JPS6234144B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6234144B2
JPS6234144B2 JP17320380A JP17320380A JPS6234144B2 JP S6234144 B2 JPS6234144 B2 JP S6234144B2 JP 17320380 A JP17320380 A JP 17320380A JP 17320380 A JP17320380 A JP 17320380A JP S6234144 B2 JPS6234144 B2 JP S6234144B2
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JP
Japan
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chip
board
input
pedestal
substrate
Prior art date
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JP17320380A
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Japanese (ja)
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JPS5797637A (en
Inventor
Fumyuki Kobayashi
Katsumi Yabe
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体チツプ、特にフリツプチツ
プ半導体素子のテストに使用して好適な半導体チ
ツプテスト用基板に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor chip test substrate suitable for use in testing semiconductor chips, particularly flip-chip semiconductor devices.

従来、半導体素子のテストにおいては、ウエハ
の段階で直流特性試験を行い、この試験において
良品と判定されたウエハから取得されたチツプ
を、ワイヤーボンデング方式等を用いて、目的に
合致したパツケージ、例えば、デユアルインライ
ンパツケージ、あるいは、フラツトパツケージ等
に収容した後、チツプ段階での試験を行つてい
た。従つて、チツプ単体の直流および交流特性試
験は前記パツケージをその形状に合致したステー
シヨン治具で支持し、該パツケージの入出力リー
ドを介してチツプに対する試験が容易に行えた。
しかし、近年、高性能、高集積化、の要請より、
ハイブリツド技術が用いられるようになり、ハイ
ブリツドマルチチツプパツケージが使用されるよ
うになつてきた。その際、よく用いられるボンデ
ング法にCCB(Controlled Collapse Bonding)
と称するフリツプチツプボンデング法がある。
CCBは周知のように第1図に示す如く、半導体
チツプ1上にバンプと称する半田ボール2を設け
て、図示せざるセラミツク基板等のペデスタル部
に半田リフロー法でつけるフエースダウンボンデ
ング技術である。従つて、CCB法を採用した半
導体チツプ各々をセラミツク基板等に取付ける前
に試験する場合においては、個々のチツプを正確
に位置決めし、テスターにつながるプローバーを
バンプ2と接触させる必要がある。しかし、半導
体素子の動作の高速化に伴つて交流特性試験にお
いては、チツプ、プローバー、テスター等から成
るテスト系の全体において、特性インピーダンス
のミスマツチ個所のないことが要求される。従つ
て、前記プローバー等は半導体チツプ上のバンブ
配置の微細化に応じて、微細な形状のプローバー
を必要とするが、各バンプに対応して必要な複数
のプローバーの各々に均一な特性インピーダンス
をもたせることは極めて困難である。
Conventionally, in testing semiconductor devices, a DC characteristic test is performed at the wafer stage, and chips obtained from wafers that are determined to be good in this test are bonded to a package that meets the purpose using a wire bonding method, etc. For example, tests were performed at the chip stage after being housed in a dual in-line package or flat package. Therefore, when testing the direct current and alternating current characteristics of a single chip, the package was supported by a station jig that matched the shape of the package, and the chip could be easily tested through the input/output leads of the package.
However, in recent years, due to the demand for high performance and high integration,
With the advent of hybrid technology, hybrid multi-chip packages have come into use. At that time, a commonly used bonding method is CCB (Controlled Collapse Bonding).
There is a flip-chip bonding method called.
As is well known, CCB is a face-down bonding technology in which solder balls 2 called bumps are provided on a semiconductor chip 1 and attached to a pedestal part of a ceramic substrate (not shown) using a solder reflow method, as shown in Figure 1. . Therefore, when testing each semiconductor chip employing the CCB method before mounting it on a ceramic substrate or the like, it is necessary to accurately position each chip and bring the prober connected to the tester into contact with the bumps 2. However, as the operation speed of semiconductor devices increases, AC characteristic tests require that there be no mismatched characteristic impedances in the entire test system consisting of chips, probers, testers, etc. Therefore, the probers and the like require finely shaped probers in accordance with the miniaturization of the bump arrangement on semiconductor chips, but it is necessary to provide a uniform characteristic impedance to each of the plurality of probers required for each bump. It is extremely difficult to make it last.

従つてプローバーによる個別チツプのテスト、
特に交流特性試験は上述の特性インピーダンス等
の観点からみて不都合である。
Therefore, testing individual chips with a prober,
In particular, the AC characteristic test is inconvenient from the viewpoint of the above-mentioned characteristic impedance.

また、前もつてテスト用端子を設けたセラミツ
ク配線基板(以下、チツプキヤリアと称す)に、
個々のチツプを単独に搭載し、テスト用端子を通
じてテストを行う方法もあるが、テスト終了後チ
ツプとチツプキヤリアとを接続している半田接続
部を分離する際に、初期に半導体チツプにもられ
た半田量を、チツプキヤリアにくわれてしまい、
チツプにおけるバンプを均一な半田量に保つこと
が出来なくなる。しかもバンプの形状、高さ、体
積等々は、CCB方式の信頼性に極めて密接な関
係がある。
In addition, a ceramic wiring board (hereinafter referred to as a chip carrier) with test terminals installed in the front was used.
There is also a method of mounting each chip individually and testing through test terminals, but when separating the solder joints connecting the chip and the chip carrier after the test, there is a possibility that the semiconductor chip may be damaged in the initial stage. The amount of solder was lost to the chip carrier,
It becomes impossible to maintain a uniform amount of solder on the bumps on the chip. Moreover, the shape, height, volume, etc. of the bump are extremely closely related to the reliability of the CCB method.

従つて、チツプ取りはずし後、バンプの再生を
必要とするという不都合があつた。また、半導体
素子の高集積化に伴つて、入出力端子も増加す
る。これは、レントの法則として経験的に良く知
られ、入出力端子数Pとゲート数Gとに次の関係
式が成り立つ。
Therefore, there was an inconvenience that the bumps had to be regenerated after the chip was removed. Furthermore, as semiconductor devices become more highly integrated, the number of input/output terminals also increases. This is well known empirically as Lent's law, and the following relational expression holds between the number P of input/output terminals and the number G of gates.

P=kG〓 ここで、k、γは定数 例えば、700ゲートの集積度をもつた半導体チ
ツプにおいては、約140ピン程度の入出力端子が
必要である。このような多数の入出力端子に対応
する多数のバンプを数mm角のチツプの4辺だけに
おいて設けることは製造、アツセンブリ上の困難
さと共に、半導体素子の配線設計上の問題、バン
プサイズの微細化に伴う信頼性上の問題等々が有
り困難である。そこで前記バンプをチツプの4辺
でなく、中央部にマトリツクス状に配置すること
が必要になり、例えば、格子間隔を0.25mmにと
り、(12×12)の格子点にそれぞれバンプを形
成、配置する必要が出てくる。また、このように
マトリツクス状にバンプをもつたチツプをテスト
する際には、チツプ側の各バンプを基板側の各ペ
デスタルに確実に接触させる必要があるが、前述
の如くCCB法は、チツプの表面を接合する基板
側に向けるフエースダウンボンデング技術である
為、チツプの4辺だけならばハーフミラー等を用
いて可視的にバンプとペデスタルの位置合せを行
うことが可能であるが、チツプの中央部ではバン
プとペデスタルの接触状況を確認する手段がな
く、例えばテスト結果が不良と出ても、それがチ
ツプ自体の不良に依るのか、あるいはバンプとペ
デスタルの接触不良によるのかの判定が困難であ
るという不都合がある。従つて、セラミツク基板
を用いたチツプキヤリアでのテスト法ではやはり
不都合を生じる。また、前述したプローバーによ
る方法にいたつては個々のプローバーの特性イン
ピーダンスを揃えるどころか、チツプの中央部に
格子状に配置された多数のバンプにそれぞれプロ
ーバーを接触させること自体が技術的に困難とな
る。
P=kG〓 Here, k and γ are constants.For example, in a semiconductor chip with a degree of integration of 700 gates, approximately 140 input/output terminals are required. Providing a large number of bumps corresponding to such a large number of input/output terminals on only the four sides of a chip of several millimeters square is not only difficult in manufacturing and assembly, but also causes problems in wiring design of semiconductor devices and problems with fine bump sizes. However, there are problems with reliability and other issues associated with this process. Therefore, it is necessary to arrange the bumps in a matrix in the center of the chip instead of on the four sides of the chip. For example, the grid spacing is set to 0.25 mm, and bumps are formed and arranged at each (12 x 12) grid point. The need arises. Also, when testing a chip with bumps in a matrix like this, it is necessary to ensure that each bump on the chip side contacts each pedestal on the substrate side, but as mentioned above, the CCB method Since this is a face-down bonding technology in which the surface is directed toward the substrate to be bonded, it is possible to visually align the bumps and pedestals using a half mirror, etc., if only the four sides of the chip are used. In the central part, there is no way to check the contact status between the bump and the pedestal, so even if a test result shows a defect, it is difficult to determine whether it is due to a defect in the chip itself or a poor contact between the bump and the pedestal. There is an inconvenience. Therefore, testing methods using chip carriers using ceramic substrates still have disadvantages. Furthermore, in the method using the prober mentioned above, it is technically difficult to bring the prober into contact with each of the many bumps arranged in a grid in the center of the chip, let alone to make the characteristic impedance of each prober the same. .

この発明は、上述のような従来の技術的事情に
かんがみなされたものであり、従つてこの発明の
目的は、特性インピーダンスのミスマツチングの
問題を解決して交流特性試験を可能にすると共
に、チツプの中央部に配置された格子状のバンプ
部と基板側のペデスタル部との位置合せを可視的
に容易に行いうるようにした半導体チツプテスト
用基板を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional technical circumstances, and therefore, an object of the present invention is to solve the problem of mismatching of characteristic impedances to enable AC characteristic testing, and to It is an object of the present invention to provide a substrate for semiconductor chip testing, in which alignment of a grid-like bump section arranged in the center and a pedestal section on the substrate side can be easily and visually performed.

この発明の構成の要点は、透明なガラス基板等
の表面において、その周辺部に入出力端子を、ま
た中央部分に、テストされるべき半導体チツプに
おける入出力用バンプ配置に対応してペデスタル
層を配置し、各入出力端子と各ペデスタル層を配
線すると共に、基板の裏面には、中央部分を除く
周辺部に接地層を設け、ペデスタル層の上にテス
トされるべきチツプのバンプを位置決めするとき
は、透明な基板の中央部の裏面から光学的手段を
用いて可視的に行うことを可能にし、またテスタ
ーにつながる同軸ケーブルの信号線を基板表面周
辺部の入出力端子に接続し、同ケーブルの接地線
を基板裏面の接地層に接続するが、このとき、基
板表面の入出力端子からペデスタル層に至る配線
の形状寸法、基板裏面の接地層の形状寸法、基板
材料の誘電率等を適宜に選択することにより、基
板側の特性インピーダンスをケーブル側のそれに
マツチさせることを可能ならしめた点にある。
The key point of the configuration of the present invention is that on the surface of a transparent glass substrate, etc., input/output terminals are provided at the periphery, and a pedestal layer is provided at the center corresponding to the arrangement of input/output bumps on the semiconductor chip to be tested. In addition to wiring each input/output terminal and each pedestal layer, a ground layer is provided on the back side of the board at the periphery except for the center part, and when positioning the bumps of the chip to be tested on the pedestal layer. The test can be performed visually using optical means from the back side of the central part of the transparent board, and the signal line of the coaxial cable leading to the tester is connected to the input/output terminal on the periphery of the board surface. Connect the ground wire to the ground layer on the back side of the board. At this time, check the shape and size of the wiring from the input/output terminal on the front side of the board to the pedestal layer, the shape and size of the ground layer on the back side of the board, the dielectric constant of the board material, etc. as appropriate. By selecting , it is possible to match the characteristic impedance of the board side to that of the cable side.

次に図を参照してこの発明の一実施例を詳しく
説明する。
Next, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図は、この発明の一実施例を示す上面図、
第3図は同側面図、である。
FIG. 2 is a top view showing an embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a side view of the same.

第2図、第3図を参照する。 Please refer to FIGS. 2 and 3.

耐熱性及び平担性をもつた透明な基板、例えば
縦が20mm横が30mm程度の角形の耐熱ガラス基板3
上に、テストされるべきチツプ(図示せず)の中
央部に格子状に設けたバンプに対応させて個個の
ペデスタル4を同じく格子(マトリツクス)状
に、(ここでは、図面の単純化の為にチツプにお
ける16個のバンプに対応させた場合を例示する)
また、基板3の端部には、パツド6を配列し、該
パツド6とペデスタル4とを1対1に接続するた
めのパターン5を配置するが、これは既知の技術
によつて実施することができる。例えば、基板3
は平担性をもつたガラス基板であるので、パツド
6、ペデスタル4、パターン5等の形成には容易
に周知の薄膜技術を使える。すなわち最も一般的
な真空蒸着法によつてマスク蒸着、あるいは写真
腐食技術等によつて導体パターンを形成すること
が可能だからである。具体的にはアルミニウム
AlまたはクロムCrの如く接着性良効な金属を第
1層としてガラス基板に付着させ、前記金属上に
銅Cuの如く導電性が良効な金属を厚く、例えば
5〜10μm程度付着させる。必要ならば第1層を
薄く付着させた後に、メツキ法を用いて銅Cuを
付着させるのも一方法である。その後、導体とし
て残すべき部分にマスク蒸着法を用いて金Auを
付着させる。更に、周知のホトレジスト技術によ
つて所望の回路パターンを形成する。前記、一連
の工程において、ガラス基板3の裏面に接地導層
7を同時に設けるとよい。ガラス基板3の表面に
形成された導体と裏面に形成された接地層とによ
りマイクロストリツプ線路が形成されるので、導
体の幅等の寸法、接地層の寸法、導体から接地層
までの距離、ガラス基板の誘電率等に依存して、
基板側の特性インピーダンスを調節できることは
周知のとおりである。
A transparent substrate with heat resistance and flatness, for example, a square heat-resistant glass substrate 3 with a length of about 20 mm and a width of about 30 mm.
On the top, individual pedestals 4 are arranged in a grid pattern in correspondence with the bumps arranged in a grid pattern in the center of the chip to be tested (not shown) (here, to simplify the drawing). For this reason, we will show an example of how to correspond to 16 bumps on the chip)
Further, at the end of the substrate 3, a pattern 5 for arranging the pads 6 and connecting the pads 6 and the pedestal 4 in a one-to-one manner is arranged, but this can be done using a known technique. I can do it. For example, board 3
Since this is a flat glass substrate, well-known thin film technology can be easily used to form the pad 6, pedestal 4, pattern 5, etc. That is, the conductor pattern can be formed by mask deposition using the most common vacuum deposition method, or by photoetching technology. Specifically aluminum
A metal with good adhesive properties, such as Al or chromium Cr, is deposited as a first layer on a glass substrate, and a metal with good conductivity, such as copper, is deposited on the metal to a thickness of, for example, about 5 to 10 μm. If necessary, one method is to deposit copper Cu using a plating method after depositing a thin first layer. Thereafter, gold (Au) is deposited on the portions to be left as conductors using a mask evaporation method. Furthermore, a desired circuit pattern is formed using a well-known photoresist technique. In the series of steps described above, it is preferable to provide the ground conductive layer 7 on the back surface of the glass substrate 3 at the same time. A microstrip line is formed by the conductor formed on the front surface of the glass substrate 3 and the ground layer formed on the back surface, so the dimensions such as the width of the conductor, the dimensions of the ground layer, and the distance from the conductor to the ground layer are , depending on the dielectric constant of the glass substrate, etc.
It is well known that the characteristic impedance on the substrate side can be adjusted.

ガラス基板3の裏面に接地層7を形成するに際
しては、表面中央部のペデスタル4の格子状に設
けられた部分に対応する裏面部分には、少なくと
も接地層7によりおおわれることのないようにす
る。そしてここを窓8とする。このようにして形
成された半導体チツプテスト用基板において、図
示せざるテスターに接続された同軸ケーブル9の
信号線をパツド6に、接地線を接地層7に、それ
ぞれ半田接続する。また当然のことながら、テス
トされるべきチツプの接地パツドを接地層7へ適
当なリードを介して接続する。
When forming the ground layer 7 on the back surface of the glass substrate 3, at least the back surface portion corresponding to the grid-shaped portion of the pedestal 4 at the center of the surface should not be covered with the ground layer 7. . And let's call this window 8. In the semiconductor chip testing board thus formed, the signal line of the coaxial cable 9 connected to a tester (not shown) is soldered to the pad 6, and the ground line is connected to the ground layer 7, respectively. It will also be appreciated that the ground pad of the chip to be tested is connected to the ground layer 7 via suitable leads.

以上の如く構成された、この発明による半導体
チツプテスト用基板を用いて、CCB方式によつ
て実装される半導体チツプのテストを行う手順を
第4図を参照して次に説明する。
The procedure for testing a semiconductor chip mounted by the CCB method using the semiconductor chip testing board according to the present invention constructed as described above will now be described with reference to FIG.

第4図は、この発明によるテスト用基板の使用
状況を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing how the test board according to the present invention is used.

同図において、ノズル21は、テストされるべ
きチツプ1を真空吸着して移動させることのでき
る運搬手段であり、30,31はそれぞれミラー
であり、32はレンズであり、33は光学系であ
る。
In the same figure, the nozzle 21 is a transport means capable of vacuum suctioning and moving the chip 1 to be tested, 30 and 31 are mirrors, 32 is a lens, and 33 is an optical system. .

テストに際し、まず、X、Y、Zという3次元
方向に移動制御可能なノズル21に、テストされ
るべきチツプ1を真空吸着させて、ガラス基板3
上のペデスタル4上にバンプ2が正確に位置決め
されるように置く。この際、窓8は透明であるか
ら、基板下部にミラー30、31等を設け、これ
らのミラーによる反射光をレンズ32により集光
した光学系(例えば顕微鏡)33によつて、容易
にバンプ2のペデスタル4に対する位置決めの状
態を知ることが可能である。
During the test, first, the chip 1 to be tested is vacuum-suctioned to the nozzle 21, which can be moved in the three-dimensional directions of X, Y, and Z, and the glass substrate 3 is attached to the nozzle 21.
Place the bump 2 on the upper pedestal 4 so that it is accurately positioned. At this time, since the window 8 is transparent, the bumps 2 can be easily detected by an optical system (for example, a microscope) 33, which includes mirrors 30, 31, etc. provided at the bottom of the substrate, and collects the reflected light from these mirrors with a lens 32. It is possible to know the positioning state of the pedestal 4 with respect to the pedestal 4.

更に言えば、この光学系をテレビモニター等に
接続させ、これをモニターすることによりノズル
21を制御する方法を採れば、より良い効果が得
られる。このようにして位置決めしたチツプ1
を、適当な駆動装置(図示せず)を用いてノズル
21を押し下げることによつて、チツプ1のバン
プ(半田ボール)2と、基板3のペデスタル4を
圧接させる。この際、接触を保つために、バンプ
が若干、押しつぶされる位の圧力を加えることに
よりチツプと透明基板との安定な接続を得ること
が出来る。また、ノズル21の上部にはチツプ1
を圧接した際の衝撃の吸収及び、半田ボール2が
過度の変形をしない程度の弾性定数をもつたスプ
リングバネを設けておくと良い。
Furthermore, better effects can be obtained by connecting this optical system to a television monitor or the like and controlling the nozzle 21 by monitoring this. Chip 1 positioned in this way
By pushing down the nozzle 21 using a suitable drive device (not shown), the bumps (solder balls) 2 of the chip 1 and the pedestals 4 of the substrate 3 are brought into pressure contact. At this time, in order to maintain contact, a stable connection between the chip and the transparent substrate can be obtained by applying pressure to the extent that the bumps are slightly crushed. In addition, there is a chip 1 at the top of the nozzle 21.
It is preferable to provide a spring having an elastic constant sufficient to absorb shock when the solder balls 2 are pressed together and to prevent excessive deformation of the solder balls 2.

上記の如く、チツプ1をこの発明によるテスト
用基板に固定し所定の試験を行つた後に、該チツ
プはノズル21によつて再び所定のトレーに移動
収容され、一連のテストを完了する。
As described above, after the chip 1 is fixed to the test substrate according to the present invention and a predetermined test is performed, the chip is moved and stored in a predetermined tray again by the nozzle 21, completing a series of tests.

以上説明したとおりであるから、この発明の半
導体チツプテスト用基板によれば、CCB方式に
よつて実装されるべき半導体チツプの直流特性試
験は勿論のこと、交流特性試験をも有効に行いう
るという利点がある。
As explained above, the semiconductor chip test board of the present invention has the advantage that it is possible to effectively conduct not only DC characteristic tests but also AC characteristic tests of semiconductor chips to be mounted by the CCB method. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、CCB方式により実装されるチツプ
の説明図、第2図はこの発明の一実施例を示す上
面図、第3図は同側面図、第4図は、この発明の
一実施例の使用状況を示す説明図、である。 符号の説明、1……チツプ、2……バンプ(半
田ボール)、3……ガラス基板、4……ペデスタ
ル、5……回路パターン、6……入出力端子(パ
ツド)、7……接地層、8……窓、9……同軸ケ
ーブル、21……ノズル、30,31……ミラ
ー、32……レンズ、33……光学系。
Fig. 1 is an explanatory diagram of a chip mounted by the CCB method, Fig. 2 is a top view showing an embodiment of the invention, Fig. 3 is a side view of the same, and Fig. 4 is an embodiment of the invention. FIG. Explanation of symbols, 1... Chip, 2... Bump (solder ball), 3... Glass substrate, 4... Pedestal, 5... Circuit pattern, 6... Input/output terminal (pad), 7... Ground layer , 8... window, 9... coaxial cable, 21... nozzle, 30, 31... mirror, 32... lens, 33... optical system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ガラスの如く透明な材料で構成された基板の
表面において、その周辺部には入出力端子を、ま
た中央部分には、テストされるべき半導体チツプ
における入出力用バンプの配置に対応してペデス
タル層を配置し、各入出力端子と各ペデスタル層
を配線すると共に、前記基板の裏面には、中央部
分を除く周辺部に接地層を設けて成り、テストに
際し、テストされるべきチツプの入出力用バンプ
を基板表面における前記ペデスタル層上に位置決
めして配置する際、基板裏面から中央部の透明な
基板部分を介して光学的手段により可視的に位置
決め調整を行なうことを可能にし、かつテスタに
つながるケーブルの信号線を基板の入出力端子
に、ケーブルの接地点を基板の接地層にそれぞれ
接続する際、基板材料の誘電率や厚み寸法、接地
層の寸法、入出力端子からペデスタル層に至る配
線線路の寸法等の調整により、ケーブル側と基板
側のインピーダンスのマツチングをとることを可
能にしたことを特徴とする半導体チツプテスト用
基板。
1. On the surface of a substrate made of a transparent material such as glass, there are input/output terminals on the periphery, and a pedestal in the center corresponding to the arrangement of input/output bumps on the semiconductor chip to be tested. In addition to arranging the layers and wiring each input/output terminal and each pedestal layer, a ground layer is provided on the back side of the board at the periphery except for the center part, and during the test, the input/output terminal of the chip to be tested is connected. When positioning and arranging the bumps on the pedestal layer on the substrate surface, it is possible to visually adjust the positioning by optical means from the back side of the substrate through the central transparent substrate part, and When connecting the signal line of the connected cable to the input/output terminal of the board, and the ground point of the cable to the ground layer of the board, check the dielectric constant and thickness of the board material, the dimensions of the ground layer, and from the input/output terminal to the pedestal layer. A board for semiconductor chip testing, characterized in that it is possible to match impedances on the cable side and the board side by adjusting the dimensions of the wiring lines, etc.
JP17320380A 1980-12-10 1980-12-10 Substrate for test of semiconductor chip Granted JPS5797637A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6481333A (en) * 1987-09-24 1989-03-27 Hitachi Ltd Test board for flip-chip
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