JPH0766565B2 - Optical recording medium - Google Patents
Optical recording mediumInfo
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- JPH0766565B2 JPH0766565B2 JP61303224A JP30322486A JPH0766565B2 JP H0766565 B2 JPH0766565 B2 JP H0766565B2 JP 61303224 A JP61303224 A JP 61303224A JP 30322486 A JP30322486 A JP 30322486A JP H0766565 B2 JPH0766565 B2 JP H0766565B2
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Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。2. Description of the Related Art As one of optical recording media, there is a medium for a magneto-optical memory.
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。Materials such as MnBi, MnAlGe, MnSb, MnCuBi, GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbCo, TbFeCo, GdFeCo, TbFeO 3 , GdIG, GdTbFe, GdTbFeCoBi, and CoFe 2 O 4 are known as recording media for magneto-optical memory. ing. These are formed as a thin film on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method. The characteristics common to these magneto-optical recording media are that the easy axis of magnetization is perpendicular to the film surface, and that the Kerr effect and the Faraday effect are large.
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる。The requirements for such a medium are firstly that the Curie point is about 100 to 200 ° C. and the compensation point is near room temperature. Secondly, defects such as crystal grain boundaries that cause noise are relatively large. Third, it is possible to obtain a magnetically and mechanically uniform film over a relatively large area.
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。In response to such demands, in recent years, amorphous perpendicular magnetic thin films of rare earth-transition metals have attracted great attention among the above materials.
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。However, in such a magneto-optical recording medium comprising a rare earth-transition metal amorphous thin film, when the magnetic thin film layer is stored in contact with the atmosphere, the rare earth is selectively corroded or oxidized by oxygen or water in the atmosphere. As a result, it becomes impossible to record and reproduce information.
そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。Therefore, in general, much research has been conducted on a structure in which a protective layer is provided on the surface of the magnetic thin film layer on the side of the substrate or the side opposite to the substrate.
従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭58−80142号等）が開示されて
いる。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性あるいは
膜と基板との密着性の点で満足できるものではない。Conventionally, as a protective layer for imparting corrosion resistance such as moisture resistance, silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum nitride,
Attempts to provide an inorganic vacuum vapor deposition film such as silicon nitride or zinc sulfide, a resin film, or the like (JP-A-58-80142) have been disclosed. However, none of these is still satisfactory in terms of corrosion resistance or adhesion between the film and the substrate.
また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭59−52443号公報、同第60−177449号公
報）。Further, even when an inorganic glass having a constant composition is used for the protective layer, the durability of the medium, especially prevention of water permeation,
It has been disclosed that improvements such as improvement in adhesiveness are observed (Japanese Patent Laid-Open Nos. 59-52443 and 60-177449).
しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望ま
れている。However, the requirements for durability and corrosion resistance of the magneto-optical recording medium are strict, and even if these are used, the effect is not yet sufficient, and further improvement is desired.
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。Incidentally, such a problem also applies to an optical recording medium having a so-called phase transition type recording layer.
II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性に優れた光記録媒体を提供することにある。II Object of the Invention An object of the present invention is to provide an optical recording medium in which deterioration of a recording layer is prevented and which is excellent in corrosion resistance and durability.
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。III DISCLOSURE OF THE INVENTION Such an object is achieved by the present invention described below.
すなわち、本発明は、基板上に、記録層を有し、この記
録層の上面および／または下面に、直接または中間層を
介して保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素と、酸化ホウ素と、酸化アルミニ
ウムと、アルカリ金属酸化物とROで示される金属酸化物
（Ｒは２価の金属元素）とを含有し、酸化ケイ素含有量
が、40〜60wt％、アルカリ金属酸化物含有量が0.5〜10w
t％であることを特徴とする光記録媒体である。That is, the present invention provides an optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer, directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is made of silicon oxide. , Boron oxide, aluminum oxide, an alkali metal oxide and a metal oxide represented by RO (R is a divalent metal element), the silicon oxide content is 40 to 60 wt%, an alkali metal oxide Content is 0.5-10w
It is an optical recording medium characterized by being t%.
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。IV Specific Structure of the Invention Hereinafter, the specific structure of the present invention will be described in detail.
本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例が
第１図に示されている。An embodiment of the magneto-optical recording medium of the optical recording medium of the present invention is shown in FIG.
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、記録層としての磁性薄膜層４を有し、この磁性薄
膜層４の下面および上面にはそれぞれガラス質からなる
保護層31,35が設けられる。Referring to FIG. 1, a magneto-optical recording medium 1 of the present invention comprises a substrate 2
A magnetic thin film layer 4 as a recording layer is provided on the upper side, and protective layers 31 and 35 made of glass are provided on the lower surface and the upper surface of the magnetic thin film layer 4, respectively.
本発明においては、第１図に示される保護層31,35のう
ち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁性薄
膜層４を完全に保護することを考えれば、第１図のごと
く両方に設けることが好ましい。In the present invention, at least one of the protective layers 31 and 35 shown in FIG. 1 may be provided, but in consideration of completely protecting the magnetic thin film layer 4, as shown in FIG. It is preferable to provide both.
このような本発明のガラス質からなる保護層31,35は、
酸化ケイ素40〜60wt％含有される。Such a protective layer 31,35 made of glass of the present invention,
Contains 40 to 60 wt% of silicon oxide.
この値が60wt％を超えると耐食性の点で不利であり、ま
た40wt％未満となると膜の安定性の点で不利である。If this value exceeds 60 wt%, it is disadvantageous in terms of corrosion resistance, and if it is less than 40 wt%, it is disadvantageous in terms of film stability.
このような酸化ケイ素は、保護層中に通常、SiO2の形で
存在する。Such silicon oxides are usually present in the protective layer in the form of SiO 2 .
さらに、本発明の保護層中には、アルカリ金属酸化物が
0.5〜10wt％含有される。Further, in the protective layer of the present invention, alkali metal oxide
0.5 to 10 wt% is contained.
この値が10wt％を超えると磁性層に悪影響を与えてしま
う可能性があり、また、0.5wt％未満となると耐久性の
点で不充分となる。If this value exceeds 10 wt%, the magnetic layer may be adversely affected, and if it is less than 0.5 wt%, the durability becomes insufficient.
なお、アルカリ金属酸化物の含有量の下限値としては1.
0wt％が好ましく、またその上限値としては7.0wt％が好
ましい。The lower limit of the content of alkali metal oxides is 1.
0 wt% is preferable, and its upper limit is preferably 7.0 wt%.
用いるアルカリ金属酸化物としては、Li2O、Na2O,K2O,R
b2O,Cs2O,Fr2O等が挙げられるが、中でも特にLi2O,Na
2O,K2Oが好ましい。Examples of alkali metal oxides used include Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, R
b 2 O, Cs 2 O, Fr 2 O, etc., but among them, Li 2 O, Na
2 O and K 2 O are preferred.
これらは、１種類のみならず、２種類以上を併用しても
よい。本発明の保護層中には、これらに加えてさらに酸
化ホウ素と酸化アルミニウムとが総和で10〜45.5wt％の
範囲で含有される。These may be used alone or in combination of two or more. In addition to these, the protective layer of the present invention further contains boron oxide and aluminum oxide in a total amount of 10 to 45.5 wt%.
この値が49.5wt％をこえたり、あるいは10wt％未満であ
ると本発明の耐久性、耐食性向上の効果が不充分であ
る。If this value exceeds 49.5 wt% or is less than 10 wt%, the effect of improving durability and corrosion resistance of the present invention is insufficient.
このような酸化ホウ素および酸化アルミニウムは、保護
層中に、通常、それぞれB2O3,Al2O3の形で存在する。Such boron oxide and aluminum oxide are usually present in the protective layer in the form of B 2 O 3 and Al 2 O 3 , respectively.
なお、通常、酸化ホウ素の含有率は、保護層中に1.0〜4
0wt％程度、また酸化アルミニウムのそれは3.0〜45wt％
程度である。The content of boron oxide is usually 1.0 to 4 in the protective layer.
0wt%, and that of aluminum oxide is 3.0 ~ 45wt%
It is a degree.
さらに本発明においては、ROで示される金属酸化物（Ｒ
は２価の金属元素）が含有される。Further, in the present invention, a metal oxide represented by RO (R
Contains a divalent metal element).
この場合ROの含有量は49.5wt％以下、好ましくは10〜4
9.5wt％含有される。In this case, the RO content is 49.5 wt% or less, preferably 10 to 4
Contains 9.5 wt%.
この値が、49.5wt％をこえたり、あるいは含有量が少な
くなると、本発明の耐久性、耐食性向上の効果が不充分
である。If this value exceeds 49.5 wt% or the content is too small, the effect of improving durability and corrosion resistance of the present invention is insufficient.
ROで示される２価の金属酸化物の具体例としては、例え
ば、BaO,CaO,MgO,ZnO,PbO,SrO等が挙げられ、中でも特
にBaO,CaO,SrOを用いるのが好ましい。Specific examples of the divalent metal oxide represented by RO include, for example, BaO, CaO, MgO, ZnO, PbO, SrO and the like. Among them, BaO, CaO, SrO is particularly preferably used.
なお、本発明において、第１図に示すごとく磁性薄膜層
の上面および下面にそれぞれ保護層31,35を設ける場合
には、それらの保護層31と保護層35との組成は同一であ
っても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった
組成としてもよい。In the present invention, when the protective layers 31 and 35 are respectively provided on the upper surface and the lower surface of the magnetic thin film layer as shown in FIG. 1, even if the protective layers 31 and 35 have the same composition. Also, different compositions may be used within the predetermined range of the present invention.
また、一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組成
とすることもできる。Further, the composition of only one protective layer may be a predetermined composition within the present invention.
このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD、特に２種以上の異なる組成からなるターゲッ
トを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反応性
スパッタ法等によって形成される。Such a protective layer may be formed by various vapor deposition methods such as sputtering, vapor deposition, ion plating and plasma CV.
D, photo-CVD, especially a multi-source sputtering method using a target having two or more different compositions or a reactive sputtering method using oxygen.
そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上面
および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ300〜3
000Å、特に500〜2000Åとすることが好ましい。The thickness of such a protective layer is 300 to 3 irrespective of whether it is provided on the upper surface or the lower surface of the magnetic thin film layer.
It is preferably 000Å, particularly 500 to 2000Å.
この値が300Å未満であると、耐候性が悪く、また3000
Åをこえると、感度が低下する。If this value is less than 300Å, the weather resistance will be poor and
If it exceeds Å, the sensitivity will decrease.
なお、このような保護層31を基板２上に設け、この上に
後述する中間層を設ける場合には、保護層31の厚さは30
0〜1000Å程度、中間層を500〜1500Å程度とすることが
好ましい。When such a protective layer 31 is provided on the substrate 2 and an intermediate layer described later is provided thereon, the protective layer 31 has a thickness of 30.
It is preferable that the thickness is about 0 to 1000Å and the intermediate layer is about 500 to 1500Å.
また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るAr,N2等が入ってもよい。Further, Ar, N 2 or the like existing in the film forming atmosphere may enter as impurities in the protective layer.
その他、Fe2O3,CuO,Cr2O3,MnOX,CoO,NiO,As2O3等が全体
の1.0wt％程度以下含有されてもよい。In addition, Fe 2 O 3 , CuO, Cr 2 O 3 , MnO X , CoO, NiO, As 2 O 3 and the like may be contained in an amount of about 1.0 wt% or less of the whole.
本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。The magnetic thin film layer 4 used as a recording layer in the present invention is for magnetically recording information by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is magnetic-optically converted and reproduced. is there.
このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の希
土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもので
ある。As the material of such a magnetic thin film layer 4, an alloy of a rare earth metal such as Gd and Tb and preferably a transition metal such as Fe and Co is formed as an amorphous film by sputtering, vapor deposition or the like.
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であること
が好ましい。In this case, the total content of Fe and Co is preferably 65 to 85 at%.
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／ま
たはTbである。And the balance is substantially rare earth metals, especially Gd and / or Tb.
そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTbFe
Co等がある。And, as a preferable example thereof, TbFeCo, GdFeCo, GdTbFe
There are Co etc.
なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。In these magnetic thin film layers, Cr in the range of 10 at% or less,
Al, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au, etc. may be contained.
また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。In addition, as a rare earth element, Sc, Y, L in the range of 10 at% or less
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu
Etc. may be contained.
このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10,000Å
程度である。The thickness of such a magnetic thin film layer is usually 100 to 10,000Å
It is a degree.
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして例えば、 Te−Se,Te−Se−Sn,Te−Ge,Te−In、Te−Sn,Te−Ge−Sb
−S,Te−Ge−As−Si,Te−Si,Te−Ge−Si−Sb,Te−Ge−B
i,Te−Ge−In−Ga,Te−Si−Bi−Tl,Te−Ge−BI−In−S,
te−As−Ge−Sb,Te−Ge−Se−S,Te−Ge−Se,Te−As−Ge
−Ga,Te−Ge−Ｓ−In,Se−Ge−Tl,Se−Te−As,Se−Ge−
Tl−Sb,Se−Ge−Bi,Se−Ｓ（以上特公昭54−41902号、
特許第1004835号など） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl,Te−Tl
−Si,Se−Zn−Sb,Te−Se−Ga,TeNX等のTe、Seを主体と
するカルコゲン系、 Ge−Sn,Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金、 Ag−Zn,Ag−Al−Cu,Cu−Al等の結晶構造変化によって色
変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生じる
合金などがある。As the material of the other recording layer, a so-called phase transition type material such as Te-Se, Te-Se-Sn, Te-Ge, Te-In, Te-Sn, Te-Ge-Sb is used.
-S, Te-Ge-As-Si, Te-Si, Te-Ge-Si-Sb, Te-Ge-B
i, Te-Ge-In-Ga, Te-Si-Bi-Tl, Te-Ge-BI-In-S,
te-As-Ge-Sb, Te-Ge-Se-S, Te-Ge-Se, Te-As-Ge
-Ga, Te-Ge-S-In, Se-Ge-Tl, Se-Te-As, Se-Ge-
Tl-Sb, Se-Ge-Bi, Se-S (above JP-B-54-41902,
(Patent No. 1004835, etc.) TeO X (Te dispersed in the Te oxides described in JP-A-58-54338 and Patent 974257), TeO X + PbO X (Patent No. 974258), TeO X + VO X ( (Patent No. 974257), other, Te-Tl, Te-Tl
-Si, Se-Zn-Sb, Te-Se-Ga, TeN X , etc.Te, chalcogen-based mainly Se, Ge-Sn, Si-Sn, etc. amorphous-crystalline transition alloy, Ag There are alloys such as --Zn, Ag--Al--Cu, and Cu--Al that change color due to a change in crystal structure, and alloys such as In--Sb that change crystal grain size.
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程度
とされる。Such a recording layer may be formed by using a dry coating method such as a vapor deposition method, a sputtering method or an ion plating method. The layer thickness is about 20 nm to 1 μm.
基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられ
る。The substrate 2 is made of glass or resin, and preferable resin materials include acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polymethylpentene resin and the like.
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。Among these resins, a polycarbonate resin is preferable in terms of durability, particularly resistance to warping and the like.
この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中でも
ビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。In this case, the polycarbonate resin may be any of an aliphatic polycarbonate, an aromatic-aliphatic polycarbonate and an aromatic polycarbonate, but an aromatic polycarbonate resin is particularly preferable. Of these, a polycarbonate resin made of bisphenol is preferable in terms of melting point, crystallinity, handling, and the like. Among them, the bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,000
〜15,000程度であることが好ましい。The number average molecular weight of the polycarbonate resin is 10,000.
It is preferably about 15,000.
このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。The refractive index at 830 nm of such a substrate 2 is usually about 1.55 to 1.59.
なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。Since recording is performed through the substrate 2, the transmittance for writing light or reading light is 86% or more.
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。A tracking groove may be formed on the surface of the disk-shaped substrate on which the magnetic thin film layer is formed.
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここに、
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
0.4〜2.0μｍ程度とされる。The depth of the groove is about λ / 8n, especially λ / 6n to λ / 12n (here,
n is the refractive index of the substrate). The width of the groove is
It is about 0.4 to 2.0 μm.
また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。Further, an address pit may be formed.
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。Then, it is usually preferable to irradiate the writing light and the reading light from the back surface side of the substrate with the magnetic thin film layer located in the concave portion of the groove as a recording track portion.
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。With this configuration, the write sensitivity and the read C / N ratio are improved, and the tracking control signal is increased.
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。Further, the other substrate shape may be a tape, a drum, or the like.
なお、前述した本発明の保護層は、第１図に示されるよ
うに磁性薄膜層４の上面および／または下面に直接設層
してもよいし、また中間層を介して設けてもよい。The protective layer of the present invention described above may be provided directly on the upper surface and / or the lower surface of the magnetic thin film layer 4 as shown in FIG. 1, or may be provided via an intermediate layer.
中間層を設ける場合には、通常、第１図に示される基板
側の保護層31と磁性薄膜層４との間に設けることが特に
好ましい。When the intermediate layer is provided, it is usually particularly preferable to provide it between the protective layer 31 on the substrate side shown in FIG. 1 and the magnetic thin film layer 4.
このような中間層としては、酸素、炭素、窒素、硫黄等
を含む化合物、例えばSiO2、SiO、AlN、Al2O3、Si3N4、
ZnS、BN、TiO2、TiN等の各種誘電体物質またはその他の
無機ないし有機膜が挙げられる。As such an intermediate layer, a compound containing oxygen, carbon, nitrogen, sulfur, etc., such as SiO 2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 ,
Examples thereof include various dielectric substances such as ZnS, BN, TiO 2 , and TiN, and other inorganic or organic films.
なお、各種誘電体物質は２種以上用いてもよい。Two or more kinds of various dielectric materials may be used.
また、通常、磁性薄膜層上（基板２と反対側）に設けら
れる保護層35の上には、有機保護コート層５が設けられ
る。Further, the organic protective coat layer 5 is usually provided on the protective layer 35 provided on the magnetic thin film layer (on the side opposite to the substrate 2).
有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。As the material of the organic protective coat layer 5, generally, various known organic substances may be used.
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as electron beam or ultraviolet ray is used.
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。Examples of the radiation-curable compound used include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds having an unsaturated double bond that is sensitive to ionization energy and exhibits radical polymerizability, such as diallyl phthalate. Examples thereof include monomers, oligomers and polymers having or introduced in the molecule a group capable of being crosslinked by irradiation with radiation such as unsaturated double bonds such as allyl double bonds, maleic acid and maleic acid derivatives, or introduced into the molecule. .
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。A compound having a molecular weight of less than 2000 is used as the radiation-curable monomer, and a compound having a molecular weight of 2000 to 10,000 is used as the oligomer.
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHCO（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。These include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, etc., but particularly preferred ones As, pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate (Aronix M-7100, M-5400 , M-55
00, M-5700, M-6250, M-6500, M-8030, M-80
60, M-8100, etc., Toa Gosei), acrylic modified urethane elastomer (Nipporan 4040), or those into which functional groups such as COOH have been introduced, phenol ethylene oxide adduct acrylate (methacrylate), the following general A compound having an acrylic group (methacrylic group) or ε-caprolactone-acrylic group on the pentaerythritol condensed ring represented by the formula, 1) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3- CCH 2 OH (special acrylate A) 2) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3- CCH 2 CH 3 (special acrylate B) 3) [CH 2 = CHCO (OC 3 H 6 ) n- OCH 2 ] 3- CCH 2 CH 3 (special acrylate C) In the formula, a compound of m = 1, a = 2, b = 4 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate A), a compound of m = 1, a = 3, b = 3 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate B) , M = 1, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C), m = 2, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate D) , And special acrylates represented by the following general formula.
８） CH2＝CHCOO−（CH2CH2）４−COCH＝CH2 （特殊アクリレートＨ） 12） ＡＭ−ＮnM−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 （特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 8) CH 2 = CHCOO- (CH 2 CH 2) 4 -COCH = CH 2 ( special acrylate H) 12) AM-N n M-A A: acrylic acid, M: dihydric alcohol N: dibasic acid (special acrylate L) Further, as the radiation curable oligomer, a polyfunctional oligoester acrylate represented by the following general formula or Examples thereof include acrylic modified urethane elastomers, or products obtained by introducing a functional group such as COOH into these products.
また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。 Further, a radiation-curable compound obtained by subjecting a thermoplastic resin to radiation-sensitive modification may be used.
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。Specific examples of such a radiation curable resin include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds showing an unsaturated double bond having radical polymerizability, such as diallyl phthalate. It is a resin in which a group such as an allyl double bond, an unsaturated bond such as maleic acid or a maleic acid derivative, which is crosslinked or polymerized by irradiation with radiation is contained or introduced in the molecule of the thermoplastic resin.
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。Examples of the thermoplastic resin that can be modified into a radiation curable resin include vinyl chloride copolymers, saturated polyester resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, and fibrin derivatives.
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。Other resins that can be used for radiation-sensitive modification include polyfunctional polyester resins, polyetherester resins, polyvinylpyrrolidone resins and derivatives (PVP olefin copolymers), polyamide resins, polyimide resins, phenolic resins, spiroacetal resins, An acrylic resin containing at least one of a hydroxyl group-containing acrylic ester and methacrylic ester as a polymerization component is also effective.
このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の
膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。The film thickness of the organic protective coating layer 5 of such a radiation-curable compound is 0.1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm.
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。If the film thickness is less than 0.1 μm, a uniform film cannot be formed, the moisture-proof effect in an atmosphere with high humidity is not sufficient, and the durability of the magnetic thin film layer 4 is not improved. If it exceeds 30 μm, warpage of the recording medium or cracks in the protective film may occur due to shrinkage during curing of the resin film, which is not practical.
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。Such a coating film may be usually formed by combining various known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating and dipping. The layer forming conditions of the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of the coating film composition, the target coating film thickness, and the like.
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。In order to cure such a coating film to form a protective layer, the coating film may be irradiated with a radiation such as an electron beam or an ultraviolet ray.
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧10
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。When using an electron beam, the radiation characteristics are as follows: acceleration voltage 10
It is expedient to use a radiation accelerator of 0 to 750 KV, preferably 150 to 300 KV, and to irradiate it with an absorbed dose of 0.5 to 20 megarads.
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerization sensitizer is usually added to the above-mentioned radiation-curable compounds.
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。The photopolymerization sensitizer may be any conventionally known one, for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, benzoin series such as α-chlordeoxybenzoin, benzophenone, acetophenone, bisdialkylaminobenzophenone, etc. Examples thereof include ketones, quinones such as acetoraquinone and phenanthraquinone, and sulfides such as benzyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide.
The photopolymerization sensitizer is preferably in the range of 0.1 to 10% by weight based on the resin solid content.
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。Then, in order to cure the coating film containing such a photopolymerization sensitizer and the radiation-curable compound by ultraviolet rays, various known methods may be used.
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。For example, a UV bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.
このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層
６を介して保護板７が設けられる。A protective plate 7 is usually provided on the organic protective coat layer 5 with an adhesive layer 6 interposed therebetween.
すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。That is, the protective plate 7 is used in the case of so-called single-sided recording in which recording / reproduction is performed only from the back surface (surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided) of the substrate 2.
このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。The resin material of the protective plate 7 is not particularly required to have transparency, and various resins such as polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polypropylene,
Polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide,
Various types of thermoplastic resin such as polyvinylidene chloride, polycarbonate, polyacetal, fluororesin, phenol resin, urea resin, unsaturated polyester resin, polyurethane, alkyd resin, melamine resin, epoxy resin, silicon resin, etc. are used. It is possible.
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７
として用いてもよい。In addition, various inorganic materials such as glass and ceramic are used as the protective plate 7.
You may use as.
このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。The shape, dimensions, etc. of this product are substantially the same as those of the substrate 2 described above.
このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とさ
れる。Such a protective plate 7 is bonded via the adhesive layer 6 as described above. The adhesive layer is usually an adhesive such as a hot melt resin and has a film thickness of about 1 to 100 μm.
他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層31,35、有機保護コート層５等を有する基
板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層を内側にして
対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基板の
裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプ
としてもよい。さらに、これらの基板２や保護板７の裏
面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各種保護
膜としてのコーティングを行うことが好ましい。On the other hand, instead of using the protective plate 7, one set of substrates having the magnetic thin film layer 4, the protective layers 31 and 35, the organic protective coat layer 5 and the like is used, and both magnetic thin film layers are opposed to each other. Then, a so-called double-sided recording type may be used in which the adhesive layers 6 are used for bonding and writing is performed from the back surface side of both substrates. Further, it is preferable that the back surface of the substrate 2 or the protective plate 7 (the surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided) is coated with various protective films.
コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層５の材質と同様なものとしてもよい。The material of the coating may be the same as the material of the organic protective coating layer 5 described above.
Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層の上面および／または下
面に所定の組成からなる保護層を有する。V Effect of the Invention The optical recording medium of the present invention has a protective layer having a predetermined composition on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer.
従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性にきわめて優
れた効果を有する。Therefore, the medium of the present invention has extremely excellent durability and corrosion resistance.
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples of the present invention.
［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディス
クグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上に、
下記表１に示される種々の組成のガラス質からなる保護
層31を設層した。なお、設層に際しては、スパッタリン
グ法、場合により多元スパッタ法を用いた。膜厚は各サ
ンプルにつき全て800Åとした。[Example 1] On a substrate 2 made of a bisphenol A-based optical disc grade polycarbonate resin having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm,
A protective layer 31 made of glass having various compositions shown in Table 1 below was provided. In addition, when forming the layer, a sputtering method and, in some cases, a multi-source sputtering method were used. The film thickness was 800 Å for each sample.
このような保護層の上に21at％Tb、68at％Fe、7at％C
o、4at％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ80
0Åに設層し、磁性薄膜層４とした。21at% Tb, 68at% Fe, 7at% C on top of such a protective layer
o, 4at% Cr alloy thin film, thickness 80 by sputtering
A magnetic thin film layer 4 was formed by layering at 0Å.
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。The target used was an Fe target on which Tb, Co, and Cr chips were placed.
この磁性薄膜層４上に、さらに、種々の組成のガラス質
からなる保護層35を設層した。A protective layer 35 made of glass having various compositions was further formed on the magnetic thin film layer 4.
この保護層35は組成および膜厚は、所定のサンプルに用
いた保護層31のそれらと同様のものとした。The composition and film thickness of the protective layer 35 were the same as those of the protective layer 31 used for a predetermined sample.
この保護層35の上に、下記の放射線硬化型化合物を含む
塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナーコ
ートで設層した。On the protective layer 35, a coating composition containing the following radiation-curable compound was applied as an organic protective coat layer 5 by spinner coating.
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し
架橋硬化させ、硬化膜とした。(Coating composition) Polyfunctional oligoester acrylate 100 parts by weight Photosensitizer 5 parts by weight After applying such a coating composition, it was irradiated with ultraviolet rays for 15 seconds to be crosslinked and cured to obtain a cured film.
このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。In this way, various samples as shown in Table 1 below were prepared.
これについて下記の特性を測定した。For this, the following characteristics were measured.
（１）耐久性 ビートサイクルテスト‥‥IEC−２−38 （−10℃〜＋65℃、93％RH） 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。この条件の場合主に膜の剥離、クラック等
がビットエラーレートの増加に寄与していた。(1) Durability Beat cycle test IEC-2-38 (-10 ° C to + 65 ° C, 93% RH) The time at which the bit error rate doubled in the above acceleration test was measured. Under these conditions, film peeling and cracks mainly contributed to the increase in bit error rate.
（２）耐食性 高温高湿（60℃、90％RH）保存テスト 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。この条件の場合主に孔食（ピンホール）の
発生がビットエラーレートの増加に寄与していた。(2) Corrosion resistance High temperature and high humidity (60 ° C, 90% RH) storage test The time at which the bit error rate doubled in the above acceleration test was measured. Under this condition, the occurrence of pitting (pinhole) mainly contributed to the increase in bit error rate.
結果を表１に示す。The results are shown in Table 1.
［実施例２］ 実施例１のサンプル101（表１）において、磁性薄膜層
の組成を21at％Tb、72at％Fe、7at％Coとし、磁性薄膜
層４と保護層31との間に中間層としてZnSのスパッタ膜
（800Å厚）を形成した以外はサンプル101の場合と同様
にしてサンプル201を作製した。 [Example 2] In Sample 101 (Table 1) of Example 1, the composition of the magnetic thin film layer was 21 at% Tb, 72 at% Fe, and 7 at% Co, and an intermediate layer was formed between the magnetic thin film layer 4 and the protective layer 31. Sample 201 was prepared in the same manner as sample 101, except that a ZnS sputtered film (800 Å thickness) was formed.
このサンプル201について、上記の耐久性、耐食性の試
験を行った。This sample 201 was tested for durability and corrosion resistance as described above.
この結果、サンプル201の耐久性、耐食性は、それぞれ
サンプル101のものと同等であることが確認された。As a result, it was confirmed that the durability and corrosion resistance of sample 201 were the same as those of sample 101, respectively.
なお、このような効果は、相転移型のTe−Ge、TeOX、Te
−Se等の記録層でも同様に実現した。It should be noted that such effects are caused by the phase transition type Te-Ge, TeO X , Te
-The same was achieved with recording layers such as Se.
以上の結果より本発明の効果は明らかである。From the above results, the effect of the present invention is clear.
第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、２……基板 31,35……保護層、４……磁性薄膜層、 ５……有機保護コート層、６……接着剤層、 ７……保護板FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing an example of the present invention. Explanation of reference numerals 1 ... Magneto-optical recording medium, 2 ... Substrate 31,35 ... Protective layer, 4 ... Magnetic thin film layer, 5 ... Organic protective coat layer, 6 ... Adhesive layer, 7 ... Protective plate
Claims (1)
面および／または下面に、直接または中間層を介して保
護層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素と、酸化ホウ素と、酸化アルミニ
ウムと、アルカリ金属酸化物とROで示される金属酸化物
（Ｒは２価の金属元素）とを含有し、酸化ケイ素含有量
が40〜60wt％、アルカリ金属酸化物含有量が0.5〜10wt
％であることを特徴とする光記録媒体。1. An optical recording medium having a recording layer on a substrate and having a protective layer on the upper surface and / or the lower surface of the recording layer directly or via an intermediate layer, wherein the protective layer is silicon oxide. Contains boron oxide, aluminum oxide, an alkali metal oxide and a metal oxide represented by RO (R is a divalent metal element), the silicon oxide content is 40 to 60 wt%, the alkali metal oxide content Is 0.5-10wt
%, Which is an optical recording medium.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303224A JPH0766565B2 (en) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Optical recording medium |
| US07/133,876 US4849304A (en) | 1986-12-17 | 1987-12-16 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303224A JPH0766565B2 (en) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Optical recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155444A JPS63155444A (en) | 1988-06-28 |
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Family
ID=17918371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61303224A Expired - Fee Related JPH0766565B2 (en) | 1986-12-17 | 1986-12-19 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766565B2 (en) |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61303224A patent/JPH0766565B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS63155444A (en) | 1988-06-28 |
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