JPS62285406A - 複合軟磁性薄膜 - Google Patents
複合軟磁性薄膜Info
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- JPS62285406A JPS62285406A JP12843086A JP12843086A JPS62285406A JP S62285406 A JPS62285406 A JP S62285406A JP 12843086 A JP12843086 A JP 12843086A JP 12843086 A JP12843086 A JP 12843086A JP S62285406 A JPS62285406 A JP S62285406A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野１
この発明は、磁気記録再生装置の磁気ヘッド等に適用可
能な複合軟磁性薄膜に関する。
能な複合軟磁性薄膜に関する。
［従来の技術１
スパッタリング法、あるいは、蒸着法により形成された
軟磁性Ｆｅ（鉄）膜、あるいは、軟磁性ＦｅｘＮ（窒化
鉄）膜は、飽和磁化が例えば２０ ＫＧ（キロ〃ウス）
以上と高いので、その磁気特性を利用した種々の分野へ
の適用が考えられている。例えば、セラミック等の基板
にギャップ相当厚みの非磁性膜を介在させて２つの軟磁
性薄膜を形成した構造のいわゆる薄膜ヘッドにおける軟
磁性薄膜としての利用等が図られつつあるが、従来のこ
の種の軟磁性薄膜は、軟磁性Ｆｅ膜、または、軟磁性Ｆ
ｅｘＮ膜のいずれか一方のみからなる単層溝道であった
。
軟磁性Ｆｅ（鉄）膜、あるいは、軟磁性ＦｅｘＮ（窒化
鉄）膜は、飽和磁化が例えば２０ ＫＧ（キロ〃ウス）
以上と高いので、その磁気特性を利用した種々の分野へ
の適用が考えられている。例えば、セラミック等の基板
にギャップ相当厚みの非磁性膜を介在させて２つの軟磁
性薄膜を形成した構造のいわゆる薄膜ヘッドにおける軟
磁性薄膜としての利用等が図られつつあるが、従来のこ
の種の軟磁性薄膜は、軟磁性Ｆｅ膜、または、軟磁性Ｆ
ｅｘＮ膜のいずれか一方のみからなる単層溝道であった
。
［発明が解決しようとする問題点１
上記軟磁性［’ｅ膜は正の磁歪、軟磁性ＦｅｘＮ膜は負
の磁歪を持つ。
の磁歪を持つ。
ところで、ｎ！膜ヘッド等の磁気ヘッドの軟磁性薄膜と
して利用する場合、良好な特性を得るためには、一般に
磁歪を零、または、少し負１こすることが望ましいとさ
れるが、上記従来の単層構造のものでは、使用する材料
によってその磁歪力ｒ定まって、磁歪を適正な値に制御
することができず、このため、磁気ヘッドの特性を向上
させる上での妨げとなっていた。
して利用する場合、良好な特性を得るためには、一般に
磁歪を零、または、少し負１こすることが望ましいとさ
れるが、上記従来の単層構造のものでは、使用する材料
によってその磁歪力ｒ定まって、磁歪を適正な値に制御
することができず、このため、磁気ヘッドの特性を向上
させる上での妨げとなっていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、磁歪の制御
が可能で、磁気ヘッド等に有効を二適用できる複合軟磁
性薄膜を得ることを目的とする。
が可能で、磁気ヘッド等に有効を二適用できる複合軟磁
性薄膜を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明では上記問題点を解決するために、六ノ（フタリ
ング法、または、蒸着法により軟磁性Ｆｅ膜と軟磁性Ｆ
ｅｘＮ１！Ｘとを交互に積層する構造とした。
ング法、または、蒸着法により軟磁性Ｆｅ膜と軟磁性Ｆ
ｅｘＮ１！Ｘとを交互に積層する構造とした。
［作用１
正磁歪の軟磁性Ｆｅ膜と負磁歪の軟磁性ＦｅｘＮ膜とが
交互にＭｔ層されて−するため、軟磁性Ｆｅ膜、および
、軟磁性ＦｅｘＮ膜の各膜厚、および、両者の膜厚比を
適切に設定することにより、複合軟磁性薄膜全体として
所望の磁歪常数にすること力Ｃできる。すなわち、磁歪
制御が可能である。
交互にＭｔ層されて−するため、軟磁性Ｆｅ膜、および
、軟磁性ＦｅｘＮ膜の各膜厚、および、両者の膜厚比を
適切に設定することにより、複合軟磁性薄膜全体として
所望の磁歪常数にすること力Ｃできる。すなわち、磁歪
制御が可能である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、図に
示すように、基板１にスパッタリング法、または、蒸着
法により軟磁性Ｆｅｊｉ２ａ、および、軟磁性ＦｅｘＮ
膜２ｂを交互に積層して、複合軟磁性薄膜２を形成する
。
示すように、基板１にスパッタリング法、または、蒸着
法により軟磁性Ｆｅｊｉ２ａ、および、軟磁性ＦｅｘＮ
膜２ｂを交互に積層して、複合軟磁性薄膜２を形成する
。
上記軟磁性Ｆｅ膜２ａ、ＦｅｘＮ膜２ｂの各膜厚、およ
び、両者の膜厚比は任意であり、複合軟磁性薄膜２全体
として所望の磁歪常数となるように適宜設定する。
び、両者の膜厚比は任意であり、複合軟磁性薄膜２全体
として所望の磁歪常数となるように適宜設定する。
薄膜ヘッドに適用する場合、上記基板１は通常ガラス、
セラミンク等である。この場合、例えば、軟磁性Ｆｅ膜
２ａ、軟磁性ＦｅｘＮＩＩ！Ｘ２ｂの膜厚は０．０１μ
−〜０．５μ畑程度と口重また、全体の膜厚は１μＩ１
１〜１０μ瞳とする。また、通常は軟磁性Ｆｅ膜２ａの
各層は同一膜厚とし、軟磁性ＦｅｘＮ膜２ｂの各層につ
いて同様に同一膜厚とするが、それぞれについて膜厚を
変えてもよい。
セラミンク等である。この場合、例えば、軟磁性Ｆｅ膜
２ａ、軟磁性ＦｅｘＮＩＩ！Ｘ２ｂの膜厚は０．０１μ
−〜０．５μ畑程度と口重また、全体の膜厚は１μＩ１
１〜１０μ瞳とする。また、通常は軟磁性Ｆｅ膜２ａの
各層は同一膜厚とし、軟磁性ＦｅｘＮ膜２ｂの各層につ
いて同様に同一膜厚とするが、それぞれについて膜厚を
変えてもよい。
上記軟磁性ＦｅｘＮ膜２ｂの×は例えば２〜８の値とす
る。
る。
また、軟磁性ＦｅｘＮ１ｉ２ｂの１層中に、Ｘの値が異
なる複数種類のＦｅｘＮが混在する組成としてもよい。
なる複数種類のＦｅｘＮが混在する組成としてもよい。
なお、本発明の複合軟磁性薄膜は、上述した薄膜ヘッド
に限らず、種々の軟磁性薄膜に適用することができる。
に限らず、種々の軟磁性薄膜に適用することができる。
例えば、リング状のフエライトコアのギャップ部に軟磁
性薄膜を形成した、いわゆる、Ｍ Ｉ Ｇ（Ｍｅｔａｌ
Ｉ ｎ Ｇａｐ）型複合リングへ一７ドに適用する
ことができる。この場合、図の基板１は７エライトとな
る。
性薄膜を形成した、いわゆる、Ｍ Ｉ Ｇ（Ｍｅｔａｌ
Ｉ ｎ Ｇａｐ）型複合リングへ一７ドに適用する
ことができる。この場合、図の基板１は７エライトとな
る。
また、リング状の７エライトフ７の代わりに、リング状
のコア自体を軟磁性薄膜の積層により形成した軟磁性薄
膜フッ型の磁気ヘッドにも適用できる。この場合、積層
した複合軟磁性薄膜フ７の厚みは、トラック幅相当の２
０μＩｏ〜３０μ−程度とする。
のコア自体を軟磁性薄膜の積層により形成した軟磁性薄
膜フッ型の磁気ヘッドにも適用できる。この場合、積層
した複合軟磁性薄膜フ７の厚みは、トラック幅相当の２
０μＩｏ〜３０μ−程度とする。
また、主磁極励磁型の垂直磁気ヘッドにおける軟磁性主
磁極膜として適用することもできる。この場合、積層し
た複合軟磁性薄膜の厚みは０．１〜１μ−程度とする。
磁極膜として適用することもできる。この場合、積層し
た複合軟磁性薄膜の厚みは０．１〜１μ−程度とする。
さらに、本発明は、磁気ヘッドに限定するものでなく、
磁歪制御を必要とする種々の軟磁性膜に適用可能である
。
磁歪制御を必要とする種々の軟磁性膜に適用可能である
。
［発明の効果１
以上説明したように本発明によれば、スパッタリング法
、または、蒸着法により軟磁性Ｆｅ膜と軟磁性ＦｅｘＮ
膜とを交互に積層する構造としたので、軟磁性Ｆｅ膜お
よび軟磁性ＦｅｘＮ１ｔｊｃの各層の膜厚等を適切に設
定することにより、複合軟磁性薄膜全体として磁歪を制
御することが可能になった。これにより、軟磁性Ｆｅ膜
、軟磁性ＦｅｘＮ膜を利用した磁気ヘッドへの適用が実
際的に可能になり、さらに、その他の種々の用途に適用
して性能向上を図ることが可能となった。
、または、蒸着法により軟磁性Ｆｅ膜と軟磁性ＦｅｘＮ
膜とを交互に積層する構造としたので、軟磁性Ｆｅ膜お
よび軟磁性ＦｅｘＮ１ｔｊｃの各層の膜厚等を適切に設
定することにより、複合軟磁性薄膜全体として磁歪を制
御することが可能になった。これにより、軟磁性Ｆｅ膜
、軟磁性ＦｅｘＮ膜を利用した磁気ヘッドへの適用が実
際的に可能になり、さらに、その他の種々の用途に適用
して性能向上を図ることが可能となった。
図は本発明の一実施例を示す複合軟磁性薄膜の断面図で
ある。 １・・・基板、２・・・複合軟磁性Ｔｆｉ膜、２ａ−軟
磁性ＦｅＦ！、２ｂ川軟磁性ＦｅｘＮ膜。
ある。 １・・・基板、２・・・複合軟磁性Ｔｆｉ膜、２ａ−軟
磁性ＦｅＦ！、２ｂ川軟磁性ＦｅｘＮ膜。
Claims (4)
- （１）スパッタリング法、または、蒸着法により軟磁性
Ｆｅ膜と軟磁性Ｆｅ＿ｘＮ膜とを交互に積層したことを
特徴とする複合軟磁性薄膜。 - （２）前記Ｆｅ膜、Ｆｅ＿ｘＮ膜間に任意厚みの非磁性
膜を形成したことを特徴とする複合軟磁性薄膜。 - （３）前記Ｆｅ＿ｘＮ膜のｘが２、３、４、５、６、７
、８のいずれかであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の複合軟磁性薄膜。 - （４）前記Ｆｅ＿ｘＮ膜の１層中に、ｘの値が一種類ま
たは異なる複数種類のＦｅ＿ｘＮが存在することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の複合軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843086A JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843086A JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285406A true JPS62285406A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14984551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12843086A Pending JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62285406A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245506A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜およびその製造方法 |
| JPH0242702A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
| US4904543A (en) * | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
| JPH02249210A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
| US5049209A (en) * | 1986-03-12 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic nitride film |
| JPH0620836A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-28 | Limes:Kk | 軟磁性多層膜の形成方法 |
| WO1996002925A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Migaku Takahashi | Couche mince magnetique et procede de fabrication |
| US6854175B2 (en) * | 2000-10-13 | 2005-02-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP12843086A patent/JPS62285406A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049209A (en) * | 1986-03-12 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic nitride film |
| US4904543A (en) * | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
| JPH01245506A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜およびその製造方法 |
| JPH0242702A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
| JPH02249210A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
| JPH0620836A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-28 | Limes:Kk | 軟磁性多層膜の形成方法 |
| WO1996002925A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Migaku Takahashi | Couche mince magnetique et procede de fabrication |
| US6854175B2 (en) * | 2000-10-13 | 2005-02-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
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