JPS623650B2 - - Google Patents
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- JPS623650B2 JPS623650B2 JP54010737A JP1073779A JPS623650B2 JP S623650 B2 JPS623650 B2 JP S623650B2 JP 54010737 A JP54010737 A JP 54010737A JP 1073779 A JP1073779 A JP 1073779A JP S623650 B2 JPS623650 B2 JP S623650B2
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は負荷を保護するための保護継電器回路
に関するものである。
に関するものである。
電界効果型トランジスタを用いたこの種の保護
継電器回路として第４図ａに示すような回路のも
のがあつた。この回路は被保護負荷回路の各相線
路に対応して設けた変流器１の２次出力を整流回
路２により整流し、その整流出力を遅延回路３を
介してコンパレータ回路を構成する電界効果型ト
ランジスタ４のゲートに入力するもので、電界効
果型トランジスタ４のドレインの電圧レベルが一
定レベルに達するとスイツチング回路１２をスイ
ツチングさせ、スイツチング回路１２に直列接続
したトリツプコイル１３に、交流電源５を整流回
路６にて整流して得られた電源にて、励磁電流を
流し、接点切換機構１６を作動させて被保護負荷
回路に挿入した接点１５を開離させるようになつ
ている。
継電器回路として第４図ａに示すような回路のも
のがあつた。この回路は被保護負荷回路の各相線
路に対応して設けた変流器１の２次出力を整流回
路２により整流し、その整流出力を遅延回路３を
介してコンパレータ回路を構成する電界効果型ト
ランジスタ４のゲートに入力するもので、電界効
果型トランジスタ４のドレインの電圧レベルが一
定レベルに達するとスイツチング回路１２をスイ
ツチングさせ、スイツチング回路１２に直列接続
したトリツプコイル１３に、交流電源５を整流回
路６にて整流して得られた電源にて、励磁電流を
流し、接点切換機構１６を作動させて被保護負荷
回路に挿入した接点１５を開離させるようになつ
ている。
ところで安定な動作を得るために図示するよう
に電界効果型トランジスタ４にツエナーダイオー
ド９にて逆バイアスをかけていたが、1mA以上
の電流が流れるため消費電力が大きくなるという
欠点があつた。また第４図ｂに示すように、抵抗
１７，１８による抵抗分圧によつて前述の逆バイ
アスをかける方法も用いられていたが、ドレイン
電流が流れた場合、逆バイアスの変化を小さくす
るために分圧用抵抗値を低くしなければならず、
その結果消費電力も大きくなり、信頼性の低下に
つながるという欠点があつた。また第４図ｃに示
すように抵抗１９，２０による自己バイアス方式
を用いた場合もあつたが、常にドレイン電流を流
す必要があるため、スイツチング回路を安定動作
させることが困難になるという欠点があつた。更
にまた第４図ｂの回路におけるコンデンサ７に回
路電源の平滑用にツエナーダイオードを並列接続
する場合もあつたが、消費電力の増加につながる
という欠点があつた。
に電界効果型トランジスタ４にツエナーダイオー
ド９にて逆バイアスをかけていたが、1mA以上
の電流が流れるため消費電力が大きくなるという
欠点があつた。また第４図ｂに示すように、抵抗
１７，１８による抵抗分圧によつて前述の逆バイ
アスをかける方法も用いられていたが、ドレイン
電流が流れた場合、逆バイアスの変化を小さくす
るために分圧用抵抗値を低くしなければならず、
その結果消費電力も大きくなり、信頼性の低下に
つながるという欠点があつた。また第４図ｃに示
すように抵抗１９，２０による自己バイアス方式
を用いた場合もあつたが、常にドレイン電流を流
す必要があるため、スイツチング回路を安定動作
させることが困難になるという欠点があつた。更
にまた第４図ｂの回路におけるコンデンサ７に回
路電源の平滑用にツエナーダイオードを並列接続
する場合もあつたが、消費電力の増加につながる
という欠点があつた。
本発明は上述の欠点に鑑みて為したもので、そ
の目的とするところは、回路電源の平滑用と、電
界効果型トランジスタの逆バイアス用とを同一の
ツエナーダイオードにて兼用させて部品点数の削
減とともに消費電力の軽減を計り、しかも回路の
入出力時の温度変化の補償ができ、更に動作値の
調整が簡単に行なえる保護継電器回路を提供する
にある。
の目的とするところは、回路電源の平滑用と、電
界効果型トランジスタの逆バイアス用とを同一の
ツエナーダイオードにて兼用させて部品点数の削
減とともに消費電力の軽減を計り、しかも回路の
入出力時の温度変化の補償ができ、更に動作値の
調整が簡単に行なえる保護継電器回路を提供する
にある。
以下本発明を実施例回路によつて説明する。第
１図は一実施例回路を示す。変流器１は被保護負
荷回路の各相線路に対応して設けたもので、被保
護負荷回路に流れる電流を１次電流とし、この１
次電流に比例した２次出力を得るようになつてお
り、得られた２次出力はクレツツ型整流回路２に
て整流され、その整流出力は遅延回路３を介して
電界効果型トランジスタ４のゲートＧに入力す
る。この電界効果型トランジスタ４はコンパレー
タ回路を構成する素子である。回路電源は、高イ
ンピーダンス素子を通じた交流電源５、例えば
AC200Vを整流回路６にて整流し、その整流して
得られた脈流をコンデンサ７と、互いに直列接続
した第１のツエナーダイオード８、第２のツエナ
ーダイオード９とにて更に平滑して得られた直流
から構成され、ドレイン抵抗１０と、前記電界効
果型トランジスタ４と、第１の抵抗１１との直列
回路に印加するとともに、スイツチング回路１２
と、被保護負荷回路に設けた回路遮断器のトリツ
プコイル１３のようなトリツプ要素との直列回路
に印加する。また第２のツエナーダイオード９の
カソードと電界効果型トランジスタ４のソースＳ
との間に可変抵抗器からなる第２の抵抗１４を接
続してあつて、この第２の抵抗１４と、前記第１
の抵抗１１とで第２のツエナーダイオード９の両
端電圧を分圧し、その分圧出力にて電界効果型ト
ランジスタ４のソースＳをゲートＧに対して逆バ
イアスしてある。
１図は一実施例回路を示す。変流器１は被保護負
荷回路の各相線路に対応して設けたもので、被保
護負荷回路に流れる電流を１次電流とし、この１
次電流に比例した２次出力を得るようになつてお
り、得られた２次出力はクレツツ型整流回路２に
て整流され、その整流出力は遅延回路３を介して
電界効果型トランジスタ４のゲートＧに入力す
る。この電界効果型トランジスタ４はコンパレー
タ回路を構成する素子である。回路電源は、高イ
ンピーダンス素子を通じた交流電源５、例えば
AC200Vを整流回路６にて整流し、その整流して
得られた脈流をコンデンサ７と、互いに直列接続
した第１のツエナーダイオード８、第２のツエナ
ーダイオード９とにて更に平滑して得られた直流
から構成され、ドレイン抵抗１０と、前記電界効
果型トランジスタ４と、第１の抵抗１１との直列
回路に印加するとともに、スイツチング回路１２
と、被保護負荷回路に設けた回路遮断器のトリツ
プコイル１３のようなトリツプ要素との直列回路
に印加する。また第２のツエナーダイオード９の
カソードと電界効果型トランジスタ４のソースＳ
との間に可変抵抗器からなる第２の抵抗１４を接
続してあつて、この第２の抵抗１４と、前記第１
の抵抗１１とで第２のツエナーダイオード９の両
端電圧を分圧し、その分圧出力にて電界効果型ト
ランジスタ４のソースＳをゲートＧに対して逆バ
イアスしてある。
しかして今、変流器１に１次電流が流れると、
２次出力が生じ、１次電流の増加に伴つて整流回
路２の出力は増加することとなる。この増加によ
つて、遅延回路３を介して電界効果型トランジス
タ４のゲートＧに流れる電流も増加し、抵抗１１
の両端電圧による逆バイアス量が減少する。更に
前記の１次電流が増加して過電流になると、電界
効果型トランジスタ４のドレイン電流ＩDが流れ
始め、一定レベル（動作値）に達すると、スイツ
チング回路１２が動作する。このスイツチング回
路１２がスイツチングすると、トリツプコイル１
３に励磁電流が流れて接点切換機構１６が作動
し、被保護負荷回路に挿入した接点１５を開離し
て被保護負荷回路への通電を遮断する。
２次出力が生じ、１次電流の増加に伴つて整流回
路２の出力は増加することとなる。この増加によ
つて、遅延回路３を介して電界効果型トランジス
タ４のゲートＧに流れる電流も増加し、抵抗１１
の両端電圧による逆バイアス量が減少する。更に
前記の１次電流が増加して過電流になると、電界
効果型トランジスタ４のドレイン電流ＩDが流れ
始め、一定レベル（動作値）に達すると、スイツ
チング回路１２が動作する。このスイツチング回
路１２がスイツチングすると、トリツプコイル１
３に励磁電流が流れて接点切換機構１６が作動
し、被保護負荷回路に挿入した接点１５を開離し
て被保護負荷回路への通電を遮断する。
ところで雰囲気温度が上昇すると、一般に電界
効果型トランジスタの伝達特性は第２図に示すよ
うに正特性（動作しやすい方向）となるが、ツエ
ナーダイオードは第３図に示すようにツエナー電
圧ＶZが6V以上では負特性（ｄＶＺ／ｄθ＞０）となる
。
効果型トランジスタの伝達特性は第２図に示すよ
うに正特性（動作しやすい方向）となるが、ツエ
ナーダイオードは第３図に示すようにツエナー電
圧ＶZが6V以上では負特性（ｄＶＺ／ｄθ＞０）となる
。
尚ツエナー電圧ＶZによつてツエナー電圧変化率
は異なる。
は異なる。
従つて第２のツエナーダイオード９のツエナー
電圧Vz2は雰囲気温度が上昇すると逆バイアス量
を増加させる方向に変化し、そのときの電界効果
型トランジスタ４の温度変化による動作値の変化
を補償することができることになつて、電界効果
型トランジスタ４からなるコンパレータ回路の入
出力特性を一定に保持する。
電圧Vz2は雰囲気温度が上昇すると逆バイアス量
を増加させる方向に変化し、そのときの電界効果
型トランジスタ４の温度変化による動作値の変化
を補償することができることになつて、電界効果
型トランジスタ４からなるコンパレータ回路の入
出力特性を一定に保持する。
本発明は、上述のように構成して平滑用に用い
た２個のツエナーダイオードの一方を電界効果型
トランジスタの逆バイアスに用いるので、平滑用
と逆バイアス用とに同一のツエナーダイオードが
兼用できて、部品点数の削減が計れる上に、平滑
用と逆バイアス用とに夫々別個にツエナーダイオ
ードを使用する場合に比べて消費電力を低減でき
るという効果を奏し、しかもツエナーダイオード
の両端電圧の分圧電圧を逆バイアス電圧として用
いているから電界効果型トランジスタの動作値の
変化を温度変化に対して補償できて安定してコン
パレータ回路の入出力特性が得られ、しかも回路
構成が簡単であるから回路トラブルの発生の恐れ
が少なく、信頼性が高く、また更に第２の抵抗の
抵抗値を可変調整するだけで、電界効果型トラン
ジスタの動作値の調整が簡単に行なえるという効
果を奏する。
た２個のツエナーダイオードの一方を電界効果型
トランジスタの逆バイアスに用いるので、平滑用
と逆バイアス用とに同一のツエナーダイオードが
兼用できて、部品点数の削減が計れる上に、平滑
用と逆バイアス用とに夫々別個にツエナーダイオ
ードを使用する場合に比べて消費電力を低減でき
るという効果を奏し、しかもツエナーダイオード
の両端電圧の分圧電圧を逆バイアス電圧として用
いているから電界効果型トランジスタの動作値の
変化を温度変化に対して補償できて安定してコン
パレータ回路の入出力特性が得られ、しかも回路
構成が簡単であるから回路トラブルの発生の恐れ
が少なく、信頼性が高く、また更に第２の抵抗の
抵抗値を可変調整するだけで、電界効果型トラン
ジスタの動作値の調整が簡単に行なえるという効
果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の回路構成図、第２
図は電界効果型トランジスタの温度特性図、第３
図はツエナーダイオードの温度特性図、第４図ａ
〜ｃは夫々従来例の回路図であり、１は変流器、
４は電界効果型トランジスタ、５は交流電源、８
は第１のツエナーダイオード、９は第２のツエナ
ーダイオード、１０はドレイン抵抗、１２はスイ
ツチング回路、１３はトリツプコイル、Ｇはゲー
ト、Ｓはソース、Ｄはドレインである。
図は電界効果型トランジスタの温度特性図、第３
図はツエナーダイオードの温度特性図、第４図ａ
〜ｃは夫々従来例の回路図であり、１は変流器、
４は電界効果型トランジスタ、５は交流電源、８
は第１のツエナーダイオード、９は第２のツエナ
ーダイオード、１０はドレイン抵抗、１２はスイ
ツチング回路、１３はトリツプコイル、Ｇはゲー
ト、Ｓはソース、Ｄはドレインである。
Claims (1)
- １ 被保護負荷回路に流れる電流に比例した変流
器の２次出力を整流してこの整流出力を電界効果
型トランジスタのゲートに印加し、交流電源を整
流して得られた脈流を互いに直列に接続した第１
及び第２のツエナーダイオードにて平滑し、この
平滑された直流電圧をドレイン抵抗を介して前記
電界効果型トランジスタに印加するとともに、該
電界効果型トランジスタのドレイン出力によつて
制御されるスイツチング回路と被保護負荷回路を
遮断制御するトリツプ要素との直列回路に印加
し、電界効界型トランジスタのソースに直列接続
した第１の抵抗と、前記ソースと両ツエナーダイ
オードの接続点間に接続した第２の抵抗とで第２
のツエナーダイオードの両端電圧を分圧してこの
分圧電圧で電界効果型トランジスタのソースをゲ
ートに対して逆バイアスして成ることを特徴とす
る保護継電器回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1073779A JPS55103029A (en) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | Protecting relay circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1073779A JPS55103029A (en) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | Protecting relay circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103029A JPS55103029A (en) | 1980-08-06 |
| JPS623650B2 true JPS623650B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=11758599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1073779A Granted JPS55103029A (en) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | Protecting relay circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55103029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11499927B2 (en) | 2020-03-27 | 2022-11-15 | Jeol Ltd. | Analysis method and X-ray fluorescence analyzer |
-
1979
- 1979-01-31 JP JP1073779A patent/JPS55103029A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11499927B2 (en) | 2020-03-27 | 2022-11-15 | Jeol Ltd. | Analysis method and X-ray fluorescence analyzer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55103029A (en) | 1980-08-06 |
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