JPS62254443A - Probing unit for semiconductor device - Google Patents
Probing unit for semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPS62254443A JPS62254443A JP61096637A JP9663786A JPS62254443A JP S62254443 A JPS62254443 A JP S62254443A JP 61096637 A JP61096637 A JP 61096637A JP 9663786 A JP9663786 A JP 9663786A JP S62254443 A JPS62254443 A JP S62254443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stand
- heat source
- semiconductor device
- probing
- infrared rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ウェハ上に形成された半導体デバイスの電気
的特性を測定するプロービング装置に関し、特に、被測
定デバイスを加熱しながら測定をする場合におけるノイ
ズを低減させたプロービング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a probing apparatus for measuring the electrical characteristics of semiconductor devices formed on a wafer, particularly when measuring while heating the device under test. This invention relates to a probing device that reduces noise.
［従来の技術］
半導体デバイスのプロービングに際して、被測定デバイ
スを加熱する手段としては、被測定デバイスを装着する
資料台に内蔵した電熱ヒータによるものとか、あるいは
特開昭５８−９０７３４号公報（発明の名称「計測用資
料台」）に記載されたような。[Prior Art] When probing a semiconductor device, as a means for heating the device under test, an electric heater built into a data table on which the device under test is mounted, or a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-90734 (invention) is used. As described in the name "Measurement data table").
資料台から離れた位置で加熱した不活性ガスを。Inert gas heated at a location away from the document table.
資料台の近くに配置したノズルに導いて、被測定デバイ
スに吹きつけるようにしたもの等が知られている。There are known devices in which the spray is directed to a nozzle placed near the data table and sprayed onto the device under test.
［発明が解決しようとする問題点コ 上述各従来技術には１次のような問題点が存在する。[The problem that the invention aims to solve] Each of the above-mentioned conventional techniques has the following first-order problems.
まず、資料台に内蔵した電熱ヒータによる加熱手段は、
半導体デバイスの製造におけるコーティングあるいはエ
ツチング等に適用されているスピンナ装置等で、慣用さ
れている手段であるが、プロービング装置に適用した場
合、ヒータを被測定資料に近接させて設置する必要があ
るため、ヒータから生じる電気的ないし磁気的ノイズが
、測定結果に影響して、正確な特性測定ができなくなる
という問題がある。First, the heating means is an electric heater built into the document stand.
This method is commonly used in spinner equipment used for coating or etching in the manufacturing of semiconductor devices, but when applied to probing equipment, it is necessary to install the heater close to the material being measured. There is a problem in that electrical or magnetic noise generated from the heater affects the measurement results, making it impossible to accurately measure characteristics.
また、加熱した不活性ガスを吹きつける手段は、適宜の
ヒータにより不活性ガスを加熱し、その熱ガスを資料台
に導いて吹きつける間接的な加熱手法であり、ヒータの
温度変化はガスを介して資料に伝えられるために、応答
性が悪く、的確な温度制御が困難であること、加熱効率
が低くてエネルギーのロスが大きいこと、電熱ヒータを
熱源とした場合は、前記のノイズの影響を避けるために
。In addition, the method of blowing heated inert gas is an indirect heating method in which the inert gas is heated with an appropriate heater, and the hot gas is guided to the document table and blown, and the temperature change of the heater causes the gas to Because the information is transmitted to the data through the media, the responsiveness is poor and accurate temperature control is difficult; heating efficiency is low and energy loss is large; and when an electric heater is used as the heat source, the above-mentioned noise influence to avoid.
ガス加熱部を資料台から離れた位置に配置する必要があ
るため、熱ガスを導く配管路が長くなって、その間にお
ける放熱ロスが大きいこと、ガスの熱容量が小さいため
、資料を所望温度まで昇温させるのに大量のガスを必要
とし、不経済であること。Because the gas heating unit needs to be placed away from the document table, the piping path for guiding the hot gas is long, resulting in large heat loss along the way, and the heat capacity of the gas is small, making it difficult to heat the document to the desired temperature. It requires a large amount of gas to heat up, making it uneconomical.
さらには、構造的に資料台の一部から熱ガスを送入し、
他部から排気することになるため、送入部付近に比して
排気部の温度が低くなり、温度ムラが生じる等の問題が
ある。Additionally, hot gas is supplied from a part of the material table structurally,
Since the exhaust is exhausted from other parts, the temperature of the exhaust part becomes lower than that near the inlet part, causing problems such as temperature unevenness.
ｃ問題を解決するための手段］
本発明は、遮光性で、かつ、導電性を有する板材を資料
台として適用し、その裏面側に所要距離離間させて、反
射板を付設した赤外線を放射する熱源を配置して、資料
台を加熱するようにしたものである。Means for Solving Problem c] The present invention uses a light-shielding and conductive plate material as a document stand, and radiates infrared rays with a reflecting plate attached to the back side of the material at a required distance. A heat source is placed to heat the document table.
熱源としては、ハロゲンランプ等の通電により発熱する
手段、すなわち電熱装置、あるいはマントル付きのガス
バーナを使用する。As a heat source, a means that generates heat by energization such as a halogen lamp, that is, an electric heating device, or a gas burner with a mantle is used.
電熱装置を熱源とした場、合、それから発生するノイズ
の影響は、資料台から熱源までの距離を、適宜、離間さ
せることにより軽減できるが、さらに必要に応じて、熱
源の前面にアースをした金網を張設することにより、ノ
イズの影響をほぼ完全に防止する。If an electric heating device is used as a heat source, the effect of noise generated from it can be reduced by increasing the distance between the document table and the heat source, but if necessary, it is also necessary to ground the front of the heat source. By installing a wire mesh, the influence of noise can be almost completely prevented.
［作用］
ノイズが測定に支障を生じないように、資料台裏面から
充分に距離を隔てて配置した熱源は１幅。[Function] The heat source is placed at a sufficient distance from the back of the data table so that noise does not interfere with measurement.
射熱によって資料台を裏面から加熱し、一方、資料台は
、遮光性を有するために、測定に支障を生じる光の影響
を遮断して、熱伝導により被測定半導体デバイスを加熱
し、きわめて高精度の測定状況の下で、均一な加熱が達
成される。The material table is heated from the back side by heat radiation, and on the other hand, the material table has a light-shielding property, which blocks the influence of light that would interfere with measurements, and heats the semiconductor device under test by thermal conduction, resulting in extremely high temperature Under precision measurement conditions, uniform heating is achieved.
なお、熱源の資料台からの距離が大となるほど熱線が拡
散して、資料台に対する加熱効率が低下するが、この問
題は、たとえば熱源の背後に放物面に形成した反射板を
付設する等の手段により、熱線を平行光に近づければ改
善できる。また、熱線輻射による熱の伝わりがたは、熱
の伝導距離が長くても遅れが生じないため、熱源の発熱
量を制御して、赤外線放射量を調節することにより、比
較的迅速に、かつ正確に資料台の温度を所望値に設定す
ることができる。Note that the longer the distance from the heat source to the document table, the more the heat rays will spread, reducing the heating efficiency for the document table. This can be improved by bringing the heat rays closer to parallel light using the method described in the following. In addition, the transmission of heat by hot ray radiation does not cause any delay even if the heat conduction distance is long, so by controlling the amount of heat generated by the heat source and adjusting the amount of infrared radiation, it can be done relatively quickly and It is possible to accurately set the temperature of the document table to a desired value.
［実施例］
第１図ないし第３図は、それぞれ本発明の各実施例装置
を示す断面図である。[Embodiments] FIGS. 1 to 3 are sectional views showing respective embodiments of the present invention.
まず、第１図示装置は、プロービング装置の測定部（１
）に、樹脂等の絶縁性材料（２）を介して、資料台（３
）を固設し、この資料台（３）に被測定デバイスを形成
したウェハ（４）を装着し、測定ヘッド（５）を、矢印
示のように、ウェハ（４）の面に沿った方向及びこれに
垂直な方向に移動させて、ウェハ（４）の面に形成され
ているデバイスの所要個所に、測定針（６）を当接させ
て、測定を行う。First, the first illustrated device is a measuring section (1) of a probing device.
), through an insulating material (2) such as resin, to the document stand (3).
), the wafer (4) on which the device to be measured is formed is mounted on the data stand (3), and the measurement head (5) is moved in the direction along the surface of the wafer (4) as indicated by the arrow. Then, the measuring needle (6) is moved in a direction perpendicular to this, and the measuring needle (6) is brought into contact with a desired location of the device formed on the surface of the wafer (4) to perform measurement.
資料台（３）の、ウェハ（４）を装着する面の裏面側に
、ヒータケース（７）を装着し、その内に、熱源として
、ハロゲンランプ（８）等の赤外線を放射する電熱装置
を設置する。ハロゲンランプ（８）には。A heater case (7) is attached to the back side of the material table (3) on which the wafer (4) is attached, and an electric heating device that emits infrared rays such as a halogen lamp (8) is installed as a heat source within the heater case (7). Install. For the halogen lamp (8).
放物面に形成した反射板（９）を付設して、資料台（３
）に向かう方向以外に放射される赤外線の大部分を、資
料台（３）に向けて反射させ、加熱効率を向上させるよ
うにしである。A paraboloid-shaped reflector (9) is attached to the material table (3).
) is designed to reflect most of the infrared rays emitted in directions other than the direction toward the document table (3) to improve heating efficiency.
ハロゲンランプ（８）の赤外線放射量は、それに印加す
る電圧を増減させることにより、任意レベルに制御でき
るので、これを適切に設定することにより、資料台（３
）の表面温度を、容易に所望の値に設定することができ
、かつ、その温度を保持することも容易である。The amount of infrared radiation from the halogen lamp (8) can be controlled to any desired level by increasing or decreasing the voltage applied to it.
) can be easily set to a desired value, and it is also easy to maintain that temperature.
第１図示装置は、周知のスピンナ等におけるような、ウ
ェハ載置面の裏面に接触するように、電熱ヒータを設置
する手段に比して、熱源としてのハロゲンランプ（８）
から資料台（３）までの距離を。The device shown in the first figure uses a halogen lamp (8) as a heat source, unlike a well-known spinner or the like in which an electric heater is installed so as to be in contact with the back side of the wafer mounting surface.
Distance from to the data stand (3).
大きく設定しであるので、ランプ（８）が発生する電気
的ノイズは、その距離の間で減衰し、実用上、測定値に
影響しない程度に軽減される。Since the distance is set to a large value, the electrical noise generated by the lamp (8) is attenuated over the distance, and is reduced to such an extent that it does not practically affect the measured value.
第２図は、第１図示装置に若干の設備を付加して、さら
にノイズの影響を減少させた実施例装置を示す、同実施
例において、測定部（１）、絶縁体（２）、資料台（３
）、被測定ウェハ（４）、測定ヘッド（５）、測定針（
６）、ヒータケース（７）、ハロゲンランプ（８）、反
射板（９）は、それぞれ第１図示装置に準じて構成する
。FIG. 2 shows an example device in which the influence of noise is further reduced by adding some equipment to the device shown in FIG. stand (3
), wafer to be measured (4), measuring head (5), measuring needle (
6), the heater case (7), the halogen lamp (8), and the reflector plate (9) are constructed in accordance with the apparatus shown in the first figure.
この実施例では、ランプ（８）と資料台（３）との間に
、アースに接続した導電性のメツシュ（１ｏ）を張設し
、ランプ（８）が発生する電気的ノイズを遮蔽するノイ
ズシールド手段としである。メツシュ（１０）は、ラン
プ（８）ないし反射板（９）から資料台（３）に放射さ
れる赤外線を充分に透過させるために。In this embodiment, a conductive mesh (1o) connected to the ground is installed between the lamp (8) and the document table (3) to shield electrical noise generated by the lamp (8). This is a means of shielding. The mesh (10) is provided to sufficiently transmit infrared rays emitted from the lamp (8) or the reflector plate (9) to the data table (3).
細径の金属線を編んだものを使用することが望ましい。It is preferable to use one made of thin metal wire.
また、ランプ（６）から放射される熱による資料台ない
し資料以外の部分の温度上昇を抑制するために、ヒータ
ケース（７）の低所に、送気管（１１）及び排気管（１
２）を付設して、ガス（たとえば、空気あるいはＮ２等
）をヒータケース（７）内に送りこみ、冷却するように
しである。In addition, in order to suppress the temperature rise of parts other than the document table or materials due to the heat radiated from the lamp (6), an air supply pipe (11) and an exhaust pipe (1
2) is attached to send gas (for example, air or N2, etc.) into the heater case (7) for cooling.
なお、このガスによる強制冷却のため、資料台（３）に
対する加熱効率が低下することを防止するため、資料台
（３）の裏面に近接した位置に、ガラス等の赤外線を透
過する材質の仕切り板（１３）を装着して、冷気ガス流
から資料台（３）を遮断するように構成する。In addition, in order to prevent the heating efficiency of the document table (3) from decreasing due to forced cooling by this gas, a partition made of a material such as glass that transmits infrared rays is installed near the back of the document table (3). A plate (13) is fitted and configured to isolate the document table (3) from the cold gas flow.
この実施例では、導電性のメツシュ（１０）がハロゲン
ランプ（８）と資料台（３）との間に介在して、ノイズ
シールド手段のフィルタとして働くため、このフィルタ
が介在しない場合に、ランプからの距離を越えて資料台
まで到達する僅かなノイズも。In this embodiment, the conductive mesh (10) is interposed between the halogen lamp (8) and the document table (3) and acts as a filter for the noise shielding means. There was also a slight noise that reached the document table over the distance.
完全に遮断して、良好なノイズレスの状態で、Ｓ定を行
うことができる。It is possible to completely cut off the noise and perform the S constant in a good noiseless state.
なお、上記実施例では、電熱装置としてハロゲンランプ
（８）を使用しているが、これに代えてクセノンランプ
やセラミックヒータ等を使用してもよい。In the above embodiment, a halogen lamp (8) is used as the electric heating device, but a xenon lamp, a ceramic heater, or the like may be used instead.
次に第３図は、本発明の他の実施例装置の要部を示す断
面図で、上述の２実施例では赤外線放射熱源として、ハ
ロゲンランプからなる電熱装置を使用しているのに対し
、本例ではマントルを付したガスバーナを適用したもの
である。前記各実施例における、（１）から（７）まで
の各部品は、第３図示実施例でも全く同様であるので１
図示及び説明を省略する。Next, FIG. 3 is a sectional view showing the main parts of a device according to another embodiment of the present invention. In contrast to the above-mentioned two embodiments, an electric heating device consisting of a halogen lamp is used as an infrared radiant heat source. In this example, a gas burner with a mantle is used. Each of the parts (1) to (7) in each of the above embodiments is exactly the same in the third illustrated embodiment, so 1
Illustrations and explanations are omitted.
ヒータケース（７）の適所に配設した隔壁（１４）に、
支持板（１５）及び耐熱ガラス等の耐熱性透明材料の排
気トラップ（１６）を装着し、支持板（１５）に燃焼ガ
ス送入管（１６）とバーナパイプ（１８）を嵌着し、バ
ーナパイプ（１８）の先端に、マントル（１９）を装着
する。On the partition wall (14) placed at the appropriate location of the heater case (7),
Attach a support plate (15) and an exhaust trap (16) made of heat-resistant transparent material such as heat-resistant glass, fit the combustion gas feed pipe (16) and burner pipe (18) to the support plate (15), and install the burner. A mantle (19) is attached to the tip of the pipe (18).
排気トラップ（１６）の適所には、排気管（２０）が形
成してあり、ガス送入管（１７）にはガス供給管（２１
）を、排気管（２０）にはガス排出管（２２）を、それ
ぞれ連接する。ガス排出管（２２）の末端には、適宜の
吸気手段、たとえば排気ファンを接続しである。また。An exhaust pipe (20) is formed in a proper position of the exhaust trap (16), and a gas supply pipe (21) is formed in the gas feed pipe (17).
), and a gas exhaust pipe (22) is connected to the exhaust pipe (20), respectively. An appropriate intake means, such as an exhaust fan, is connected to the end of the gas exhaust pipe (22). Also.
排気トラップ（１６）の外面適所に１反射板（２３）を
装着する。A reflector (23) is attached to an appropriate location on the outer surface of the exhaust trap (16).
ガス供給管（２１）からガス送入管（１７）を介して。From the gas supply pipe (21) via the gas inlet pipe (17).
適宜の可燃ガスをバーナパイプ（１８）に送りこみ、点
火装置！（周知のガスこんろ等に適用されるものと同様
であり１図示を省略する）により点火して。Send the appropriate combustible gas to the burner pipe (18) and set the ignition device! (This is the same as that applied to well-known gas stoves, etc., and one illustration is omitted).
バーナパイプ（１８）の先端部で燃焼させることにより
、マントル（１９）を赤熱して、赤外線を発生させ。By burning at the tip of the burner pipe (18), the mantle (19) becomes red hot and infrared rays are generated.
右方に配置されている資料台に向けて、直接に、及び反
射板（２３）面で反射させて放射する。The light is radiated directly and reflected by the reflector (23) toward the data stand placed on the right.
燃焼後の産気ガスは、排気管（２０）からガス排出管（
２２）を介して排気される。The produced gas after combustion is passed from the exhaust pipe (20) to the gas exhaust pipe (
22).
この実施例装置は、前述の２例におけるハロゲンランプ
（８）に代えて、マントル（１９）を付設したガスバー
ナ（１８）を熱源としたもので、供給するガス量を調節
して、マントル（１９）の赤熱度を変化させ、それから
放射される赤外線量を制御することができる。In this example device, the heat source is a gas burner (18) equipped with a mantle (19) instead of the halogen lamp (8) in the two examples described above, and the amount of gas to be supplied is adjusted. ), the amount of infrared radiation emitted from it can be controlled.
第３図示装置は、赤外線放射用の熱源がガス燃焼装置で
あるため、燃焼に際して、測定値に影響する電気的ノイ
ズを全く発生しない利点を有する。The device shown in the third figure has the advantage that, since the heat source for infrared radiation is a gas combustion device, no electrical noise that affects the measured values is generated during combustion.
なお、資料台（３）としては、たとえば金属板。Note that the material stand (3) is, for example, a metal plate.
セラミック板ないし石英板等に金属被膜を付着させたも
のが使用されるが、これは遮光性を有し、かつ、被測定
半導体デバイスの厚さくいわゆる深さ）方向の測定用に
導電性を備えるものであればよいので、特に材質を限定
しない。A ceramic plate or quartz plate with a metal coating attached is used, which has light blocking properties and is conductive for measurements in the thickness (so-called depth) direction of the semiconductor device to be measured. The material is not particularly limited as long as it is of any material.
［発明の効果］
（１）資料台を、直接的な熱伝導によらず、資料台から
所要距離離間して設置した熱源から放射される赤外線の
輻射熱により加熱するようにしたので、熱源に電熱手段
を使用した場合でも、半導体デバイスの特性測定値に対
する電気的ノイズの影響を飛躇的に軽減させることがで
きる。[Effects of the invention] (1) The material table is heated not by direct heat conduction, but by infrared radiant heat emitted from a heat source installed at a required distance from the material table. Even when using this method, the influence of electrical noise on the measured values of the characteristics of a semiconductor device can be reduced in an instantaneous manner.
（２）熱伝導や加熱ガスの吹き付は等ではなく、赤外線
源からの輻射熱により資料台を加熱するため、赤外線源
の強さの制御に対し、きわめて迅速な応答性をもって、
正確に被測定半導体デバイスの加熱制御ができる。(2) Because the document table is heated by radiant heat from the infrared source, rather than by heat conduction or by blowing heated gas, it has an extremely quick response to controlling the intensity of the infrared source.
Accurate heating control of the semiconductor device under test is possible.
（３）必要に応じて、熱源と資料台との間に、導電性メ
ツシュを配置し、ノイズシールド手段とすることにより
、測定値に対するノイズの影響を、より完全に防止でき
る。(3) If necessary, by arranging a conductive mesh between the heat source and the data table as a noise shielding means, the influence of noise on the measured values can be more completely prevented.
（４）さらに熱源を、マントルを付設したガスバーナと
することにより、はぼ完全にノイズのない赤外線放射源
を適用することができる。(4) Furthermore, by using a gas burner with a mantle as the heat source, it is possible to apply an infrared radiation source that is almost completely noise-free.
第１図は本発明の１実施例装置を示す断面図。
第２図は同じく他の１実施例装置を示す新面図。
第３図はさらに他の１実施例装置の要部を示す断面図で
ある。
（１）・・・測定部、 （２）・・・絶縁体。
（３）・・・資料台、 （４）・・・被測定ウェ
ハ、（５）・・・測定ヘッド、（６）・・・測定針。
（７）・・・ヒータケース、 （８）・・・ハロゲンラ
ンプ、（９）・・・反射板、
（１０）・・・導電性メツシュ（ノイズシールド手段）
（１１）・・・送気管、 （１２）・・・排気
管、（１３）・・・仕切り板、
（１４）・・・隔壁、 （１５）・・・支持
板、（１６）・・・排気トラップ、（１７）・・・ガス
送入管、（１８）・・・ガスバーす、 （１９）・・
・マントル、（２０）・・・排気管、 （２１
）・・・ガス供給管、（２２）・・・ガス排出管。
（以 上）FIG. 1 is a sectional view showing an apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a new view showing another embodiment of the device. FIG. 3 is a sectional view showing the main parts of yet another embodiment of the device. (1)...Measurement part, (2)...Insulator. (3)...Data stand, (4)...Wafer to be measured, (5)...Measuring head, (6)...Measuring needle. (7)...Heater case, (8)...Halogen lamp, (9)...Reflector, (10)...Conductive mesh (noise shielding means)
(11)... Air supply pipe, (12)... Exhaust pipe, (13)... Partition plate, (14)... Partition wall, (15)... Support plate, (16)... Exhaust trap, (17)...Gas feed pipe, (18)...Gas bar, (19)...
・Mantle, (20)...exhaust pipe, (21
)...Gas supply pipe, (22)...Gas discharge pipe. (that's all)
Claims (1)
体デバイスの所要部位に、測定針を当接させて電気的特
性を測定するプロービング装置において、前記資料台を
遮光性で、かつ導電性を有する板材で形成し、この資料
台の被測定デバイス装着側の裏面側に、所要距離を離間
させて赤外線を放射する熱源を配置し、該放射される赤
外線により、資料台を加熱するようにした半導体デバイ
スのプロービング装置。 （２）熱源に、資料台方向以外に向けて放射される赤外
線を、資料台に向けて反射する反射板を付設した特許請
求の範囲第（１）項に記載の半導体デバイスのプロービ
ング装置。（３）熱源が、電熱装置である特許請求の範
囲第（１）項又は第（２）項に記載の半導体デバイスの
プロービング装置。 （４）電熱装置が、ハロゲンランプである特許請求の範
囲第（３）項に記載の半導体デバイスのプロービング装
置。 （５）熱源と資料台との間に、導電性メッシュを配置し
て、熱源からの電気的ノイズを遮断するようにした特許
請求の範囲第（３）項又は第（４）項に記載の半導体デ
バイスのプロービング装置。 （６）熱源が、赤熱されて赤外線を放射するマントルを
付設したガスバーナである特許請求の範囲第（１）項又
は第（２）項に記載の半導体デバイスのプロービング装
置。 （７）熱源の近傍へ、低温又は常温のガスを流入させる
冷気ガス流入部を配設し、熱源の周囲を冷却するように
した特許請求の範囲第（１）項から第（６）項のいずれ
かに記載の半導体デバイスのプロービング装置。 （８）冷気ガス流入部と資料台との間に、赤外線を透過
する仕切り板を配置した特許請求の範囲第（７）項に記
載の半導体デバイスのプロービング装置。[Scope of Claims] (1) In a probing device that measures electrical characteristics by bringing a measuring needle into contact with a desired part of a semiconductor device to be measured mounted on a document stand heated to a required temperature, the document stand is shielded from light. A heat source that emits infrared rays is placed at a required distance on the back side of the material stand on the side where the device under test is attached, and the emitted infrared rays are used to heat the material. A semiconductor device probing device that heats the stand. (2) The semiconductor device probing apparatus according to claim (1), wherein the heat source is provided with a reflector that reflects infrared rays emitted in a direction other than the direction of the document table toward the document table. (3) A probing apparatus for a semiconductor device according to claim (1) or (2), wherein the heat source is an electric heating device. (4) The probing apparatus for a semiconductor device according to claim (3), wherein the electric heating device is a halogen lamp. (5) A conductive mesh is disposed between the heat source and the data table to block electrical noise from the heat source. Probing equipment for semiconductor devices. (6) The semiconductor device probing apparatus according to claim (1) or (2), wherein the heat source is a gas burner equipped with a mantle that is red-hot and emits infrared rays. (7) Claims (1) to (6) of the present invention are characterized in that a cold gas inlet is provided near the heat source to allow low-temperature or room-temperature gas to flow in, thereby cooling the surroundings of the heat source. A probing apparatus for a semiconductor device according to any one of the above. (8) The semiconductor device probing apparatus according to claim (7), wherein a partition plate that transmits infrared rays is disposed between the cold gas inlet and the data table.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096637A JPS62254443A (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Probing unit for semiconductor device |
| US06/903,021 US4746857A (en) | 1985-09-13 | 1986-09-02 | Probing apparatus for measuring electrical characteristics of semiconductor device formed on wafer |
| KR1019870001028A KR900008603B1 (en) | 1986-04-28 | 1987-02-09 | Semiconductor device probing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096637A JPS62254443A (en) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Probing unit for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254443A true JPS62254443A (en) | 1987-11-06 |
Family
ID=14170344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61096637A Pending JPS62254443A (en) | 1985-09-13 | 1986-04-28 | Probing unit for semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62254443A (en) |
| KR (1) | KR900008603B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303733A (en) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Tokyo Electron Ltd | Probe device |
| KR100474531B1 (en) * | 1997-12-16 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | Bake chamber for semiconductor device manufacturing |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61096637A patent/JPS62254443A/en active Pending
-
1987
- 1987-02-09 KR KR1019870001028A patent/KR900008603B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303733A (en) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Tokyo Electron Ltd | Probe device |
| KR100474531B1 (en) * | 1997-12-16 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | Bake chamber for semiconductor device manufacturing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900008603B1 (en) | 1990-11-26 |
| KR870010406A (en) | 1987-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109103125A (en) | Semiconductor processing equipment and method for calibrating semiconductor processing equipment | |
| JP2502589B2 (en) | Optical device and control method thereof | |
| US11536460B2 (en) | Infrared radiant emitter | |
| US20120033708A1 (en) | Surrogate Temperature Sensor for a Radiant Heat Source | |
| EP0489834B1 (en) | Infra-red radiation emission arrangement | |
| JPS62254443A (en) | Probing unit for semiconductor device | |
| KR100425901B1 (en) | Radiation heater | |
| Lampinen et al. | Modeling and measurements of infrared dryers for coated paper | |
| JP6198411B2 (en) | Temperature measuring device | |
| JPH02184743A (en) | Apparatus for measuring particle load in flue or exhaust gas of combustion process | |
| KR200271704Y1 (en) | Electric heater with prevention plate on back-reflection dome | |
| Ojala et al. | Modeling, measurements and efficiencies of infrared dryers for paper drying | |
| KR19980016834A (en) | Rapid heat treatment equipment | |
| KR200214840Y1 (en) | Electric heater | |
| US2867703A (en) | Photothermic relay and control system | |
| JP2978716B2 (en) | Far infrared heater | |
| JPS6021916Y2 (en) | High frequency heating device | |
| JPS6021917Y2 (en) | High frequency heating device | |
| JP3786079B2 (en) | Induction heating cooker | |
| JP3786080B2 (en) | Induction heating cooker | |
| KR19980021922A (en) | Heat treatment device for semiconductor device manufacturing | |
| JPH0198807A (en) | Gas type far infrared heater | |
| US1762156A (en) | Apparatus for controlling alpha fluid flow | |
| JP2716116B2 (en) | Light irradiation heating furnace | |
| JPS63123909A (en) | Far infrared ray heater of gas type |