インダクタ、及び前記インダクタとの距離を機械的手
段により連続的に変化させる事の出来る接地面により成
る。
導インダクタ、及び前記インダクタとの距離を機械的手
段により連続的に変化させる事の出来る接地面により成
る。
伝導接地面、４は基板、５は可動接地面、６はスプリン
グ、７はマイクロメータ、８はトランスレータである。
グ、７はマイクロメータ、８はトランスレータである。
本実施例の超伝導インダクタが第４図に示す従来のスト
リップ型のものと異なるのは、新しく可動接地面５を設
置した事である。可動接地面５は第１図中の矢印で示さ
れているように基板４に垂直な方向に上下出来るもので
ある。この上下運動にともなって超伝導インダクタ１と
可動接地面５との間の距離が変化し、インダクタンス値
が連続的に変化する。可動接地面５は機械的手段により
その位置を制御する。実際の制御の方式は色々をあるが
、第１図のその一例を示した。第１図のメカニズムの動
作の説明を以下にする。マイクロメータ７の回転にとも
なってトランスレータ８が、トランスレータ軸９を中心
にしてスイングする。このスイング動作にともなって可
動接地面５が極微量」二下に動く。この時スプリング６
は全システムの張力を保つ役割をする。マイクロメータ
７は約１マイクロン程度の距離の制御が出来、トランス
レータ８はそれをさらに微細な距離の制御に変換する役
目をする。
リップ型のものと異なるのは、新しく可動接地面５を設
置した事である。可動接地面５は第１図中の矢印で示さ
れているように基板４に垂直な方向に上下出来るもので
ある。この上下運動にともなって超伝導インダクタ１と
可動接地面５との間の距離が変化し、インダクタンス値
が連続的に変化する。可動接地面５は機械的手段により
その位置を制御する。実際の制御の方式は色々をあるが
、第１図のその一例を示した。第１図のメカニズムの動
作の説明を以下にする。マイクロメータ７の回転にとも
なってトランスレータ８が、トランスレータ軸９を中心
にしてスイングする。このスイング動作にともなって可
動接地面５が極微量」二下に動く。この時スプリング６
は全システムの張力を保つ役割をする。マイクロメータ
７は約１マイクロン程度の距離の制御が出来、トランス
レータ８はそれをさらに微細な距離の制御に変換する役
目をする。
マイクロメータ７は室温から制御出来るので、極低厚さ
と同程度の距離以内に近づくと、インダクタンス値は変
動を受ける。超伝導量子干渉計のようにインダクタ内に
超伝導の直流永久電流を流す必要のある回路においては
、可動接地面５上には直流電流によっても超伝導イメー
ジ電流が誘起されなくてはならない。このような直流動
作の必要がある回路では可動接地面５は超伝導体で構成
されなければならない。また以上のような直流動作の必
要がない回路では、可動接地面５は常伝導体で構成して
もよい。
と同程度の距離以内に近づくと、インダクタンス値は変
動を受ける。超伝導量子干渉計のようにインダクタ内に
超伝導の直流永久電流を流す必要のある回路においては
、可動接地面５上には直流電流によっても超伝導イメー
ジ電流が誘起されなくてはならない。このような直流動
作の必要がある回路では可動接地面５は超伝導体で構成
されなければならない。また以上のような直流動作の必
要がない回路では、可動接地面５は常伝導体で構成して
もよい。
本発明の第二の実施例の断面図を第２図に示す。
第２図中の各要素は第１図と同じである。第２図は可動
接地面を第５図に示すような従来のコープレーナ型イン
ダクタに設置したものであり、その動作は本発明の第一
の実施例と余ったく同じものであり可動接地面の制御メ
カニズムは省略した。本実施例では可動接地面５と超伝
導インダクタ１の距離が超伝導インダクタと超伝導接地
面３との距離と約同じ程度かそれ以下になるとインダク
タンス値が変化する。
接地面を第５図に示すような従来のコープレーナ型イン
ダクタに設置したものであり、その動作は本発明の第一
の実施例と余ったく同じものであり可動接地面の制御メ
カニズムは省略した。本実施例では可動接地面５と超伝
導インダクタ１の距離が超伝導インダクタと超伝導接地
面３との距離と約同じ程度かそれ以下になるとインダク
タンス値が変化する。
本発明の第三の実施例の断面図を第３図に示す。
第３図中の各要素は超伝導接地面３がない事を除くと、
第１図と余ったく同じであり可動接地面の制御メカニズ
ムは省略した。第３図の超伝導インダクタは基板４上に
は接地面が設置されていなく、可動接地面５のみが超伝
導インダクタ１に対して接地面の働きをするものである
。本実施例の動作は本発明の第一の実施例と同様である
。本実施例では第１図、′及び第２図のような基板４上
の超伝導接地面３がないので、可動接地面５の位置が第
一、第二の実施例に比べて比較的遠方にあってもインダ
クタンス値の変化は起きる。
第１図と余ったく同じであり可動接地面の制御メカニズ
ムは省略した。第３図の超伝導インダクタは基板４上に
は接地面が設置されていなく、可動接地面５のみが超伝
導インダクタ１に対して接地面の働きをするものである
。本実施例の動作は本発明の第一の実施例と同様である
。本実施例では第１図、′及び第２図のような基板４上
の超伝導接地面３がないので、可動接地面５の位置が第
一、第二の実施例に比べて比較的遠方にあってもインダ
クタンス値の変化は起きる。
（発明の効果）
本発明により、集積回路上に形成され、そのインダクタ
ンス値が連続的に調整できる超伝導インダクタが得られ
る。
ンス値が連続的に調整できる超伝導インダクタが得られ
る。
第１図は本発明箱１の実施例の断面図、第２図は本発明
の第２の実施例の１折面図、第３図は本発明の第３の実
施例の断面図、第４図は従来のストリップ型インダクタ
のｌ断面図、第５図は従来のコープレーナ型インダクタ
の断面図 １、超伝導インダクタ ２．絶縁膜 ３、超伝導接地面 ４．基板 ５、可動接地面 ６スプリング７、マイクロメ
ータ ８１ランスレータ９、トランスレータ軸 工業技術院長 冶／図
の第２の実施例の１折面図、第３図は本発明の第３の実
施例の断面図、第４図は従来のストリップ型インダクタ
のｌ断面図、第５図は従来のコープレーナ型インダクタ
の断面図 １、超伝導インダクタ ２．絶縁膜 ３、超伝導接地面 ４．基板 ５、可動接地面 ６スプリング７、マイクロメ
ータ ８１ランスレータ９、トランスレータ軸 工業技術院長 冶／図
Claims (1)
- 薄膜により基板上に構成される超伝導インダクタ、及
び前記超伝導インダクタとの距離を機械的手段により連
続的に変化させる事の出来る接地面により構成される可
変式超伝導インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177017A JPS6237910A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 超伝導インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177017A JPS6237910A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 超伝導インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237910A true JPS6237910A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16023700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177017A Pending JPS6237910A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 超伝導インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237910A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102862A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-14 | ||
| JPS5768005A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-26 | Nec Corp | Inductance for josephson integrated circuit |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60177017A patent/JPS6237910A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102862A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-14 | ||
| JPS5768005A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-26 | Nec Corp | Inductance for josephson integrated circuit |
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