JPS62281140A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JPS62281140A
JPS62281140A JP12535786A JP12535786A JPS62281140A JP S62281140 A JPS62281140 A JP S62281140A JP 12535786 A JP12535786 A JP 12535786A JP 12535786 A JP12535786 A JP 12535786A JP S62281140 A JPS62281140 A JP S62281140A
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intermediate layer
layer
zinc sulfide
magneto
recording medium
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石崎 秀樹
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勝 高山
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Abstract

PURPOSE:To improve recording and reproducing characteristics and to lessen the deterioration of a thin magnetic film layer with lapse of time by incorporating oxygen into an intermediate layer formed of zinc sulfide in such a manner that the oxygen content on the substrate side in the intermediate layer is larger than the oxygen content on the thin magnetic film layer side. CONSTITUTION:The intermediate layer 3 is formed of the zinc sulfide and the oxygen is incorporated into the zinc sulfide intermediate layer 3. The O/Zn atomic ratio in the layer is 0.01-0.7, more preferably 0.05-0.5 in average over the entire part of the layer. The prescribed oxygen concn. distribution in which the oxygen content on the substrate side in the intermediate layer 3 is larger than the oxygen content on the thin magnetic film layer 4 side exists in the thickness direction of the intermediate layer 3. The magneto-optical recording medium which has the excellent recording and reproducing characteristics, prevents the deterioration of the thin magnetic film layer 4 and has the excellent corrosion resistance and durability is thus obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 T 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
3j、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
3. Detailed Description of the Invention T Background of the Invention Technical Field The present invention relates to a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnB1.MnARGe、MnSb。Prior art and its problems As a recording medium for magneto-optical memory, MnB1. MnARGe, MnSb.

MnCuB1.GdFe、TbFe、 GdCo、PtCo、TbCo、 TbFeCo、GdFeCo、 TbFe0. 、Gd1G、GdTbFe、GdTbF
eCoB1.CoFe2O4等の材料が知られている。
MnCuB1. GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbCo, TbFeCo, GdFeCo, TbFe0. , Gd1G, GdTbFe, GdTbF
eCoB1. Materials such as CoFe2O4 are known.

 これらは、真空II!2着法やスパッタリング法等の
方法で、プラスチックやガラス等の透明基板Fに薄11
(として形成される。 これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、 磁化容易・噛か1漠而にi〔直方向にあり、さらに、カ
ー効果やファラデー効果か大きいという点をあげること
かできる。
These are Vacuum II! A thin film of 11% is applied to a transparent substrate F such as plastic or glass using a method such as a two-layer method or a sputtering method.
The common characteristics of these magneto-optical recording media are that they are easy to magnetize, are vaguely orthogonal to i, and have a large Kerr effect or Faraday effect. I can do it.

このような媒体に裳求されることは、 第1に、キューリ一点が100〜200℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第2に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第3に比較的大面h1にわたって電気的、機械的に均一
な膜が1!?られることかあげられる。
What is required of such a medium is, firstly, that a single Curie point be at a temperature of about 100 to 200°C, and that the compensation point be around room temperature, and secondly, that defects such as grain boundaries that cause noise be Thirdly, the film is electrically and mechanically uniform over a relatively large surface h1! ? I can give you something.

このような要求にこたえ、F記材料のなかで、近年、希
し:類−遷移金属の非晶′i1重直磁性薄1漠が大きな
注[lを集めている。
In response to such demands, among the materials listed in F, amorphous orthogonal thin films of rare class-transition metals have recently attracted a great deal of attention.

しかし、このような希上類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は、大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希上類か
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、++’を報の
記録、11生が不可能となる。
However, in such magneto-optical recording media consisting of rarefiber-transition metal amorphous thin films, if the magnetic thin film layer is stored in contact with the atmosphere, oxygen and water in the atmosphere will cause it to become rarefied or transitional metal. It becomes corroded or oxidized, making it impossible to record ++' or 11th grade.

そこで、一般には、前記磁性薄1漠層の表面に保護層を
設けた構成の光磁気記録媒体か多く研究されている。
Therefore, in general, many studies have been conducted on magneto-optical recording media having a structure in which a protective layer is provided on the surface of the thin magnetic layer.

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、硫
化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み
(特開昭58−80142号等)が開示されている。
Conventionally, as such a moisture-proof protective layer, attempts have been made to provide inorganic vacuum-deposited films or resin films of silicon oxide, silicon dioxide, aluminum nitride, silicon nitride, zinc sulfide, etc. (Japanese Patent Laid-Open No. 58-80142 etc.) are disclosed.

光磁気記録媒体では、ジ、c板側から記録・再生を行う
のか有利であり、基板としては透明性のものを用いる。
In a magneto-optical recording medium, it is advantageous to perform recording and reproduction from the di-c plate side, and a transparent substrate is used as the substrate.

光デイスク用の基板としては、製造の容易さ、取り扱い
易さ等の点で、樹脂性のものが好ましく、これらのうち
では、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂膜が好適である。
As the substrate for optical disks, resin-based substrates are preferable from the viewpoint of ease of manufacture and handling.Among these, acrylic resins, especially acrylic resins, are preferred from the viewpoints of transparency, productivity, economy, etc. Polycarbonate resin membranes are preferred.

このような樹脂性の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。
On such a resinous substrate, an intermediate layer of an inorganic material is usually formed, and a magnetic thin film layer is provided through this intermediate layer.

この中間層はト渉層としての機能を有し、C/N比を向
ヒさせ、かつ磁性薄膜層の劣化を防+1:する耐食性付
与の機能を有する。
This intermediate layer has a function as an interfering layer, improves the C/N ratio, and has a function of imparting corrosion resistance to prevent deterioration of the magnetic thin film layer by +1.

このような中間層の材質としては、例えば5iO131
02等の酸化ケイ素、/M2N、S i3N4.ZnS
、S i、Geなどが提案されているく特開昭58−8
0142号等)。
The material for such an intermediate layer is, for example, 5iO131.
Silicon oxide such as 02, /M2N, Si3N4. ZnS
, Si, Ge, etc. have been proposed in JP-A-58-8
No. 0142, etc.).

こiらのうち、硫化亜鉛は、C/N比、耐久性など、特
に、C/N比の点で好適であるが、従来使用されていた
膜構造では、C/N比、耐食性、耐久性等の点て未た不
1−分てあり、より一層の向上が必盟である。
Among these, zinc sulfide is particularly suitable in terms of C/N ratio, durability, etc., but in the conventional film structure, zinc sulfide has poor C/N ratio, corrosion resistance, and In terms of performance, etc., there is still a lack of progress, and further improvement is essential.

■ 発明の目的 本発明の目的は、記録・rlF生特性に優れ、しかも磁
性薄膜層の劣化が防1卜され、耐食性、耐久性に優れ、
さらには、ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐれた
光磁気記録媒体を提供することにある。
■ Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to provide a material that has excellent recording and rlF generation characteristics, prevents deterioration of the magnetic thin film layer, and has excellent corrosion resistance and durability.
Another object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium with excellent stability in dimensional accuracy against warpage and the like.

■ 発明の開示 このような「1的は、以下の本発明によって達成される
■ Disclosure of the Invention The first objective is achieved by the present invention as described below.

すなわち、本発明は、樹脂製の基板上に硫化亜鉛から形
成される中間層を有し、この中間層」二に届上fr1−
遷移金属の電性薄膜層側磁気記録媒体において、上記中
間層か酸素を含有し、−に泥中間層における基板側酸素
含有πが電性薄膜層側のそれと比べ大きいことを特徴と
する光磁気記録媒体である。
That is, the present invention has an intermediate layer formed from zinc sulfide on a resin substrate, and this intermediate layer has a
A magnetic recording medium on the conductive thin film layer side of a transition metal, wherein the intermediate layer contains oxygen, and an optomagnetic medium characterized in that the oxygen content π on the substrate side in the intermediate layer is larger than that on the conductive thin film layer side. It is a recording medium.

■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の光磁気記録媒体の一実施例が、第1図に示され
ている。
An embodiment of the magneto-optical recording medium of the present invention is shown in FIG.

第1図において、本発明の光磁気記録媒体1は、基板2
上に中間層3を有する。
In FIG. 1, a magneto-optical recording medium 1 of the present invention includes a substrate 2
It has an intermediate layer 3 on top.

本発明の中間層3は、硫化亜鉛から形成される。The intermediate layer 3 of the present invention is formed from zinc sulfide.

ZnSは一般的に化学量1倫組成であるが、これから偏
なしているものであってもがまねない。
Although ZnS generally has a stoichiometric composition, it may be unbalanced.

この場合、層全体の平均のS / Z n原子比は0.
3〜0.99程度である。
In this case, the average S/Z n atomic ratio of the entire layer is 0.
It is about 3 to 0.99.

硫化亜鉛中間層3には酸素が含存されるが層中のO/ 
Z n原子比は、層全体の平均として0.01〜0.7
、より好ましくは0.05〜0.5である。
The zinc sulfide intermediate layer 3 contains oxygen, but the O/
Zn atomic ratio is 0.01 to 0.7 as an average of the entire layer
, more preferably 0.05 to 0.5.

このときO/ Z n比が0.01未満となると耐久性
向ト効果の実効がなくなってしまう。
At this time, if the O/Zn ratio is less than 0.01, the effect of improving durability is lost.

また、0,7をこえると、屈折率か小さくなりみかけ上
のカー回転角が減少し、特性に悪影響をI−1えてしま
う。
On the other hand, if it exceeds 0.7, the refractive index becomes small, the apparent Kerr rotation angle decreases, and the characteristics are adversely affected by I-1.

このような中間層3の厚さ方向には、中間層3中におけ
る基板側の酸素含有量が後述するi性薄11Q層4側の
それと比べ大きくなるような所定の酸素濃度分布が存在
する。
In the thickness direction of the intermediate layer 3, there is a predetermined oxygen concentration distribution such that the oxygen content on the substrate side in the intermediate layer 3 is larger than that on the i-type thin 11Q layer 4 side, which will be described later.

このような硫化亜鉛中間層3中の酸素濃度分布は、例え
ば、中間層3のJ!板2側から1/4までの位置のO/
 Z n原子比か、磁性薄膜層4側から1/4までの位
置のO/ Z n原を比の2倍以ト、より好ましくは5
倍以トとなるようにする。
Such an oxygen concentration distribution in the zinc sulfide intermediate layer 3 is, for example, J! of the intermediate layer 3! O/ at position 1/4 from plate 2 side
The Zn atomic ratio or the O/Zn source at a position up to 1/4 from the magnetic thin film layer 4 side is at least twice the ratio, more preferably 5.
The number should be at least twice that.

この値が2倍未満となると、C/N比、耐食性、耐久性
が悪化する。 一方、この値が1−:記の好適範囲であ
る5倍以トとなると、C/N比、耐久性は格段と向上す
る。
When this value is less than twice, the C/N ratio, corrosion resistance, and durability deteriorate. On the other hand, when this value is 5 times or more, which is the preferable range of 1-:, the C/N ratio and durability are significantly improved.

硫化亜鉛中間層3中にト記のような酸素濃度分布をもた
せることにより、下記の作用が生じる。
By providing the zinc sulfide intermediate layer 3 with the oxygen concentration distribution as described above, the following effects occur.

すなわち、第1に、硫化亜鉛中間層3の基板側の酸素濃
度を適当に設定することにより、基板(ポリカーボネー
ト樹脂では830nmにて屈折率約1.57)と硫化亜
鉛中間層3との界面での反射を有効に防上でき、良好な
記録・再生特性が得られる。
That is, first, by appropriately setting the oxygen concentration on the substrate side of the zinc sulfide intermediate layer 3, a Reflection can be effectively prevented and good recording/reproducing characteristics can be obtained.

第2に、磁性薄膜層4側の硫化亜鉛中間層3中の酸素濃
度を低くおさえることによって、後述するFeおよびC
oを必須含打成分とする磁性薄1模層4の劣化を有効に
防1することができる。
Second, by keeping the oxygen concentration in the zinc sulfide intermediate layer 3 on the side of the magnetic thin film layer 4 low, Fe and C
It is possible to effectively prevent the deterioration of the magnetic thin layer 4 containing o as an essential impregnating component.

なお、酸素濃度外4は、連続的であっても非連続的であ
ってもよい。
Note that the oxygen concentration outside 4 may be continuous or discontinuous.

このような硫化亜鉛中間層3の膜厚方向に存在するO 
/ Z nの原子比分布は、例えば以下に述べる方法に
よって測定される。
O present in the film thickness direction of such zinc sulfide intermediate layer 3
/Zn atomic ratio distribution is measured, for example, by the method described below.

すなわち、まず最初に、硫化亜鉛中間層3を磁性薄膜層
4側から一定のエツチング速度でイオンエツチングを行
いながら、SrMS(2次イオン質量分析)、AES 
(オージェ分光分析)、ESCAなどで元素分析を行う
。 そして、ポリカーボネート樹脂等の基板2に到達し
、炭素Cが検出されるまでの時間を測定する。
That is, first, while ion etching the zinc sulfide intermediate layer 3 from the magnetic thin film layer 4 side at a constant etching rate, SrMS (secondary ion mass spectrometry), AES
Perform elemental analysis using (Auger spectroscopy), ESCA, etc. Then, the time required for carbon C to reach the substrate 2 made of polycarbonate resin or the like is measured.

この要した時間の最初から1/4まての時間および3/
4から基板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果
より、層中所定箇所の0 / Z n平均厚r比が算出
される。
The time from the beginning to 1/4 and 3/4 of this required time.
The 0/Z n average thickness r ratio at a predetermined location in the layer is calculated from the elemental analysis results in the layer during the time from 4 to the time it reaches the substrate.

なお、層全体)均のO/ Z n原子比も算出できるこ
とはいうまでもない。
It goes without saying that the average O/Zn atomic ratio of the entire layer can also be calculated.

このようにII!211メ方向に酸素濃度外1)iか存
在する硫化1++r鉛中間層3を設層するには、ZnS
およびZnOをターゲットに用い、両者のスパッタレー
トを制御して、これを変化させなから成1模する2元ス
パッタ法、あるいは、酸素を含む雰囲気中で、ZnSを
ターゲットに用い酸素濃度をルリ御して、これを変化さ
せて成膜する反応性スパッタ等を用いる。
Like this II! To form the sulfide 1++r lead intermediate layer 3 in which the oxygen concentration is outside 1) i in the 211 direction, ZnS
A binary sputtering method using ZnO and ZnO as a target and controlling the sputtering rate of both without changing them, or a binary sputtering method using ZnS as a target and controlling the oxygen concentration in an oxygen-containing atmosphere. Then, reactive sputtering or the like is used to form a film by changing this.

これらスパッタリングにおける条件は、通常のものであ
ってよい。
These sputtering conditions may be normal conditions.

また、これにべ(じ、その他の気相成膜法、例えば、蒸
着等を適宜用いることも可能である。
In addition, it is also possible to use other vapor phase film forming methods, such as vapor deposition, as appropriate.

このように設層される硫化亜鉛中間層3の膜厚は、50
0〜1500人、より好ましくは700〜1000人で
ある。
The film thickness of the zinc sulfide intermediate layer 3 formed in this way is 50
0 to 1500 people, more preferably 700 to 1000 people.

なお、通常、硫化亜鉛中間層は非晶質状態にある。Note that the zinc sulfide intermediate layer is usually in an amorphous state.

また、成膜雰囲気中に存在するAr等が入ってもよい。Furthermore, Ar or the like present in the film-forming atmosphere may be included.

その他、場合によっては少量のSi、Affi、Cr、
Ba等の元素を添加してもよい。
In addition, in some cases, small amounts of Si, Affi, Cr,
Elements such as Ba may be added.

ト述の硫化亜鉛中間層3が設層される基板2は、樹脂に
よって形成される。
The substrate 2 on which the zinc sulfide intermediate layer 3 described above is formed is formed of resin.

好ましい樹jFtとしては、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂な
どがあげられる。
Preferred examples of the resin include acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, and polymethylpentene resin.

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点てポリカーボネート樹JIHが好ましい。
Among these resins, polycarbonate resin JIH is preferred in terms of durability, especially resistance to warping and the like.

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳δ族−脂肋族ポリカーボネート、)7
6族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。 
これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビス
フェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。 
中でもビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂
は最も好ましく用いられる。
In this case, the polycarbonate resin includes aliphatic polycarbonate, aromatic δ-aliphatic polycarbonate, )7
It may be any Group 6 polycarbonate, but aromatic polycarbonate resin is particularly preferred.
Among these, polycarbonate resins made from bisphenol are preferred in terms of melting point, crystallinity, handling, etc.
Among them, bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子社は、10,
000〜15,000程度であることか好ましい。
In addition, the number average molecular company of polycarbonate resin is 10,
It is preferable that it is about 000 to 15,000.

このような基板2の830 nmの屈折率は通常1.5
5〜1.59程度である。
The refractive index of such a substrate 2 at 830 nm is usually 1.5.
It is about 5 to 1.59.

なお、記録はJ^板2をとおして行うので、書き込み光
ないし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。
Note that since recording is performed through the J^ board 2, the transmittance for writing light or reading light is set to be 86% or more.

また、基板2は、通常ディスク状とし、12〜1.5[
+1[+1程度の厚さとする。
Further, the substrate 2 is usually disk-shaped, and has a diameter of 12 to 1.5[
+1[The thickness should be approximately +1.

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング川の溝か形成されてもよい。
Tracking grooves may be formed on the magnetic thin film layer forming surface of such a disk-shaped substrate.

溝の深さは、λ/ 8 n程度、特にλ/ 6 n〜λ
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
される。 また、溝の[11は、トラックrfr程度と
される。
The depth of the groove is about λ/8n, especially λ/6n~λ
/ 12 n (where n is the refractive index of the substrate). Further, [11] of the groove is approximately equal to the track rfr.

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、古き込み光および読み出し光をJ
、(板裏面側から照射することが好ましい。
Normally, the magnetic thin film layer located in the recessed part of this groove is used as a recording track section, and old light and readout light are
(It is preferable to irradiate from the back side of the plate.

このように構成することにより、コアき込み感度と読み
出しのC/N比が向トし、しかもトラッキングの制御信
号は大きくなる。
With this configuration, the core write sensitivity and the read C/N ratio are balanced, and the tracking control signal becomes large.

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
In addition, other shapes of the substrate may be used, such as a tape or a drum.

+iif述した硫化亜鉛中間層3のトには、磁性薄膜層
4か設層される。
+iif A magnetic thin film layer 4 is provided on top of the zinc sulfide intermediate layer 3 described above.

本発明の磁性溝II!2層4は、変調された熱ビームあ
るいは変調された磁界により、++7報が一気的に記録
されるものであり、記録情報は暖気−光変換して再生す
るものである。
Magnetic groove II of the present invention! In the second layer 4, ++7 information is recorded all at once using a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is reproduced by converting warm air to light.

このような磁性薄膜層4の材質としては、Gd、Tb等
の希[二類金属とFe、CO等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質++qとして形成したも
のであり、しかもFeとCOを必須含有成分とするもの
である。
The material of the magnetic thin film layer 4 is an amorphous material made of an alloy of rare metals such as Gd and Tb and transition metals such as Fe and CO by sputtering, vapor deposition, etc. Moreover, it contains Fe and CO as essential components.

この場合、FeとCOの総含仔晴は、65〜85aL%
であることが好ましい。
In this case, the total content of Fe and CO is 65-85aL%
It is preferable that

そして、残部は実′iτ的に希F頚金属、特にGdおよ
び/またはTbである。
The remainder is actually a rare F-bearing metal, particularly Gd and/or Tb.

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFe
Co、GdTbFeCo等がある。
Suitable examples include TbFeCo, GdFe
Co, GdTbFeCo, etc.

なお、これら磁性・薄膜層中には10aL%以ドの範1
川でCr、An、Ti、pt、Si、Mo、Mn、■、
Ni、Cu、Zn、Ge、Au等か含有されてもよい。
In addition, these magnetic thin film layers contain 10aL% or more.
In the river Cr, An, Ti, pt, Si, Mo, Mn,
It may also contain Ni, Cu, Zn, Ge, Au, etc.

また、希上類元素として10aし%以ドの範囲でSc、
Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy
、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等を含有してもよい。
In addition, as a rare element, Sc in the range of 10% or more,
Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy
, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc.

このような磁性薄膜層の膜厚は、0.01〜1−が好ま
しい。
The thickness of such a magnetic thin film layer is preferably 0.01 to 1-.

ざらに、このような磁性薄膜層4の基板2と反対側には
、各種の保護層を1層以上設けることが好ましい。
Generally, it is preferable to provide one or more various protective layers on the opposite side of the magnetic thin film layer 4 from the substrate 2.

第1図においては、保護層5と保護膜6とが設けられて
いる。
In FIG. 1, a protective layer 5 and a protective film 6 are provided.

この場合、保護層5の材質としては、保護層としての機
能を有するものであれば特に制限はされないが、好まし
くは酸化物、窒化物の薄11!2である。
In this case, the material of the protective layer 5 is not particularly limited as long as it has a function as a protective layer, but is preferably a thin 11!2 of oxide or nitride.

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。
Suitable oxides include silicon oxides such as -silicon oxide and silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, and zinc oxide.

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。
Further, as the nitride, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, boron nitride, etc. are suitable.

これらの中では、特に酸化ケイ素が好適である。Among these, silicon oxide is particularly suitable.

このような薄膜の厚さは0.1〜10μm程度とする。The thickness of such a thin film is approximately 0.1 to 10 μm.

なお、保護層5の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。
Note that the protective layer 5 may be formed by vacuum deposition, sputtering, or the like.

一方、保護膜6の材質としては、通常、公知の種々の有
機系の物質を用いればよい。
On the other hand, as the material for the protective film 6, various known organic substances may be used.

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as an electron beam or ultraviolet rays is used.

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二I「結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは!r合乾燥する基を分子−中に含有または4
人したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げる
ことができる。
The radiation-curable compounds to be used include acrylic acid, methacrylic acid, and acrylic double bonds such as ester compounds thereof, which have unsaturated double bonds that are sensitive to ionization energy and exhibit radical polymerizability, and diallylphthalate. Containing groups in the molecule that can be cross-linked by radiation irradiation, such as allylic di-I bonds, unsaturated double bonds such as maleic acid, maleic acid derivatives, etc., or
Examples include human monomers, oligomers and polymers.

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量2000未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子−揖2000〜10
000のものが用いられる。
As a radiation-curable compound, a compound with a molecular weight of less than 2,000 is used, and as an oligomer, a compound with a molecular weight of less than 2,000 to 10
000 is used.

こわらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1.6−ヘキサンゲリ
コールシアクリレート、1.6−ヘキサンゲリコールジ
メタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート (
メタクリレート)、ペンタエリスリトールアクリレート
(メタクリレート)、 トリメチロールプロパントリア
クリレート(メタクリレート)、トリメチロールプロパ
ンジアクリレート(メタクリレート)、多官能オリゴニ
ス7100 、 M−5400、M−5500,M−5
700、M−6250、M−6500、M −8030
、M−8060,M−8100等、東亜合成)、ウレタ
ンエラストマーにツボラン4040)のアクリル変性体
、あるいはこれらのものにC0OH等の官能基か導入さ
れたもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリ
レート(メタクリレート)、下記一般式て示されるペン
タエリスワトール縮合環にアクリルJ、c(メタクリル
基)またはε−カプロラクトン−アクリル基のついた化
合物、 1)  (CH2=CHC00C)+2 ):l −C
CH20H(特殊アクリレートA) 2)   (C)12 =CHCOOCH2)3   
CCH2CH3(特殊アクリレートB) 3)   (CH2=CHC0(OC3H6)n  0
CH2):l  CCH2CH3(特殊アクリレートC
) (特殊アクリレートD) (特殊アクリレートE) CH2c)(2cooc)(=c)(2()、1殊アク
リレートF) 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、 m=1.a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Bという)、m=1.a=6、b=
oの化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物C
という)、m=2、a=6、b=oの化合物(以ド、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという)、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
Stiffeners include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane gelicol cyacrylate, 1,6-hexane gelicol dimethacrylate, etc. Particularly preferred is pentaerythritol tetraacrylate (
methacrylate), pentaerythritol acrylate (methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligonis 7100, M-5400, M-5500, M-5
700, M-6250, M-6500, M-8030
, M-8060, M-8100, etc., Toagosei), urethane elastomers with acrylic modified products of Tuborane 4040), or products with functional groups such as COOH introduced into these, acrylates (methacrylates) of phenol ethylene oxide adducts. , a compound with an acrylic J, c (methacrylic group) or ε-caprolactone-acrylic group attached to a pentaerythwatol condensed ring represented by the following general formula, 1) (CH2=CHC00C)+2):l-C
CH20H (special acrylate A) 2) (C)12 =CHCOOCH2)3
CCH2CH3 (special acrylate B) 3) (CH2=CHC0(OC3H6)n 0
CH2):l CCH2CH3 (special acrylate C
) (Special acrylate D) (Special acrylate E) CH2c) (2cooc) (=c) (2(), monospecial acrylate F) Compounds where m = 1, a = 2, b = 4 (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate A), m=1. A compound where a=3, b=3 (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate B), m=1. a=6, b=
o compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C
), m=2, a=6, b=o compounds (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensates), and special acrylates represented by the general formula below.

8)  CH2=CHC00C(CH2CH20)4−
COCH=CH2佳鴇東アクリレートH) ■ CH2CH2C00CH=CH2 (4,8未アクリレート−) io> (脣、+4アクリレートJ) 11)       A     A A−(X−Y+ X−A A・アクリル酸、   X :MEアルコール12) 
  A+M−N+−M−A A、アクリル酸、  M、2価アルコールN:2塩」々
唆     ()、昂未アクリレートし)また、放射線
硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官
能オリゴエステルアクリレートやウレタンエラストマー
のアクリル変性体、あるいはこれらのものにC○OH等
の官能基か導入されたもの等が挙げられる。
8) CH2=CHC00C(CH2CH20)4-
COCH=CH2佳鴇東acrylate H) ■ CH2CH2C00CH=CH2 (4,8 unacrylate-) io> (脣, +4 acrylate J) 11) A A A-(X-Y+ X-A A.acrylic acid, X: ME Alcohol 12)
A+M-N+-M-A A, acrylic acid, M, dihydric alcohol N: 2 salts (), acrylate) In addition, as radiation-curable oligomers, polyfunctional oligomers represented by the following general formula are used. Examples include ester acrylates, acrylic modified urethane elastomers, and those into which functional groups such as COH are introduced.

(式中R,、R2・アルキル、n・整数)また、熱11
丁塑性樹脂を放射線感応変性することによって1:?ら
れる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
(In the formula R,, R2・alkyl, n・integer) Also, heat 11
1:? by radiation-sensitizing the plastic resin. A radiation-curable compound may also be used.

このような放射線硬化性樹脂の只体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
Examples of such radiation-curable resins include acrylic acid, methacrylic acid, or acrylic double bonds such as ester compounds thereof, and diallyl phthalate, which exhibits an unsaturated double bond with radical polymerizability. It is a thermoplastic resin in which groups that can be crosslinked or polymerized by radiation irradiation, such as allylic double bonds and unsaturated bonds such as maleic acid and maleic acid derivatives, are contained or introduced into the molecule of the thermoplastic resin.

放射線硬化性樹脂に変性できる熱射・ツJ性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる
Examples of heat radiation-resistant resins that can be modified into radiation-curable resins include vinyl chloride copolymers, saturated polyvinyl sulfate resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, cellulose derivatives, etc. Can be done.

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(pvp
オレフィン共i共合9合体ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基
を含イ丁するアクリルエステル ステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル、f
−樹脂等も有効である。
Other resins that can be used for radiation sensitivity modification include polyfunctional polyester resins, polyether ester resins, polyvinylpyrrolidone resins, and derivatives (pvp
Olefin co-i copolymerized polyamide resin, polyimide resin, phenol resin, spiroacetal resin, acrylic containing at least one type of acrylic ester ester containing a hydroxyl group as a polymerization component, f
- Resin etc. are also effective.

このような放射線硬化型化合物の保:、舊膜6の1漠厚
は0.1〜30μm、より好ましくは1〜10μmであ
る。
The average thickness of the calyx 6 of such a radiation-curable compound is 0.1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm.

この膜ノゾが0.1μm未満になると、一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が1−分でな
く、磁性薄11q層4の耐久性が向トしない。 また、
30μmをこえると、樹脂1漠の硬化の際に伴う収縮に
より記録媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用
に耐えない。
If the thickness of this film is less than 0.1 μm, a uniform film cannot be formed, the moisture-proofing effect in a humid atmosphere is not longer than 1 minute, and the durability of the magnetic thin 11q layer 4 is not improved. Also,
If the thickness exceeds 30 μm, the recording medium may warp or cracks may occur in the protective film due to shrinkage during curing of the resin, making it unsuitable for practical use.

このような塗11りは、通常、スピンナーコート、グラ
ビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公
知の方法を組み合わせて設層すればよい。 この時の塗
膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、′目的とす
る塗nq tqさ等を考慮して適宜決定すればよい。
Such coating 11 may normally be applied by combining various known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating, and dipping. The conditions for forming the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of coating film composition, the desired coating thickness, etc.

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
In order to cure such a coating film to form a protective layer, the coating film may be irradiated with radiation such as electron beams or ultraviolet rays.

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧1
00〜750KV、好ましくは150〜300KVの放
射線加速器を用い、吸収線j7を0.5〜20メガラツ
ドになるように照射するのか好都合である。
When using an electron beam, the radiation characteristics include acceleration voltage 1
It is convenient to use a radiation accelerator of 0.00 to 750 KV, preferably 150 to 300 KV, and irradiate the absorption line j7 at 0.5 to 20 megarads.

=・方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerizable sensitizer is usually added to the radiation-curable compound as described above.

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばヘンジインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、αークロルデオキシヘン
ゾイン等のベンゾイン系、ヘンシフエノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノヘンシフエノン等のケトン
類、アセドラキノン、フェ纏ナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィト類等を挙げることができる。
The photopolymerization sensitizer may be a conventionally known one, such as benzoin-based sensitizers such as hengein methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, α-chlordeoxyhenzoin, hensifhenone, acetophenone, bisdialkylaminogen, etc. Examples include ketones such as siphenon, quinones such as acedraquinone and phenanthraquinone, and sulfites such as benzyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide.

 光重合増感剤は樹脂f;’il形分に対し、0.1〜
1011計%の範囲が望ましい。
The photopolymerization sensitizer is 0.1 to
A range of 1011% in total is desirable.

そして、このような光1「金増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
In order to cure such a coating film containing a gold sensitizer and a radiation-curable compound with ultraviolet rays, various known methods may be used.

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
For example, an ultraviolet light bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.

このような保護j模6のLには、通常接着剤層7を介し
て保護板8が設けられる。
A protection plate 8 is usually provided on the L of such a protection pattern 6 with an adhesive layer 7 interposed therebetween.

すなわち、11η記の基板2の裏面(@性情膜層4を設
けていない側の面)側からのみ記録・[11生を行う、
いわゆる片面記録の場合にのみ、この保護板8を用いる
That is, recording and performing [11 Raw] only from the back side of the substrate 2 (@the side on which the sexual film layer 4 is not provided) as described in 11.
This protection plate 8 is used only in the case of so-called single-sided recording.

このような保護板8の樹脂材質は特別に透明性等を費求
されることはなく、神々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
エリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。
The resin material of the protective plate 8 is not required to be particularly transparent, and may be made of divine resins such as polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polypropylene, polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide, polychloride, etc. Various thermoplastic resins such as vinylidene, polycarbonate, polyacetal, fluororesin, phenolic resin,
Area resin, unsaturated polyester resin, polyurethane,
Various thermoplastic resins such as alkyd resins, melamine resins, epoxy resins, and silicone resins can be used.

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板8
として用いてもよい。
In addition, various inorganic materials such as glass and ceramics can be protected by a protective plate 8.
It may also be used as

このものの形状、寸法等は上記の基板2のそれとほぼ同
様とされる。
The shape, dimensions, etc. of this material are substantially the same as those of the substrate 2 described above.

このような保護板8は、萌述したように接着剤層7を介
して接着される。 接着剤層は、通学、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は1〜100μm程度
とされる。
Such a protection plate 8 is bonded via the adhesive layer 7 as described above. The adhesive layer is an adhesive such as a hot melt resin, and has a thickness of about 1 to 100 μm.

他方、上記の保護板8を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層4.保護層5.保護膜6等を有する基板をざらに!セ
ット用いて、画題性薄膜層を内側にして対向させて、接
着剤層7を用いて貼り合せて1両」1(板の裏面側から
、!Fき込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとして
もよい。
On the other hand, instead of using the above protection plate 8, the above magnetic thin film layer 4. Protective layer 5. Roughly roughen the substrate with the protective film 6, etc.! By using a set, facing each other with the image-related thin film layer on the inside, and pasting them together using adhesive layer 7, it is possible to create a 1-car set (! good.

さらに、これらのJ^板2や保護板8の裏面(&fi性
薄膜薄膜層4けていない側の而)には各種保護膜として
のハートコート層を設けることか好ましい。
Furthermore, it is preferable to provide a heart coat layer as a various protective film on the back surface of the J^ plate 2 and the protective plate 8 (the side where the &fi thin film layer 4 is not marked).

ハードコート層の材質としては、面述した保護+1!2
6の材質と同様なものとしてもよい。
As for the material of the hard coat layer, the above-mentioned protection +1!2
It may be made of the same material as No. 6.

■ 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、樹脂性基板と磁性溝1漠層
との間に酸素を含有し、その酸素濃度に所定の分布をも
つ硫化1F鉛中間層を仔している。 そのため、記録、
再生特性に優れ、しかも磁性薄膜層の経時劣化も少ない
■ Effects of the Invention The magneto-optical recording medium of the present invention has a 1F lead sulfide intermediate layer containing oxygen and having a predetermined distribution of oxygen concentration between the resin substrate and the magnetic groove layer. . Therefore, records,
It has excellent reproduction characteristics, and the magnetic thin film layer shows little deterioration over time.

特に、基板がポリカーボネート樹脂で形成される場合、
磁性薄膜層の経時劣化はより少なくなる。 しかも、ソ
リ等に対する耐性もより一層向」−する。
Especially when the substrate is made of polycarbonate resin,
Deterioration of the magnetic thin film layer over time is further reduced. Moreover, the resistance against warping and the like is further improved.

■ 発明の共体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
(2) Examples of the invention The present invention will be described in more detail below with reference to examples of the invention.

[実施例1] 直径13cm、J’(さ1.2mmのビスフェノールA
系のポリカーボネート樹脂(分子−量15000)から
なる基板上に、硫化亜鉛中間層を2元スパッタリングに
より、厚さ900人に設層した。
[Example 1] Bisphenol A with a diameter of 13 cm and a diameter of J' (1.2 mm)
A zinc sulfide intermediate layer was deposited to a thickness of 900 mm on a substrate made of polycarbonate resin (molecular weight: 15,000) by binary sputtering.

なお、スパッタリングに際して、硫化亜鉛中間層に所定
の酸素濃度分布を設けるために、Ar雰囲気中て作動圧
IPaにてZnSおよびZnOをターゲットとして用い
スパッタレートを時間的に制御した。
During sputtering, in order to provide a predetermined oxygen concentration distribution in the zinc sulfide intermediate layer, the sputtering rate was temporally controlled using ZnS and ZnO as targets in an Ar atmosphere at an operating pressure of IPa.

設層後、膜中の元素分析をイオンエツチングしなからオ
ージェ分光分析にて行ったところ、J、(板側から膜J
1λの1/4の位置までのO/ Z n原子比(x+ 
)は0.8であり、磁性薄膜層側から1/4の位置まで
のO/ Z n原子比(×4)は01であった。
After layer formation, elemental analysis in the film was performed using Auger spectroscopy without ion etching.
O/Z n atomic ratio (x+
) was 0.8, and the O/Zn atomic ratio (x4) from the magnetic thin film layer side to the 1/4 position was 01.

また1漠全体の゛ト均0 / Z n原子比(x)およ
びS / Z n原子比(y)は、それぞれ0.3およ
び0.7であった。
Further, the average 0/Zn atomic ratio (x) and S/Zn atomic ratio (y) for the whole area were 0.3 and 0.7, respectively.

この硫化亜鉛中間層のうえに21aL%Tb、68aj
%Fe、7aL%Co、4aL%Cr合金薄1漠をスパ
ッタリングによって、厚さ800人に設層し、磁性薄膜
層とした。
On top of this zinc sulfide intermediate layer, 21aL%Tb, 68aj
%Fe, 7aL%Co, 4aL%Cr alloy thin layer was deposited by sputtering to a thickness of 800mm to form a magnetic thin film layer.

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、C01C
rチツプをのせたものを用いた。
In addition, the target is Fe target, Tb, C01C
The one with the r chip on it was used.

この磁性溝11!2層1−に酸化ケイ素の保:M層を膜
厚1000人にスパッタリングで設層し、この保護層の
うえに上記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を保
護膜としてスピンナーコートで設層した。
On this magnetic groove 11!2 layer 1-, a protective layer M of silicon oxide is formed by sputtering to a thickness of 1000 mm, and on top of this protective layer, a coating composition containing the above-mentioned radiation-curable compound is applied as a protective film. Layered with spinner coat.

(塗布組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート 1001旦咀部 光増感剤            5重着部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。
(Coating Composition) Polyfunctional Oligoester Acrylate 1001 (Last Part Photosensitizer) 5 Layers After coating such a coating composition as a layer, it was irradiated with ultraviolet rays for 15 seconds to crosslink and cure to form a cured film.

この時の膜厚は5μmであった。The film thickness at this time was 5 μm.

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面−トにも行っ
た。 さらに保護股上に直径13cmのポリカーボネー
ト樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着し、本発明のサ
ンプルとした(サンプルNo、1)。 これに準じてサ
ンプルN011の硫化亜鉛中間層を下記表1に示す酸素
濃度分布をもつ硫化亜鉛中間層とした以外は、No、 
 1の場合と同様にして各種サンプルを作製した。
Note that the same treatment was also performed on the back surface of the substrate. Furthermore, a polycarbonate resin protective plate having a diameter of 13 cm was adhered to the protective crotch using an adhesive to prepare a sample of the present invention (sample No. 1). According to this, samples No.
Various samples were prepared in the same manner as in case 1.

以−ヒのサンプルについて、以下に示すような特性値を
測定した。
The following characteristic values were measured for the samples described below.

(1)C/N比(保存劣化) 初期のC/N比と、60℃、90%RHにて1000時
間保存後のC/N比の変化量を下記の条件で測定した。
(1) C/N ratio (deterioration on storage) The initial C/N ratio and the amount of change in the C/N ratio after storage at 60° C. and 90% RH for 1000 hours were measured under the following conditions.

回転スピード         4 m / s e 
c搬送周波数         500KHz分解能 
           30KHz記2jハ’7− (
830n m)     3〜4 mW再生ハ’7− 
(830n m)       1 mW(2)ピット
エラーレート 初期と、60℃、90%RHにて1000 IIν間保
存後のEFM信号のピットエラーレートを測定した。
Rotation speed 4 m/s e
cCarrier frequency 500KHz resolution
30KHz 2jha'7- (
830nm) 3~4 mW regeneration ha'7-
(830 nm) 1 mW (2) Pit error rate The pit error rate of the EFM signal was measured at the initial stage and after storage for 1000 IIv at 60° C. and 90% RH.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

表    1 表1に示される結果より、本発明の効果が明らかである
Table 1 From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

すなわち、No、  1〜No、 4で示される本発明
のものはX、がX4より大きく、特に、x+/x4が2
以上、Xが0.01〜0.7、yが0.3〜0.99で
あるので、C/N比、ピットエラーレート、これらの保
存後の値のいずれも良好な結果を示す。 特にNo、 
 1とNo、 3はx、x、/x、およびyの値が最適
範囲内にあるため、きわめてすぐれた結果を′示し、X
が0.05〜0.5、X 1 / X 4が5以、トお
よびyが03〜0.99であると、保存劣化の防止効果
はきわめて大きいことがわかる。
That is, in the products of the present invention indicated by No. 1 to No. 4, X is larger than X4, and in particular, x+/x4 is 2.
As mentioned above, since X is 0.01 to 0.7 and y is 0.3 to 0.99, all of the C/N ratio, pit error rate, and these values after storage show good results. Especially no,
1, No. 3, and No. 3 show extremely good results because the values of x, x, /x, and y are within the optimal range, and
It can be seen that when is 0.05 to 0.5, X 1 /

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の1例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 1・・・光磁気記録媒体、 2・・・基板 3・・・硫化i1[船中間層、 4・・・磁性薄膜層、 5・・・保護層、 6・・・保護膜、 7・・・接着剤層、 8・・・保護板 出願人  ティーディーケイ株式会社 −5を
FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing one example of the present invention. Explanation of symbols 1... Magneto-optical recording medium, 2... Substrate 3... Sulfide i1 [ship intermediate layer, 4... Magnetic thin film layer, 5... Protective layer, 6... Protective film, 7...Adhesive layer, 8...Protection plate applicant TDC Co., Ltd.-5

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)樹脂製の基板上に硫化亜鉛から形成される中間層
を有し、この中間層上に希上類−遷移金属の磁性薄膜層
を有する光磁気記録媒体において、 上記中間層が酸素を含有し、上記中間層における基板側
酸素含有量が磁性薄膜層側のそれと比べ大きいことを特
徴とする光磁気記録媒体。
(1) In a magneto-optical recording medium that has an intermediate layer formed of zinc sulfide on a resin substrate and a magnetic thin film layer of a rare transition metal on the intermediate layer, the intermediate layer does not contain oxygen. a magneto-optical recording medium, wherein the intermediate layer has a higher oxygen content on the substrate side than on the magnetic thin film layer side.
(2)硫化亜鉛中間層の基板側から1/4までの位置の
硫化亜鉛中間層中のO/Zn原子比が、磁性薄膜層側か
ら1/4までの位置の硫化亜鉛中間層中のO/Zn原子
比の2倍以上である特許請求の範囲第1項に記載の光磁
気記録媒体。
(2) The O/Zn atomic ratio in the zinc sulfide intermediate layer at a position up to 1/4 from the substrate side of the zinc sulfide intermediate layer is lower than the O/Zn atomic ratio in the zinc sulfide intermediate layer at a position up to 1/4 from the magnetic thin film layer side. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the atomic ratio of /Zn is twice or more.
(3)硫化亜鉛中間層の層全体の平均のO/Zn原子比
が0.01〜0.7である特許請求の範囲第1項または
第2項に記載の光磁気記録媒体。
(3) The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, wherein the zinc sulfide intermediate layer has an average O/Zn atomic ratio of 0.01 to 0.7.
(4)硫化亜鉛中間層の層全体の平均のS/Zn原子比
が0.3〜0.99である特許請求の範囲第1項ないし
第3項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
(4) The magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the zinc sulfide intermediate layer has an average S/Zn atomic ratio of 0.3 to 0.99.
(5)樹脂製の基板がポリカーボネート樹脂である特許
請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の光磁
気記録媒体。
(5) The magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin substrate is made of polycarbonate resin.
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