JPS62274645A - Lead frame and electronic device using the same - Google Patents
Lead frame and electronic device using the sameInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、面実装型のトランジスタ等に多目的に利用し
得るリードフレーム、及び上記リードフレームを使用す
るトランジスタ等の電子装置に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention provides a lead frame that can be used for multiple purposes such as surface-mounted transistors, and a transistor etc. using the lead frame. Related to electronic devices.
トランジスタ、半導体集積回路（以下においてＩＣとい
う）等の電子装置は、次第に小型化されつつある。特に
超高周波デバイスでは、超小型パッケージの要求が強く
、各種のパッケージが開発されている。「電子材料Ｊ（
１９’８５年５月号、発行所工業調査会、ｐｐ ８１〜
８３）には、上記電子装置の各種パッケージが記載され
ている。その概要は、半導体面実装部品にミニモールド
凰があり、外観が角形またはそれに準じたモールドタイ
プで端子が外側に３〜４本出ているものであり、トラン
ジスタやダイオードに適用されているものである。Electronic devices such as transistors and semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as ICs) are becoming increasingly smaller. Especially for ultra-high frequency devices, there is a strong demand for ultra-small packages, and various packages are being developed. “Electronic Materials J (
May 19'85 issue, Kogyo Kenkyukai, pp 81~
83) describes various packages for the electronic device. The general outline is that the semiconductor surface mount component has a mini-mold shape, has a rectangular or similar molded appearance, and has 3 to 4 terminals protruding outside, and is applied to transistors and diodes. be.
本発明者は、上記ミニモールド型電子装置に用いられる
リードフレームの互換性について検討した。The present inventor studied the compatibility of lead frames used in the above-mentioned mini-mold type electronic device.
以下は、公知とされた技術ではないが、本発明者によっ
て検討された技術であり、その概要は次のとおりである
。Although the following is not a publicly known technique, it is a technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.
第５図はミニモールド型バイポーラトランジスタに使用
されるリードフレームの一例を示スモのであり、点線は
フレーム部を示し、リード部品１の一端には半導体チッ
プ２の固定部１ａが形成されている。リード部品３はエ
ミッタ又はペースとして使用されるものであり、リード
部品４はペース又はエミッタとして使用されるものであ
る。モして５は封止体によって封止されたときの大きさ
を示すものである。６はワイヤを示しチップ上に形成さ
れた電極とリード３，４とを電気的に接続するために設
けられている。FIG. 5 shows an example of a lead frame used in a mini-mold bipolar transistor, where the dotted line indicates a frame portion, and a fixing portion 1a for a semiconductor chip 2 is formed at one end of the lead component 1. Lead component 3 is used as an emitter or pace, and lead component 4 is used as a pace or emitter. 5 indicates the size when sealed by the sealing body. Reference numeral 6 indicates a wire, which is provided to electrically connect the electrodes formed on the chip and the leads 3 and 4.
上記リードフレーム構造によれば、リード部３を接地し
た場合、リード部１，４間の磁気的絶縁が向上するので
、高周波用に好適となる。According to the lead frame structure described above, when the lead part 3 is grounded, the magnetic insulation between the lead parts 1 and 4 is improved, so it is suitable for high frequency applications.
一方、第６図はデュアルゲー）ＭＯＳＦＥＴに使用され
るリードフレームの一例を示すものである。点線はフレ
ーム部を示し、リード部品１１はソースとして使用され
、ＭＯ３半導体チップ１２を固定するための固定部１１
ａが形成されている。On the other hand, FIG. 6 shows an example of a lead frame used in a dual-gate MOSFET. The dotted line indicates the frame part, the lead component 11 is used as a source, and the fixing part 11 is used to fix the MO3 semiconductor chip 12.
a is formed.
またリード部品１３．１４はゲートとして使用されてよ
（、リード部品１５はドレインとして使用されてよい。Lead parts 13, 14 may also be used as gates (and lead parts 15 may be used as drains).
しかし、本発明者の検討によると、上記各リードフレー
ムは、次のような問題点を有していることが判明した。However, according to studies conducted by the present inventors, it has been found that each of the lead frames described above has the following problems.
上記した第５図、第６図に示すリードフレームは、それ
ぞれバイポーラトランジスタ、ＭＯ８ＦＥＴ専用であっ
て互換性がない。The lead frames shown in FIGS. 5 and 6 described above are designed exclusively for bipolar transistors and MO8FETs, respectively, and are not compatible with each other.
すなわち、第５図に示すリードフレームにＭＯ８ＦＥＴ
１２を固定すると、ソースが一本になって高周波特性が
悪化する一因になる。That is, MO8FET is installed in the lead frame shown in FIG.
If 12 is fixed, there will be only one source, which will be a factor in deteriorating high frequency characteristics.
上記理由からバイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ用
の２種類のリードフレームを準備する必要があり、リー
ドフレームの製造、在庫管理等に手間がかかり、これら
がコスト高の一因になりていることが、本発明者の検討
によって明らかにされた。For the above reasons, it is necessary to prepare two types of lead frames for bipolar transistors and MOSFETs, and it takes time and effort to manufacture lead frames, inventory management, etc., and this contributes to high costs. This was revealed through a review by a person.
本発明の目的は、バイポーラトランジスタやＭＯＳＦＥ
Ｔに共用し得るリードフレームを提供し、かつこのリー
ドフレームを使用して高周波特性の良好な電子装置を提
供することにある。The purpose of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a lead frame that can be shared by T, and to provide an electronic device with good high frequency characteristics using this lead frame.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書および添付図面から明らかになるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the present specification and the accompanying drawings.
−本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。- A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、一対のフレーム部品に、１個のリード部品の
ほぼ中央部を幅広の形状となし半導体チップ第１固定部
（タブ）を形成し、両端部を外部接続端子とする第１の
リード部品を形成する。更に、一端が幅広の形状で半導
体チップ第２固定部（タブ）となり他端部が外部接続端
子となる第２のリード部と、一端が半導体チップにワイ
ヤを介して接続され他端部が外部接続端子となる第３の
リード部品を上記第１のリード部品を介して互いに対抗
する位置に一体く形成するものである。That is, a first lead component is formed in a pair of frame components, with a semiconductor chip having a first fixing portion (tab) formed by making the substantially central portion of one lead component into a wide shape, and both ends serving as external connection terminals. Form. Furthermore, there is a second lead part with one end having a wide shape and serving as a second semiconductor chip fixing part (tab) and the other end serving as an external connection terminal, and a second lead part with one end connected to the semiconductor chip via a wire and the other end serving as an external connection terminal. Third lead components serving as connection terminals are integrally formed at positions facing each other with the first lead component interposed therebetween.
また、トランジスタ等の電子装置の形成に際しては、上
記第１のリード部品に形成された半導体チップの固定部
、または上記第２のリード部品に形成された半導体チッ
プの固定部にバイポーラトランジスタ用の半導体チップ
、或いはＭＯＳＦＥＴ用の半導体チップを固定し、１個
のリードフレームを利用して機能の異なる電子装置を得
るもの−である。In addition, when forming an electronic device such as a transistor, a semiconductor chip for a bipolar transistor is attached to a fixing portion of a semiconductor chip formed on the first lead component or a fixing portion of a semiconductor chip formed on the second lead component. In this method, a chip or a semiconductor chip for MOSFET is fixed, and electronic devices with different functions are obtained using one lead frame.
７、ｅ作用〕
上記した手段によれば、第１のリード部品に形成された
半導体チップ固定部にＭＯＳＦＥＴ用の半導体チップを
固定し、例えばダブルソースの高周波特性の優れたＭＯ
Ｓトランジスタを得ることができ、更に第２のリード部
品に形成された半導体チップ固定部にバイポーラトラン
ジスタ用の半導体チップを固定してダブルペース、ダブ
ルエミッタの高周波特性の優れたバイポーラトランジス
タを得ることができ、１個のリードフレームを多目的に
利用し、かつ高周波特性の良好な電子装置を得るという
、本発明の目的を達成することができる。7. Effect] According to the above-described means, a semiconductor chip for MOSFET is fixed to the semiconductor chip fixing portion formed on the first lead component, and a MOSFET semiconductor chip is fixed to the semiconductor chip fixing part formed on the first lead component,
In addition, by fixing a semiconductor chip for a bipolar transistor to the semiconductor chip fixing portion formed on the second lead component, it is possible to obtain a double-pace, double-emitter bipolar transistor with excellent high-frequency characteristics. This makes it possible to achieve the object of the present invention, which is to use one lead frame for multiple purposes and to obtain an electronic device with good high frequency characteristics.
以下、第１図〜第４図を参照して本発明を適用した多目
的リードフレームと電子装置の一実施例を説明する。な
お、第１図はリードフレームの平面図、第２図は斜視図
、第３図はリード部品と半導体チップの固定とを示す平
面図、第４図は電子装置の斜視図を示すものである。Hereinafter, an embodiment of a multipurpose lead frame and an electronic device to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1 to 4. Note that FIG. 1 is a plan view of the lead frame, FIG. 2 is a perspective view, FIG. 3 is a plan view showing fixing of lead components and semiconductor chips, and FIG. 4 is a perspective view of the electronic device. .
本実施例の特徴は、１個のリードフレームを多目的に利
用し得るように構成したことにある。The feature of this embodiment is that one lead frame is configured so that it can be used for multiple purposes.
リードフレームの説明にあたっては、第１図および第２
図を参照しつつ説明する。When explaining the lead frame, please refer to Figures 1 and 2.
This will be explained with reference to the figures.
２１．２２は外枠であり、いわゆるフレームに相当する
。そしてフレーム２２．２３と一体に、下記の如き第１
から第３のリード部品が形成されている。21 and 22 are outer frames, which correspond to so-called frames. And integrally with frames 22 and 23, the first
A third lead component is formed from.
２３は本発明でいう第１のリード部品に相当し、ほぼ中
央部は幅広に形成されて本発明でいう半導体チップの第
１固定部２３ａになっている。２４は本発明でいう第２
のリード部品に相当し、一端は幅広に形成されて本発明
でいう半導体チップの第２固定部２４ａになっている。The reference numeral 23 corresponds to a first lead component as used in the present invention, and the substantially central portion thereof is formed wide and serves as a first fixing portion 23a of the semiconductor chip as referred to in the present invention. 24 is the second term in the present invention
One end is formed wide and serves as the second fixing part 24a of the semiconductor chip in the present invention.
２５は本発明でいう第３のリード部品であり、上記の如
き半導体チップの固定部は形成されておらず、全体が外
部接続端子となる。Reference numeral 25 denotes the third lead component according to the present invention, in which the semiconductor chip fixing part as described above is not formed, and the entire part serves as an external connection terminal.
そして第１図に示す仮想線は、封止体（図示せず）によ
って封止されたときの大きさ、換言すれば封止体の外形
を示すものであり、封止体から外側が外部接続端子にな
る。The imaginary line shown in Fig. 1 indicates the size when sealed with a sealing body (not shown), in other words, the outline of the sealing body, and the outside from the sealing body indicates the external connection. Becomes a terminal.
なお、上記リードフレームは一枚の薄い銅板等にプレス
加工により形成されるものであり、実際には一枚の銅板
に多数のリードが形成されるものである。上記第１図お
よび第２図は説明の便宜のため、そのうちの一部につい
て図示した。Note that the lead frame is formed by press working on a single thin copper plate, and in reality, a large number of leads are formed on a single copper plate. For convenience of explanation, FIGS. 1 and 2 above only show a portion thereof.
上記構造のリードフレームにおいて、第１のリード部品
２３に形成された半導体チップの固定部２３ａと、第２
のリード部品２４に形成された半導体チップ固定部２４
ａとに半導体チップを固定することができる。上記固定
部２３ａ＋ ２４ａに固定される半導体チップは、上記
リードフレームが使用される電子装置によって選択され
るものであり、その使用形態九ついては第３図及び第４
図について以下に説明する。In the lead frame having the above structure, the semiconductor chip fixing portion 23a formed on the first lead component 23 and the second
A semiconductor chip fixing portion 24 formed on a lead component 24 of
A semiconductor chip can be fixed to a. The semiconductor chips to be fixed to the fixing parts 23a+24a are selected depending on the electronic device in which the lead frame is used, and the manner of use thereof is shown in FIGS.
The figures will be explained below.
すなわち、上記リードフレームをバイポーラトランジス
タに使用する場合は、第３図に実線で示すように半導体
チップ人を固定部２４ａに固定する。そして半導体チッ
プ人のペース端子と例えばリード部品２３、チップ人の
エミッタ端子と例えばリード部品２５とをワイヤ５Ａ、
５Ａを介して接続する。そしてリード部品２４はコレク
タとなる。That is, when the lead frame is used for a bipolar transistor, the semiconductor chip is fixed to the fixing portion 24a as shown by the solid line in FIG. Then, the semiconductor chip's pace terminal and, for example, the lead component 23, and the chip's emitter terminal and, for example, the lead component 25 are connected to the wire 5A,
Connect via 5A. The lead component 24 then becomes a collector.
上記接続が行われ、封止体３０によって仮想線に示すよ
５に封止された後、フレーム２１ 、２２が切断される
。そして第４図に示す如き、面実装型のトランジスタＱ
が完成する。After the above connection is made and the sealing body 30 seals 5 as shown by the imaginary line, the frames 21 and 22 are cut. Then, as shown in Fig. 4, a surface-mounted transistor Q
is completed.
なお、上記接続では、ペースがダブルペースになり、リ
ード部品２３０両端を接地すると、トランジスタＱのア
ースインピーダンスが低下する。Note that in the above connection, the pace becomes a double pace, and when both ends of the lead component 230 are grounded, the ground impedance of the transistor Q is lowered.
リード部品２４．．２５間はリード部品２３によって恰
も磁気的に遮蔽されたようになり、リード部品２４．２
５間における信号漏洩が低減される。Lead parts 24. ．． 25 appears to be magnetically shielded by the lead component 23, and the lead component 24.2
Signal leakage between 5 and 5 is reduced.
したがって、高周波特性が向上する。Therefore, high frequency characteristics are improved.
また、リード部品２３には、半導体チップ人のエミッタ
を接続してもよ〜・。Also, the emitter of the semiconductor chip may be connected to the lead component 23.
この場合、トランジスタＱはダブルエミッタとなり、リ
ード部品２３を接地することにより、アースインピーダ
ンスの低下したエミッタ接地を行うことができる。また
、リード部品２４．２５間の磁気的遮蔽効果も上記同様
に得られる。In this case, the transistor Q becomes a double emitter, and by grounding the lead component 23, emitter grounding with reduced earth impedance can be achieved. Furthermore, the magnetic shielding effect between the lead components 24 and 25 can be obtained in the same manner as described above.
すなわち、上記リードフレームは２種類のバイポーラト
ランジスタに使用することができる。That is, the above lead frame can be used for two types of bipolar transistors.
ここで注目すべきは、上記リードフレームの利用範囲が
極めて広（、上記バイポーラトランジスタ以外にも利用
し得ることである。What should be noted here is that the lead frame can be used in a very wide range of applications (it can be used for things other than the bipolar transistors mentioned above).
次にＭＯＳＦＥＴへの利用を説明する。Next, the use for MOSFET will be explained.
この場合、第１のリード部品２３の固定部２３ａに図中
点線で示すＭＯＳＦＥＴ用の半導体チップＢを固定する
。そして半導体チップＢのドレイン端子をリード部品２
４、またはリード部品２５にワイヤ６人を介して接続す
る。また、半導体チップＢのゲート端子をリード部品２
４、またはリード部品２５にワイヤ６人を介して接続す
る。In this case, a semiconductor chip B for MOSFET shown by a dotted line in the figure is fixed to the fixing portion 23a of the first lead component 23. Then lead component 2 to the drain terminal of semiconductor chip B.
4, or connect to the lead part 25 through six wires. In addition, the gate terminal of semiconductor chip B is connected to lead component 2.
4, or connect to the lead part 25 through six wires.
そして上記のように封止体３０によって封止し、フレー
ム２１．２２を切断することにより、第４図に示す如き
外形のＭＯＳＦＥＴが完成する。Then, by sealing with the sealing body 30 as described above and cutting the frames 21 and 22, a MOSFET having an external shape as shown in FIG. 4 is completed.
上記バイポーラトランジスタＱ、ＭＯ８ＦＥＴにおいて
は、封止体外に出ている外部接続端子が平板状であり、
しかも封止体の底面とほぼ同一平面になっているので、
実装時に面付は実装が可能になる。更に赤外線リフロー
等により、実装作業を自動化することもできる。In the above-mentioned bipolar transistor Q and MO8FET, the external connection terminal protruding outside the sealing body is in the form of a flat plate,
Moreover, since it is almost flush with the bottom of the sealing body,
Imposition can be implemented at the time of implementation. Furthermore, the mounting work can be automated using infrared reflow or the like.
上記構造のＭＯ３Ｆ′ＥＴによれば、ソースを接地する
ことにより、アースインピーダンスを低下せしめること
ができ、更にリード部品２４．２５間を上記同様に磁気
的に遮蔽することができる。According to the MO3F'ET having the above structure, by grounding the source, the earth impedance can be lowered, and furthermore, the lead parts 24 and 25 can be magnetically shielded in the same manner as described above.
上記リードフレームおよびそれを用いた電子装置は、下
記の如き効果を奏する。The lead frame and the electronic device using the lead frame have the following effects.
（１）上記の如（、第１および第２のリード部品にそれ
ぞれ半導体チップを固定する固定部を設け、上記第１の
リード部品を介して互いに対抗する位置に上記第２のリ
ード部品と第３のリード部品とを形成することＫより、
上記２個所の半導体チップの固定部にバイポーラ用の半
導体チップ、或いはＭＯＳＦＥＴ用の半導体チップを固
定してバイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴを得るこ
とができ、１個のリードフレームを多目的に利用する、
という効果が得られる。(1) As described above, a fixing part for fixing a semiconductor chip is provided on each of the first and second lead components, and the second lead component and the second lead component are positioned opposite each other via the first lead component. From K, forming the lead parts of 3.
A bipolar transistor or a MOSFET can be obtained by fixing a bipolar semiconductor chip or a MOSFET semiconductor chip to the two semiconductor chip fixing parts, and one lead frame can be used for multiple purposes.
This effect can be obtained.
（２）上記（１）により、電子装置に対応した多種類の
リードフレームを準備する必要がなく、大幅なコスト低
減が可能になる。(2) According to (1) above, there is no need to prepare many types of lead frames compatible with electronic devices, making it possible to significantly reduce costs.
（３）上記第１のリード部品は、第２および第３のリー
ド部品の間に所定間隔を以て配置されているので、この
第１のリード部品を接地することＫより、上記第２およ
び第３のリード部品を磁気的に遮蔽することができ、上
記第２および第３のリード部品間の信号漏洩を低減する
、という効果が得られる。(3) Since the first lead component is arranged with a predetermined interval between the second and third lead components, by grounding the first lead component, the second and third lead components It is possible to magnetically shield the lead components, thereby reducing signal leakage between the second and third lead components.
（４）上記（３）Ｋより、電子装置の高周波特性が良好
になる、という効果が得られる。(4) The effect of (3) K above is that the high frequency characteristics of the electronic device are improved.
（５）上記（１）（２）により、リードフレームと電子
装置の規格化が容易になる、という効果が得られる。(5) According to (1) and (2) above, it is possible to obtain the effect that standardization of lead frames and electronic devices is facilitated.
以上に１本発明者によってなされた発明を実施例にもと
づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on examples above, the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
例えば、第２のリード部品に形成された固定部は第３の
リード部品に形成してもよい。この場合、第１のリード
部品に形成される固定部は、第２のリード部品よりに形
成される。For example, the fixing portion formed on the second lead component may be formed on the third lead component. In this case, the fixing portion formed on the first lead component is formed on the second lead component.
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるリードフレームと
電子装置に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えば超高周波用のＭＯＳＦＥ
Ｔ、ガリュウムひ素を半導体基板とするＦＥＴ、バイポ
ーラトランジスタに利用することができる。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to lead frames and electronic devices, which are the background fields of application, but the invention is not limited thereto. MOSFE
It can be used in FETs and bipolar transistors using T, gallium arsenide as semiconductor substrates.
更に、ダイオードにも利用することができる。Furthermore, it can also be used as a diode.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、両端部が封止体外において外部接続端子とな
る第１のリード部品のほぼ中央部に半導体チップの固定
部を形成するとともに、この第１のリード部品を介して
互いに対抗する位置に第２および第３のリード部品を形
成し、そのうちの一方、例えば第２のリード部品の一端
に半導体チップの固定部を形成して、上記２の固定部に
バイポーラトランジスタ、或いはＭＯＳＦＥＴ用の半導
体チップを固定し、１のリードフレームを多目的に利用
して所望の電子装置を得るとともに、上記第１のリード
部品を接地して第２および第３のリード部品間の磁気的
な信号漏洩を低減するようにしたものである。That is, a semiconductor chip fixing part is formed approximately at the center of a first lead component whose both ends serve as external connection terminals outside the sealing body, and a second lead component is formed at a position facing each other via this first lead component. and a third lead component, for example, a semiconductor chip fixing part is formed at one end of the second lead component, and a bipolar transistor or MOSFET semiconductor chip is fixed to the second fixing part. The first lead frame is used for multiple purposes to obtain a desired electronic device, and the first lead component is grounded to reduce magnetic signal leakage between the second and third lead components. This is what I did.
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示すものであり、
第１図はリードフレームの一実施例を示す要部の平面図
、
第２図は上記リードフレームの形状を示す斜視図、
第３図はリード部品と半導体チップとの固定を示す平面
図、
第４図は電子ｖｃ置の一例を示す斜視図をそれぞれ示す
ものであり、
第５図及び第６図は本発明に先立って検討されたリード
フレームの各側を示すものである。
”、
・Ａ、Ｂ・・・半導体チップ、Ｑ・・・電子装置ｔ（ｈ
ラン″ジスタ）、２３，２４．２５・・・リード部品、
２３ａ・・・第１固定部、２４ａ・・第２固定部、３０
・・・封止体、６Ａ、６Ｂ・・・ワイヤ。
代３１Ａ ＊″１ ′］゛ ノ′１ ″ 男 ７″
）＼、−′・
第 １ 図
フ／
第 ２ 図
２３〜２５ − リート“邪ｖ”０
２ｊｅｙ−”−２４ｃｚ−−４’４イ、ｆ？、、フ、、
（７）９Ｌ８第 ３ 図
第 ４ 図
ペ − トう〉已゛′″クノ1 to 4 show one embodiment of the present invention, FIG. 1 is a plan view of essential parts showing one embodiment of the lead frame, and FIG. 2 is a perspective view showing the shape of the lead frame. 3 is a plan view showing the fixing of a lead component and a semiconductor chip, FIG. 4 is a perspective view showing an example of an electronic VC device, and FIGS. 5 and 6 are diagrams showing the present invention. Figure 2 shows each side of the lead frame previously considered. ", ・A, B...semiconductor chip, Q...electronic device t(h
23, 24, 25... lead parts,
23a...first fixing part, 24a...second fixing part, 30
...Sealing body, 6A, 6B...Wire. 31A *″1 ′] ゛ ノ′1 ″ Male 7″
)＼、-′・ 1st Figure F/ 2nd Figures 23-25 - Rit “evil v”0 2jey-”-24cz--4'4i, f?,,fu,,
(7) 9L8 Figure 3 Figure 4 page
Claims (1)
１固定部に連続する複数の第１のリード部品と、上記第
１固定部に近接した部品に半導体チップを固定するため
の第２固定部を有する第２のリード部品と、上記第１の
リード部品を介し上記第２のリード部品に対し互いに対
向する位置に配置された外部接続端子専用となる第３の
リード部品と、を具備するリードフレーム。 ２、ほぼ中間部に半導体チップを固定するための第１固
定部と、上記第１固定部に連続する複数の第１のリード
部品と、上記第１固定部に近接した部分に半導体チップ
を固定するための第２固定部を有する第２のリード部品
と、上記第１のリード部品を介し上記第２のリード部品
に対し互いに対向する位置に配置された外部接続端子専
用となる第３のリード部品と、上記第１固定部及び第２
固定部の何れか一方に固定された半導体チップと、上記
半導体チップと上記第１又は第２リード部品のいずれか
一つの間及び上記半導体チップと上記第３リード部品間
を電気的に接続するワイヤをそれぞれ具備したことを特
徴とする電子装置。[Scope of Claims] 1. A first fixing part for fixing a semiconductor chip, a plurality of first lead parts continuous to the first fixing part, and a semiconductor chip attached to a part adjacent to the first fixing part. a second lead component having a second fixing portion for fixing; and a third lead component exclusively for external connection terminals disposed at positions facing each other with respect to the second lead component via the first lead component. A lead frame comprising a lead component. 2. A first fixing part for fixing the semiconductor chip approximately in the middle part, a plurality of first lead parts continuous to the first fixing part, and fixing the semiconductor chip to a part close to the first fixing part. a second lead component having a second fixing part for connecting the lead component to the second lead component; and a third lead dedicated to an external connection terminal disposed at a position facing the second lead component via the first lead component. parts, and the first fixing part and the second fixing part.
A wire that electrically connects a semiconductor chip fixed to either one of the fixing parts, and between the semiconductor chip and any one of the first or second lead components, and between the semiconductor chip and the third lead component. An electronic device characterized by comprising the following.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117249A JPS62274645A (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Lead frame and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117249A JPS62274645A (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Lead frame and electronic device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274645A true JPS62274645A (en) | 1987-11-28 |
Family
ID=14707082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117249A Pending JPS62274645A (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Lead frame and electronic device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274645A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| US5155575A (en) * | 1990-01-31 | 1992-10-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Chip carrier for a microwave semiconductor component |
| EP3787019A4 (en) * | 2018-04-25 | 2021-05-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Shared base plate and semiconductor module provided with same |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61117249A patent/JPS62274645A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| US5155575A (en) * | 1990-01-31 | 1992-10-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Chip carrier for a microwave semiconductor component |
| EP3787019A4 (en) * | 2018-04-25 | 2021-05-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Shared base plate and semiconductor module provided with same |
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