JPS622870A - Semiconductor switch element input controller - Google Patents

Semiconductor switch element input controller

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JPS622870A
JPS622870A JP14184585A JP14184585A JPS622870A JP S622870 A JPS622870 A JP S622870A JP 14184585 A JP14184585 A JP 14184585A JP 14184585 A JP14184585 A JP 14184585A JP S622870 A JPS622870 A JP S622870A
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JP
Japan
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semiconductor switch
switch element
voltage sensor
gate
output
Prior art date
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Application number
JP14184585A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Yomogihara
弘一 蓬原
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Nippon Signal Co Ltd
Original Assignee
Nippon Signal Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To stop that a plurality of semiconductor switch elements simultaneously become ON by connecting a voltage sensor between the terminals of the elements which should not become simultaneously ON. CONSTITUTION:A semiconductor switch element S2 is OFF when the output signal of a voltage sensor PT2 for detecting whether the element S2 is OFF or not is a high level Vh2, and an AND gate G1 turns ON a semiconductor switch element S1 by the input of the high level Vh2 and a drive signal V1. When the element S1 becomes ON, a voltage between the terminals becomes a low level of substantially zero, and the output of a voltage sensor PT1 becomes a low level of substantially zero. The output of low level of the sensor PT1 is input to an AND gate G2. Accordingly, an ON signal is not input to the element S2.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、鉄道における列車制御やプレス制御等に使用
される半導体スイッチ素子入力制御回路に関し、同時に
オンとなるべきでない複数個の半導体スイッチ素tを制
御する場合に、半導体スイッチ素子の端子間の電圧を電
圧センサによって検出し、この電圧センサの出力がある
ときに。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a semiconductor switch element input control circuit used for train control, press control, etc. in railways. When controlling, the voltage between the terminals of the semiconductor switch element is detected by a voltage sensor, and when there is an output from this voltage sensor.

アンドゲートを介して、当該電圧センサの属さない他の
半導体スイッチ素子にオン信号を供給することにより、
複数個の半導体スイッチ素子による障害を防止できるよ
うにしたものである。
By supplying an on signal to other semiconductor switching elements that do not belong to the voltage sensor through the AND gate,
This makes it possible to prevent failures caused by a plurality of semiconductor switch elements.

従来の技術 例えばプレス制御において、モータを正逆運転する場合
、従来は第5図に示すように、正転用制御リレーINF
と直列に、逆転用制御リレーIMRの落下接点IMR+
 (リレーIMRが非励磁状態で閉成される接点)を接
続する一方、逆転用制御リレーIMRと直列に正転用制
御リレーINFの落下接点IMRIを接続してリレー制
御回路を構成するのが汁通である。そして、第6図に示
すように、正転用制御リレー■肚が励磁されたときには
、その動作接点INFI〜lNF4を通して、また、逆
転用flit御リレーIMRが励磁されたときにその動
作接点IMR+〜[MR4を通して、メインのモータM
を正逆運転するようになっている。
Conventional technology For example, in press control, when a motor is operated in forward and reverse directions, conventionally, as shown in FIG.
In series with the falling contact IMR+ of the reverse control relay IMR.
(The contact that is closed when relay IMR is de-energized) is connected, while the falling contact IMRI of forward control relay INF is connected in series with reverse control relay IMR to form a relay control circuit. It is. As shown in FIG. 6, when the forward rotation control relay II is energized, the signal is passed through its operating contacts INFI to lNF4, and when the reverse rotation control relay IMR is energized, its operating contacts IMR+ to IMR are energized. Main motor M through MR4
It is designed to run in forward and reverse directions.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、ヒ述の従来のリレー制御回路は有接点方
式であるため、有接点方式の諸問題点。
Problems to be Solved by the Invention However, since the conventional relay control circuit described above is a contact type, there are various problems with the contact type.

例えば回路構成の大型化、接点の劣化、寿命による保守
点検の必要性等の問題点を回避することができない。
For example, problems such as an increase in the size of the circuit configuration, deterioration of contacts, and the necessity of maintenance and inspection due to lifespan cannot be avoided.

有接点の制御リレーに変えて、電子回路素子によって無
接点方式のr・導体スイッチ素子入力制御回路、例えば
フリップ、フロップ回路等を構成することも考えられる
が、短絡故障時にインタロックがとれなくなること、す
なわち通常の回路構成では回路故障時入力端が短絡され
てフェイルセーフ性が確保できないこと等の問題点があ
り、簡単には置換できない。
Instead of a contact control relay, it is also possible to configure a non-contact R/conductor switch element input control circuit using electronic circuit elements, such as a flip or flop circuit, but the interlock may not be established in the event of a short-circuit failure. That is, in a normal circuit configuration, there are problems such as the input terminal being short-circuited in the event of a circuit failure and fail-safe performance cannot be ensured, and it cannot be easily replaced.

問題点を解決するための手段 し述する従来の問題点を解決するため、本発明は、複数
個の半導体スイッチ素子を同時オンとならないように制
御する回路において、前記半導体スイッチ素f−の端子
間に接続された電圧センサと、この電圧センサの出力が
あるときに当該電圧センサの属さない他の半導体スイッ
チ素子にオン信号を供給するアンドゲートとを備えるこ
とを特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the problems of the prior art as described below, the present invention provides a circuit for controlling a plurality of semiconductor switch elements so that they are not turned on at the same time. It is characterized by comprising a voltage sensor connected therebetween, and an AND gate that supplies an on signal to another semiconductor switch element to which the voltage sensor does not belong when there is an output from the voltage sensor.

作用 本発明によれば、同時にオンとなるべきでない複数個の
半導体スイッチ素子の端子間に接続された電圧センサに
より、半導体スイッチ素子の短絡の有無を検知し、この
電圧センサの出力があるときに、アンドゲートを通して
他の半導体スイッチ素子を駆動し、複数の半導体スイッ
チ素子が同時にオンとなるのを確実に阻1ヒし得る半導
体スイッチ素子入力制御回路を構成できる。
According to the present invention, a voltage sensor connected between the terminals of a plurality of semiconductor switch elements that should not be turned on at the same time detects the presence or absence of a short circuit in the semiconductor switch elements, and when there is an output from this voltage sensor, It is possible to configure a semiconductor switch element input control circuit that can reliably prevent a plurality of semiconductor switch elements from being turned on simultaneously by driving other semiconductor switch elements through the AND gates.

電圧センサ及びアンドゲートは故障時出力が零となるよ
うに構成する。こうすることにより、電圧センサ及びア
ンドゲートの回路故障時に、半導体スイッチ素子が同時
オンとなるのを防止し、フェイルセーフ性が確保できる
The voltage sensor and AND gate are configured so that the output is zero in the event of a failure. By doing so, it is possible to prevent the semiconductor switch elements from being turned on simultaneously in the event of a circuit failure of the voltage sensor and the AND gate, thereby ensuring fail-safe performance.

実′雄側 第1図は本発明に係る半導体スイッチ素子入力制御回路
のブロック図である0図において、Sl及びS2は半導
体スイッチ素子、 RL+及びRL2は例えばモータ等
の負荷、PT+及びPT2は電圧センサ、G1及びG7
はアンドゲートである。
Figure 1 on the real male side is a block diagram of a semiconductor switch element input control circuit according to the present invention. In Figure 0, Sl and S2 are semiconductor switch elements, RL+ and RL2 are loads such as motors, and PT+ and PT2 are voltages. Sensor, G1 and G7
is an and gate.

負荷RL+及びRL、は、一方が励磁されているとき、
他方が励磁されることがないように、インタロックされ
る。このインタロック動作を確保するためには1前記半
導体スイッチよ子l及び2は同時オンとなることが許さ
れない。
When one of the loads RL+ and RL is excited,
They are interlocked so that the other is not energized. In order to ensure this interlock operation, the semiconductor switches 1 and 2 are not allowed to be turned on at the same time.

半導体スイッチ素子St 、52は、一般には。The semiconductor switch element St, 52 is generally.

2つの主電極と制御′irj、極を有する二端子もしく
は四端f半導体スイッチ素子であり1例えば単方向性ま
たは双方向性サイリスク、あるいはゲートに光結合素子
を含む光結合サイリスタによって構成される。
It is a two-terminal or four-terminal semiconductor switching element with two main electrodes and a control pole, for example a unidirectional or bidirectional thyristor, or an optically coupled thyristor with an optically coupled element in the gate.

電圧センサP丁+ は半導体スイッチ素子lの端子間、
即ち1電極Aと1電極にとの間に接続されている。電圧
センサPT2 も同様に半導体スイッチ素子S2の主電
極Aと主゛−π極にとの間に接続されている。半導体ス
ーf−/チ素子Sl 、52の端子間電圧は、゛r゛導
体スイッチ素子St 、s2がオンである場合には略零
に等しい低レベルであるが、オフになると駆動電源電圧
V、sに略等しい高レベルになる、電圧センサPT+ 
、 PT/はこの端子間電圧の変化より、半導体スイッ
チ素Fs+ 、 S2のオン、オフを検出するものであ
る。
The voltage sensor P + is connected between the terminals of the semiconductor switch element l,
That is, it is connected between one electrode A and one electrode A. Voltage sensor PT2 is similarly connected between the main electrode A and the main '-π pole of semiconductor switch element S2. The voltage between the terminals of the semiconductor switch element Sl, 52 is at a low level approximately equal to zero when the conductor switch element St, s2 is on, but when it is off, the voltage between the terminals of the semiconductor switch element S1, S1, 52 increases to the drive power supply voltage V, The voltage sensor PT+ has a high level approximately equal to s.
, PT/ detects whether the semiconductor switch elements Fs+, S2 are on or off based on the change in the voltage between the terminals.

この場合、電圧センサpit 、 PT2は半導体スイ
ッチ素子Sl 、 S2がオフであるときに高レベルの
出力を生じ、オンであるときには略零の低レベル出力と
なるように構成すると共に、自己の回路故障時出力が略
零の低レベルとなるように構成する。このような電圧セ
ンサPTI 、 PT2 は1例えば駆動電源電圧vS
が交流の場合フォトカプラまたは圧電トランス等によっ
て、また直流の場合は端子間A−に間を電源とする発振
器を構成することによって実現でき、本出願人も特願昭
59−079288号、特願昭59−083529号で
公表している。
In this case, the voltage sensors PIT and PT2 are configured to produce a high-level output when the semiconductor switch elements Sl and S2 are off, and to produce a low-level output of approximately zero when they are on, and to prevent their own circuit failures. The configuration is such that the output is at a low level of approximately zero. Such voltage sensors PTI, PT2 are 1, for example, drive power supply voltage vS
In the case of AC, it can be realized by a photocoupler or piezoelectric transformer, and in the case of DC, it can be realized by configuring an oscillator whose power source is between the terminals A-. It was published in No. 59-083529.

次に、アントゲ−)G+ は、電圧センサ2丁2から与
えられる高レベルの電圧検出信号Vdzと、負荷3を駆
動するための駆動信号V+ とを入力条件とし、その論
理積出力を半導体スイッチ”Ifi T−3+の制御電
極Gに供給するようになっている。アンドゲートG2で
も、これと同様に、電圧センサPT+から′Fえられる
高レベルの電圧検出信号Vhlと、負荷RL2 を駆動
するための駆動信号v2とを入力条件とし、その論理積
出力を半導体スイッチ素子S2に供給するようになって
いる。
Next, the ant game) G+ uses the high level voltage detection signal Vdz given from the voltage sensor 2 and the drive signal V+ for driving the load 3 as input conditions, and outputs the AND output from the semiconductor switch. It is designed to be supplied to the control electrode G of Ifi T-3+.In the same way, the AND gate G2 also uses the high level voltage detection signal Vhl obtained from the voltage sensor PT+ to drive the load RL2. The drive signal v2 is used as an input condition, and the AND output thereof is supplied to the semiconductor switch element S2.

L記の回路構成において、まず、負荷3を駆動するにち
り、半導体スイッチ素子S1をオンさせる場合、半導体
スイッチ素子S2がオフになっているか否かが、電圧セ
ンサPT2によって検出される。′重圧センサPT2の
出力信号が高レベルvh2である場合には、半導体スイ
ッチ素子S2がオフの状態にあり、アントゲ−)G+ 
はこの高レベルVh2と駆動信号v1の入力により、ア
ンドゲートG1の人力条件が整い、その論理積出力によ
って゛r導体スイッチ素子Slがオンとなる。
In the circuit configuration shown in L, first, when the semiconductor switch element S1 is turned on before driving the load 3, the voltage sensor PT2 detects whether the semiconductor switch element S2 is turned off. 'When the output signal of the heavy pressure sensor PT2 is at the high level vh2, the semiconductor switching element S2 is in the OFF state, and the antagonal) G+
By inputting this high level Vh2 and the drive signal v1, the human power condition of the AND gate G1 is satisfied, and the logical product output turns on the conductor switch element Sl.

゛i導体スイッチ素子S1がオンになると、その端子間
、電圧が略零の低レベルになり、電圧センサPT、の出
力も略零の低レベルになる。この電圧センサPT+ の
低レベルの出力信号は、アンドゲートG2に入力される
。従って4アンドゲートGzは、仮に駆動信号V2が入
力されても入力条件が整うことがないので閉じたままで
あり、半導体スイッチ素子S2にオン信号が入力される
ことがない。つまり、半導体スイッチ素子51−52及
び負荷RL+ −RL2間にインタロックがかかる。
When the i-conductor switch element S1 is turned on, the voltage between its terminals becomes a low level of approximately zero, and the output of the voltage sensor PT also becomes a low level of approximately zero. This low level output signal of voltage sensor PT+ is input to AND gate G2. Therefore, even if the drive signal V2 is input, the 4-AND gate Gz remains closed because the input conditions are not satisfied, and no on signal is input to the semiconductor switch element S2. That is, an interlock is applied between the semiconductor switch elements 51-52 and the loads RL+-RL2.

また、半導体スイッチ素子S2が故障またはその異常に
より短絡状態にある場合は、電圧センサPT2の出力が
低レベルになるから、負荷RL+ を駆動するに当って
、アントゲ−)G+ に駆動信号Vt を入力した場合
でも、アントゲ−)G+の入力条件が整わないので、半
導体スイッチ素子S1がオンとなることがない、従っぞ
、半導体スイッチ素子S2の短絡故障等を生じた場合で
も、半導体スイッチ素子Sl 、S2の同時励磁による
障害を防止することができる。
Furthermore, if the semiconductor switching element S2 is in a short-circuited state due to a failure or an abnormality, the output of the voltage sensor PT2 will be at a low level, so when driving the load RL+, the drive signal Vt is input to the controller Even in this case, the input conditions for the input voltage G+ are not met, so the semiconductor switching element S1 will not turn on. Therefore, even if a short-circuit failure or the like occurs in the semiconductor switching element S2, the semiconductor switching element Sl, Failures caused by simultaneous excitation of S2 can be prevented.

負荷RL2 を駆動する場合にも、上述と同様の回路作
用により半導体スイッチ素子S2がオンとなり、負荷R
L2が駆動されると同時に、半導体スイッチ素子31−
37及び負荷RL+−RL2間にインタロックがかかり
、また、半導体スイッチ素子S1の短絡故障時の障害防
上がなされる。
When driving the load RL2, the semiconductor switching element S2 is turned on by the same circuit action as described above, and the load R2 is turned on.
At the same time as L2 is driven, the semiconductor switch element 31-
An interlock is applied between the load RL+-RL2 and the load RL+-RL2, and also prevents a short-circuit failure of the semiconductor switch element S1.

L述したアントゲ−)G1 、G2は、自己の回路故障
時に論理積出力が零になるフェイルセーフルな回路構成
とする。アンドゲートG+ 、G2のフェイルセーフ化
は、例えば本出願人が提案した実願昭55−79107
2号のウィンドウコンパレータによって実現できる。第
2図はその具体例を示している。この第2図ではアンド
ゲートG+ の場合を例にとって説明しであるが、アン
ドゲートG2 も同様の回路構成となる。第2図では、
トランジスタGII、Gl’、G13によって2人力の
論理積演算発振器を構成し、駆動信号v1 と電圧セン
サPT?からの電圧検出信号■h2との同時入力により
、トランジスタGB、G13の遅延特性により帰還抵抗
0口を通じて発振を起すもので、この発振出力を整流回
路GI5で整流し、整流出力を、ダイオードGl&を含
む帰還ループfを介して電圧検出信号入力端子側へ帰還
することにより、自己保持を行なうようになっている。
G1 and G2 mentioned above have a fail-safe circuit configuration in which the AND output becomes zero when their own circuits fail. Fail-safe construction of AND gate G+ and G2 is possible, for example, in Utility Model Application No. 55-79107 proposed by the present applicant.
This can be achieved using the No. 2 window comparator. FIG. 2 shows a specific example. In FIG. 2, the case of AND gate G+ is explained as an example, but AND gate G2 also has a similar circuit configuration. In Figure 2,
Transistors GII, Gl', and G13 constitute a two-man-operated AND operation oscillator, and drive signal v1 and voltage sensor PT? Simultaneous input with the voltage detection signal h2 from the transistor causes oscillation through the feedback resistor 0 due to the delay characteristics of the transistors GB and G13.This oscillation output is rectified by the rectifier circuit GI5, and the rectified output is connected to the diode GI& Self-maintenance is achieved by feeding back to the voltage detection signal input terminal side via the feedback loop f.

前記整流回路GI5も、例えば「トランジスタ技術、1
985年2月号、P432Jによって公知のものによっ
て、フェイルセーフKi成できる0例えば第3図に示す
ように、入力端子G15a−出力端子GI5b間にコン
デンサG15c及びダイオードGladを直列に挿入す
ると共に、コンデンサG15c及びダイオードG+5d
の接続点、及び、ダイオードG+sdと共通線G+se
との間に、ダイオードG15f及びコンデンサGISg
をそれぞれ接続した回路構成とすることにより、フェイ
ルセーフ性を確保できる。
The rectifier circuit GI5 also includes, for example, "Transistor technology, 1
For example, as shown in FIG. 3, a capacitor G15c and a diode Glad are inserted in series between the input terminal G15a and the output terminal GI5b, and the capacitor G15c and diode G+5d
connection point, and the common line G+se with the diode G+sd
diode G15f and capacitor GISg between
By creating a circuit configuration in which these are connected to each other, fail-safe performance can be ensured.

なお、電圧センサPTI及びPT2は、前述したように
、フォトカプラまたは圧電トランス等を用いることによ
ってフェイルセーフ化できる。
Note that, as described above, the voltage sensors PTI and PT2 can be made fail-safe by using a photocoupler, a piezoelectric transformer, or the like.

第4図は本発明に係る半導体スイッチ素子入力制御回路
を三相モータMの正逆運転に応用した例を示している。
FIG. 4 shows an example in which the semiconductor switch element input control circuit according to the present invention is applied to forward/reverse operation of a three-phase motor M.

半導体スイッチ素子S3〜S6は交流スカのゲートをも
つ双方向性サイリスタあるいは直流入力で駆動できる複
合素子(例えばサイゞ     リスクとフォトカプラ
で構成される商品名ソリッド、ステート、リレー)によ
って構成されている。
The semiconductor switching elements S3 to S6 are composed of bidirectional thyristors with AC gates or composite elements that can be driven by DC input (for example, Solid, State, Relay, a product made by Saizu Risk and photocouplers). .

1[転運転の場合には、゛r:導体スイッチ素子S3に
よって■相をオンし、゛ト導体スイッチ素fsbによっ
てU相をオンさせる。逆転運転の場合には、半4体スイ
ッチ素子S4 、S5によってV相とU相との間の相切
換えを行なう、従って、半導体スイッチ素−f S 3
  とスイッチS4.半導体スイッチJFS5 とS6
が同時オンとなるべさでないスイッチである。
1 [In the case of rotation operation, ゛r: conductor switch element S3 turns on the ■ phase, and conductor switch element fsb turns on the U phase. In the case of reverse operation, phase switching between the V phase and the U phase is carried out by the half-quad switch elements S4 and S5, thus the semiconductor switch element -f S3
and switch S4. Semiconductor switch JFS5 and S6
These are switches that should not be turned on at the same time.

甲;導体スイッチ素子S3と半導体スイッチJfS4が
同時オンとなるのを防止するため、半導体スイッチ妻子
S= 、Ssの端子間に電圧センサP’h 、 PT4
をそれぞれ接続すると共に、電圧センサPT3の出力を
アンドゲートG4の入力端子に供給し、電圧センサPT
aの出力をアンドゲートG3の入力端子に供給するよう
になっている。アンドゲートG、のもラ一つの入力端r
には、U相対応の駆動信号Iuを供給するようになって
おり、アンドゲートG4のもう一つの入力端子にはV相
対応の駆動信号1vを供給するようになっている。
A: In order to prevent the conductor switch element S3 and the semiconductor switch JfS4 from being turned on simultaneously, voltage sensors P'h and PT4 are connected between the terminals of the semiconductor switch S= and Ss.
At the same time, the output of voltage sensor PT3 is supplied to the input terminal of AND gate G4, and voltage sensor PT
The output of a is supplied to the input terminal of an AND gate G3. AND gate G, one input terminal r
A drive signal Iu corresponding to the U phase is supplied to the gate G4, and a drive signal 1v corresponding to the V phase is supplied to the other input terminal of the AND gate G4.

また、半導体スイッチ素子S5と半導体スイッチ素子S
6が同時オンとなるのを防止するため、半導体スイッチ
素子SS 、S6の端子間に電圧センサPT5 、 P
Tbをそれぞれ接続すると共に、電圧センサPTsの出
力をアントゲ−)G6の入力端子に供給し、電圧センサ
PT6の出力をアンドゲートG5の入力端子に供給する
ようになっている。
Moreover, the semiconductor switch element S5 and the semiconductor switch element S
In order to prevent 6 from turning on simultaneously, voltage sensors PT5 and P are connected between the terminals of semiconductor switching elements SS and S6.
Tb are connected to each other, and the output of the voltage sensor PTs is supplied to the input terminal of the AND gate G6, and the output of the voltage sensor PT6 is supplied to the input terminal of the AND gate G5.

アンドゲートG5のもう−・つの入力端子には、V相対
応の駆動信号Ivを供給するようになっており、またア
ンドゲートG6のもう一つの入力端子にはU相対応の駆
動信号Iuを供給するようになっている。
The other input terminal of the AND gate G5 is supplied with a drive signal Iv corresponding to the V phase, and the other input terminal of the AND gate G6 is supplied with a drive signal Iu corresponding to the U phase. It is supposed to be done.

モータMを正転運転するにちり、半導体スイッチ素子S
3.56をオンさせる場合、゛ト導体スイッチ素子S4
 、S!lがオフになっているか否かが、電圧センサP
Ta 、PTbによって検出される。
To operate the motor M in normal rotation, the semiconductor switch element S
3.56, when turning on the conductor switch element S4
, S! The voltage sensor P determines whether l is off or not.
Detected by Ta, PTb.

電圧センサPTa 、 PTbの出力信号が高レベルV
h2である場合には、半導体スイッチ素子S4 、 S
sがオフの状態にあり、アンドゲートGa 、G6はこ
の高レベルと駆動信号Iu、Ivの人力により、アント
ゲ−1・G3 、G6の人力条件が整い。
The output signals of voltage sensors PTa and PTb are at high level V
h2, the semiconductor switch elements S4, S
s is in the off state, and the high level of the AND gates Ga and G6 and the human power of the drive signals Iu and Iv satisfies the human power conditions of the AND gates 1, G3, and G6.

その論理積出力によって半導体スイッチ素子S3 、S
6がオンとなる。
Based on the AND output, semiconductor switch elements S3, S
6 is turned on.

を導体スイッチ素子S3 、S6がオンになると、その
端f−間主電圧略零の低レベルになり、電圧センサP’
h 、 PTbの出力も略零の低レベルになる。この゛
重圧センサρT3 、 PTbの低レベルの出力信号は
、アントゲ−)G4 、G5に入力される。
When the conductor switch elements S3 and S6 are turned on, the main voltage between the terminals F and F becomes a low level of approximately zero, and the voltage sensor P'
h, the output of PTb also becomes a low level of approximately zero. The low level output signals of the heavy pressure sensors ρT3 and PTb are input to the analogues G4 and G5.

従って、アンドゲートG4 、Gsは、仮に駆動信号I
u、Ivが人力されても入力条件が整うことがないので
閉じたままであり、半導体スイッチ素子Sn 、35に
オン信号が入力されることがない。つまり1.半導体ス
イッチ素子S3−54、S5−56間にインタロ7りが
かかる。
Therefore, the AND gates G4 and Gs are temporarily connected to the drive signal I
Even if u and Iv are input manually, the input conditions are not satisfied, so they remain closed, and no on signal is input to the semiconductor switching elements Sn, 35. In other words, 1. An interro 7 is applied between semiconductor switch elements S3-54 and S5-56.

また、半導体スイッチ素子Ss 、S5が故障またはそ
の異常により短絡状態にある場合は、電圧センサPT3
 、 PTbの出力が低レベルになるから。
In addition, if the semiconductor switch elements Ss and S5 are in a short-circuited state due to a failure or an abnormality, the voltage sensor PT3
, because the output of PTb becomes low level.

アントゲ−)G3 、G6に駆動信号Iu、Ivを入力
しても入力条件が整わないので、半導体スイッチ素子S
3 、Sbがオンとなることがない。
Even if the drive signals Iu and Iv are input to G3 and G6, the input conditions are not established, so the semiconductor switch element S
3. Sb is never turned on.

従って、半導体スイッチ素l−54,s5に短絡故障を
生じた場合でも、半導体スイッチ素子S3−54間、5
s−56間の同時短絡による障害を防ローすることがで
きる。
Therefore, even if a short-circuit failure occurs in semiconductor switch elements l-54 and s5, between semiconductor switch elements S3 and S5,
Failures caused by simultaneous short circuits between s-56 can be prevented.

モータMを逆運転する場合にも、上述と同様の回路作用
によりU相の半導体スイッチ素子S4及びV相の半導体
スイッチ素子S5がオンとなり、モータMが逆回転する
と同時に、半導体スイッチ素子S3−34.55=Sb
間にインタロフ・りがかかり、また、半導体スイッチ素
子S3 、Sbの短絡故障時の障害防止がなされる。
When the motor M is operated in reverse, the U-phase semiconductor switch element S4 and the V-phase semiconductor switch element S5 are turned on by the same circuit action as described above, and at the same time as the motor M rotates in reverse, the semiconductor switch element S3-34 is turned on. .55=Sb
An inter-off is applied between the two, and also prevents failure in the event of a short-circuit failure of the semiconductor switching elements S3 and Sb.

更にこの実施例では、アントゲ−)G3−G6の入力を
、オア回路OR3〜OR6に並列的に分岐し、オア回路
OR3〜ORbの各論理和出力をアンドゲートGAに入
力しである。このような回路構成であると、半導体スイ
ッチ素子33〜S6の一つでも短絡故障を生じた場合、
駆動信号Iu、Ivがなくなることを条件にして、アン
トゲ−)GAの論理積出力がなくなるので、短絡故障を
検出することができる。
Furthermore, in this embodiment, the inputs of the AND gates G3 to G6 are branched in parallel to OR circuits OR3 to OR6, and the OR outputs of the OR circuits OR3 to ORb are input to the AND gate GA. With such a circuit configuration, if a short circuit failure occurs in any one of the semiconductor switch elements 33 to S6,
On the condition that the drive signals Iu and Iv disappear, the AND output of the analog GA disappears, so that a short-circuit failure can be detected.

また、例えば゛ト導体スイー2チ素fsbがオフしてか
ら、次に゛r導体スイッチ素f S 5がオンしたとす
ると、半導体スイッチ素子S6オフのときの電圧センサ
PT6の出力より、半導体スイッチ素子S5がオン、次
の電圧センサPT6の出力が低下する場合、−・時的に
高レベルで発生した電圧検出信号−を、第2図のアンド
ゲートのように帰還ループfで自己保持すればよい、ア
ンドゲートの入力が瞬間的でない場合、帰還ループfを
含まない状態の第2図のフェイルセーフなアンドゲート
であればよいことは言うまでもない、また半導体ス・イ
ッチ素子S3〜S6が交流入力を必要とする場合、第2
図の発振出力を直接整流しないで、例えばトランス結合
で半導体スイー、チ素子S3〜S6のゲートに入力すれ
ばよい。
For example, if the conductor switch fs5 is turned on after the conductor switch fsb is turned off, the semiconductor switch When element S5 is on and the output of the next voltage sensor PT6 decreases, if the voltage detection signal, which is generated at a high level at times, is held by itself in the feedback loop f like the AND gate in Fig. 2. If the input to the AND gate is not instantaneous, it goes without saying that the fail-safe AND gate shown in FIG. 2, which does not include the feedback loop f, may be sufficient. If you need the second
The oscillation output shown in the figure may not be directly rectified, but may be inputted to the gates of the semiconductor switches S3 to S6 through transformer coupling, for example.

発Illの効果 以上述べたように、同時にオンとなるべきでない複数個
の半導体スイッチ素子の端子間に接続された電圧センサ
により、゛ト導体スイッチ素子の短絡の有無を検知し、
この電圧センサの出力があるときに、アンドゲートを通
して他の半導体スイッチ素子を駆動し、複数の半導体ス
イッチ素子が同時にオンとなるのを確実に阻止しするこ
とができ、有接点リレーの場合と異なって1回路構成が
小型で、接点の劣化、゛それによる寿命の短縮。
As mentioned above, a voltage sensor connected between the terminals of a plurality of semiconductor switching elements, which should not be turned on at the same time, detects the presence or absence of a short circuit in a conductive switching element,
When there is an output from this voltage sensor, it can drive other semiconductor switching elements through the AND gate, reliably preventing multiple semiconductor switching elements from turning on at the same time, unlike the case of contact relays. The circuit configuration is small, which reduces contact deterioration and shortens its lifespan.

リレー保守点検及び交換作業等の不要な高信頼性の半導
体スイッチ素子入力制御回路を構成できる。
It is possible to construct a highly reliable semiconductor switch element input control circuit that does not require relay maintenance inspection and replacement work.

また、実施例に説明したように、電圧センサ及びアンド
ゲートを、故障時出力が零となるように構成することに
より、電圧センサ及びアンドゲートの回路故障時のフェ
イルセーフ性が確保できる。
Furthermore, as described in the embodiment, by configuring the voltage sensor and the AND gate so that the output is zero in the event of a failure, fail-safe performance in the event of a circuit failure of the voltage sensor and the AND gate can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る半導体スイッチ素子人力制御回路
のブロック図、第2図は本発明に係るスイッチ制御回路
を構成するアンドゲートの゛1TL気回路図、第3図は
第2図のアンドゲートを構成する整流回路の電気回路図
、第4図は本発明に係る半導体スイッチ素f−人力制御
回路を三相モータMの1逆運転に応用した回路例、第5
図及び第6図は従来の三相モータMの正逆圧転における
リレー制御回路を示す図である。 S1〜S6 ・・パト導体スイコ・チ素子PT+ 〜P
T6  ・・e電圧センサ61〜G6 ・・・アンドゲ
ート “二一二J 第1図 第2図 第3図
1 is a block diagram of a semiconductor switch element manual control circuit according to the present invention, FIG. 2 is a 1TL circuit diagram of an AND gate constituting the switch control circuit according to the present invention, and FIG. 3 is a block diagram of a semiconductor switch element manual control circuit according to the present invention. FIG. 4 is an electrical circuit diagram of a rectifier circuit constituting a gate, and FIG.
6 and 6 are diagrams showing a relay control circuit for forward and reverse rotation of a conventional three-phase motor M. S1 to S6...Path conductor switch element PT+ ~P
T6...e voltage sensor 61~G6...And gate "212J" Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)同時にオンとなるべきでない複数個の半導体スイ
ッチ素子を制御する回路において、前記半導体スイッチ
素子の端子間に接続された電圧センサと、この電圧セン
サの出力があるときに当該電圧センサの属さない他の半
導体スイッチ素子にオン信号を供給するアンドゲートと
を備えることを特徴とする半導体スイッチ素子入力制御
回路。
(1) In a circuit that controls a plurality of semiconductor switching elements that should not be turned on at the same time, a voltage sensor connected between the terminals of the semiconductor switching elements, and when there is an output from this voltage sensor, the voltage sensor belongs to the circuit. 1. A semiconductor switch element input control circuit comprising: an AND gate that supplies an on signal to other semiconductor switch elements.
(2)前記電圧センサ及び前記アンドゲートは、故障時
出力が零となることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の半導体スイッチ素子入力制御回路。
(2) The semiconductor switch element input control circuit according to claim 1, wherein the voltage sensor and the AND gate have an output of zero in the event of a failure.
(3)前記電圧センサは、フォトカプラでなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の半
導体スイッチ素子入力制御回路。
(3) The semiconductor switch element input control circuit according to claim 1 or 2, wherein the voltage sensor is a photocoupler.
(4)前記電圧センサの一つの出力と、該電圧センサの
属する半導体スイッチ素子の入力信号との論理和をとる
複数のオア回路と、この複数のオア回路の出力の論理積
をとるアンドゲートとを備えることを特徴とする特許請
求の範囲第1項、第2項または第3項に記載の半導体ス
イッチ素子入力制御回路。
(4) a plurality of OR circuits that logically OR the output of one of the voltage sensors and the input signal of the semiconductor switch element to which the voltage sensor belongs; and an AND gate that logically ANDs the outputs of the plurality of OR circuits; A semiconductor switch element input control circuit according to claim 1, 2, or 3, characterized in that the circuit comprises:
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Citations (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5340262A (en) * 1976-09-27 1978-04-12 Toshiba Corp Reverse turn-on stopping cir uit for two-way thyristor
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