JPS62252004A - Glass ceramic sintered body - Google Patents

Glass ceramic sintered body

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Publication number
JPS62252004A
JPS62252004A JP61095154A JP9515486A JPS62252004A JP S62252004 A JPS62252004 A JP S62252004A JP 61095154 A JP61095154 A JP 61095154A JP 9515486 A JP9515486 A JP 9515486A JP S62252004 A JPS62252004 A JP S62252004A
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JP
Japan
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glass
sintered body
powder
filler
ceramic sintered
Prior art date
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Pending
Application number
JP61095154A
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Japanese (ja)
Inventor
高橋 久光
政行 石原
槙尾 圭造
昭一 岡
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62252004A publication Critical patent/JPS62252004A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676Single layer compositions

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野〕 この発明は、ガラスの粉末とフィラーの粉末とが混合さ
れている粉末の成形体を焼成して得られるガラスセラミ
ック焼結体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a glass-ceramic sintered body obtained by firing a powder compact containing a mixture of glass powder and filler powder.

〔背景技術〕[Background technology]

近年、高集積化したLSIや各種の素子を多数搭載する
多層配線基板では、小型化や高信頼性の要求が高まるに
つれて、セラミック材の多層配線基板の利用が広がって
きている。
2. Description of the Related Art In recent years, the use of multilayer wiring boards made of ceramic materials has been expanding as demands for miniaturization and high reliability have increased in multilayer wiring boards on which highly integrated LSIs and a large number of various elements are mounted.

セラミック多層配線基板は、アルミナを主材にしてグリ
ーンシートを形成し、このグリーンシート上に高融点金
属(Mo、W等)の導体配線を厚膜技術により印刷形成
する。そのあと、このグリーンシートを貼り合わせて積
層した多層グリーンシートを約1500−1600℃の
高温非酸化雰囲気中で焼成して得られる。
The ceramic multilayer wiring board is formed by forming a green sheet using alumina as the main material, and on the green sheet, conductor wiring made of a high melting point metal (Mo, W, etc.) is printed by thick film technology. Thereafter, a multilayer green sheet obtained by laminating these green sheets together is fired in a high-temperature non-oxidizing atmosphere at about 1500-1600°C.

しかし、上述のようなアルミナを主材料とする多層配線
基板では、アルミナの高い比誘電率と、微細化配線導体
(Mo、W等の高融点金属)の高い抵抗によって、多層
的配線中を伝播する信号の伝達時間が長くなり、高速化
の要望に応え難かった。
However, in the multilayer wiring board mainly made of alumina as described above, the high dielectric constant of alumina and the high resistance of the miniaturized wiring conductor (high melting point metal such as Mo or W) prevent propagation through the multilayer wiring. It took a long time for the signal to be transmitted, making it difficult to meet the demand for higher speeds.

この問題を解決するために、高抵抗の高融点金属材料の
代わりに、低抵抗金属材料(Au、Ag、Ag  Pd
、Cu等)を使って微細化配線を形成することも考えら
れる。しかしながら、上記の各低抵抗金属材料は融点が
1000℃付近であり、アルミナを主材料とした場合に
は基板の焼成温度よりもはるかに低いので、実際に用い
ることはできない。
To solve this problem, low resistance metal materials (Au, Ag, Ag Pd
, Cu, etc.) may be used to form finer interconnections. However, each of the above-mentioned low-resistance metal materials has a melting point of around 1000° C., which is much lower than the firing temperature of the substrate when alumina is used as the main material, so it cannot be used in practice.

前記の問題を解決するため、ガラス、あるいは、ガラス
粉末焼結体(ガラス−セラミックス体)の多層配線基板
が開発されている。この基板の場合、焼成時の温度は、
上記アルミナを主材とする基板の焼成温度よりもはるか
に低い。そのため、A u 、A g s A g  
P d s Cuなどの低抵抗金属材料を用いても、焼
結以前に配線パターンが融解して表面張力で収縮し、断
線したり他の配線とつながったりするということを防止
できる。
In order to solve the above problems, multilayer wiring boards made of glass or glass powder sintered bodies (glass-ceramic bodies) have been developed. In the case of this substrate, the temperature during firing is
This is much lower than the firing temperature of the substrate mainly made of alumina. Therefore, A u , A g s A g
Even if a low-resistance metal material such as P d s Cu is used, it is possible to prevent the wiring pattern from melting before sintering, shrinking due to surface tension, and causing disconnection or connection with other wiring.

この基板に使用されるガラスは、通常、5iOz −’
Alx 05−MgO系カラステアッテ、(−(7)組
成は、S i 0tSA1□0. 、MgOを主成分と
し、さらにZ n O% L iz OlL i F、
 Pg 05等の核生成剤と、Bi Os 、Pi O
Ss L rtOなどのガラス化に寄与して焼結度を高
める働きをする金属化合物とが副成分として添加されて
いる。具体的には、特公昭59−46900号公報、特
開昭51−52422号公報、特開昭59−92943
号公報などに記載されている。
The glass used for this substrate is typically 5iOz −'
Alx 05-MgO-based calasteate, (-(7) composition is S i 0tSA1□0., MgO as the main component, and Z n O% L iz OlL i F,
A nucleating agent such as Pg 05 and BiOs, PiO
A metal compound such as Ss L rtO that contributes to vitrification and works to increase the degree of sintering is added as a subcomponent. Specifically, Japanese Patent Publication No. 59-46900, Japanese Patent Application Publication No. 51-52422, and Japanese Patent Application Publication No. 59-92943.
It is stated in the issue bulletin etc.

しかしながら、上記特公昭59−46900号公報や特
開昭51−52422号公報に示されたガラス粉末焼結
体は、I、ltoやLtFを核生成剤として含んでいる
ため、L i +イオンのマイグレーシラン現象によっ
て十分な絶縁性を保つことができないという問題がある
。また、Li+イオンがガラス成分に入ることにより、
比誘電率の高いβ−スボジュメンやβ−ユークリプタイ
トの結晶が析出しやすく、基板全体の比誘電率を上昇さ
せるという問題もある。
However, the glass powder sintered bodies disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-46900 and Japanese Patent Application Laid-open No. 51-52422 contain I, lto, and LtF as nucleating agents, so that the L i + ion There is a problem in that sufficient insulation cannot be maintained due to the migration silane phenomenon. In addition, when Li+ ions enter the glass component,
There is also the problem that crystals of β-subodumene and β-eucryptite, which have a high dielectric constant, are likely to precipitate, increasing the dielectric constant of the entire substrate.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は、このような事情に鑑みて、1000℃以下
の低い温度での焼成で十分緻密化されていて、誘電率も
低く、低抵抗金属材料による配線形成にも適したガラス
セラミック焼結体を提供することを目的とする。
In view of these circumstances, the present invention provides a glass-ceramic sintered body that is sufficiently densified by firing at a low temperature of 1000°C or less, has a low dielectric constant, and is suitable for forming wiring using low-resistance metal materials. The purpose is to provide

〔発明の開示〕[Disclosure of the invention]

前記の目的を達成するため、発明者らは、新しいタイプ
のガラス(結晶化するガラス)と、フィラーとの組み合
わせで焼結体の性能の向上をはかるべ(鋭意検討を行っ
た。その結果、っぎのようなことを見出して、この発明
を完成させた。
In order to achieve the above object, the inventors conducted intensive studies to improve the performance of sintered bodies by combining a new type of glass (crystallizing glass) and filler.As a result, After discovering something like this, I completed this invention.

すなわち、S i Ots A 1 t OsおよびM
gOの3つの成分のみからなるものを、重量%組成が、
45≦Sin、≦60.15≦AltO3≦35.20
≦Mgo≦30となるように配合して溶融する。この溶
融体を結晶を析出させないように急冷して透明なガラス
を得たのち、平均粒径1〜10μm程度に微粉砕してガ
ラス粉末とする。このガラス粉末と、電気特性のさらに
良いセラミックフィラー粉末とを混合し、その成形体を
焼成して得られた焼結体は、緻密で比誘電率も小さく、
しかも、それが1ooo℃以下の焼成温度でも達成でき
るのである。
That is, S i Ots A 1 t Os and M
The weight percent composition of gO consisting of only three components is
45≦Sin, ≦60.15≦AltO3≦35.20
They are blended and melted so that ≦Mgo≦30. This melt is rapidly cooled so as not to precipitate crystals to obtain a transparent glass, and then finely pulverized to an average particle size of about 1 to 10 μm to obtain glass powder. The sintered body obtained by mixing this glass powder and a ceramic filler powder with even better electrical properties and firing the molded body is dense and has a low dielectric constant.
Moreover, this can be achieved even at a firing temperature of 100° C. or lower.

したがって、 この発明は、ガラス組成物の粉末とフィ
ラー粉末とが混合されている粉末の成形体を焼成して得
られるガラスセラミック焼結体において、前記ガラス組
成物の組成が、510145〜60重量%、AI! a
s t5〜35重量%、MgO20〜30重量%であり
、前記ガラス組成物とフィラーとの割合が、ガラス組成
物80〜95重量%、フィラー5〜20重量%であるこ
とを特徴とするガラスセラミック焼結体を要旨とする以
下に、この発明にかかるガラスセラミック焼結体を詳し
く説明する。
Therefore, the present invention provides a glass ceramic sintered body obtained by firing a powder compact in which a glass composition powder and a filler powder are mixed, wherein the composition of the glass composition is 510145 to 60% by weight. , AI! a
s 5 to 35% by weight, MgO 20 to 30% by weight, and the ratio of the glass composition to the filler is 80 to 95% by weight of the glass composition and 5 to 20% by weight of the filler. The glass ceramic sintered body according to the present invention will be explained in detail below, focusing on the sintered body.

この発明に用いられるガラス組成物の組成割合が上記の
ように限定されるのは、次の理由によるSiO□の組成
割合が60重量%を越えると、上記3成分からなるガラ
ス溶融温度が上昇してしまうばかりか、焼成時の結晶化
が著しく、ガラス粉末表面層が急激に結晶化してしまい
、焼結を高めるガラス成分(相)が不足して緻密な焼結
体とすることができない。45重量%を下回ると、ガラ
ス粉末の結晶化温度が上昇するので、これに伴って必要
な焼成温度も上昇し、成形体を1000℃以下の温度で
焼成したのでは、得られた焼結体が未焼結状態となって
しまう。
The reason why the composition ratio of the glass composition used in this invention is limited as described above is because if the composition ratio of SiO□ exceeds 60% by weight, the melting temperature of the glass composed of the above three components increases. Not only does this result in significant crystallization during firing, the surface layer of the glass powder rapidly crystallizes, and the glass component (phase) that enhances sintering is insufficient, making it impossible to form a dense sintered body. If it is less than 45% by weight, the crystallization temperature of the glass powder will rise, and the required firing temperature will also rise accordingly. becomes an unsintered state.

A1!03の組成割合が35重蓋%を越えると、溶融体
を急冷して得られるフリットが失透しやすく (結晶化
してしまう)、焼成温度も1300℃を越え、緻密な焼
結体が得られる温度範囲が極めて狭くなる。15重量%
を下回ると、主結晶相がSin、−MgO系の結晶(エ
ンスタタイト、フォルステライト)となり、結晶量その
ものも著しく減少して、比誘電率が大きくなり、焼結体
自体の機械的強度も弱くなってしまう。
When the composition ratio of A1!03 exceeds 35%, the frit obtained by rapidly cooling the melt tends to devitrify (crystallize), and the firing temperature exceeds 1300°C, resulting in a dense sintered body. The temperature range that can be obtained becomes extremely narrow. 15% by weight
When it is below , the main crystal phase becomes Sin, -MgO-based crystals (enstatite, forsterite), the amount of crystals itself decreases significantly, the dielectric constant increases, and the mechanical strength of the sintered body itself becomes weak. turn into.

MgOの組成割合が30重量%を越えると、1000℃
以下の焼成温度では焼結ができないばかりか、結晶の量
も減少してしまう。20重景%を下回ると、ガラス溶融
温度が上昇し、また、溶融体を急冷して得られるフリッ
トも失透しやすくなる。それだけでなく、成形体の焼成
時において、結晶化が著しく、ガラス粉末の表面層が急
激に結晶化してしまい、焼結を高めるガラス成分(相)
が不足するので、緻密な焼結体とすることができない。
When the composition ratio of MgO exceeds 30% by weight, the temperature
If the firing temperature is lower than that, not only will sintering not be possible, but the amount of crystals will also decrease. If it is less than 20%, the glass melting temperature will rise and the frit obtained by rapidly cooling the melt will also tend to devitrify. Not only that, when the molded body is fired, crystallization is remarkable, and the surface layer of the glass powder rapidly crystallizes, causing the glass component (phase) that increases sintering to occur.
is insufficient, making it impossible to form a dense sintered body.

この発明に用いるガラス組成物は、Li、Na、KSP
bなど比較的イオン伝導性の高い元素を含んでいない。
The glass composition used in this invention includes Li, Na, KSP
It does not contain elements with relatively high ionic conductivity such as b.

この発明で用いるフィラーとしては、特に限定するもの
ではないが、α−石英、溶融シリカ、クリストバライト
などのシリカ、コーディエライトから選ばれた少なくと
も1種、および/または、ステアタイト、フォルステラ
イト、ウオラストナイト、アノーサイト、アルミナ、セ
ルジアンから選ばれた少なくとも1種などが挙げられる
The filler used in this invention is not particularly limited, but may be at least one selected from α-quartz, fused silica, silica such as cristobalite, cordierite, and/or steatite, forsterite, and quartz. Examples include at least one type selected from lastite, anorthite, alumina, and celsian.

前記フィラーは、焼結体の機械的強度を上昇させるばか
りでなく、比誘電率を減少させるなどの働きがある。フ
ィラーの添加割合が20重量%を越えると、焼結しにく
くなり、1000℃以下での焼結ができなくなる。また
、焼結体バルク内部にボアーを多く含むようになる。5
重量%を下回ると、フィラーを添加する狙いである、誘
電率の低下、熱膨張率の調整、熱伝導率の向上などの効
果が認められなくなる。
The filler not only increases the mechanical strength of the sintered body but also decreases the dielectric constant. If the proportion of filler added exceeds 20% by weight, sintering will become difficult and sintering at temperatures below 1000°C will not be possible. Further, the bulk of the sintered body contains many bores. 5
If it is less than % by weight, the effects of adding the filler, such as lowering the dielectric constant, adjusting the coefficient of thermal expansion, and improving the thermal conductivity, will not be observed.

フィラーとして、上記比較的イオン伝導性の高い元素を
ふくんでいないものを用いるようにすると、焼結体を多
層配線基板材料として用いても、マイグレーション現象
による絶縁性の劣化が生じるおそれがない。
If a filler that does not contain the above-mentioned elements with relatively high ion conductivity is used, even if the sintered body is used as a multilayer wiring board material, there is no risk of deterioration of insulation due to migration phenomenon.

上記ガラス組成物の粉末は、たとえば、重量%組成が上
記範囲内となるように各成分を配合して溶融し、この溶
融体を結晶を析出させないように急冷して透明なガラス
を得たのち、微粉砕して得られるが、他の方法によって
得るようにしてもよい。ガラス組成物の粉末の粒度は、
特に限定されないが、平均粒径として1〜10μmとす
るのが好ましい。平均粒径が10μmを越えると、ガラ
スセラミック焼結体の表面凹凸がはげしくなり、配線基
板とした場合、回路の導体精度も悪くなることがある。
The powder of the above-mentioned glass composition is obtained by, for example, blending and melting each component so that the weight percent composition is within the above-mentioned range, and then rapidly cooling the melt so as not to precipitate crystals to obtain a transparent glass. Although it can be obtained by finely pulverizing it, it may also be obtained by other methods. The particle size of the powder of the glass composition is
Although not particularly limited, it is preferable that the average particle size is 1 to 10 μm. If the average particle size exceeds 10 μm, the surface unevenness of the glass ceramic sintered body becomes severe, and when used as a wiring board, the conductor accuracy of the circuit may deteriorate.

また、結晶化温度が高くなることがあるので、1000
℃以下の焼成では充分な結晶析出が起こらず、結晶量の
低い焼結体となるため、誘電率の低下が望めなくなるお
それがある。同時に、機械的強度が低くなることがある
ので、実用性に欠けるおそれがある。他方、1μmを下
回ると、ガラス組成物の結晶化速度が早まることがあり
、充分な焼結が起こるまでに、結晶化が終了してしまう
ということが発生し、焼結密度が上がりにくくなるおそ
れがある。
Also, since the crystallization temperature may become high,
If the temperature is lower than 0.degree. C., sufficient crystal precipitation will not occur, resulting in a sintered body with a low amount of crystals, so there is a possibility that a reduction in dielectric constant cannot be expected. At the same time, the mechanical strength may become low, which may lead to a lack of practicality. On the other hand, if it is less than 1 μm, the crystallization rate of the glass composition may accelerate, and the crystallization may end before sufficient sintering occurs, making it difficult to increase the sintered density. There is.

フィラーの粒度も、特に限定はしないが、概ね上記ガラ
ス組成物の粒度と同等か、若干小さいめに設定するのが
好ましい。
The particle size of the filler is also not particularly limited, but it is preferably set approximately equal to or slightly smaller than the particle size of the glass composition.

上記ガラス組成物とフィラーを混合する方法は、特に限
定されず、湿式または乾式のいずれによっても良い。成
形体を得るのに樹脂、溶媒などの有機物を用いた場合に
は、あらかじめ前焼成を行って有機物を除去したのちに
、焼結のための焼成を行うようにするのがよい。なお、
前記有機物は特に限定されず、種々のものが用いられる
。また、有機物以外のものが用いられたり、何も用いず
に成形体を得てもよい。
The method of mixing the glass composition and filler is not particularly limited, and may be wet or dry. When an organic substance such as a resin or a solvent is used to obtain a molded body, it is preferable to perform pre-firing in advance to remove the organic substance, and then carry out firing for sintering. In addition,
The organic substance is not particularly limited, and various types can be used. Moreover, materials other than organic substances may be used, or a molded article may be obtained without using anything.

上記ガラス組成物の粉末とフィラーが混合されている粉
末の成形体は、たとえば、グリーンシートまたはこれを
複数枚積層したものなどがあるが、これらに限るもので
はない。
Examples of the powder molded body in which the powder of the glass composition and the filler are mixed include, but are not limited to, a green sheet or a stack of a plurality of green sheets.

前記成形体を焼成する条件は、特に限定されないが、上
述の低抵抗金属材料の融点(1000℃前後)よりも低
い温度で焼成を行っても焼結できるので、その温度で焼
成するようにすれば、低抵抗金属材料を印刷などして同
時焼成できる。同時焼成でなくてもよい、また、用途は
多層配線基板などの配線基板に限定されない。
The conditions for firing the molded body are not particularly limited, but since sintering can be performed at a temperature lower than the melting point (around 1000°C) of the above-mentioned low-resistance metal material, it is recommended that the molded body be fired at that temperature. For example, a low-resistance metal material can be printed and fired simultaneously. Simultaneous firing is not required, and the application is not limited to wiring boards such as multilayer wiring boards.

つぎに、この発明にかかるガラスセラミック焼結体を実
施例に基づいて詳しく説明する。
Next, the glass ceramic sintered body according to the present invention will be explained in detail based on Examples.

第1表のガラスフリットG−1〜G−9(G−8および
G−9は比較例用)に示す割合に調合された5iOz 
、AI、O,およびMgO(7)3成分のみからなる原
料それぞれをアルミナ質るつぼ内に入れて約1500℃
の加熱温度下で溶融した。
5iOz prepared in the proportions shown in glass frits G-1 to G-9 (G-8 and G-9 are for comparative examples) in Table 1.
, AI, O, and MgO (7) were placed in an alumina crucible and heated to approximately 1500°C.
It melted under a heating temperature of .

このようにして得られた溶融液を水中に投下して、ガラ
ス組成物(フリット)を得た。この組成物を、湿式また
は乾式で、アルミナ質ボールミル中で充分粉砕して、平
均粒径1〜10μmのガラス粉末とした。
The melt thus obtained was dropped into water to obtain a glass composition (frit). This composition was sufficiently pulverized wet or dry in an alumina ball mill to obtain a glass powder having an average particle size of 1 to 10 μm.

このガラス粉末に、第2表の実施例1〜20および第4
表の比較例1〜8に示す割合にフィラー粉末を調合し、
さらに、有機バインダーとして、たとえば、ポリブチル
メタクリレート櫂脂、フタル酸ジブチル、キシレン等を
加え混練し、減圧下で脱泡処理した。そのあと、この混
練体を用いてドクタブレード法によりフィルムシート上
に0.2闘厚の連続シートを作製した。これを乾燥した
後、フィルムシートからはがし、5鶴角となるように打
ち抜きしてグリーンシートを作製した。
Examples 1 to 20 and 4 of Table 2 were added to this glass powder.
Filler powder was mixed in the proportions shown in Comparative Examples 1 to 8 in the table,
Further, as an organic binder, for example, polybutyl methacrylate oyster fat, dibutyl phthalate, xylene, etc. were added and kneaded, followed by defoaming treatment under reduced pressure. Thereafter, using this kneaded body, a continuous sheet having a thickness of 0.2 was produced on a film sheet by a doctor blade method. After drying this, it was peeled off from the film sheet and punched out into five crane squares to produce a green sheet.

このグリーンシート複数枚を重ねて金型ブレスで成形し
て成形体としたのち、焼成した。焼成時には、200℃
/時間の速度で、それぞれ第3表および第5表に示した
850〜1ooo℃の温度まで昇温し、この状態を3時
間保持したあと、200℃/時間の速度で降温した。
A plurality of these green sheets were stacked and molded using a mold press to form a molded body, which was then fired. 200℃ during firing
The temperature was raised to a temperature of 850 to 100° C. shown in Tables 3 and 5, respectively, at a rate of 200° C./hour, and after this state was maintained for 3 hours, the temperature was lowered at a rate of 200° C./hour.

このようにして得た実施例1〜2oおよび比較例1〜8
の焼結体について誘電率(比誘電率)および吸水率を測
定し、その結果を第3表および第5表に示した。なお、
ガラスフリフト作製時の失透(結晶化)の存無、熱膨張
率、熱伝導率も併せて示した。比誘電率の測定は、IM
Hzの周波数で行った。吸水率の測定は、JIS C−
2141に従って行った。
Examples 1 to 2o and Comparative Examples 1 to 8 thus obtained
The dielectric constant (relative permittivity) and water absorption of the sintered bodies were measured, and the results are shown in Tables 3 and 5. In addition,
The presence or absence of devitrification (crystallization), thermal expansion coefficient, and thermal conductivity during glass lift fabrication are also shown. Measurement of relative permittivity is performed using IM
It was performed at a frequency of Hz. Measurement of water absorption rate is based on JIS C-
2141.

第1表〜第5表にみるように、実施例1〜20の焼結体
では、比較例1〜8の焼結体と比べて、1000℃以下
の焼成温度であるにもかかわらず極めて緻密な焼結状態
が達成されている。比誘電率も、充分に実用性のある小
さな値となっている。熱膨張率、熱伝導率も良好である
As shown in Tables 1 to 5, the sintered bodies of Examples 1 to 20 are extremely dense compared to the sintered bodies of Comparative Examples 1 to 8, despite being fired at a temperature of 1000°C or less. A good sintered state is achieved. The dielectric constant is also a sufficiently small value for practical use. Thermal expansion coefficient and thermal conductivity are also good.

なお、比較例1〜8の焼結体は、1100℃以上の温度
で焼成しないと、緻密な焼結体とはならなかった。また
、比較例1〜8の焼結体は緻密な焼結状態ではないので
、比誘電率の値は見掛は上の値(測定値は小さめに出る
)で、材料そのものの真の値ではない、このため、他の
比較例では、比誘電率は表示していない。
Note that the sintered bodies of Comparative Examples 1 to 8 did not become dense sintered bodies unless they were fired at a temperature of 1100° C. or higher. In addition, since the sintered bodies of Comparative Examples 1 to 8 are not in a dense sintered state, the relative dielectric constant value appears to be a higher value (the measured value is smaller), but it is not the true value of the material itself. Therefore, the relative permittivity is not displayed in other comparative examples.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のガラスセラミック焼結体は、以上にみるよう
に、上記の組成のガラス組成物の粉末とフィラー粉末と
が上記割合で混合されている粉末の成形体を焼成してな
るので、緻密でしかも、小さい比誘電率となっているだ
けでな(、それが1000℃以下の焼結温度で達成する
ことができる。したがって、緻密で低比誘電率であるこ
とから、この焼結体は多層配線基板材料に適するものと
なり、1000℃以下の焼成温度であるため、低抵抗金
属材料を印刷するなどして同時に焼成を行い、配線を形
成することもできる。
As described above, the glass ceramic sintered body of the present invention is made by firing a powder compact in which the powder of the glass composition having the above composition and the filler powder are mixed in the above ratio, so that it is dense. Moreover, this sintered body not only has a small dielectric constant (but can be achieved at a sintering temperature of 1000°C or less). It is suitable as a wiring board material, and since the firing temperature is 1000° C. or less, it is also possible to print a low-resistance metal material and simultaneously bake it to form wiring.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ガラス組成物の粉末とフィラー粉末とが混合され
ている粉末の成形体を焼成して得られるガラスセラミッ
ク焼結体において、前記ガラス組成物の組成が、SiO
_245〜60重量%、Al_2O_315〜35重量
%、MgO20〜30重量%であり、前記ガラス組成物
とフィラーとの割合が、ガラス組成物80〜95重量%
、フィラー5〜20重量%であることを特徴とするガラ
スセラミック焼結体。
(1) A glass ceramic sintered body obtained by firing a powder compact in which a glass composition powder and a filler powder are mixed, wherein the composition of the glass composition is SiO
_245 to 60% by weight, Al_2O_315 to 35% by weight, MgO 20 to 30% by weight, and the ratio of the glass composition to the filler is 80 to 95% by weight of the glass composition.
, a glass ceramic sintered body characterized by having a filler content of 5 to 20% by weight.
(2)フィラーが、α−石英、溶融シリカ、クリストバ
ライト、コーディエライト、ステアタイト、フォルステ
ライト、ウォラストナイト、アノーサイト、アルミナお
よびセルジアンからなる群より選ばれた少なくとも1種
である特許請求の範囲第1項記載のガラスセラミック焼
結体。
(2) A patent claim in which the filler is at least one member selected from the group consisting of α-quartz, fused silica, cristobalite, cordierite, steatite, forsterite, wollastonite, anorthite, alumina, and celsian. The glass ceramic sintered body according to scope 1.
(3)焼成が1000℃以下の温度で行われる特許請求
の範囲第1項または第2項記載のガラスセラミック焼結
体。
(3) The glass ceramic sintered body according to claim 1 or 2, wherein the firing is performed at a temperature of 1000° C. or lower.
(4)ガラス組成物の粉末が、平均粒径1〜10μmの
ものである特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれ
かに記載のガラスセラミック焼結体(5)フィラー粉末
が、平均粒径1〜10μmのものである特許請求の範囲
第1項ないし第4項のいずれかに記載のガラスセラミッ
ク焼結体。
(4) The glass ceramic sintered body according to any one of claims 1 to 3, wherein the glass composition powder has an average particle size of 1 to 10 μm. (5) The filler powder has an average particle size of 1 to 10 μm. The glass ceramic sintered body according to any one of claims 1 to 4, which has a particle size of 1 to 10 μm.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8143180B2 (en) * 2007-11-30 2012-03-27 Corning Incorporated Honeycomb cement with ceramic-forming crystallizable glass and method therefor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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