JPS62296514A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS62296514A JPS62296514A JP61140937A JP14093786A JPS62296514A JP S62296514 A JPS62296514 A JP S62296514A JP 61140937 A JP61140937 A JP 61140937A JP 14093786 A JP14093786 A JP 14093786A JP S62296514 A JPS62296514 A JP S62296514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- reduction projection
- stage
- reticle stage
- lens distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は縮小投影型露光装置、特に縮小投影レンズの歪
（以下レンズディストーションと称す）の制御及び修正
を行う装置に関する。
（以下レンズディストーションと称す）の制御及び修正
を行う装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種の装置の縮小投影レンズ系とレチクルステ
ージとの位置関係や絶対位置は計測しておらず、縮小投
影レンズ系とレチクル系とはスペーサー等の厚さを変更
することによりレンズディストーションを変化させてい
た。
ージとの位置関係や絶対位置は計測しておらず、縮小投
影レンズ系とレチクル系とはスペーサー等の厚さを変更
することによりレンズディストーションを変化させてい
た。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の縮小投影型露光装置はレンズディストー
ションの変化量を修正する為に、座金やスペーサーを交
換したり、削ったりしなければならず、多大な工数と、
高精度の切削技術を要するという欠点があった。
ションの変化量を修正する為に、座金やスペーサーを交
換したり、削ったりしなければならず、多大な工数と、
高精度の切削技術を要するという欠点があった。
本発明の目的はレンズディストーションの調整を容易に
行う縮小投影型露光装置を提供することにある。
行う縮小投影型露光装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は半導体基板のステージの上方に縮小投影レンズ
のステージとレチクルのステージとを配置してなる縮小
投影型露光装置において、縮小投影レンズ及びレチクル
ステージの位置調整を行う機構と、縮小投影レンズ及び
レチクルステージの位置を計測する計測器と、該計測器
の出力に基いて前記位置調整機構に制御指令を発する制
御ユニットとを有することを特徴とする縮小投影型露光
装置である。
のステージとレチクルのステージとを配置してなる縮小
投影型露光装置において、縮小投影レンズ及びレチクル
ステージの位置調整を行う機構と、縮小投影レンズ及び
レチクルステージの位置を計測する計測器と、該計測器
の出力に基いて前記位置調整機構に制御指令を発する制
御ユニットとを有することを特徴とする縮小投影型露光
装置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように装置本体Ｍの底部には半導体基板１
９の設置用ステージ２０を設け、ステージ２０の上方に
は調整ねじ２６で支えて縮小投影レンズ１８のレンズ支
持台１７を上下調整可能に設置する。各調整ねじ２５．
２６には上下送りの駆動用サーボモータ２９．３０を取
付けである。ざらにレンズ１８の上方には調整ねじ２３
．２４にて支えてレチクルステージ１５を上下動可能に
設置し、各調整ねじ２５．２６には上下送り用サーボモ
ータ２７．２８を取付ける。
９の設置用ステージ２０を設け、ステージ２０の上方に
は調整ねじ２６で支えて縮小投影レンズ１８のレンズ支
持台１７を上下調整可能に設置する。各調整ねじ２５．
２６には上下送りの駆動用サーボモータ２９．３０を取
付けである。ざらにレンズ１８の上方には調整ねじ２３
．２４にて支えてレチクルステージ１５を上下動可能に
設置し、各調整ねじ２５．２６には上下送り用サーボモ
ータ２７．２８を取付ける。
前記レンズ支持台１７及びレチクルステージ１５の上面
の両端に移動鏡１３．１４と１１．１２とをそれぞれ設
置し、各移動鏡１３．１４と１１．１２とにそれぞれレ
ーザー光を入射する干渉計光源ユニットＵ１゜ＬＪ２
、 ＬＪ３ 、 Ｕ４とを架台１０に支えてそれぞれ設
置するとともに固定鏡２１．２２を垂直に設け、各ユニ
ットＵ＋ 、ｔＪ２．Ｌ１２．Ｕ４の各々に対面させて
ユニットからの信号を受ける受光索子６，７゜８．９を
設ける。また干渉計レーザー１からの光路中に各ユニッ
トＵ＋ 、Ｕ２．Ｕ３．Ｕ４に光を屈折させるハーフミ
ラ−２，３，４，反射ミラー５を設置する。
の両端に移動鏡１３．１４と１１．１２とをそれぞれ設
置し、各移動鏡１３．１４と１１．１２とにそれぞれレ
ーザー光を入射する干渉計光源ユニットＵ１゜ＬＪ２
、 ＬＪ３ 、 Ｕ４とを架台１０に支えてそれぞれ設
置するとともに固定鏡２１．２２を垂直に設け、各ユニ
ットＵ＋ 、ｔＪ２．Ｌ１２．Ｕ４の各々に対面させて
ユニットからの信号を受ける受光索子６，７゜８．９を
設ける。また干渉計レーザー１からの光路中に各ユニッ
トＵ＋ 、Ｕ２．Ｕ３．Ｕ４に光を屈折させるハーフミ
ラ−２，３，４，反射ミラー５を設置する。
実施例において、干渉計レーザー１より出たレーザー光
はハーフミラ−２〜４及び反ｑ４ミラー５により各干渉
計光学ユニットＬＩ＋ 、 ｔＪ２． Ｕ３ 。
はハーフミラ−２〜４及び反ｑ４ミラー５により各干渉
計光学ユニットＬＩ＋ 、 ｔＪ２． Ｕ３ 。
Ｕ４へ導かれる。
ハーフミラ−２から導かれたシー１１−先は干渉ｈ１光
学ユニットＵ１を通り、レンズ支持台１７上の移動鏡１
３により反射され、再び干渉ｈ１光学ユニットＵ１へ入
り受光素子６へ出力される。また、ハーフミラ−２から
干渉計光学ユニットＵ１へ入ったレーザー光の半分は架
台１０に取付けである固定鏡２１で反射し、移動鏡１３
で反射したレーザー光と同一光路で受光素子６へ入る。
学ユニットＵ１を通り、レンズ支持台１７上の移動鏡１
３により反射され、再び干渉ｈ１光学ユニットＵ１へ入
り受光素子６へ出力される。また、ハーフミラ−２から
干渉計光学ユニットＵ１へ入ったレーザー光の半分は架
台１０に取付けである固定鏡２１で反射し、移動鏡１３
で反射したレーザー光と同一光路で受光素子６へ入る。
同様にして、ハーフミラ−３により干渉計光学ユニット
Ｕ３へ入ったレーザー光は固定鏡２１と移動鏡１１の二
方向に分けられそれぞれの反射光を合成して受光素子７
へ入る。ハーフミラ−４により干渉計光学ユニットＵ４
へ入ったレーザー光は固定鏡２２と移動鏡１２の二方向
に分けられ、それぞれの反射光を合成して受光素子８へ
入る。反射ミラー５により干渉計光学ユニットＵ２へ入
ったレーザー光は固定鏡２２と移動鏡１４の二方向に分
けられそれぞれの反射光を合成して受光索子９へ入る。
Ｕ３へ入ったレーザー光は固定鏡２１と移動鏡１１の二
方向に分けられそれぞれの反射光を合成して受光素子７
へ入る。ハーフミラ−４により干渉計光学ユニットＵ４
へ入ったレーザー光は固定鏡２２と移動鏡１２の二方向
に分けられ、それぞれの反射光を合成して受光素子８へ
入る。反射ミラー５により干渉計光学ユニットＵ２へ入
ったレーザー光は固定鏡２２と移動鏡１４の二方向に分
けられそれぞれの反射光を合成して受光索子９へ入る。
第２図は本発明の一実施例のブロック図である。
第１図の受光素子６〜９の信号は第２図の干渉計カウン
ター３１へ入り、干渉計カウンター３１はレチクルステ
ージ１５やレンズ支持台１７の位置をモニターしており
、その出力は制御ユニット３２へ入る。
ター３１へ入り、干渉計カウンター３１はレチクルステ
ージ１５やレンズ支持台１７の位置をモニターしており
、その出力は制御ユニット３２へ入る。
レンズディストーションを変えたい場合は制御ユニット
３２からサーボモータ２７〜３０へ信号が送られ、レチ
クルステージ１５またはレンズ支持台１１を動かす。こ
の変位量は受光素子６〜９及び干渉計カウンター３１に
より計測され、目標値と異なる場合は制御ユニット３２
からサーボモータ２１〜３０へ信号が送られ再びレチク
ルステージ１５またはレンズ支持−４一 台１７を動かす。
３２からサーボモータ２７〜３０へ信号が送られ、レチ
クルステージ１５またはレンズ支持台１１を動かす。こ
の変位量は受光素子６〜９及び干渉計カウンター３１に
より計測され、目標値と異なる場合は制御ユニット３２
からサーボモータ２１〜３０へ信号が送られ再びレチク
ルステージ１５またはレンズ支持−４一 台１７を動かす。
このとき目標とする変位量とレンズディストーションの
変化量は対応している。
変化量は対応している。
また、各部の構造等は本実施例のみによらず、干渉計を
利用して計測しながら、レンズディストーションを変化
させる機能を有する限り、本発明に含まれるものである
。
利用して計測しながら、レンズディストーションを変化
させる機能を有する限り、本発明に含まれるものである
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は干渉計レーザーによりレチ
クルステージ系と縮小投影レンズ系の位置を計測しなが
ら、それぞれの位置関係またはレンズディストーション
の状態を最良の状態になるように調整することにより、
容易にかつ、精度良くレンズディストーションの調整を
行うことができる効果がある。
クルステージ系と縮小投影レンズ系の位置を計測しなが
ら、それぞれの位置関係またはレンズディストーション
の状態を最良の状態になるように調整することにより、
容易にかつ、精度良くレンズディストーションの調整を
行うことができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明の一実施例を示すブロック図である。 １・・・干渉計レーザー ２〜４・・・ハーフミラ−
５・・・反射ミラー ６〜９・・・受光素子１０
・・・架台 １１〜１４・・・移動鏡１５
・・・レチクルステージ １６・・・レチクル１７・・
・レンズ支持台 １８・・・縮小投影レンズ１９・
・・半導体基板 ２０・・・ステージ２１〜２２
・・・固定鏡 ２３〜２６・・・調整ねし２７〜
３０・・・サー小モータ
明の一実施例を示すブロック図である。 １・・・干渉計レーザー ２〜４・・・ハーフミラ−
５・・・反射ミラー ６〜９・・・受光素子１０
・・・架台 １１〜１４・・・移動鏡１５
・・・レチクルステージ １６・・・レチクル１７・・
・レンズ支持台 １８・・・縮小投影レンズ１９・
・・半導体基板 ２０・・・ステージ２１〜２２
・・・固定鏡 ２３〜２６・・・調整ねし２７〜
３０・・・サー小モータ
Claims (1)
- （１）半導体基板のステージの上方に縮小投影レンズの
ステージとレチクルのステージとを配置してなる縮小投
影型露光装置において、縮小投影レンズ及びレチクルス
テージの位置調整を行う機構と、縮小投影レンズ及びレ
チクルステージの位置を計測するための干渉計レーザー
と、該干渉計レーザーによる計測出力に基いて前記位置
調整機構に制御指令を発する制御ユニットとを有するこ
とを特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140937A JPS62296514A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140937A JPS62296514A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296514A true JPS62296514A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15280281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140937A Pending JPS62296514A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388317A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| US6935751B2 (en) | 2001-06-06 | 2005-08-30 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Projection arrangement for correcting for image distortions |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61140937A patent/JPS62296514A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388317A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| US6935751B2 (en) | 2001-06-06 | 2005-08-30 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Projection arrangement for correcting for image distortions |
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