JPS62274726A - エツチングの終点検出方法 - Google Patents
エツチングの終点検出方法Info
- Publication number
- JPS62274726A JPS62274726A JP11730486A JP11730486A JPS62274726A JP S62274726 A JPS62274726 A JP S62274726A JP 11730486 A JP11730486 A JP 11730486A JP 11730486 A JP11730486 A JP 11730486A JP S62274726 A JPS62274726 A JP S62274726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- mhz
- end point
- intensity
- gas species
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JFMOYHBEGWPXBI-UHFFFAOYSA-N [C].[As] Chemical compound [C].[As] JFMOYHBEGWPXBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明α、ドライエッチ７グ方法に係り、特に半導体装
置装造工程で所望被エツチング材と下地膜材の主成分が
同じで、不純＃ＩＪ成分が異なるか、ｍ度が異なる場合
の、２層目社外面が現われるまでエツチングを行なう工
程に好適なエツチングの終点検出方法に関するものであ
る。
置装造工程で所望被エツチング材と下地膜材の主成分が
同じで、不純＃ＩＪ成分が異なるか、ｍ度が異なる場合
の、２層目社外面が現われるまでエツチングを行なう工
程に好適なエツチングの終点検出方法に関するものであ
る。
エッチ７グにおける終点検出方法にα、被エツチ７グ材
及び下地膜材、あるいａエツチングに起因する発光スペ
クトル強度変化、またに質量スペクトル強度変化により
検出する方法、るるいａ１被処理基板上に干渉光測定領
域を設置するか、回折因子パターンを設置したものに外
部より光を照射して、干渉光、回折光を測定し、所望エ
ツチング膜装置を検出する方法があるが、しかし、エツ
チング中のガス種の核磁気共鳴吸収線強度の変ｆヒを利
用した終点検出方法についてに配！［されていなかった
。特に所望被エツチング材と下地膜材の主成分が同じで
ある場合の、下地膜材表面が現われるまでエツチングを
行なう工程における容易かつ確実な終点検出方法框なか
った。
及び下地膜材、あるいａエツチングに起因する発光スペ
クトル強度変化、またに質量スペクトル強度変化により
検出する方法、るるいａ１被処理基板上に干渉光測定領
域を設置するか、回折因子パターンを設置したものに外
部より光を照射して、干渉光、回折光を測定し、所望エ
ツチング膜装置を検出する方法があるが、しかし、エツ
チング中のガス種の核磁気共鳴吸収線強度の変ｆヒを利
用した終点検出方法についてに配！［されていなかった
。特に所望被エツチング材と下地膜材の主成分が同じで
ある場合の、下地膜材表面が現われるまでエツチングを
行なう工程における容易かつ確実な終点検出方法框なか
った。
上記従来方法は、発光スペクトルまｒ−ｒｘ＊！にスペ
クトル強度測定方法において汀、プラズマ光の中に種々
の波長光が含まれるか、またに、反応及び生成ガス中に
種々の質量及びＩｌ！荷をもったガス種が含まれている
ため、スペクトルの分離を完全に行なうのが容易でない
こと、またエツチング面積Ｋ（ｂあるいにエツチング量
が少ない場合、あるいに、被エツチング材と下地膜材の
主成分が同じである場合にに、スペクトルの強度変化を
検出丁ることが困難になる問題がある。干渉光や回析光
強度変ｆヒからエツチング深ざを測定しながらエツチン
グする方法においてに、被処理基板上に測定用の領域や
時定パターンの設剪が必要となり、また、破処理基板毎
に、所定の位置に照射光が当たるような工夫も必要とな
る。また、被エツチング材膜厚の不定さが、そのまま、
エツチング深さの不確定さに反映される問題がある。
クトル強度測定方法において汀、プラズマ光の中に種々
の波長光が含まれるか、またに、反応及び生成ガス中に
種々の質量及びＩｌ！荷をもったガス種が含まれている
ため、スペクトルの分離を完全に行なうのが容易でない
こと、またエツチング面積Ｋ（ｂあるいにエツチング量
が少ない場合、あるいに、被エツチング材と下地膜材の
主成分が同じである場合にに、スペクトルの強度変化を
検出丁ることが困難になる問題がある。干渉光や回析光
強度変ｆヒからエツチング深ざを測定しながらエツチン
グする方法においてに、被処理基板上に測定用の領域や
時定パターンの設剪が必要となり、また、破処理基板毎
に、所定の位置に照射光が当たるような工夫も必要とな
る。また、被エツチング材膜厚の不定さが、そのまま、
エツチング深さの不確定さに反映される問題がある。
本発明の目的ζ、所望被エツチング材と下地膜材の主成
分が同じである場合においても、被処理基板に特定の細
工も行なわずに、所望被エツチング材と下地膜材に含有
される不純物元素の差異あるイに、ＩＩｋｌｆの差異を
利用したエツチングの終点検出方法を提供することにあ
る。
分が同じである場合においても、被処理基板に特定の細
工も行なわずに、所望被エツチング材と下地膜材に含有
される不純物元素の差異あるイに、ＩＩｋｌｆの差異を
利用したエツチングの終点検出方法を提供することにあ
る。
〔問題点を解決Ｔるための手段〕
上記目的は、少なくとも所望被エツチング材と下地膜材
を構成している元素あるいに含有不純物元素の核スピン
が零でない核種を少なくとも一攬以上含む場合ＶＣハ、
エツチング中のガス種の核磁気共鳴吸収線強度をモニタ
することで達成される。
を構成している元素あるいに含有不純物元素の核スピン
が零でない核種を少なくとも一攬以上含む場合ＶＣハ、
エツチング中のガス種の核磁気共鳴吸収線強度をモニタ
することで達成される。
上記着目する核種の天然存在比率が高く、磁気モーメン
ト償が、エッチセントに含まれる核種の磁気モーメント
値と異なる場合には、検出利得に大きくなる。
ト償が、エッチセントに含まれる核種の磁気モーメント
値と異なる場合には、検出利得に大きくなる。
観創丁べき核種が陽子数と中性子数の和が偶数とならな
い。Ｔなわち、核スピンが零とならないものに、ゼーマ
ン効果により、一定磁場内で核磁気共鳴吸収スペクトル
線（以下、ＮＭＲスペクトル線と力う）が得られる。所
望被エツチング材、″！！Ｔ−α下地膜材を構成してい
る原子あるいに含有不純物の原子穐に核スピンが零でな
いものがあると、エツチング中のガス種のＮＭＲスペク
トルを１ｕｌｌ定することにより、着目する核種に起因
したガス種濃度の時間変化を追跡出来る。例えば、着目
する核種が、ニッチセットに含まれる核種と異なり、所
望被エツチング材に含有されているものならばエツチン
グの終了と共に、着目する核種に起因したＮＭＲスペク
トル線の強度にζ、著しい減少変化が見られ、また、下
地膜材に着目する核種が含まれている場合には、所望被
エツチング材のエツチングの終了と共に、ＮＭＲスペク
トル線の強度にζ、著しい増大変化が見られる。このた
めエツチングの終点検出が可能となる。
い。Ｔなわち、核スピンが零とならないものに、ゼーマ
ン効果により、一定磁場内で核磁気共鳴吸収スペクトル
線（以下、ＮＭＲスペクトル線と力う）が得られる。所
望被エツチング材、″！！Ｔ−α下地膜材を構成してい
る原子あるいに含有不純物の原子穐に核スピンが零でな
いものがあると、エツチング中のガス種のＮＭＲスペク
トルを１ｕｌｌ定することにより、着目する核種に起因
したガス種濃度の時間変化を追跡出来る。例えば、着目
する核種が、ニッチセットに含まれる核種と異なり、所
望被エツチング材に含有されているものならばエツチン
グの終了と共に、着目する核種に起因したＮＭＲスペク
トル線の強度にζ、著しい減少変化が見られ、また、下
地膜材に着目する核種が含まれている場合には、所望被
エツチング材のエツチングの終了と共に、ＮＭＲスペク
トル線の強度にζ、著しい増大変化が見られる。このた
めエツチングの終点検出が可能となる。
尚、一般に核種が異なると共鳴周波数が異なるタメ、そ
のＮＭＲスペクトル線の出現位置も異なる。また、気相
中のＮＭＲスペクトル線１＠は狭いため、異核種間のス
ペクトル線の重なり０小さく検出利得に高い。そのため
、所望被エツチング材と下地膜材の主成分が同じであっ
ても、含有不純物の核種が異なるか、濃度が異なる場合
に框、該襖材層界面を境にして、エツチング中のガスの
ＮＭＲスペクトル線に框、強度変化が見られる。
のＮＭＲスペクトル線の出現位置も異なる。また、気相
中のＮＭＲスペクトル線１＠は狭いため、異核種間のス
ペクトル線の重なり０小さく検出利得に高い。そのため
、所望被エツチング材と下地膜材の主成分が同じであっ
ても、含有不純物の核種が異なるか、濃度が異なる場合
に框、該襖材層界面を境にして、エツチング中のガスの
ＮＭＲスペクトル線に框、強度変化が見られる。
従って、従来方法でに検出が不可能であったエツチング
材質系であっても、終点検出が可能となる。
材質系であっても、終点検出が可能となる。
以下、本発明を、酸化膜をマスクとして、シリコン基板
に下部Ｎ型埋込み層上まで深溝を形成Ｔるエッチフグ工
程に適用した例について、第１図に示Ｔ、纂］■ａ本発
明方法を適用したエツチング装置の模式図、エッチフグ
終了点における基板の一部断面図である第２図及び第３
■に示Ｔ層目する核種のＮＭＲスペクトル線強度のエツ
チング中のプロファイル寵を用いて説明する。
に下部Ｎ型埋込み層上まで深溝を形成Ｔるエッチフグ工
程に適用した例について、第１図に示Ｔ、纂］■ａ本発
明方法を適用したエツチング装置の模式図、エッチフグ
終了点における基板の一部断面図である第２図及び第３
■に示Ｔ層目する核種のＮＭＲスペクトル線強度のエツ
チング中のプロファイル寵を用いて説明する。
例えば、本発明の方法を用いたエツチング装置な、第１
図に示すように下部電極ｌと上部を極２を有する平行平
板型エツチング張１１３であり、下部電啄ｌ上には、酸
化膜をマスクとした下部Ｎ型埋込み層を有するシリコン
基板４を置載しである。
図に示すように下部電極ｌと上部を極２を有する平行平
板型エツチング張１１３であり、下部電啄ｌ上には、酸
化膜をマスクとした下部Ｎ型埋込み層を有するシリコン
基板４を置載しである。
このエツチング製型３円にガス導入管５を経て、例えば
四塩化炭素と酸素の混合ガスを約５〔ｍｔＺ分〕導入し
、Ｒ，Ｆ電源６によ！＞１３−６１３−６（の高周波を
印り口してエツチングを行なった。その際装＠３内のガ
スは、排気管７を経て、例えば、］ ０’ ＣＯ３の磁
場を有する核磁気共鳴スペクトル製電８内の試料室を通
過ぎせて排気を行ない、排気ガス中のＮＭＲスペクトル
線の測定を行なった。
四塩化炭素と酸素の混合ガスを約５〔ｍｔＺ分〕導入し
、Ｒ，Ｆ電源６によ！＞１３−６１３−６（の高周波を
印り口してエツチングを行なった。その際装＠３内のガ
スは、排気管７を経て、例えば、］ ０’ ＣＯ３の磁
場を有する核磁気共鳴スペクトル製電８内の試料室を通
過ぎせて排気を行ない、排気ガス中のＮＭＲスペクトル
線の測定を行なった。
被エツチングシリコン基板４の下部Ｎ型埋込み層にα例
えばア／チモン、Ｓｂが約Ｉ Ｑ” ［：ａｔｏｍｓ／
ｃｍ” ］ の濃關で含有されている。エツチング
が進行し・第２図に示したように、シリコン基板４中の
下部分離層１０に隣接した下＠Ｎ型埋込み層１１上まで
エツチングが進行すると、反応ガス及びエツチングによ
り生成したガス中にａ５ア／チモンの塩化物を主成分と
したガス種が存在し始める。天然存在確率５７．３［’
ｌ〕のアンチモン、１２１Ｓｂ核を含有したガス種の、
ＩＯ’ＣＧ］の磁場における共鳴スペクトル１ＩＪｎ
１０．２ ＣＭＨｚ ） の位賞に出現し、この近傍
周波数頭、９〜］’ｌ［ＭＨｚｌにおいてに、エッチセ
ントである四基ｒヒ炭素の１３Ｃに起因する線が１０．
７ （ＮＨｚ〕に出現した。この１３Ｃに起因した線強
度に対する、ＩＨ３ｂに起因した線強度に約２倍でめっ
た。
えばア／チモン、Ｓｂが約Ｉ Ｑ” ［：ａｔｏｍｓ／
ｃｍ” ］ の濃關で含有されている。エツチング
が進行し・第２図に示したように、シリコン基板４中の
下部分離層１０に隣接した下＠Ｎ型埋込み層１１上まで
エツチングが進行すると、反応ガス及びエツチングによ
り生成したガス中にａ５ア／チモンの塩化物を主成分と
したガス種が存在し始める。天然存在確率５７．３［’
ｌ〕のアンチモン、１２１Ｓｂ核を含有したガス種の、
ＩＯ’ＣＧ］の磁場における共鳴スペクトル１ＩＪｎ
１０．２ ＣＭＨｚ ） の位賞に出現し、この近傍
周波数頭、９〜］’ｌ［ＭＨｚｌにおいてに、エッチセ
ントである四基ｒヒ炭素の１３Ｃに起因する線が１０．
７ （ＮＨｚ〕に出現した。この１３Ｃに起因した線強
度に対する、ＩＨ３ｂに起因した線強度に約２倍でめっ
た。
１２１Ｓｂに起因しｅ ］ ０．２ （ＭＨｚ 〕ＩＦ
Ｍに着目し、下部Ｎ型埋込み層を貫くまでエツチングし
た際の、ＮＭＲスペクトル強度の時間変化プロファイル
を第３図に示した。第３図において、Ｉｄ検出強度ｔζ
時間、ｓｒｉエッチ／グ開始時点、Ｅα下部Ｎ型埋込み
１脅上までエツチングが達した時点、Ｆｒｉ下ｉ下型Ｎ
型埋込を貫いた時点を示している。
Ｍに着目し、下部Ｎ型埋込み層を貫くまでエツチングし
た際の、ＮＭＲスペクトル強度の時間変化プロファイル
を第３図に示した。第３図において、Ｉｄ検出強度ｔζ
時間、ｓｒｉエッチ／グ開始時点、Ｅα下部Ｎ型埋込み
１脅上までエツチングが達した時点、Ｆｒｉ下ｉ下型Ｎ
型埋込を貫いた時点を示している。
−！り、酸化膜上のリンガラスをフロロホルムを用いて
エツチングＴる際にも実施したが、天然存在比１００（
％〕 でらるりン、３１ｐに起因した共鳴線である１
７．２ ［ＭＨｚ〕の強度化を追跡した所、リンガラス
のエツチングが終了した時点で著しい強度減少が見られ
た。
エツチングＴる際にも実施したが、天然存在比１００（
％〕 でらるりン、３１ｐに起因した共鳴線である１
７．２ ［ＭＨｚ〕の強度化を追跡した所、リンガラス
のエツチングが終了した時点で著しい強度減少が見られ
た。
このように、本実施例によれば、従来方法において框、
はぼ不可能であった。同主取分材２層界面上におけるエ
ツチングの終点検出が高感度でかつ高利得に可能となっ
た。
はぼ不可能であった。同主取分材２層界面上におけるエ
ツチングの終点検出が高感度でかつ高利得に可能となっ
た。
なお、上記実施列において、観測する核種にＩＨＳｉ）
と３１ｐを用いたが、もちろん、他の核スピンが零でな
い核種を用いても良い。
と３１ｐを用いたが、もちろん、他の核スピンが零でな
い核種を用いても良い。
本発明である核磁気共鳴スペクトルを用いた方法でに、
核のスピンが零でなく、かつ、天然存在比の高い核種が
、所望被エツチング材か下地膜材、あるいにエッチセン
トに含まれることが必要であるが、一般的に用いられる
基板材あるいに膜材に限っても、含有される元素、Ｓｉ
、 Ｏ，Ｎ、 Ｐ、 Ｂ。
核のスピンが零でなく、かつ、天然存在比の高い核種が
、所望被エツチング材か下地膜材、あるいにエッチセン
トに含まれることが必要であるが、一般的に用いられる
基板材あるいに膜材に限っても、含有される元素、Ｓｉ
、 Ｏ，Ｎ、 Ｐ、 Ｂ。
Ａｔ、 Ｎｏ 、 Ｗ等はとんどの元素は上記必要条件
を満たした核種を有しており・モニタ種としての不都合
に生じない。また、一般に核種が異なると共鳴周波数に
異なり、ガス状襲、における共鳴線幅も狭いため、核磁
気共鳴スペクトル線強度の検出槽ｌｆｔ’ｆｆ高いもの
になる。従って、これを用いたエツチングの終点検出の
利得な高くなり、同左成分材２層膿系にやけるエツチン
グにおいてσえも終点放出が可能となる効果がある。
を満たした核種を有しており・モニタ種としての不都合
に生じない。また、一般に核種が異なると共鳴周波数に
異なり、ガス状襲、における共鳴線幅も狭いため、核磁
気共鳴スペクトル線強度の検出槽ｌｆｔ’ｆｆ高いもの
になる。従って、これを用いたエツチングの終点検出の
利得な高くなり、同左成分材２層膿系にやけるエツチン
グにおいてσえも終点放出が可能となる効果がある。
第１図ａ本発明のエツチング終点検出方法を実施する製
雪構造の模式図、第２図は第１■のエツチング終了時に
おける基板の断面図、第３図は第１図の核磁気共鳴スペ
クトル線強度のプロファイル図である。
雪構造の模式図、第２図は第１■のエツチング終了時に
おける基板の断面図、第３図は第１図の核磁気共鳴スペ
クトル線強度のプロファイル図である。
Claims (1)
- １、エッチング中の反応ガス種の核磁気共鳴吸収線強度
変化をモニタすることを特徴としたエッチングの終点検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730486A JPS62274726A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチングの終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730486A JPS62274726A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチングの終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274726A true JPS62274726A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14708437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11730486A Pending JPS62274726A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチングの終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274726A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038788A3 (en) * | 2002-10-24 | 2004-08-19 | Lam Res Corp | Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films |
| EP1605493A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-14 | HELYSSEN S.à.r.l. | Plasma processing control |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11730486A patent/JPS62274726A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038788A3 (en) * | 2002-10-24 | 2004-08-19 | Lam Res Corp | Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films |
| US6908846B2 (en) | 2002-10-24 | 2005-06-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films |
| EP1605493A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-14 | HELYSSEN S.à.r.l. | Plasma processing control |
| WO2005122209A3 (en) * | 2004-06-07 | 2006-03-30 | Helyssen Sarl | Plasma processing control |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6972840B1 (en) | Method of reducing process plasma damage using optical spectroscopy | |
| Welton-Cook et al. | A LEED study of the MgO (100) surface: identification of a finite rumple | |
| US7898280B2 (en) | Electrical characterization of semiconductor materials | |
| Riis et al. | Lamb shifts and hyperfine structure in Li+ 6 and Li+ 7: Theory and experiment | |
| TWI593020B (zh) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| Marquardt et al. | Radiation-induced defect centers in thermally grown oxide films | |
| Bourgoin et al. | On amorphous layer formation in silicon by ion implantation | |
| JPS62274726A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| JPH03181129A (ja) | エッチングの終点検知方法 | |
| Kapoor et al. | Energy distribution of electron-trapping centers in low pressure chemically vapor-deposited Si3N4 films | |
| JP3415074B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法およびその装置 | |
| Blayo et al. | Comparison of advanced plasma sources for etching applications. IV. Plasma induced damage in a helicon and a multipole electron cyclotron resonance source | |
| JP3258852B2 (ja) | ドライエッチング装置の異常検出方法 | |
| JPH113923A (ja) | 半導体のサブミクロンシリコン表面層の金属汚染物質の検出方法 | |
| US20210307151A1 (en) | Air Leak Detection In Plasma Processing Apparatus With Separation Grid | |
| Jastram | CDMS detector fabrication improvements and low energy nuclear recoil measurements in germanium | |
| Geraghty et al. | RIE-Induced Damage to Single Crystal Silicon Monitored with Nondestructive Thermal Waves | |
| JP2931943B2 (ja) | ウェーハの平坦度測定方法および平坦度測定装置 | |
| JPS61239620A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| Mendz et al. | Electrically active paramagnetic centres at Si-SiO 2 interfaces | |
| Busta et al. | Ellipsometric end point detection during plasma etching | |
| Khaliel et al. | HNPS Advances in Nuclear Physics | |
| Stacey et al. | Using surface charge analysis to characterize the radiation response of Si/SiO/sub 2/structures | |
| Huang et al. | Extended chamber matching and repeatability study for chrome etch | |
| JPS6118133A (ja) | Ｒｉｅにおける終点検出方法及び装置 |