JP2523291B2 - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2523291B2
JP2523291B2 JP61300859A JP30085986A JP2523291B2 JP 2523291 B2 JP2523291 B2 JP 2523291B2 JP 61300859 A JP61300859 A JP 61300859A JP 30085986 A JP30085986 A JP 30085986A JP 2523291 B2 JP2523291 B2 JP 2523291B2
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Description

【発明の詳細な説明】 I 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。
2. Description of the Related Art As one of optical recording media, there is a medium for a magneto-optical memory.

光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb,MnCuBi,GdFe,TbFe,GdCo,PtCo,TbC
o,TbFeCo,GdFeCo,TbFeO3,GdIG,GdTbFe,GdTbFeCoBi,CoFe
2O4等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法や
スパッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等
の透明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気
記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。
MnBi, MnAlGe, MnSb, MnCuBi, GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbC are the recording media for magneto-optical memory.
o, TbFeCo, GdFeCo, TbFeO 3 , GdIG, GdTbFe, GdTbFeCoBi, CoFe
Materials such as 2 O 4 are known. These are formed as thin films on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. The characteristics common to these magneto-optical recording media are that the easy axis of magnetization is perpendicular to the film surface, and that the Kerr effect and the Faraday effect are large.

このような媒体に要求されることは、 第1に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること、 第2に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第3に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。
The requirements for such a medium are firstly that the Curie point is about 100 to 200 ° C. and the compensation point is near room temperature. Secondly, defects such as crystal grain boundaries that cause noise are relatively large. Third, it is possible to obtain a magnetically and mechanically uniform film over a relatively large area.

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
In response to such demands, in recent years, amorphous perpendicular magnetic thin films of rare earth-transition metals have attracted great attention among the above materials.

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。
However, in such a magneto-optical recording medium comprising a rare earth-transition metal amorphous thin film, if the magnetic thin film layer is stored in contact with the atmosphere, the rare earth is selectively corroded or oxidized by oxygen or water in the atmosphere. Recording of information,
Reproduction becomes impossible.

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基
板反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。
Therefore, in general, much research has been conducted on a structure in which a protective layer is provided on the surface of the magnetic thin film layer on the side of the substrate or the side opposite to the substrate.

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護
層としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アル
ミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹
脂膜等を設ける試み(特開昭58-80142号等)が開示され
ている。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性あるい
は膜と基板との密着性の点で満足できるものではない。
Conventionally, as a protective layer for imparting corrosion resistance such as moisture resistance, an attempt has been made to provide an inorganic vacuum vapor deposition film or resin film of silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum nitride, silicon nitride, zinc sulfide or the like ( JP-A-58-80142) is disclosed. However, none of these is still satisfactory in terms of corrosion resistance or adhesion between the film and the substrate.

また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用い
た場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防
止、接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされ
ている(特開昭59-52443号公報、同第60-177449号公
報)。
Further, it is disclosed that even when an inorganic glass having a certain composition is used for the protective layer, the durability of the medium, in particular, prevention of moisture permeation, improvement in adhesiveness and the like are observed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-242242). 59-52443 and 60-177449).

しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性
に対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だ
その効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望
まれている。
However, the requirements for durability and corrosion resistance of the magneto-optical recording medium are strict, and even if these are used, the effect is not yet sufficient, and further improvement is desired.

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。
Incidentally, such a problem also applies to an optical recording medium having a so-called phase transition type recording layer.

II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、
耐久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
II Object of the invention The purpose of the present invention is to prevent the deterioration of the recording layer, corrosion resistance,
An object is to provide an optical recording medium having excellent durability.

III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。
III DISCLOSURE OF THE INVENTION Such an object is achieved by the present invention described below.

すなわち、第1の発明は基板上に記録層を有し、この
記録層の上面および/または下面に、直接または中間層
を介して保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素およびアルカリ金属酸化物なら
びに酸化アルミニウムまたは酸化ホウ素を含有し、酸化
ケイ素含有量が40〜60wt%、アルカリ金属酸化物含有量
が1.5〜10wt%であることを特徴とする光記録媒体であ
る。
That is, the first invention is an optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is made of silicon oxide and An optical recording medium containing an alkali metal oxide and aluminum oxide or boron oxide, having a silicon oxide content of 40 to 60 wt% and an alkali metal oxide content of 1.5 to 10 wt%.

また、第2の発明は、基板上に記録層を有し、この記
録層の上面および/または下面に、直接または中間層を
介して保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素、アルカリ金属酸化物およびRO
で示される金属酸化物(Rは2価の金属元素)ならびに
酸化アルミニウムまたは酸化ホウ素を含有し、酸化ケイ
素含有量が40〜60wt%、アルカリ金属酸化物含有量が1.
5〜10wt%であることを特徴とする光記録媒体である。
A second invention is an optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is silicon oxide. , Alkali metal oxides and RO
Containing a metal oxide (R is a divalent metal element) and aluminum oxide or boron oxide, the silicon oxide content is 40 to 60 wt%, the alkali metal oxide content is 1.
The optical recording medium is characterized by being 5 to 10 wt%.

IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。IV Specific Configuration of the Invention Hereinafter, the specific configuration of the present invention will be described in detail.

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施
例が第1図に示されている。
An embodiment of the magneto-optical recording medium of the optical recording medium of the present invention is shown in FIG.

第1図において、本発明の光磁気記録媒体1は、基板
2上に、記録層としての磁性薄膜層4を有し、この磁性
薄膜層4の下面および上面にはそれぞれガラス質からな
る保護層31,35が設けられる。
In FIG. 1, a magneto-optical recording medium 1 of the present invention has a magnetic thin film layer 4 as a recording layer on a substrate 2, and a protective layer made of glass is provided on each of the lower surface and the upper surface of the magnetic thin film layer 4. 31,35 are provided.

本発明においては、第1図に示される保護層31,35の
うち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁性
薄膜層4を完全に保護することを考えれば、第1図のご
とく両方に設けることが好ましい。
In the present invention, at least one of the protective layers 31 and 35 shown in FIG. 1 may be provided, but in consideration of completely protecting the magnetic thin film layer 4, as shown in FIG. It is preferable to provide both.

このような本発明のガラス質からなる保護層31,35
は、酸化ケイ素が40〜60wt%含有される。
Such a glassy protective layer 31, 35 of the present invention
Contains 40 to 60 wt% of silicon oxide.

この値が60wt%を超えると耐食性の点で不利であり、
また40wt%未満となると膜の安定性の点で不利である。
If this value exceeds 60 wt%, it is disadvantageous in terms of corrosion resistance,
Further, if it is less than 40 wt%, it is disadvantageous in terms of the stability of the film.

このような酸化ケイ素は、保護層中に通常、SiO2の形
で存在する。
Such silicon oxides are usually present in the protective layer in the form of SiO 2 .

さらに、本発明の保護層中には、アルカリ金属酸化物
が1.5〜10wt%含有される。
Furthermore, the protective layer of the present invention contains an alkali metal oxide in an amount of 1.5 to 10 wt%.

この値が10wt%を超えると磁性層に悪影響を与えてし
まう可能性があり、また、1.5wt%未満となると耐久性
の点で不充分となる。
If this value exceeds 10 wt%, the magnetic layer may be adversely affected, and if it is less than 1.5 wt%, the durability is insufficient.

なお、アルカリ金属酸化物の含有量の上限値としては
7.0wt%が好ましい。
The upper limit of the content of alkali metal oxides is
7.0 wt% is preferable.

用いるアルカリ金属酸化物としては、 Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O、Fr2O等が挙げられる
が、中でも特にLi2O、Na2O、K2Oが好ましい。
Examples of the alkali metal oxide used include Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, Rb 2 O, Cs 2 O, Fr 2 O and the like. Among them, Li 2 O, Na 2 O and K 2 O are particularly preferable. Is preferred.

これらは、1種類のみならず、2種類以上を併用して
もよい。本発明の保護層中には、その他の含有成分とし
て、酸化ホウ素または酸化アルミニウムを30〜59.5wt%
の範囲で含有させることが好ましい。
These may be used alone or in combination of two or more. In the protective layer of the present invention, 30 to 59.5 wt% of boron oxide or aluminum oxide is contained as other components.
It is preferable to contain in the range of.

酸化ホウ素または酸化アルミニウムは、保護層中に通
常それぞれB2O3、Al2O3の形で存在する。これらのいず
れか一方を上記のごとく所定量含有させることによっ
て、耐久性、耐食性、均一性が向上する。
Boron oxide or aluminum oxide is usually present in the protective layer in the form of B 2 O 3 , Al 2 O 3 , respectively. By containing one of these in a predetermined amount as described above, durability, corrosion resistance, and uniformity are improved.

また、用いる酸化ホウ素または酸化アルミニウムの含
有量の一部をROで示される金属酸化物(Rは2価の金属
元素)におきかえて含有させてもよい。
Further, a part of the content of boron oxide or aluminum oxide used may be replaced with a metal oxide represented by RO (R is a divalent metal element) and contained.

この場合、ROで示される金属酸化物の含有量は保護層
中に50wt%以下、特に10〜35wt%とされる。この値が50
wt%以下の範囲内であれば、上記のB2O3またはAl2O3
含有せしめた効果は維持でき、しかも耐久性、耐食性は
向上する。
In this case, the content of the metal oxide represented by RO is 50 wt% or less, particularly 10 to 35 wt% in the protective layer. This value is 50
Within the range of wt% or less, the effect of including B 2 O 3 or Al 2 O 3 can be maintained, and durability and corrosion resistance can be improved.

ROで示される金属酸化物の具体例としては、例えばBa
O、CaO、MgO、ZnO、PbO、SrO等が挙げられ、中でも特に
BaO、CaO、SrOを用いるのが好ましい。
Specific examples of the metal oxide represented by RO include Ba
O, CaO, MgO, ZnO, PbO, SrO, etc.
It is preferable to use BaO, CaO or SrO.

なお、本発明において、第1図に示すごとく磁性薄膜
層の上面および下面にそれぞれ保護層31,35を設ける場
合には、これらの保護層31と保護層35との組成は同一で
あっても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なっ
た組成としてもよい。
In the present invention, when the protective layers 31 and 35 are provided on the upper surface and the lower surface of the magnetic thin film layer as shown in FIG. 1, even if the protective layer 31 and the protective layer 35 have the same composition. Also, different compositions may be used within the predetermined range of the present invention.

また、一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組
成とすることもできる。
Further, the composition of only one protective layer may be a predetermined composition within the present invention.

このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、スパ
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD、特に2種以上の異なる組成からなるターゲッ
トを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反応性
スパッタ法等によって形成される。
Such a protective layer may be formed by various vapor deposition methods such as sputtering, vapor deposition, ion plating and plasma CV.
D, photo-CVD, especially a multi-source sputtering method using a target having two or more different compositions or a reactive sputtering method using oxygen.

そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上
面および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ300
〜3000Å、特に500〜2000Åとすることが好ましい。
The thickness of such a protective layer is set to 300 regardless of whether it is provided on the upper surface or the lower surface of the magnetic thin film layer.
It is preferably set to 3,000 Å, particularly 500 to 2,000 Å.

この値が300Å未満であると、耐候性が悪く、また300
0Åをこえると、感度が低下する。
If this value is less than 300Å, the weather resistance is poor and
If it exceeds 0Å, the sensitivity will decrease.

なお、このような保護層31を基板2上に設け、この上
に後述する中間層を設ける場合には、保護層31の厚さは
300〜1000Å程度、中間層を500〜1500Å程度とすること
が好ましい。
When such a protective layer 31 is provided on the substrate 2 and an intermediate layer to be described later is provided thereon, the thickness of the protective layer 31 is
It is preferable that the thickness is about 300 to 1000Å and the thickness of the intermediate layer is about 500 to 1500Å.

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N2等が入ってもよい。
Further, as impurities in the protective layer, Ar, N 2 or the like existing in the film forming atmosphere may enter.

その他、Fe2O3、CuO、Cr2O3、MnOX、CoO、NiO、As2O3
等が全体の1.0wt%程度以下含有されてもよい。
Others, Fe 2 O 3 , CuO, Cr 2 O 3 , MnO X , CoO, NiO, As 2 O 3
Etc. may be contained up to about 1.0 wt% of the whole.

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層4は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。
The magnetic thin film layer 4 used as the recording layer in the present invention is
Information is recorded magnetically by a modulated heat beam or a modulated magnetic field.
It converts light and reproduces it.

このような磁性薄膜層4の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。
As a material of such a magnetic thin film layer 4, an alloy of a rare earth metal such as Gd and Tb and a transition metal such as Fe and Co is preferably formed as an amorphous film by sputtering, vapor deposition or the like.

この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at%であるこ
とが好ましい。
In this case, the total content of Fe and Co is preferably 65 to 85 at%.

そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび/
またはTbである。
And the balance is substantially rare earth metals, especially Gd and / or
Or Tb.

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTb
FeCo等がある。
And, as a preferable example thereof, TbFeCo, GdFeCo, GdTb
FeCo etc.

なお、これら磁性薄膜層中には10at%以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、V、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。
In these magnetic thin film layers, C is contained in the range of 10 at% or less.
r, Al, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au
Etc. may be contained.

また、希土類元素として10at%以下の範囲でSc、Y、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
In addition, as a rare earth element, Sc, Y, and
La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu
Etc. may be contained.

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10000Å
程度である。
The thickness of such a magnetic thin film layer is usually 100 to 10000Å
It is a degree.

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te-Se、Te-Se-Sn、Te-Ge、Te-In、Te-Sn、Te-Ge-Sb-
S、Te-Ge-As-Si、Te-Si、Te-Ge-Si-Sb、Te-Ge-Bi、Te-G
e-In-Ga、Te-Si-Bi-Tl、Te-Ge-Bi-In-S、Te-As-Ge-Sb、
Te-Ge-Se-S、Te-Ge-Se、Te-As-Ge-Ga、Te-Ge-S-In、Se-
Ge-Tl、Se-Te-As、Se-Ge-Tl-Sb、Se-Ge-Bi、Se-S(以
上、特公昭54-41902号、特許第1004835号など) TeOX(特開昭58-54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe)、 TeOX+PbOX(特許第974258号)、 TeOX+VOX(特許第974257号)、その他、Te-Tl、Te-T
l-Si、Se-Zn-Sb、Te-Se-Ga、TeNX等のTe、Seを主体とす
るカルコゲン系 Ge-Sn、Si-Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag-Zn、Ag-Al-Cu、Cu-Al等の結晶構造変化によって色
変化を生じる合金、In-Sb等の結晶粒径の変化を生じる
合金などがある。
Other materials for the recording layer include so-called phase transition type materials such as Te-Se, Te-Se-Sn, Te-Ge, Te-In, Te-Sn, Te-Ge-Sb-
S, Te-Ge-As-Si, Te-Si, Te-Ge-Si-Sb, Te-Ge-Bi, Te-G
e-In-Ga, Te-Si-Bi-Tl, Te-Ge-Bi-In-S, Te-As-Ge-Sb,
Te-Ge-Se-S, Te-Ge-Se, Te-As-Ge-Ga, Te-Ge-S-In, Se-
Ge-Tl, Se-Te-As, Se-Ge-Tl-Sb, Se-Ge-Bi, Se-S (above, Japanese Patent Publication No. 54-41902, Japanese Patent No. 1004835, etc.) TeO X (JP-A-58) -54338, Te dispersed in the Te oxide described in Patent 974257), TeO X + PbO X (Patent 974258), TeO X + VO X (Patent 974257), others, Te-Tl, Te -T
l-Si, Se-Zn-Sb, Te-Se-Ga, TeN X and other Te, Se-based chalcogen-based Ge-Sn, Si-Sn and other alloys that cause an amorphous-crystalline transition Ag- There are alloys such as Zn, Ag-Al-Cu, and Cu-Al that cause a color change due to a change in crystal structure, and alloys such as In-Sb that cause a change in crystal grain size.

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜1μm程
度とされる。
Such a recording layer may be formed by using a dry coating method such as a vapor deposition method, a sputtering method or an ion plating method. The layer thickness is about 20 nm to 1 μm.

基板2は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂
材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられ
る。
The substrate 2 is made of glass or resin, and preferable resin materials include acrylic resin, polycarbonate resin,
Epoxy resins, polymethylpentene resins and the like can be mentioned.

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
Among these resins, a polycarbonate resin is preferable in terms of durability, particularly resistance to warping and the like.

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中で
もビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。
In this case, the polycarbonate resin may be any of an aliphatic polycarbonate, an aromatic-aliphatic polycarbonate and an aromatic polycarbonate, but an aromatic polycarbonate resin is particularly preferable. Of these, a polycarbonate resin made of bisphenol is preferable in terms of melting point, crystallinity, handling, and the like. Among them, the bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。
The number average molecular weight of the polycarbonate resin is 10,0
It is preferably about 00 to 15,000.

このような基板2の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59
程度である。
The refractive index at 830 nm of such a substrate 2 is usually 1.55 to 1.59.
It is a degree.

なお、記録は基板2をとおして行うので、書き込みな
いし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。
Since recording is performed through the substrate 2, the transmittance for writing or reading light is set to 86% or more.

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
On the magnetic thin film layer formation surface of such a disc-shaped substrate,
A groove for tracking may be formed.

溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n(ここ
に、nは基板の屈折率である)とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μm程度とされる。
The depth of the groove is about λ / 8n, particularly λ / 6n to λ / 12n (where n is the refractive index of the substrate). The width of the groove is about 0.4 to 2.0 μm.

また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。 Further, a pit for an address may be formed.

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
Then, it is usually preferable to irradiate the writing light and the reading light from the back surface side of the substrate with the magnetic thin film layer located in the concave portion of the groove as a recording track portion.

このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
With this configuration, the write sensitivity and the read C / N ratio are improved, and the tracking control signal is increased.

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。
Further, other shapes of the substrate may be tapes, drums, and the like.

なお、前述した本発明の保護層は、第1図に示される
ように磁性薄膜層4の上面および/または下面に直接設
層してもよいし、また中間層を介して設けてもよい。
The protective layer of the present invention described above may be provided directly on the upper surface and / or the lower surface of the magnetic thin film layer 4 as shown in FIG. 1, or may be provided via an intermediate layer.

中間層を設ける場合には、通常、第1図に示される基
板側の保護層31と磁性薄膜層4との間に設けることが特
に好ましい。
When the intermediate layer is provided, it is usually particularly preferable to provide it between the protective layer 31 on the substrate side shown in FIG. 1 and the magnetic thin film layer 4.

このような中間層としては、酸素、炭素、窒素、硫黄
等を含む化合物、例えばSiO2、SiOX、AlN、Al2O3、Si3N
4、ZnS、BN、TiO2、TiN等の各種誘電体物質またはその
他の無機ないし有機膜が挙げられる。
Examples of such an intermediate layer include compounds containing oxygen, carbon, nitrogen, sulfur, etc., such as SiO 2 , SiO X , AlN, Al 2 O 3 , and Si 3 N.
4 , various dielectric materials such as ZnS, BN, TiO 2 , and TiN, or other inorganic or organic films can be used.

なお、各種誘電体物質は2種以上用いてもよい。 Two or more kinds of various dielectric materials may be used.

また、通常、磁性薄膜層上(基板2と反対側)に設け
られる保護層35の上には、有機保護コート層5が設けら
れる。
Further, the organic protective coat layer 5 is usually provided on the protective layer 35 provided on the magnetic thin film layer (on the side opposite to the substrate 2).

有機保護コート層5の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。
As the material of the organic protective coat layer 5, generally, various known organic substances may be used.

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as electron beam or ultraviolet ray is used.

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエ
ステル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフ
タレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレ
イン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による
架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。
Examples of the radiation-curable compound to be used include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds having an unsaturated double bond that is sensitive to ionization energy and exhibits radical polymerizability, such as diallyl phthalate. Examples thereof include monomers, oligomers and polymers having or introduced in the molecule a group capable of being crosslinked by irradiation with radiation such as unsaturated double bonds such as allyl double bonds, maleic acid and maleic acid derivatives, or introduced into the molecule. .

放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
A compound having a molecular weight of less than 2000 is used as the radiation-curable monomer, and a compound having a molecular weight of 2000 to 10,000 is used as the oligomer.

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(メタ
クリレート)、ペンタエリスリトールアクリレート(メ
タクリレート)、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート(メタクリレート)、トリメチロールプロパンジア
クリレート(メタクリレート)、多官能オリゴエステル
アクリレート、(アロニックスM-7100、M-5400、M-550
0、M-5700、M-6250、M-6500、M-8030、M-8060、M-8100
等、東亜合成)、ウレタンエラストマー(ニッポラン40
40)のアクリル変性体、あるいはこれらのものにCOOH等
の官能基が導入されたもの、フェノールエチレンオキシ
ド付加物のアクリレート(メタクリレート)、下記一般
式で示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
(メタクリル基)またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、 1)(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2OH (特殊アクリレートA) 2)(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2CH3 (特殊アクリレートB) 3)〔CH2=CHCO(OC3H6)n−OCH23−CCH2CH3 (特殊アクリレートC) 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Aという)、 m=1、a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Bという)、 m=1、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Cという)、 m=2、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Dという)、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
These include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, etc., but particularly preferred ones As, pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate, (Aronix M-7100, M- 5400, M-550
0, M-5700, M-6250, M-6500, M-8030, M-8060, M-8100
Etc., Toa Gosei), urethane elastomer (Nipporan 40
40) Acrylic modified products, or those into which functional groups such as COOH have been introduced, acrylates (methacrylates) of phenol ethylene oxide adducts, acryl groups (methacryl groups) on the pentaerythritol condensed ring represented by the following general formula Or a compound having ε-caprolactone-acryl group, 1) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3- CCH 2 OH (special acrylate A) 2) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3- CCH 2 CH 3 (special acrylate B) 3) [CH 2 = CHCO (OC 3 H 6 ) n- OCH 2 ] 3- CCH 2 CH 3 (Special acrylate C) In the formula, a compound of m = 1, a = 2, b = 4 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate A), a compound of m = 1, a = 3, b = 3 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate B) , M = 1, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C), m = 2, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate D) , And special acrylates represented by the following general formula.

8)CH2=CHCOO−(CH2CH2O)4−COCH=CH2 (特殊アクリレートH) 12)AM−Nn−M−A A:アクリル酸、 M:2価アルコール N:2塩基酸 (特殊アクリレートL) また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
8) CH 2 = CHCOO- (CH 2 CH 2 O) 4 -COCH = CH 2 ( special acrylate H) 12) AM-N n -MA A: acrylic acid, M: dihydric alcohol N: dibasic acid (special acrylate L) Further, the radiation-curable oligomer is a polyfunctional oligoester acrylate represented by the following general formula. And acrylic modified urethane elastomers, or those into which a functional group such as COOH is introduced.

また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
Further, a radiation-curable compound obtained by subjecting a thermoplastic resin to radiation-sensitive modification may be used.

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
As a specific example of such a radiation curable resin, acrylic acid showing an unsaturated double bond having radical polymerizability,
Groups that crosslink or polymerize upon irradiation, such as acrylic double bonds such as methacrylic acid or their ester compounds, allyl double bonds such as diallyl phthalate, and unsaturated bonds such as maleic acid and maleic acid derivatives. Is contained or introduced in the molecule of the thermoplastic resin.

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。
Examples of thermoplastic resins that can be modified into radiation-curable resins include vinyl chloride copolymers, saturated polyester resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, fibrin derivatives and the like.

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(PVP
オレフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
Other resins that can be used for radiation-sensitive modification include polyfunctional polyester resins, polyetherester resins, polyvinylpyrrolidone resins and derivatives (PVP
Olefin copolymers), polyamide resins, polyimide resins, phenol resins, spiro acetal resins, acrylic resins containing at least one hydroxyl group-containing acrylic ester and methacrylic ester as a polymerization component are also effective.

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層5
の膜厚は0.1〜30μm、より好ましくは1〜10μmであ
る。
Organic protective coat layer 5 of such a radiation-curable compound
Has a thickness of 0.1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm.

この膜厚が0.1μm未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層4の耐久性が向上しない。また、30μmをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
If this film thickness is less than 0.1 μm, a uniform film cannot be formed, and the moisture-proof effect in an atmosphere with high humidity is insufficient,
The durability of the magnetic thin film layer 4 is not improved. If it exceeds 30 μm, warpage of the recording medium or cracks in the protective film may occur due to shrinkage during curing of the resin film, which is not practical.

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
Such a coating film may be usually formed by combining various known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating and dipping. The layer forming conditions of the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of the coating film composition, the target coating film thickness, and the like.

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
In order to cure such a coating film to form a protective layer, the coating film may be irradiated with a radiation such as an electron beam or an ultraviolet ray.

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
When using an electron beam, the radiation characteristics are acceleration voltage
It is expedient to use a radiation accelerator of 100 to 750 KV, preferably 150 to 300 KV, and to irradiate it with an absorbed dose of 0.5 to 20 megarads.

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerization sensitizer is usually added to the above-mentioned radiation-curable compounds.

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量%の範
囲が望ましい。
The photopolymerization sensitizer may be a conventionally known one,
For example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, α-chlordeoxybenzoin and other benzoin compounds, benzophenone, acetophenone, bisdialkylaminobenzophenone and other ketones, acetolaquinone, phenanthraquinone and other quinones, benzyl disulfide. And sulfides such as tetramethylthiuram monosulfide.
The photopolymerization sensitizer is preferably in the range of 0.1 to 10% by weight based on the resin solid content.

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
Then, in order to cure the coating film containing such a photopolymerization sensitizer and the radiation-curable compound by ultraviolet rays, various known methods may be used.

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。
For example, a UV bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.

このような有機保護コート層5の上には、通常接着剤
層6を介して保護板7が設けられる。
A protective plate 7 is usually provided on the organic protective coat layer 5 with an adhesive layer 6 interposed therebetween.

すなわち、前記の基板2の裏面(磁性薄膜層4を設け
ていない側の面)側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板7を用いる。
That is, the protective plate 7 is used in the case of so-called single-sided recording in which recording / reproduction is performed only from the back surface (surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided) of the substrate 2.

このような保護板7の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
The resin material of the protective plate 7 is not particularly required to have transparency, and various resins such as polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polypropylene,
Polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide,
Various types of thermoplastic resin such as polyvinylidene chloride, polycarbonate, polyacetal, fluororesin, phenol resin, urea resin, unsaturated polyester resin, polyurethane, alkyd resin, melamine resin, epoxy resin, silicon resin, etc. are used. It is possible.

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
7として用いてもよい。
Note that various inorganic materials such as glass and ceramic may be used as the protective plate 7.

このものの形状、寸法等は上記の基板2のそれとほぼ
同様とされる。
The shape, dimensions, etc. of this product are substantially the same as those of the substrate 2 described above.

このような保護板7は、前述したように接着剤層6を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は1〜100μm程度と
される。
Such a protective plate 7 is bonded via the adhesive layer 6 as described above. The adhesive layer is usually an adhesive such as a hot melt resin and has a film thickness of about 1 to 100 μm.

他方、上記の保護板7を用いる代りに、上記の磁性薄
膜層4、保護層31,35、有機保護コート層5等を有する
基板をさらに1セット用いて、両磁性薄膜層を内側にし
て対向させて、接着剤層6を用いて貼り合せて、両基板
の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイ
プとしてもよい。さらに、これらの基板2や保護板7の
裏面(磁性薄膜層4を設けていない側の面)には各種保
護膜としてのコーティングを行うことが好ましい。
On the other hand, instead of using the protective plate 7, one set of substrates having the magnetic thin film layer 4, the protective layers 31 and 35, the organic protective coat layer 5 and the like is used, and both magnetic thin film layers are opposed to each other. Then, a so-called double-sided recording type may be used in which the adhesive layers 6 are used for bonding and writing is performed from the back surface side of both substrates. Further, it is preferable that the back surface of the substrate 2 or the protective plate 7 (the surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided) is coated with various protective films.

コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層5の材質と同様なものとしてもよい。
The material of the coating may be the same as the material of the organic protective coating layer 5 described above.

V 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層の上面および/または
下面に所定の組成からなる保護層を有する。
V Effect of the Invention The optical recording medium of the present invention has a protective layer having a predetermined composition on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer.

従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性にきわめて
優れた効果を有する。
Therefore, the medium of the present invention has extremely excellent durability and corrosion resistance.

VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。
VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples of the present invention.

[実施例1] 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板2上
に、下記表1に示される種々の組成のガラス質からなる
保護層31を設層した。なお、設層に際しては、スパッタ
リング法、場合により多元スパッタ法を用いた。膜厚は
各サンプルにつき全て800Åとした。
[Example 1] A protective layer 31 made of glass having various compositions shown in Table 1 below was provided on a substrate 2 made of a bisphenol A-based optical disc grade polycarbonate resin having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm. In addition, when forming the layer, a sputtering method and, in some cases, a multi-source sputtering method were used. The film thickness was 800 Å for each sample.

このような保護層の上に21at%Tb,68at%Fe,7at%Co,
4at%Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層4とした。
21at% Tb, 68at% Fe, 7at% Co,
800 Å thickness of 4at% Cr alloy thin film by sputtering
To form a magnetic thin film layer 4.

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチッ
プをのせたものを用いた。
The target used was an Fe target on which Tb, Co, and Cr chips were placed.

この磁性薄膜層4上に、さらに、種々の組成のガラス
質からなる保護層35を設層した。
A protective layer 35 made of glass having various compositions was further formed on the magnetic thin film layer 4.

この保護層35の組成および膜厚は、所定のサンプルに
用いた保護層31のそれらと同様のものとした。
The composition and film thickness of the protective layer 35 were the same as those of the protective layer 31 used for the predetermined sample.

この保護層35の上に、下記の放射線硬化型化合物を含
む塗布組成物を有機保護コート層5として、スピンナー
コートで設層した。
On the protective layer 35, a coating composition containing the following radiation-curable compound was applied as an organic protective coat layer 5 by spinner coating.

(塗布組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 5重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。
(Coating composition) Polyfunctional oligoester acrylate 100 parts by weight Photosensitizer 5 parts by weight After applying such a coating composition, it was irradiated with ultraviolet rays for 15 seconds to be crosslinked and cured to obtain a cured film.

このようにして、下記表1に示されるような種々のサ
ンプルを作製した。
In this way, various samples as shown in Table 1 below were prepared.

これについて下記の特性を測定した。 The following characteristics were measured for this.

(1)耐久性 ヒートサイクルテスト…IEC-2-38 (−10℃〜+65℃、93%RH) 上記加速試験にてビットエラーレートが2倍となる時
間を測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラッ
ク等がビットエラーレートの増加に寄与していた。
(1) Durability Heat cycle test IEC-2-38 (-10 ° C to + 65 ° C, 93% RH) The time at which the bit error rate doubled in the above acceleration test was measured. Under these conditions, film peeling and cracks mainly contributed to the increase in bit error rate.

(2)耐食性 高温高湿(60℃、90%RH)保存テスト 上記加速試験にてビットエラーレートが2倍となる時
間を測定した。この条件の場合主に孔食(ピンホール)
の発生がビットエラーレートの増加に寄与していた。
(2) Corrosion resistance High temperature and high humidity (60 ° C, 90% RH) storage test The time at which the bit error rate doubled in the above acceleration test was measured. Under this condition, mainly pitting (pinhole)
The occurrence of has contributed to the increase of the bit error rate.

結果を表1に示す。 Table 1 shows the results.

なお、耐久性を評価するヒートサイクルテストにおい
て、アルカリ金属酸化物含有量が、1.5wt%以上の保護
層組成のサンプル101〜104、107、111、115〜118ではビ
ットエラーレートが2倍となる時間が1000時間を超える
ものであったが、アルカリ金属酸化物含有量が1.0wt%
のサンプル108、112では1000時間以下であった。
In a heat cycle test for evaluating durability, the samples 101 to 104, 107, 111, and 115 to 118 having a protective layer composition with an alkali metal oxide content of 1.5 wt% or more have a double bit error rate. The time exceeded 1000 hours, but the content of alkali metal oxides was 1.0 wt%
Samples 108 and 112 had less than 1000 hours.

[実施例2] 実施例1のサンプル101(表1)において、磁性薄膜
層の組成をTb21%、Fe72%、Co7%とし、磁性薄膜層4
と保護層31との間に、中間層としてZnSのスパッタ膜(8
00Å厚)を形成した以外は、サンプル101の場合と同様
にしてサンプル201を作製した。
Example 2 In the sample 101 (Table 1) of Example 1, the composition of the magnetic thin film layer was Tb 21%, Fe 72%, Co 7%, and the magnetic thin film layer 4 was used.
ZnS sputtered film (8
Sample 201 was prepared in the same manner as Sample 101 except that the thickness of 00Å was formed.

このサンプル201について、上記の耐久性、耐食性の
試験を行った。
This sample 201 was tested for durability and corrosion resistance as described above.

この結果、サンプル201の耐久性、耐食性は、それぞ
れサンプル101のものとほぼ同等であることが確認され
た。
As a result, it was confirmed that the durability and corrosion resistance of Sample 201 were almost the same as those of Sample 101, respectively.

なお、このような効果は、相転移型のTe-Ge、TeOX、T
e-Se等の記録層でも同様に実現した。
In addition, such an effect is caused by the phase transition type Te-Ge, TeO X , T
The same was realized in the recording layer such as e-Se.

以上の結果より本発明の効果は明らかである。 From the above results, the effect of the present invention is clear.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明の1例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 1……光磁気記録媒体、2……基板、31,35……保護
層、4……磁性薄膜層、5……有機保護コート層、6…
…接着剤層、7……保護板
FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing an example of the present invention. Explanation of symbols 1 ... Magneto-optical recording medium, 2 ... Substrate, 31,35 ... Protective layer, 4 ... Magnetic thin film layer, 5 ... Organic protective coat layer, 6 ...
… Adhesive layer, 7 …… Protective plate

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に記録層を有し、この記録層の上面
および/または下面に、直接または中間層を介して保護
層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素およびアルカリ金属酸化物ならび
に酸化アルミニウムまたは酸化ホウ素を含有し、酸化ケ
イ素含有量が40〜60wt%、アルカリ金属酸化物含有量が
1.5〜10wt%であることを特徴とする光記録媒体。
1. An optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is silicon oxide and an alkali metal. Contains oxides and aluminum oxide or boron oxide, silicon oxide content of 40-60 wt%, alkali metal oxide content
An optical recording medium characterized by being 1.5 to 10 wt%.
【請求項2】基板上に記録層を有し、この記録層の上面
および/または下面に、直接または中間層を介して保護
層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素、アルカリ金属酸化物およびROで
示される金属酸化物(Rは2価の金属元素)ならびに酸
化アルミニウムまたは酸化ホウ素を含有し、酸化ケイ素
含有量が40〜60wt%、アルカリ金属酸化物含有量が1.5
〜10wt%であることを特徴とする光記録媒体。
2. An optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is silicon oxide or an alkali metal. Oxides and metal oxides represented by RO (R is a divalent metal element) and aluminum oxide or boron oxide, the silicon oxide content is 40-60 wt%, the alkali metal oxide content is 1.5
An optical recording medium, characterized in that the content is up to 10 wt%.
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