JPS62257626A - 磁気デイスク板の下地処理方法 - Google Patents
磁気デイスク板の下地処理方法Info
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- JPS62257626A JPS62257626A JP10154386A JP10154386A JPS62257626A JP S62257626 A JPS62257626 A JP S62257626A JP 10154386 A JP10154386 A JP 10154386A JP 10154386 A JP10154386 A JP 10154386A JP S62257626 A JPS62257626 A JP S62257626A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ディスク板の下地処理方法に関する。
従来技術とその問題点
磁気ディスク板は、アルミニウム製またはアルミニウム
合金製基板の表面に鏡面加工を副した後、これに下地処
理を施して下地処理層を形成し、さらに下地処理層上に
磁性膜を形成することにより製造されている。上記磁性
膜の形成方法としては、塗布法、メッキ法、スパッタリ
ング法があるが、これまでは主として塗布法により形成
されていた。塗布法は、下地処理層−ヒに磁性材として
のγ−Fe203の針状微粒子、補強材としてのアルミ
ナ粒子、結合材としてのエポキシ樹脂やフェノール樹脂
などを混合して塗布した後、焼成、研摩および仕上加工
をこの順序で施すものである。ところが、最近では磁性
膜の高密度化、薄肉化が要請されており、上記塗布法で
は磁性膜の高密度化および薄肉化を進めるために多くの
困難を伴うとともに、得られる磁性膜の信頼性および安
定性を揺がしかねない。そこで、磁性膜の高密度化およ
び薄肉化を達成するために、メッキ法またはスパッタリ
ング法により下地処理層上に磁性膜が形成されるように
なってきている。メッキ法により磁性膜を形成する場合
に下地処理層に要求される性能は、十分な硬さと良好な
表面平滑性である。
合金製基板の表面に鏡面加工を副した後、これに下地処
理を施して下地処理層を形成し、さらに下地処理層上に
磁性膜を形成することにより製造されている。上記磁性
膜の形成方法としては、塗布法、メッキ法、スパッタリ
ング法があるが、これまでは主として塗布法により形成
されていた。塗布法は、下地処理層−ヒに磁性材として
のγ−Fe203の針状微粒子、補強材としてのアルミ
ナ粒子、結合材としてのエポキシ樹脂やフェノール樹脂
などを混合して塗布した後、焼成、研摩および仕上加工
をこの順序で施すものである。ところが、最近では磁性
膜の高密度化、薄肉化が要請されており、上記塗布法で
は磁性膜の高密度化および薄肉化を進めるために多くの
困難を伴うとともに、得られる磁性膜の信頼性および安
定性を揺がしかねない。そこで、磁性膜の高密度化およ
び薄肉化を達成するために、メッキ法またはスパッタリ
ング法により下地処理層上に磁性膜が形成されるように
なってきている。メッキ法により磁性膜を形成する場合
に下地処理層に要求される性能は、十分な硬さと良好な
表面平滑性である。
また、スパッタリング法により磁性膜を形成する場合に
下地処理層に要求される性能は、十分な硬さおよび良好
な表面平滑性の他に、スパッタリング処理時に亀裂や剥
離が生じたりすることなく、しかもスパッタリング処理
時に帯磁しないことである。
下地処理層に要求される性能は、十分な硬さおよび良好
な表面平滑性の他に、スパッタリング処理時に亀裂や剥
離が生じたりすることなく、しかもスパッタリング処理
時に帯磁しないことである。
従来、メッキ法により磁性膜を形成する場合には、下地
処理層はジンケート処理、N1−Pメッキ、加熱および
研摩処理を上記順序で行なうことにより形成していた。
処理層はジンケート処理、N1−Pメッキ、加熱および
研摩処理を上記順序で行なうことにより形成していた。
しかしながら、N1−Pメッキは、メッキ浴が高価で、
管理が煩雑で、しかもメッキ後の洗浄を純水で行なわな
ければならないので、コストが高くなるとともに作業が
煩雑になるという問題があった。また、上記方法により
形成された下地処理層は、充分な硬度を有するとともに
研摩により良好な表面平滑性を得ることができるが、耐
熱性、すなわち高温での基板との密着強度が充分ではな
く基板から剥れるという問題があった。また、従来、ス
パッタリング法により磁性膜を形成する場合には、下地
処理層はジンケート処理、N1−Pメッキ、加熱および
研摩処理を上記順序で行なうこと、またはクロム酸を含
む電解液中で陽極酸化処理を行なうことにより形成して
いた。しかしながら、前者の場合、上述したメッキ法の
下地処理と同様な問題があるとともに、スパッタリング
処理時の加熱により下地処理層が帯磁するおそれがあっ
た。また、後者の場合、スパッタリング処理時の加熱に
より下地処理層に亀裂や剥離が生じるおそれがあった。
管理が煩雑で、しかもメッキ後の洗浄を純水で行なわな
ければならないので、コストが高くなるとともに作業が
煩雑になるという問題があった。また、上記方法により
形成された下地処理層は、充分な硬度を有するとともに
研摩により良好な表面平滑性を得ることができるが、耐
熱性、すなわち高温での基板との密着強度が充分ではな
く基板から剥れるという問題があった。また、従来、ス
パッタリング法により磁性膜を形成する場合には、下地
処理層はジンケート処理、N1−Pメッキ、加熱および
研摩処理を上記順序で行なうこと、またはクロム酸を含
む電解液中で陽極酸化処理を行なうことにより形成して
いた。しかしながら、前者の場合、上述したメッキ法の
下地処理と同様な問題があるとともに、スパッタリング
処理時の加熱により下地処理層が帯磁するおそれがあっ
た。また、後者の場合、スパッタリング処理時の加熱に
より下地処理層に亀裂や剥離が生じるおそれがあった。
この発明の目的は、上記問題を解決した磁気ディスク板
の下地処理方法を提供することにある。
の下地処理方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
この発明による磁気ディスク板の下地処理方法は、アル
ミニウム製またはアルミニウム合金製基板の表面に、ア
ルミニウムと反応してアルミニウムよりも硬い合金をつ
くる金属の被覆層を形成した後、加熱拡散処理を施すこ
とによって、アルミニウム製またはアルミニウム合金製
基板の表面に、上記被覆層を形成する金属とアルミニ「
クムとの合金層を形成することを特徴とするものである
。
ミニウム製またはアルミニウム合金製基板の表面に、ア
ルミニウムと反応してアルミニウムよりも硬い合金をつ
くる金属の被覆層を形成した後、加熱拡散処理を施すこ
とによって、アルミニウム製またはアルミニウム合金製
基板の表面に、上記被覆層を形成する金属とアルミニ「
クムとの合金層を形成することを特徴とするものである
。
上記において基板としては、純アルミニウム、高純度ア
ルミニウム、5000系のA/−Mg系合金、7000
系のA/−Zn−Ma系合金、3000系のA/−Mn
系合金などからなるものが用いられるが、これらのもの
に限定されない。また上記において、アルミニウムと反
応してアルミニウムよりも硬い合金をつくる金属としテ
ハ、Cu、Ni、Au、Fe、Ti、AQなどを用いる
ことかできる。アルミニウム製基板またはアルミニウム
合金製基板の表面に金属の被覆層を形成するのは、電気
メッキ、溶融メッキ、真空メッキ、化学メッキ等の各種
メッキ方法や、イオンブレーティング等のPVD法や、
プラズマ溶用法等により行なわれる。また、クラッド法
により金属被覆層を形成してもよい。
ルミニウム、5000系のA/−Mg系合金、7000
系のA/−Zn−Ma系合金、3000系のA/−Mn
系合金などからなるものが用いられるが、これらのもの
に限定されない。また上記において、アルミニウムと反
応してアルミニウムよりも硬い合金をつくる金属としテ
ハ、Cu、Ni、Au、Fe、Ti、AQなどを用いる
ことかできる。アルミニウム製基板またはアルミニウム
合金製基板の表面に金属の被覆層を形成するのは、電気
メッキ、溶融メッキ、真空メッキ、化学メッキ等の各種
メッキ方法や、イオンブレーティング等のPVD法や、
プラズマ溶用法等により行なわれる。また、クラッド法
により金属被覆層を形成してもよい。
金属被覆層の厚さは、被覆層を構成する金属の種類、形
成すべき合金層の厚さおよび要求される硬さ等を考慮し
て決定されるが、その厚さは5〜20μmとするのがよ
い。加熱拡散処理の温度は、金属被覆層を構成する金属
の種類および基板の材料となっているアルミニウム材ま
たはアルミニウム合金材の融点等を考慮して決定される
。たとえば、金属被覆層を構成する金属がCu、N i
、Au、Fe、Ti、Agであればそれぞh500+2
0℃、600+20℃、600±20℃、600±20
℃、600±20℃、500±20℃が好ましい。これ
らの温度では、上記金属とアルミニウムが反応し、アル
ミニウムよりはるかに硬い金属間化合物が生成して、ア
ルミニウム製またはアルミニウム合金製基板の表面に金
属間化合物層が形成されるからである。上記温度より高
いと、基板の表面層で共晶反応を起こして溶融する危険
性が高く、上記温度より低いと、合金層を形成するため
の拡散が遅くなり、工業的価値を減する。また、拡散処
理の処理時間は、形成される金属間化合物層の硬さとは
ほとんど関連性を持たない。さらに、拡散処理は、真空
中や、Ar等の不活性ガス雰囲気中や、N2等のアルミ
ニウムに対して不活性なガス雰囲気中で実施するのがよ
く、とくに工業的にはArガス雰囲気中で実m するの
が好ましい。
成すべき合金層の厚さおよび要求される硬さ等を考慮し
て決定されるが、その厚さは5〜20μmとするのがよ
い。加熱拡散処理の温度は、金属被覆層を構成する金属
の種類および基板の材料となっているアルミニウム材ま
たはアルミニウム合金材の融点等を考慮して決定される
。たとえば、金属被覆層を構成する金属がCu、N i
、Au、Fe、Ti、Agであればそれぞh500+2
0℃、600+20℃、600±20℃、600±20
℃、600±20℃、500±20℃が好ましい。これ
らの温度では、上記金属とアルミニウムが反応し、アル
ミニウムよりはるかに硬い金属間化合物が生成して、ア
ルミニウム製またはアルミニウム合金製基板の表面に金
属間化合物層が形成されるからである。上記温度より高
いと、基板の表面層で共晶反応を起こして溶融する危険
性が高く、上記温度より低いと、合金層を形成するため
の拡散が遅くなり、工業的価値を減する。また、拡散処
理の処理時間は、形成される金属間化合物層の硬さとは
ほとんど関連性を持たない。さらに、拡散処理は、真空
中や、Ar等の不活性ガス雰囲気中や、N2等のアルミ
ニウムに対して不活性なガス雰囲気中で実施するのがよ
く、とくに工業的にはArガス雰囲気中で実m するの
が好ましい。
この発明の方法により形成された下地処理層上には、メ
ッキ法およびスパッタリング法のいずれの方法によって
も磁性膜を形成することができる。
ッキ法およびスパッタリング法のいずれの方法によって
も磁性膜を形成することができる。
実 施 例
純度99.99wt%の高純度アルミニウムからなる厚
ざ11aI11硬さくHV)=30の高純度アルミニウ
ム製基板を用意し、その表面に電気メツキ法により銅、
ニッケルおよび金からなる被覆層を形成した。その後、
Arガス雰囲気中で下表に示す条件で拡散処理を施した
。そして、処理後のアルミニウム仮の表面のビッカース
硬さくHV)を測定した。その結果を下表にまとめて示
す。
ざ11aI11硬さくHV)=30の高純度アルミニウ
ム製基板を用意し、その表面に電気メツキ法により銅、
ニッケルおよび金からなる被覆層を形成した。その後、
Arガス雰囲気中で下表に示す条件で拡散処理を施した
。そして、処理後のアルミニウム仮の表面のビッカース
硬さくHV)を測定した。その結果を下表にまとめて示
す。
(以下余白)
また、比較のために、上記と同様の高純度アルミニウム
yl板上にメッキ法によってθさ15μのN;−pメッ
キ層を形成し、その表面のビッカース高度(tlv)を
測定したところ500であった。さらに、上記と同様の
高純度アルミニウム5A基板上に膜厚15μのクロム酸
陽極酸化皮膜を形成し、その表面のビッカース高度(H
v)を測定したところ350であった。
yl板上にメッキ法によってθさ15μのN;−pメッ
キ層を形成し、その表面のビッカース高度(tlv)を
測定したところ500であった。さらに、上記と同様の
高純度アルミニウム5A基板上に膜厚15μのクロム酸
陽極酸化皮膜を形成し、その表面のビッカース高度(H
v)を測定したところ350であった。
上記実施例および比較例の結果から明らかなように、本
願発明の方法で形成された下地処理層の表面硬度は従来
のものとほとんど変らないことがわかる。
願発明の方法で形成された下地処理層の表面硬度は従来
のものとほとんど変らないことがわかる。
発明の効果
この発明の下地処理方法は、上述のように構成されてい
るので、従来のようにN1−Pメッキを行なう必要がな
く、コストが安くなるとともに作業が容易になる。また
、合金層は母相アルミニウムとの間に冶金的な連続性を
有するので、耐熱性にすぐれており、この層が基板の表
面から剥離したり亀裂が生じたりするおそれはない。
るので、従来のようにN1−Pメッキを行なう必要がな
く、コストが安くなるとともに作業が容易になる。また
、合金層は母相アルミニウムとの間に冶金的な連続性を
有するので、耐熱性にすぐれており、この層が基板の表
面から剥離したり亀裂が生じたりするおそれはない。
以 上
Claims (1)
- アルミニウム製またはアルミニウム合金製基板の表面に
、アルミニウムと反応してアルミニウムよりも硬い合金
をつくる金属の被覆層を形成した後、加熱拡散処理を施
すことによって、アルミニウム製またはアルミニウム合
金製基板の表面に、上記被覆層を形成する金属とアルミ
ニウムとの合金層を形成することを特徴とする磁気ディ
スク板の下地処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10154386A JPS62257626A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 磁気デイスク板の下地処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10154386A JPS62257626A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 磁気デイスク板の下地処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62257626A true JPS62257626A (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=14303349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10154386A Pending JPS62257626A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 磁気デイスク板の下地処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62257626A (ja) |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10154386A patent/JPS62257626A/ja active Pending
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