JPS622686B2 - - Google Patents
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- JPS622686B2 JPS622686B2 JP56024763A JP2476381A JPS622686B2 JP S622686 B2 JPS622686 B2 JP S622686B2 JP 56024763 A JP56024763 A JP 56024763A JP 2476381 A JP2476381 A JP 2476381A JP S622686 B2 JPS622686 B2 JP S622686B2
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- container
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- zno
- antimony oxide
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はZnOを主成分とする電圧非直線抵抗体
素子の焼成方法に関する。
素子の焼成方法に関する。
従来この種のZnOを主成分とする電圧非直線抵
抗素子(以下素子と呼ぶ)の側面絶縁方法は、焼
成後素子側面にエポキシ系有機物を塗布して絶縁
するか、或いは素子の焼成前に種々の無機化合物
を素子側面に塗布後焼成し、焼成後ガラス質また
は結晶質の絶縁物となる絶縁被膜体を形成させて
絶縁していた。
抗素子(以下素子と呼ぶ)の側面絶縁方法は、焼
成後素子側面にエポキシ系有機物を塗布して絶縁
するか、或いは素子の焼成前に種々の無機化合物
を素子側面に塗布後焼成し、焼成後ガラス質また
は結晶質の絶縁物となる絶縁被膜体を形成させて
絶縁していた。
しかし、前者の方法においては、塗布するエポ
キシ系有機物と素子本体との密着性が悪く、この
ため、素子に水分が吸着され特性劣化が大きく短
波尾耐量も弱くなる欠点がある。また素子本体と
エポキシ樹脂との間に熱膨張の差があるため、熱
衝撃で素子側面に被覆されたエポキシ樹脂にクラ
ツクが入り劣化の原因となる欠点がある。また、
後者の方法においては、焼成時に素子本体と側面
絶縁剤の収縮率を一致させる必要がある。このた
め一次焼成して或る程度圧縮成形素子を収縮さ
せ、しかる後に、無機化合物又はそれらの混合物
を一次焼成素子側面に塗布して本焼成し無機質絶
縁側面被覆を形成されている。この場合、2回に
分けて焼成するので、然料(電力を含む)費と焼
成装置を2回使用するので製造コストが上昇する
欠点がある。
キシ系有機物と素子本体との密着性が悪く、この
ため、素子に水分が吸着され特性劣化が大きく短
波尾耐量も弱くなる欠点がある。また素子本体と
エポキシ樹脂との間に熱膨張の差があるため、熱
衝撃で素子側面に被覆されたエポキシ樹脂にクラ
ツクが入り劣化の原因となる欠点がある。また、
後者の方法においては、焼成時に素子本体と側面
絶縁剤の収縮率を一致させる必要がある。このた
め一次焼成して或る程度圧縮成形素子を収縮さ
せ、しかる後に、無機化合物又はそれらの混合物
を一次焼成素子側面に塗布して本焼成し無機質絶
縁側面被覆を形成されている。この場合、2回に
分けて焼成するので、然料(電力を含む)費と焼
成装置を2回使用するので製造コストが上昇する
欠点がある。
また両者の方法とも側面絶縁膜を必要厚に均一
にするためには、相当の技術と装置を要する欠点
がある。
にするためには、相当の技術と装置を要する欠点
がある。
本発明の目的は上記の欠点に鑑み、アンチモン
酸化物蒸気を外部より容器または炉内に供給する
ようにしたのでピンホールのない緻密で均一の結
晶粒を持つことができるとともに素子本体との密
着性が良い絶縁被覆体を成形し得、且つ素子特性
劣化が少なく、電流放電耐量、耐コロナ性、耐ア
ーク性の諸特性が優れ、しかも大量生産が可能と
なる電圧非直線抵抗体素子の焼成方法を提供する
にある。
酸化物蒸気を外部より容器または炉内に供給する
ようにしたのでピンホールのない緻密で均一の結
晶粒を持つことができるとともに素子本体との密
着性が良い絶縁被覆体を成形し得、且つ素子特性
劣化が少なく、電流放電耐量、耐コロナ性、耐ア
ーク性の諸特性が優れ、しかも大量生産が可能と
なる電圧非直線抵抗体素子の焼成方法を提供する
にある。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第1図において、アルミナ質の焼成容器11の
底部から所定の間隔を隔て容器11と同材の載置
台12を容器11に設ける。載置台12には一定
間隔毎に後述するアンチモン酸化物蒸気の通気用
孔13を複数個設ける。また載置台12上には耐
熱性セラミツク材からなる複数の台座14が一定
間隔離して置かれ、これら台座14の上面には敷
粉15の層を介して、圧縮成形された素子16が
設置される。なお、敷粉15は台座14と素子1
6との溶着を防止するものである。前記焼成容器
11の上部には容器11と同材からなる蓋17を
設けて密閉状態とする。18は焼成容器11と同
材で製作され、内部に例えば素子16の側面絶縁
被覆用のSb2O3(アンチモン酸化物)を含む化合
物(炭酸塩も含む)19を収納した予備容器で、
この予備容器18と前記焼成容器11とはAl2O3
の連通管20により連結される。
底部から所定の間隔を隔て容器11と同材の載置
台12を容器11に設ける。載置台12には一定
間隔毎に後述するアンチモン酸化物蒸気の通気用
孔13を複数個設ける。また載置台12上には耐
熱性セラミツク材からなる複数の台座14が一定
間隔離して置かれ、これら台座14の上面には敷
粉15の層を介して、圧縮成形された素子16が
設置される。なお、敷粉15は台座14と素子1
6との溶着を防止するものである。前記焼成容器
11の上部には容器11と同材からなる蓋17を
設けて密閉状態とする。18は焼成容器11と同
材で製作され、内部に例えば素子16の側面絶縁
被覆用のSb2O3(アンチモン酸化物)を含む化合
物(炭酸塩も含む)19を収納した予備容器で、
この予備容器18と前記焼成容器11とはAl2O3
の連通管20により連結される。
なお、予備容器181個に対してAl2O3の連通
管20を用いて複数の焼成容器11と連結させる
ようにしてもよい。
管20を用いて複数の焼成容器11と連結させる
ようにしてもよい。
前記素子16に側面絶縁被覆を行なうには、焼
成容器11と予備容器18を1000℃〜1400℃の温
度範囲で焼成し予備容器18が1000℃ぐらいに焼
成されるとその容器内のアンチモン酸化物
(Sb2O3)が蒸発しはじめAl2O3の連通管20を通
つてSb2O3蒸気が焼成容器11に流れ込んで、焼
成容器11がSb2O3蒸気の雰囲気になる。すると
素子16の表面で素体のZnO,Bi2O3等とSb2O3
蒸気とで固―気相反応し、素子の表面に高抵抗の
絶縁被膜が形成される。この被膜はZn2.33Sb0.
67O4(スピネル)を主成分とするものである。
成容器11と予備容器18を1000℃〜1400℃の温
度範囲で焼成し予備容器18が1000℃ぐらいに焼
成されるとその容器内のアンチモン酸化物
(Sb2O3)が蒸発しはじめAl2O3の連通管20を通
つてSb2O3蒸気が焼成容器11に流れ込んで、焼
成容器11がSb2O3蒸気の雰囲気になる。すると
素子16の表面で素体のZnO,Bi2O3等とSb2O3
蒸気とで固―気相反応し、素子の表面に高抵抗の
絶縁被膜が形成される。この被膜はZn2.33Sb0.
67O4(スピネル)を主成分とするものである。
なお、素子16は、ZnO(91重量%)に
Sb2O3,Bi2O3,Co2O3,Cr2O3,MnO2,SiO2等
合計(9重量%)の混合物を加え、充分混合した
後造粒し、適当な形状に圧縮成形する。例えば直
径40mmφ、厚さ約40mmの円柱形にし成形体とす
る。
Sb2O3,Bi2O3,Co2O3,Cr2O3,MnO2,SiO2等
合計(9重量%)の混合物を加え、充分混合した
後造粒し、適当な形状に圧縮成形する。例えば直
径40mmφ、厚さ約40mmの円柱形にし成形体とす
る。
また、台座14の材質はアルミナ質又は酸化亜
鉛系焼結板等が良く、特に酸化亜鉛系焼結板は素
子の主成分と同質なので焼結された素子の特性を
損ねる恐れがなく望ましいものである。さらに、
敷粉15はアルミナ質やZnO素子の造粉末分又は
ZnO素子を仮焼成して砕いた粉等が用いられる。
ZnO素子の成分に類似又は同質のものが台座の場
合よりも強く要求される。なお、台座14に素子
16と同質系のものを用いた場合は敷粉15がな
くても良い。
鉛系焼結板等が良く、特に酸化亜鉛系焼結板は素
子の主成分と同質なので焼結された素子の特性を
損ねる恐れがなく望ましいものである。さらに、
敷粉15はアルミナ質やZnO素子の造粉末分又は
ZnO素子を仮焼成して砕いた粉等が用いられる。
ZnO素子の成分に類似又は同質のものが台座の場
合よりも強く要求される。なお、台座14に素子
16と同質系のものを用いた場合は敷粉15がな
くても良い。
第2図から第4図はこの発明の他の実施例を示
すもので、第2図は電気炉21内の複数の素子1
6を配装した場合の実施例で、図示のように電気
炉21の後面よりSb2O3蒸気を電気炉21内に流
し込んで素子表面にZn2.33Sb0.67O4を形成させる
方法である。なお、26は扉である。
すもので、第2図は電気炉21内の複数の素子1
6を配装した場合の実施例で、図示のように電気
炉21の後面よりSb2O3蒸気を電気炉21内に流
し込んで素子表面にZn2.33Sb0.67O4を形成させる
方法である。なお、26は扉である。
第3図及び第4図は連続式電気炉22を用いた
場合の実施例で、第3図はSb2O3蒸気供給管23
を複数個炉の長手方向に所定間隔離して配設し、
炉22内の長手方向に配設された複数の蒸気流出
孔24を有する管25と前記管23とを連通させ
たものである。
場合の実施例で、第3図はSb2O3蒸気供給管23
を複数個炉の長手方向に所定間隔離して配設し、
炉22内の長手方向に配設された複数の蒸気流出
孔24を有する管25と前記管23とを連通させ
たものである。
第4図は1本のSb2O3蒸気供給管23を電気炉
22に配設し図示左右から送風を行なうようにし
たものである。なお、上記各実施例においては、
900℃以上の温度領域で使用するのが素子と気相
との反応上好ましい。また、アンチモン酸化物蒸
気としてはSb2O3の他Sb2O4,Sb2O5等を用いて
もよい。
22に配設し図示左右から送風を行なうようにし
たものである。なお、上記各実施例においては、
900℃以上の温度領域で使用するのが素子と気相
との反応上好ましい。また、アンチモン酸化物蒸
気としてはSb2O3の他Sb2O4,Sb2O5等を用いて
もよい。
以上述べたように本発明によれば、アンチモン
酸化物蒸気を容器または炉内に供給してZnO素子
の側面絶縁被膜を形成するようにしたので、素子
の焼成後に蒸気を供給するようにすれば、脹れ等
のない緻密な被膜が形成できるとともに、その被
膜の密着性が良く、且つ素子特性劣化が少なく、
電流放電耐量、耐コロナ性、耐アーク性の諸特性
に優れ、しかも複数個の素子を大量に生産するこ
とができ、それら素子の特性の均一化を図ること
ができる等の種々の優れた効果を奏するものであ
る。
酸化物蒸気を容器または炉内に供給してZnO素子
の側面絶縁被膜を形成するようにしたので、素子
の焼成後に蒸気を供給するようにすれば、脹れ等
のない緻密な被膜が形成できるとともに、その被
膜の密着性が良く、且つ素子特性劣化が少なく、
電流放電耐量、耐コロナ性、耐アーク性の諸特性
に優れ、しかも複数個の素子を大量に生産するこ
とができ、それら素子の特性の均一化を図ること
ができる等の種々の優れた効果を奏するものであ
る。
第1図は本発明の一実施例を示す概略的な構成
図、第2図から第4図は本発明の他の実施例を示
すそれぞれ概略的な構成図である。 11……焼成容器、14……台座、15……敷
粉、16……素子、17……蓋、18……予備容
器、19……アンチモン酸化物を含む化合物、2
0……Al2O3管。
図、第2図から第4図は本発明の他の実施例を示
すそれぞれ概略的な構成図である。 11……焼成容器、14……台座、15……敷
粉、16……素子、17……蓋、18……予備容
器、19……アンチモン酸化物を含む化合物、2
0……Al2O3管。
Claims (1)
- 1 酸化亜鉛を含む電圧非直線抵抗体の焼成時に
おいて、容器または炉内にアンチモン酸化物の蒸
気を供給し、その蒸気との気一固相反応により抵
抗素体側面にZn2.33Sb0.67O4を主成分とする絶縁
被膜を成形させるようにしたことを特徴とする電
圧非直線抵抗体素子の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56024763A JPS57139903A (en) | 1981-02-20 | 1981-02-20 | Metho of baking voltage non-linear resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56024763A JPS57139903A (en) | 1981-02-20 | 1981-02-20 | Metho of baking voltage non-linear resistance element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57139903A JPS57139903A (en) | 1982-08-30 |
| JPS622686B2 true JPS622686B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=12147183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56024763A Granted JPS57139903A (en) | 1981-02-20 | 1981-02-20 | Metho of baking voltage non-linear resistance element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57139903A (ja) |
-
1981
- 1981-02-20 JP JP56024763A patent/JPS57139903A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57139903A (en) | 1982-08-30 |
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