JPS6225892Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6225892Y2
JPS6225892Y2 JP5292180U JP5292180U JPS6225892Y2 JP S6225892 Y2 JPS6225892 Y2 JP S6225892Y2 JP 5292180 U JP5292180 U JP 5292180U JP 5292180 U JP5292180 U JP 5292180U JP S6225892 Y2 JPS6225892 Y2 JP S6225892Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
independent
lead
beam lead
common
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP5292180U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS56155469U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP5292180U priority Critical patent/JPS6225892Y2/ja
Publication of JPS56155469U publication Critical patent/JPS56155469U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6225892Y2 publication Critical patent/JPS6225892Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、混成集積回路装置、特に、ビームリ
ード素子を搭載して構成する混成集積回路装置に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a hybrid integrated circuit device, and particularly to a hybrid integrated circuit device configured by mounting a beam lead element.

一般に、ビームリード素子は、シリコンチツプ
の素子面側に白金・金からなるハリ状に突出した
リードを有する能動素子で、そのリードに対応す
る部分に接続用の電極を設ける回路基板にフエー
スダウン接続して使用する半導体及び集積回路装
置である。
In general, a beam lead element is an active element that has a lead made of platinum or gold that protrudes from the element side of a silicon chip, and is connected face-down to a circuit board on which a connection electrode is provided at the part corresponding to the lead. semiconductor and integrated circuit devices used in

このビームリード素子は、素子自体の保護被覆
が他のタイプの集積回路素子に比べ、確実である
ため、実装が簡易化できる利点等から混成集積回
路の信頼性が要求される装置の能動素子として多
く用いられてきた。
This beam lead element has the advantage that the protective covering of the element itself is more reliable than other types of integrated circuit elements, so it can be used as an active element in equipment that requires the reliability of hybrid integrated circuits due to its advantages such as ease of mounting. It has been used a lot.

また、近年集積回路装置から出る端子数が増す
に従い、端子ピツチが極度に狭くなる品種への素
子として、素子自体にリードが形成できしかも回
路基板への接続が容易なビームリード素子の適用
が多くなつてきた。
In addition, as the number of terminals coming out of integrated circuit devices has increased in recent years, beam lead devices, which can form leads on the device itself and are easy to connect to circuit boards, are increasingly being used as devices for products with extremely narrow terminal pitches. I'm getting old.

特に、サーマルヘツド装置の分離ダイオードに
使用するダイオードアレーでは、発熱抵抗体ピツ
チが1mm当り6ないし8ドツトで、ドツト数が約
700から1600にもなり、その発熱抵抗体1個に直
列に1個のダイオードを接続しなければならず、
必然的にその素子の端子ピツチは抵抗体の配列ピ
ツチと同等かそれ以下が要求され、約150μ〜100
μピツチに至つている。
In particular, in diode arrays used as isolation diodes in thermal head devices, the heating resistor pitch is 6 to 8 dots per mm, and the number of dots is approximately
700 to 1600, and one diode must be connected in series to one heating resistor.
Inevitably, the terminal pitch of the element is required to be equal to or smaller than the array pitch of the resistor, approximately 150μ to 100μ.
It has reached μ pitch.

この種のダイオードアレーをビームリード化す
るときは、30個程度のダイオードをチツプ化する
例が多く、また、一辺をカソードリードとし、そ
れに対向する辺をアノードリードとする二方向ビ
ームリード素子が多い。さらに回路結線上1個の
ダイオードで電気的に独立したカソードとアノー
ドを設けて回路を作ることもできるが、カソード
かアノードのどちらか一方を電気的に共通にし
て、他の一方をダイオードの数でけ電気的に独立
させて回路を構成すること可能である。
When converting this type of diode array into a beam lead, there are many cases in which about 30 diodes are made into a chip, and there are also many two-way beam lead elements in which one side is a cathode lead and the opposite side is an anode lead. . Furthermore, it is possible to create a circuit by providing an electrically independent cathode and anode in one diode in terms of circuit wiring, but one of the cathodes and anodes is electrically common, and the other is connected to the number of diodes. It is possible to construct circuits that are electrically independent.

従来の混成集積回路装置は、対向する二辺にリ
ードを有し、少なくとも一方は共通接続可能な共
通リードで他方は共通接続の可否にかかわらない
独立リードとなるビームリード素子を搭載したア
ルミナ基板などの絶縁基板上に共通リードを接続
する共通電極と、独立リードを接続する独立電極
を設けたもので、第1図a,bおよび第2図を参
照して説明する。
Conventional hybrid integrated circuit devices have leads on two opposing sides, at least one of which is a common lead that can be connected in common, and the other is an independent lead that can be connected in common, such as an alumina substrate equipped with a beam lead element. A common electrode for connecting a common lead and an independent electrode for connecting an independent lead are provided on an insulating substrate, and will be described with reference to FIGS. 1a and 2b and FIG. 2.

第1図a,bは従来の一例を示す平面図および
AA′断面図で、第2図は第1図aに示すビームリ
ード素子を除去した平面図である。
Figures 1a and 1b are plan views showing a conventional example;
FIG. 2 is a sectional view along AA', and is a plan view from which the beam lead element shown in FIG. 1a is removed.

まず、アルミナ基板1の主面上には周知の厚膜
もしくは薄膜技術を用いて、抵抗体素子(本考案
に直接関係しないので図示せず)およびビームリ
ード素子4のリードを接続する位置に対応する部
分にビームリード素子4の共通リードであるアノ
ードリードを接続するための共通電極2およびビ
ームリード素子4の個別リードであるカソードリ
ード6を接続するための個別電極3を含む最上層
を金膜からなる回路導体で形成しておく。
First, a well-known thick film or thin film technique is used on the main surface of the alumina substrate 1 to correspond to the positions where the resistor element (not shown since it is not directly related to the present invention) and the leads of the beam lead element 4 are connected. The uppermost layer including the common electrode 2 for connecting the anode lead, which is the common lead of the beam lead element 4, and the individual electrode 3, for connecting the cathode lead 6, which is the individual lead of the beam lead element 4, is covered with a gold film. It is formed of a circuit conductor consisting of.

そして、ビームリード素子4のアノードリード
5およびカソードリード6をそれぞれ共通電極2
および独立電極3に合せて、熱圧着により接続し
て混成集積回路を構成している。
Then, the anode lead 5 and cathode lead 6 of the beam lead element 4 are connected to the common electrode 2, respectively.
and independent electrodes 3, and are connected by thermocompression bonding to form a hybrid integrated circuit.

第1図a,bに示す回路では、ビームリード素
子4はリード数の少ない辺に共通リードであるア
ノードリード5が並列して設けられそれに対向す
る辺に電気的に独立な独立リードであるカソード
リード6が並列して設けられている。
In the circuits shown in FIGS. 1a and 1b, the beam lead element 4 has an anode lead 5, which is a common lead, arranged in parallel on the side with fewer leads, and a cathode lead, which is an electrically independent independent lead, on the opposite side. Leads 6 are provided in parallel.

図中では、カソードリード6が便宣上13本で
示してあるが実際には30本程度のものが多く、チ
ツプ数もドツト数に応じて20から50チツプを同一
のアルミナ基板1上に搭載するマルチチツプタイ
プの混成集積回路では、個々のビームリード素子
4の電気的な特性が良いものを搭載しても、全て
のビームリード素子4を搭載した後の、ダイナミ
ツクな特性としては不完全な場合がある。このよ
うな場合に、特性を不完全にしているビームリー
ド素子4を交換して混成集積回路全体の機能を改
善することが、チツプ数が増加するに従い重要な
技術になつてくる。
In the figure, 13 cathode leads 6 are shown for convenience, but in reality, there are many around 30, and depending on the number of dots, 20 to 50 chips are mounted on the same alumina substrate 1. In multi-chip type hybrid integrated circuits, even if individual beam lead elements 4 are mounted with good electrical characteristics, the dynamic characteristics after all beam lead elements 4 are mounted may be incomplete. There are cases. In such a case, as the number of chips increases, it becomes an important technique to replace the beam lead element 4 whose characteristics are incomplete to improve the function of the entire hybrid integrated circuit.

ところが、リードのピツチが150μm程度に狭
くなると、それに対応する共通電極2が独立電極
3も100μm程度に狭くなり、不良であるビーム
リード素子4を取り外すと、第2図に示す如く、
アノードリード5を接続した接続部7は残存する
が、カソードリード6を接続した接続部7の独立
電極3がアルミナ基板1の界面から剥離して剥離
部8のようになつてしまうことがあり、このとき
には同一箇所には接続部7が形成できなくなる。
However, when the lead pitch becomes narrower to about 150 μm, the corresponding common electrode 2 and independent electrode 3 also become narrower to about 100 μm. When the defective beam lead element 4 is removed, as shown in FIG.
Although the connection part 7 to which the anode lead 5 is connected remains, the independent electrode 3 of the connection part 7 to which the cathode lead 6 is connected may peel off from the interface of the alumina substrate 1 and become a peeled part 8. In this case, the connecting portion 7 cannot be formed at the same location.

この現象は、厚膜技術及び薄膜技術を用いて導
体を形成しても大差なく幅100μmの電極に幅80
μmのリードを接続し、膜とアルミナ基板1の密
着強度を測定すると、ほぼ10gr程度で、リード自
体の強度よりも弱い。
This phenomenon does not make much difference even if conductors are formed using thick film technology or thin film technology.
When connecting μm leads and measuring the adhesion strength between the film and the alumina substrate 1, it is approximately 10 gr, which is weaker than the strength of the leads themselves.

すなわち、従来の混成集積回路装置は独立電極
3がビームリード素子4を交換するときに剥離し
ないようにしなければ不良なビームリード素子4
を取り外し、しかも再度のビームリード素子を接
続するときに、リードが両電極までとどかず搭載
が不可能になり、その結果、製品が不良となるた
め、実用上著しい不利益を余儀なくされるという
欠点があつた。
In other words, in the conventional hybrid integrated circuit device, if the independent electrodes 3 are not peeled off when the beam lead elements 4 are replaced, defective beam lead elements 4 will be removed.
When the beam lead element is removed and then reconnected, the leads do not reach both electrodes, making mounting impossible, resulting in a defective product, which is a serious disadvantage in practical use.

本考案の目的は、ビームリード素子の交換が容
易にできる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a hybrid integrated circuit device in which beam lead elements can be easily replaced.

すなわち、本考案の目的は対向する二辺にリー
ドを有するビームリード素子を回路基板に搭載す
る混成集積回路装置において、ビームリード素子
に不良が発生した時、容易にビームリード素子を
交換できる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
That is, the purpose of the present invention is to provide a hybrid integrated circuit device in which a beam lead element having leads on two opposing sides is mounted on a circuit board, in which the beam lead element can be easily replaced when a defect occurs in the beam lead element. The purpose of the present invention is to provide a circuit device.

本考案の混成集積回路装置は、一辺に並列して
設けられた独立リードと前記一辺に対向して並列
に設けられ共通接続可能な共通リードとを含むビ
ームリード素子と、前記ビームリード素子を搭載
するための絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設け
られ対応する前記独立リードと接続するために並
列に形成された独立電極と、前記絶縁基板の上に
前記独立電極と対向して形成されすべての前記共
通リードが共通接続され前記独立電極との間の間
隔が前記独立リードと前記共通リードとの間の間
隔よりも狭い間隔となるように前記独立電極の方
に延在して形成された共通電極とを含んで構成さ
れる。
The hybrid integrated circuit device of the present invention is equipped with a beam lead element including independent leads provided in parallel on one side and a common lead provided in parallel opposite to said one side and connectable in common, and the beam lead element. an insulating substrate for connecting to the insulating substrate; an independent electrode provided on the insulating substrate and formed in parallel to connect with the corresponding independent lead; and an insulating substrate formed on the insulating substrate to face the independent electrode; The common leads are commonly connected and extended toward the independent electrodes such that the distance between the common leads is narrower than the distance between the independent leads and the common lead. A common electrode.

すなわち、本考案の混成集積回路装置は、対向
する2辺にリードを有するビームリード素子を回
路基板に搭載する混成集積回路装置において、ビ
ームリード素子のリードを接続する位置よりもさ
らに内側まで突出させて、回路基板の接続電極パ
ターンを設けて構成される。
That is, the hybrid integrated circuit device of the present invention is a hybrid integrated circuit device in which a beam lead element having leads on two opposing sides is mounted on a circuit board, in which the leads of the beam lead element protrude further inward than the connection position. Then, a connection electrode pattern of the circuit board is provided.

次に、本考案の実施例について、図面を参照し
て説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第3図a,bは本考案の一実施例を示す混成集
積回路装置の平面図およびBB′断面図であつて、
第4図は第3図aに示すビームリード素子を除去
して新たなビームリード素子を搭載したときの平
面図である。
3a and 3b are a plan view and a BB' cross-sectional view of a hybrid integrated circuit device showing an embodiment of the present invention,
FIG. 4 is a plan view when the beam lead element shown in FIG. 3a is removed and a new beam lead element is mounted.

以下の説明は本考案の特徴を明確にするため、
第1図a,bおよび第2図に示す従来例と構成が
異る所のみ説明する。なお、第3図a,bおよび
第4図において、同一の部分は第1図a,bおよ
び第2図と同一符号を付してある。
The following explanation is intended to clarify the features of this invention.
Only the differences in configuration from the conventional example shown in FIGS. 1a, b and 2 will be explained. In addition, in FIGS. 3a, b and 4, the same parts are given the same reference numerals as in FIGS. 1a, b and 2.

従来例の構成と異る所は、アルミナ基板1上に
薄膜技術か、または、厚膜技術を用い、金膜を最
上層とするビームリード素子4の共通リードであ
るアノードリード5と接続するための共通電極
2′を形成する時は、通常の接続位置よりもさら
に内側まで突出させて、すなわち、独立リードで
あるカソードリード6の方に延在させてパターン
を設けておく。
The difference from the conventional structure is that thin film technology or thick film technology is used on the alumina substrate 1 to connect to the anode lead 5, which is the common lead of the beam lead element 4 with a gold film as the top layer. When forming the common electrode 2', a pattern is provided so that it protrudes further inward than the normal connection position, that is, extends toward the cathode lead 6, which is an independent lead.

初めにビームリード素子4を搭載する際には、
第3図a,bに示すようにビームリード素子4の
カソードリード6との接続部7を、それに対応す
る独立電極3のほぼ先端に位置合せし、接続す
る。
When installing the beam lead element 4 for the first time,
As shown in FIGS. 3a and 3b, the connecting portion 7 of the beam lead element 4 to the cathode lead 6 is aligned with approximately the tip of the corresponding independent electrode 3 and connected.

次に、ビームリード素子4が不良などのため交
換する場合には、ビームリード素子4を回路基板
から取り外すと、第2図で説明したと同じ理由に
より、ビームリード素子4のカソードリード6と
の接続部7のみが、アルミナ基板1と独立電極3
の界面から剥離して第2図に示す剥離部8のよう
になる。
Next, when the beam lead element 4 is replaced due to a defect, etc., when the beam lead element 4 is removed from the circuit board, the cathode lead 6 of the beam lead element 4 is disconnected for the same reason as explained in FIG. Only the connection part 7 is connected to the alumina substrate 1 and the independent electrode 3.
It peels off from the interface to form a peeled part 8 shown in FIG.

そして、再度のビームリード素子4の搭載に際
しては、第4図に示すように、初めの搭載位置よ
りも、手前(第4図で下方)に移し、位置合せを
行い接続する。
When mounting the beam lead element 4 again, as shown in FIG. 4, it is moved to the front (downward in FIG. 4) from the initial mounting position, aligned, and connected.

このように、ビームリード素子4に幅を有して
おり、かつ共通電極2を充分に突出させて独立電
極3の方に延在せしめたパターンを設けておけ
ば、さらに再度のビームリード素子4の交換も可
能である。
In this way, if the beam lead element 4 has a width and is provided with a pattern in which the common electrode 2 sufficiently protrudes and extends toward the independent electrode 3, the beam lead element 4 can be used again. It is also possible to exchange

それゆえ、本考案による混成集積回路装置の構
造を有しておれば、ビームリード素子の交換が容
易に実現でき、実用上著しく利益が得られる。
Therefore, with the structure of the hybrid integrated circuit device according to the present invention, the beam lead element can be easily replaced, and significant practical benefits can be obtained.

本考案の混成集積回路装置は、共通電極を独立
電極の方に延在せしめることにより、独立電極の
端部が剥離しても位置をずらしてビームリード素
子を接続することができるので、ビームリード素
子の交換が容易となるという効果がある。
In the hybrid integrated circuit device of the present invention, by extending the common electrode toward the independent electrode, even if the end of the independent electrode is peeled off, the beam lead element can be connected by shifting the position. This has the effect of making it easier to replace elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図a,bは従来の一例を示す正面図および
AA′断面図、第2図は第1図aに示すビームリー
ド素子を除去したときの平面図、第3図a,b
は、本考案の一実施例を示す正面図およびBB′断
面図、第4図は第3aに示すビームリード素子の
除去後再びビームリード素子を搭載したときの平
面図である。 1……アルミナ基板、2および2′……共通電
極、3……独立電極、4……ビームリード素子、
5……アノードリード、6……カソードリード、
7……接続部、8……剥離部。
Figures 1a and 1b are front views showing a conventional example;
AA' cross-sectional view, Figure 2 is a plan view with the beam lead element shown in Figure 1a removed, Figures 3a and b
4 is a front view and a BB' sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view when the beam lead element is mounted again after the beam lead element shown in FIG. 3a has been removed. 1...Alumina substrate, 2 and 2'...Common electrode, 3...Independent electrode, 4...Beam lead element,
5... Anode lead, 6... Cathode lead,
7...Connection part, 8...Peeling part.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 一辺に並列して設けられた独立リードと前記一
辺に対向して並列に設けられた共通接続可能な共
通リードとを含むビームリード素子と、前記ビー
ムリード素子を搭載するための絶縁基板と、前記
絶縁基板の上に設けられ対応する前記独立リード
と接続するために並列に形成された独立電極と、
前記絶縁基板の上に前記独立電極と対向して形成
されすべての前記共通リードが共通接続され前記
独立電極との間の間隔が前記独立リードと前記共
通リードとの間の間隔よりも狭い間隔となるよう
に前記独立電極の方に延在して形成された共通電
極とを含むことを特徴とする混成集積回路装置。
a beam lead element including independent leads provided in parallel on one side and a common lead that can be commonly connected and provided in parallel opposite to the one side; an insulating substrate for mounting the beam lead element; independent electrodes provided on an insulating substrate and formed in parallel to connect with the corresponding independent leads;
All of the common leads are formed on the insulating substrate to face the independent electrodes, and the distance between the independent electrodes is narrower than the distance between the independent leads and the common lead. and a common electrode extending toward the independent electrode so that the hybrid integrated circuit device has a common electrode extending toward the independent electrode.
JP5292180U 1980-04-18 1980-04-18 Expired JPS6225892Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5292180U JPS6225892Y2 (en) 1980-04-18 1980-04-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5292180U JPS6225892Y2 (en) 1980-04-18 1980-04-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56155469U JPS56155469U (en) 1981-11-20
JPS6225892Y2 true JPS6225892Y2 (en) 1987-07-02

Family

ID=29647750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5292180U Expired JPS6225892Y2 (en) 1980-04-18 1980-04-18

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6225892Y2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5916174U (en) * 1982-07-20 1984-01-31 三洋電機株式会社 Installation structure of electrical parts

Also Published As

Publication number Publication date
JPS56155469U (en) 1981-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2819285B2 (en) Stacked bottom lead semiconductor package
JP2755252B2 (en) Semiconductor device package and semiconductor device
US5841191A (en) Ball grid array package employing raised metal contact rings
US7615872B2 (en) Semiconductor device
US7372138B2 (en) Routing element for use in multi-chip modules, multi-chip modules including the routing element and methods
US6420664B1 (en) Metal foil having bumps, circuit substrate having the metal foil, and semiconductor device having the circuit substrate
US5784258A (en) Wiring board for supporting an array of imaging chips
US5744383A (en) Integrated circuit package fabrication method
KR20050002220A (en) Stack type Ball grid array package and method for manufacturing the same
KR100255476B1 (en) Ball grid array package
EP0814510B1 (en) TAB tape and semiconductor device using the TAB tape
KR100299560B1 (en) High density integrated circuit assembly combining lead frame leads and conductive traces
US6340839B1 (en) Hybrid integrated circuit
US6111311A (en) Semiconductor device and method of forming the same
JPS6225892Y2 (en)
US20020063331A1 (en) Film carrier semiconductor device
JPS6220707B2 (en)
JPH11220091A (en) Semiconductor device
US4743489A (en) Multilayer wiring substrate
JP2982182B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP3450590B2 (en) Terminal connection structure of integrated circuit
JP3867875B2 (en) Semiconductor device
JPH06216526A (en) Thin-film multi layer printed circuit board
JP2766361B2 (en) Semiconductor device
JP3275647B2 (en) Semiconductor device, its manufacturing method and its mounting structure