JPS62250971A - 基体の所定，所望区域からのパラ―キシリレン系樹脂被膜の除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、気相沈積されたパラーキシリレン重合物お
よび気相沈積されたパラ−キシリレン置換誘導体重合物
を、かかる被膜を支持している基体の所定、所望の区域
から除去する方法、およびかかる方法に用いる組成に関
する。

〔従来の技術〕

プリント回路板およびセラミック回路板のような電子部
材の製造において、回路板用、板上の部品用ならびに板
上の要素を、互いに、および板に直接に接触していない
素子に連結するコネクタや導線用に、通常およびしばし
ば用いられている被膜の材料は、真空気相沈積されたノ
譬う−キシリレン１合物および真空気相沈積されたノ４
ラーキシリレン置換誘導体重合物、例えば時々・９リレ
ンＮ（商標名）　（ｐａｒｙｌｅｎｅ　Ｎ　）と呼ばれ
るポリー／母う−キシリレンそれ自体、一般に・ぐリレ
ンＣ（商標名）（ｐａｒｙｌｓｎ＠Ｃ）と呼ばれるポリ
ーモノクロローノやラーキシリレンおよび一般にパリレ
ｙＤ（商標名）（ｐａｒｙｌｅｎｅ　Ｄ　）と呼ばれる
ポリーノクロローノやラーキシリレンである。これらの
ツヤリレン、およびとくに・９リレンＣは、良好な不浸
透水性、高耐溶剤性、高耐熱性およびすぐれた熱膨張係
数を与えるので、エレクトロニクス用としてもりとも良
好に適合した被膜である。さらに、これらは通′ｇ薄い
層に沈積されるので、電子素子の電気特性がこれらの存
在によって影４１をうけない。しかしながら、たいてい
の・やりレンは一般の溶媒に溶解しないので、これらの
被膜を除去することが非常に困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ノ華リレン被膜を、電子部品、プリント回路板および可
撓性ハーネス（ｈａｒｎｅｓｓｅａ　）からこすシとる
ための努力は、効果のないことが立証された。

摩耗によシ、被覆された電子部材および隣接部品が損傷
される傾向にあり、かつ、除去するのが困難なごみおよ
びほこりを生じ、さらに近接被膜区域に影響を与えるこ
となしに除去し友！正確な被膜区域に限定することが困
難となる。パリレンを除去する他の方法、例えばプラズ
マエツチングは、時間がかかり、高価となり、さらにし
ばしば部品および基体を破壊もしくは損傷する。

しばらくの間、基体、とくに、パリレンで被膜された部
品および導線で密に充填されたプリント配線板、セラミ
ック回路板および電子回路のような基体から、１４’　
＋７レン被膜を除去するための、この分野の使用に適し
ｆｃ簡単で経費のかからない方法が望まれていた。かか
る方法は、被覆であろうと未被榎であろうと、近接また
は隣接の部品に影響を与えることなしに所望、所定の区
域から被膜を除去しなければならない。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は、プリント配線板、電子部品、可撓性ハーネ
ス、セラミック、金属およびその他の基体のような基体
から、基体を損傷することなく、かつ除去したい区域に
近接する他の区域からノ４１Ｊレン被膜を除去すること
なしに、所定、所望区域のノ母リレン被膜を除去する方
法を提供するものである。

この発明の方法により処理されるべき基体は、真空気相
沈積された・ぐラーキシリレンの重合物ならびに真空気
相沈積された、モノクロローパラ−キシリレンおよびジ
クロロ−／４ラーキシリレンのようなＩ？ラキシリレン
置換誘導体の重合物からなる群から選ばれた少くとも１
つからなる被膜を支持している。

これらのＡ　ＩＪレン被膜を支持している基体からａ４
１Ｊレン被ｌｌＡを除去する方法は、除去すべき所定、
所望の被膜区域を、基体に対して被膜をゆるめ、剥離も
しくはかき落しのような物理的除去を十分に可能ならし
めるような物質と接触させることである。この物質で好
ましいものは、テトラヒドロフラン単独、もしくはテト
ラヒドロフランとコロイドシリカのようなキャリヤーと
を組合せた物質である。好ましいキャリヤーは、不活性
のもの、すなわちテトラヒドロフラン、Δリレン被膜、
モしくは電子部品、およびノ’？　１７レン被膜を支持
している基体の何れとも反応しないものである。不活性
のキャリヤーは、キャリヤーとしてのみならず増粘剤と
しての作用をもなし、被覆であろうと未被覆であろうと
、隣接部品に影響なしに、・母リレンで被覆された所定
、所望の区域に正確にキャリキー／テトラヒドロフラン
混合物を塗布することを可能ならしめる。

この発明の方法および組成物は、金属、プラスチック、
複合体もしくはセラミック材料からなる基体から、溶媒
に不溶の／４’　ＩＪレン被膜を除去するものである。

上記の金属としては、例えばアルミニウム、鋼、金、錫
、鉛および銀、またはこれらの混合物を含む。上記のプ
ラスチックとしては、例えばフタル酸ジアリル、ナイロ
ン塘たはポリイミドを言み、上記の複合体としては、例
えばエポキシ／がラス、Ｉリイミド／がラスまたはポリ
イミド／アクリルからなる積層プリント配線板材料を含
む、さらに、上記のセラミックスとしては、例えばアル
ミナおよびベリリアを含む。この発明の方法は、広範囲
にわたる厚さのパリレン被膜を除去するが、好ましくは
約０．１０ミル（２，５４Ｘ１０−４備）ないし約１５
ミル（３，８Ｘ１０　　口）の範囲の厚さを有する被膜
を除去する方法である。

このような方法によって除去されるノーリレン被膜は、
従来の気相沈積／重合方法によって形成される。

基体からツクリレン被Ｍを除去するために、この発明に
おいて用いられる物質は、パリレン被膜の所定、所望の
区域を基体に対してゆるめ、剥離、チッピングおよびか
き洛しのような方法で被膜の物理的除去を十分に可能な
らしめるものである。

これらの物質は、・マリレンの被覆された区域もしくは
・やりレン被膜を支持する基体とは化学的に反応せず、
むしろ被膜に浸透し、被膜と基体との間の結合をゆるめ
て、短時間、好ましくは除去すべき区域に塗布後３０分
未満で、パリレン被膜を除去することを可能ならしめる
ような十分なゆるみを生じさせるものである。これらの
物質は、好ましくは、室温で塗布するが、物理的方法に
よって、容易かつ十分に被膜の除去をおこなえるような
、被膜をゆるめる九めの十分の量を用いることによって
約−４０？（約−４０℃）ないし約１１５下（約４６℃
）の範囲のどの温度においても塗布することができる。

好ましい態様として、基体に対して・やリレン被膜をゆ
るめるために・臂リレン被膜に塗布される上記の物質と
しては、テトラヒドロフラン単独、またはキャボジル（
Ｃａｂ−０−８ｉｌ　：　キャポット社（Ｃａｂｏｔ　
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）によって製造されたヒユー
ムドシリカもしくはコロイドシリカの商標名〕のような
不活性のキャリヤーとの組合せたものがあげられる。こ
れらのキャリヤーは、不活性のもの、すなわちテトラヒ
ドロフラン、・９リレンまたはパリレン被膜を支持する
基体と反応しないものである。キャリヤーは増粘剤とし
ても作用し、さらに、テトラヒドロフランと組合せて粘
稠な物質を形成し、この粘稠物質は所定、所望の・母リ
レンの被覆された区域に塗布することができて、その結
果、被覆であろうと未被覆であろうと、近接もしくは隣
接の区域への影響なしに、・クリレンの被覆された区域
から被膜を除去することができる。

この場合、テトラヒドロフラン対キャリヤーの割合を、
重量比で約１：４０〜約１：２５の範囲となるように、
テトラヒドロフランを不活性キャリヤーと組合せること
が好ましい。キャリヤーとテトラヒドロ７ランとの混合
は、ビーカー、火桶もしくは他の容器中で、好ましくは
蓋をして、２成分を互いに単に混合することにより容易
かつ迅速におこなうことができる。好ましい混合物は、
約４．５Ｉないし約５Ｉのキャ〆ジルと１００ｄのテト
ラヒドロフランとからなるものである。テトラヒドロフ
ランは、揮発しやすい液体であるので、テトラヒドロフ
ランとキャリヤーとの混合物は密封した容器中に保存す
ることが好ましい。処理すべき構造体、例えばコネクタ
に混合物を塗布するときには、混合物の塗布された構造
体を密封容器中におくか、または、アルミニウム箔もし
くは他の保護材料を構造体のまわ５におおってテトラヒ
ドロフランの蒸発を防ぐ。もしも、風の吹き込む条件が
ある場合には、好ましくは、さらに液体のテトラヒドロ
フランを混合物に添加して、混合物が凝結するか割れる
のを防止する。

テトラヒドロ７ラン単独、または、不活性キャリヤーと
組合わされたテトラヒドロフランは、除去したい被膜区
域と、約１５分ないし約３０分の範囲で接触させるのが
好ましい。そのあとで、もしも液体のテトラヒドロフラ
ンを用いたときには、被膜区域を、５分ないし６０分間
乾燥することが好ましい。もしも、テトラヒドロフラン
が被膜区域に若干残っている場合には、アルコール、ア
セトン、水もしくは池の普通の溶媒ですすぐことにより
、これを除去することができる。もしも、テトラヒドロ
フラン／不活性キャリヤーの混合物を用いる場合には、
水ですすぎ、ブラシ掛けし、ついで溶媒ですすぐことに
よって除去することができる。その後、数分ないし数時
間の間に、ビンセットを用いて引離すか、プラスチック
、複合体もしくは木材のような材料からなるのみのよう
な道具を用いて、かき落すかもしくは引張りはがすか、
または、消しプムを用いてこすシとるかして、パリレン
被膜を物理的に除去することができる。パリレン被膜の
除去速度は、被膜の厚さに依存し、厚い被膜のほうがよ
り容菖に除去される。

この発明の方法において用いられるテトラヒドロフラン
は、電子部材を加工するために通常用いられる種々の材
料と相溶することか判明した。下記の基体材料を、時間
を１５分から５時間の範囲で変化させて、テトラヒドロ
フランにさらした。

すなわち、この材料は、ナイロン、フタル酸ジアリル、
ポリイミド添加工Ｉキシ接着剤、可撓性ポリイミド／ア
クリル積層シート、エポキシ／ガラス複合体、ポリイミ
ド／ガラス複合体、アルミナ、はんだ、セラミックスお
よびアルミニウムである。

２０倍から５０００倍の範囲における種々の倍率の走査
電子顕微鏡写真は、基体の表面外観に重要な変化がない
ことを示した。加えて各試料のフーリエ−変換赤外分析
（ＦＴＩＲ）は、テトラヒドロフランにさらした後の材
料のスペクトルと、さらす前の材料のスペクトルとが同
一であることを示した。

テトラヒドロフランは、この発明の方法を実行するのに
好ましい材料であるが、幾らかの他の物質をも用い得る
ことが判明した。ジクロロメタン（すなわち塩化メチレ
ン）は、テトラヒドロフランにくらべて、１５倍ないし
２０倍のパリレンをゆるめるための処理時間を要するけ
れども、テトラヒドロフランの代りに用いることができ
る。また、トルエンも用いることができるが、処理時間
がテトラヒドロフランにくらべて５０倍要する。

これに対して、アセトン、１．１．１−　トリクロロエ
タンおよびアルコールは、ツクリレン被膜をゆるめず、
また、パリレン被膜に対して何らの他の効果をも示さな
いことがわかった。

〔実施例〕

以下に示すこの発明の方法は、コネクタ構造中に組立て
られたコネクターピンからノ母リレンＣの被膜を除去す
るために用いられた。

金めつきされた丸いコネクタピンを、ガラスの充填され
たフタル酸ジアリル基体に支持した。金めっきされた長
方形のピンを、可撓性の積層ポリイミド／アクリルケー
ブルと接したナイロン基体に支持した。ノ臂リレン被膜
の厚さは約０．４ミル（１，０２Ｘ１０　　ｃｒｒｌ）
であった。

コネクタ一部材の金メッキされたピンから、前述した好
ましい混合物、すなわちテトラヒドロフラン〔アライド
社（Ａ１１ｉｓｄ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製〕およ
びキヤ？ジル〔キヤ＆ｙト社（Ｃａｂｏｔ　Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎ）製〕の混合物を用いて、パリレン被膜を
除去した。

混合物で１時間処理（この間処理した区域は蒸発を防ぐ
ためにアルミニウム箔でおおった）した後、拡大鏡を使
い、ピンセットを用いてノ９リレン被膜をコネクタよシ
引き離した。丸いピンにつき、１１０個のピンから被膜
を除去した。混合物で２時間処理した長方形のピンにつ
いては、３分未満で１０個のピンから被膜を除去した。

ピンを顕微鏡を便って検査したところ、パリレン被膜は
なく、かつ処理工程による損傷もないことが判明した。

上記に述べたテトラヒドロフラン単独を用いて、コネク
タ一部材め金めっきされたピンから・やリレン被膜を除
去した。丸いピンについては、１時間のテトラヒドロフ
ランによる処理後、２５分間に１０個のピンから被膜を
除去した。長方形のピンについては、０．２５時間ない
し１．２５時間のテトラヒドロフランによる処理後、１
０個ないし４１個のビンを有するコネクタについて、ビ
ン１個あたり０，１５分ないし０．７５分の割合で被膜
を除去した。ビンを顕微鏡を使って検査したところ、ツ
ヤリレン被膜はなく、処理工程による損傷もないことが
判明した。

これらの試験から、テトラヒドロフランによるパリレン
被膜の処理時間は、ゆるめられた被膜の物理的除去の速
度に対して影響を与えないと結論された。１時間に１個
処理したと同じ割合の除去が、１５分間に１個処理した
試料について本達成された。

薄い被膜は厚い被膜よりもゆるめられたツヤリレンの物
理的除去に長時間を要するけれども、追加の試験が、極
めて薄い被膜、例えば０．２ミル（０，５１Ｘ１０　　
ｃＩｎ）厚さの・ぐリレ／を上記に示すコネクタから除
去し得ることを示した。ビンセクトに加えて、エポキシ
／Ｗラス複合材製のかき１？　ＩＪレン被膜を除去する
ためのこすりと９道具と八 して、消しゴムを用いた。とくにこの目的のために申し
分のない消しゴムは、ノ卆うピンク（Ｐａｒａｐｌｎｋ
）〔イレーザ−スティック（Ｅｒａｓｅｒ　５ｔｉｃｋ
　）社の商標名〕およびゾラッシュレイス（Ｐｌａｓｈ
　Ｒａｃｅ　）〔エバーハードファペル（ＩＥｂｅｒｈ
ａｒｄ　Ｆａｂａｒ　）社の商標名〕である。

テトラヒドロフラン混合物を用いるこの発明の方法は、
また、プリント配線板の限定された区域から／’Ｐ　Ｉ
Ｊレン被膜を除去するのに用いられる。テトラヒドロフ
ラン混合物で処理したのち、めっきスルーホールのない
４インチ（１０，１６ｃｒＲ）平方のエポキシ／ガラス
複合体区域から、１分ないし３分間で、０．５ミル（１
，２７Ｘ１０　　ｍ）のパリレンを剥離した。２０倍の
倍率の顕微鏡を使って、処理した構造を検査したところ
、プリント配線板およびその上の記号をも含めて、損傷
を与えずにパリレンが除去されたことが明らかとなった
。同様の処理後、１４のめっきスルーホールを有する６
、２５インチ（１５，８８ｍ）平方のエポキシ／ガラス
複合体区域について、複合体表面およびめっきスルーホ
ールからパリレンを除去するのに１２分を要した。後者
の場合、各ホールのツヤリレンは、円筒形状の単一片で
除去された。表面およびホールから全部除去されたこと
が２０倍の倍率の顕微鏡で立証された。

上記の記述は、この発明が適用される技術思想の好まし
い例示的方法を詳細に述べたものである。

多数の他の包含される変形が、この発明の範囲から逸脱
することなく、容易に用い得ることは当業者であれば認
識することができよう。特に、この発明においては、テ
トラヒドロフランを使用することに限定されることなく
、むしろ、パリレン被膜を基体からゆるめることができ
て、基体から、ゆるめられた被膜の物理的除去を十分に
おこなえる範囲のいかなる物質をも包含する。％に、環
状エーテル、芳香族工雫チル、ハロゲン化アルカン、ハ
ロケ°ン化アロマチックスまたはアルキル化アリール化
合物はこの目的のために有効であると期待される。

〔発明の効果〕

上記のこの発明の方法および組成物は多くの利点を有す
る。この発明の方法は、特別の器具もしくは道具なしに
／タリレンの除去をおこなえて、一定の場所においても
、製造および再加工の施設から離れた他の場所において
も、パリレンの除去を容易におこなうことができる。ツ
ヤリレンは、ぞに充填された電子部材および間隔が接近
したコネクタビンから除去し得るし、また突出した回路
、ハンダ付された相互連結の突出部、めっきスルーホー
ルおよび高さの高い部品を具備する複雑な部材からも除
去し得る。また、異常に間隔が接近した部品を具備した
プリント配線板から、部品を損傷することなく、かつ隣
接した部品をそこなうことなく、パリレンを除去するこ
とができる。

これらの方法によると、また、非常に薄い回路、および
極めて薄い導線を具備するこわれやすい部品からこれら
を損傷することなく、迅速に、能率的に、・々リレンを
除去することができて、回路部品の再加工の費用を低減
することができる。さらに、これらの方法は、金属基体
、プラスチック基体、複合体もしくはセラミック部品、
または複合体もしくはセラミック基体を損傷することが
ない。

出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　音用１頁の続き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’　　　　　　　識別記号　　庁内整
理番号＠発明者　　　ステイーブン・アー　　　アメリ
カ合衆国ル会フェルスタイン　　　ビーチ、ニス・１０
８　　　。

０発　明　者　　レベツカ　・　リー　　アメリカ合衆
国ス、アイダホ・ ０発　明　者　　ジョアン・エル・ラム　　アメリカ合
衆国ビーチ、ハーク 、カリフォルニア州　９０２７７、レドンド・イレナ・
アベニュー・ナンノく−・シー、カリフォルニア州　９
００２５．ロサンゼルアベニューｅナンバー・４　１１
８６７、カリフォルニア州　９０２７８．レドンド・ネ
ス・レーン　１４０５

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空気相沈積されたパラ−キシリレンの重合物お
   よび真空気相沈積されたパラ−キシリレン置換誘導体の
   重合物よりなる群から選ばれた少くとも１つからなる被
   膜をその上に有する基体から、該被膜の少くとも１つの
   所定、所望区域を除去する方法であって、該少くとも１
   つの区域に物質を接触させて、該区域の被膜を十分にゆ
   るめ、物理的手段によって該被膜の該区域を除去するこ
   とからなる基体の所定、所望区域からのパラ−キシレン
   系樹脂被膜の除去方法。
2. （２）被膜がポリ−モノクロロ−パラ−キシリレンから
   なり、物質がテトラヒドロフランからなる特許請求の範
   囲第１項記載の方法。
3. （３）物質がテトラヒドロフランからなる特許請求の範
   囲第１項記載の方法。
4. （４）物質がテトラヒドロフランと不活性キャリヤーと
   の混合物からなり、該物質が、塗布の温度および圧力条
   件下、該物質の近接区域への漏れもしくは排出が実質的
   にない状態で限定された被膜区域に該物質の塗布を十分
   におこなえるような粘度を有しているものである特許請
   求の範囲第１項記載の方法。
5. （５）基体が、プリント配線板、電子回路、電子部品、
   または前記２以上の組合せからなるものであり、物質が
   テトラヒドロフランからなるものである特許請求の範囲
   第１項記載の方法。
6. （６）不活性キャリヤーが、コロイドシリカおよびアル
   ミナからなる群から選ばれたものである特許請求の範囲
   第４項記載の方法。
7. （７）テトラヒドロフランと不活性キャリヤーとの比が
   約１：４０ないし約１：２５の範囲である特許請求の範
   囲第４項記載の方法。