JPS62243144A - 光学的記録媒体および光学的記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は光学的記録媒体および光学的記録方法、特に超
格子構造を有する化合物半導体を用いた光学的記録媒体
および光学的記録方法にＩＩＩする。

（従来の技術とその問題点） 従来、ｎ密度光学記録方法としては、レーザ光などの高
度に収束された記録光により、金属、半金属または、有
機化合物を融解または蒸発させて、四部あるいは孔部を
形成する方法と、結晶と非結晶などの二つの熱力学的準
安定状態囚での転移により識別ピットを形成する方法と
の二方法が知られている。

これらの光学的記録方法は、一般に剛体状のガラス円板
、または、プラスチック円板上に光学記録材料と光ビー
ム追従用のトラッキングパターンを設けるものであり、
この方法によって記録された媒体は、光記録ディスク状
媒体どして一般に知られている。この様な光記録ディス
ク状媒体は、寸法精度が＾い、機械的強度が高いなどの
利点を有する反面、ｍｍおよび厚みが大きくなるなどの
理由から、駆動装置が大型化し、また、媒体も装置も高
価であるという問題点を有する。このため、いまだ、広
く一般に普及するに至っていない。高密度記録０１能な
光学的記録媒体が広く一般に菖反するためには、従来の
光学記録ディスク状媒体に加えて光学記録フレキシブル
ディスク状媒体、光学記録カード状媒体、光学記録テー
プ状媒体、光学記録シート状媒体など、軽第１コンパク
ト、安価な光学記録媒体の出現が持たれている。

上述の２つの高密度光学記録方法のうち、第１の方法は
記録時に凹部あるいは孔部を形成しなくてはならない。

このためには物質を融解または蒸発にＪ：つて取去らね
ばならず、記録時の物質移動が大きくなる。従って、記
録感度を充分大きくする為には、光学記録材料を空気に
露出さ「ることにより物質移動を起こり易くすることが
よく行なわれている。この場合、光学記録材料が空気中
の水分などの影響で酸化したりして劣化を生じたり、光
学記録材料に異物な“どがぶつかり、光学記録材料が機
械的に破壊されたりする事故が起こる危険性がある。そ
のため光記録材料を空隙をはさんで密ＩＩ　する構造を
とっている。このような媒体構造ぐは、重旦および厚み
も増り、フレキシブルディスクカード、テープ、シート
などの多様な形状を持たせることが困難である。また、
この様に融解または蒸発により凹部あるいは孔部を形成
する方法において、光学記録材料として有機色素、顔料
などを用いた場合、光吸収波長の選択性を有し適当な発
振波長のレーψが見つからないなど、媒体設計上難点が
多い。

一方、第２の方法、即ち熱力学的準安定状態間での転移
を利用する方法の場合、記録時の物質移動が小さいため
光記録材料を空気に露出させる必要はなく空隙を設けず
に密閉することが可能である。従ってこの様な転移によ
る記録方法によれば、多様な媒体形状に対応可能である
。従来、転移に用いる材料としては、Ｔｅ　Ｏｘ、ＧＯ
Ｓｏなとの結晶−非結晶相転移材料が知られている。し
かしながら、いずれも非結晶相が経時的に十分安定とは
言えず、また、結晶と非結晶間の相転移を利用するとい
っても、結局は同一物質であることに変わりなく、記録
前後のコントラスト比が小さくなり、実用上人きな障害
となっている。

本発明は、以上のような光学記録材料の欠点を解決し、
経時的に安定で大きなコントラスト・比が得られ、光学
記録材料を露出さけなくても充分に高感度の書込みが可
能であり、このため空隙を設番ノずに密ｎ１が可ｆ走で
あり、容易にフレキシブルディスク状、カード状、テー
プ状、シート状など多様な媒体形状に利用でき、かつ、
使用するレーザ光源に対し光吸収率を自由に設定できる
光学的記録媒体および光学的記録方法を提供することを
目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は、支持体上に互いに異なる少なくとも２種類の
化合物半導体層を積層し超格子構造の半導体積層体を形
成する工程と、化合物半導体中に熱拡散しつる拡散物質
を含んだ拡散物Ｔｊ１層を半導体積層体上またはこの半
導体積層体内の一部分に形成する工程と、拡散物質層の
一部に光を照射し、この照射部分から拡散物質を化合物
半導体内に熱拡散させ、超格子構造消失領域を形成する
工程と、を行って光学的記録媒体に光学的記録を行うよ
うにし、上記問題点を解決したものである。

（作　用） 近年、半導体レーデ、トランジスタなどの半導体装置に
おいてレーザ発振波長の短波長化、スイッチング速度の
高速化などの高性能化を進める為の手法として超格子構
Ｔｔ　（Ｓ　ｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｃｓｔｒｕｃｔｕｒ
ｅ）あるいは吊子井戸へテロ構造（Ｑｕａｎｔｕｍ　ｗ
ｅｌｌ　ｈｅｔｅｒｏ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ）が注目さ
れている。これらの構造は、エネルギーギ１１ツブの異
なる二種類の半導体の、数十から致白オングストローム
程度のｉｌ膜を、交互に数層から数百層積層してなり、
バルク半導体では観測されない特異な性質を示す。この
ような構造の半導体装置を作製する際イオン注入、熱処
理など各種プロセスを通過するが、この時、各層間の相
互拡散が半導体装置の性能に影響を及ぼす。しかし、一
般に拡散物質添加のない超格子構造における各層間の相
互拡散は小さく、例えば、１５０ＡのＧａＡｓ薄股と、
１５０ＡのＡｌＡｓ薄膜とを２０層づつ積層したＧａ　
ＡＳ　／Ａ　Ｉ　Ａｓ超格子においては、９００℃の熱
処理においてもＡｌ−Ｇａｒｚの相互拡散が進まず安定
であることが知られている。一方、例えば、このＱａ　
Ａｓ　／Ａ　Ｉ　ＡＳ超格子に対し、５ｉを熱拡散させ
ると４００’Ｃがら７００℃程度の低温度でＳｉの熱拡
散と同時にＡｌ−Ｇａ間の相互拡散が進行し、超格子構
造が消失する。

超格子構造が消失して生じた、一様なＡ　ｌ　ｘ　Ｇ　
ａｌ−ｘＡＳの組成はＱａ　Ａｓ　Ｐの膜厚Ｌ７どＡｌ
ＡＳ層の膜厚り、とを用いて（１）式で）えられる値×
で決まる。

ｘ＝ＬＢ　／　（ＬＢ　＋Ｌ２）　　　　　（１）拡散
物質の熱拡散による超格子構造の消失は消失前後で電気
的性質及び光学的性質が異なる為、この現象を利用して
半導体レーデの導波部を設けたり電極を設置」ることに
応用できることが知られている（例えば米国特許第４．
３７８．２５５号）。

発明者らは、ＧａΔＳ　／Ａ　Ｉ　Ａｓ超格子と、この
超格子構造が消失して得られたＡ　Ｉ　　Ｇａ　１−ｘ
Ａｓとは、エネルギーギャップ及び屈折率が異なる為、
特定の波長の光に対する光の反射率、透過率、光学的膜
厚が異なり、極めて容易に超格子構造の消失したｆｔｉ
域を判別できることに；゛［目した。

上述のＧａ　Ａｓ　／Ａ　Ｉ　Ａｓ超格子の超格子構造
の消失の場合、超格子部分は赤色であるが超格子構造の
消失部分は黄色であり固接遷移型となる゛ので光吸収係
数が小さくなる。この差は、例えば、赤色光を照射した
場合、反射強度あるいは透過強度の差として容易に検出
できる。このような拡散物質の熱拡散による超格子構造
の消失はＧａΔＳ／ＡｌＡＳ超格子への３ｉの熱拡散に
限らす■−Ｖ族化合物半導体超格子及びπ−■族化合物
半導体超格子中の金属、半金属、金属イオン、半金属イ
オン、及び非金属イオンの熱拡散にしばしば生じる現象
である。

本願発明者らは、■−■族化合物半導体超格子及び■−
■族化合物半導体超格子の研究をざらに進めた結果、熱
拡散のみではなく光照射によっても拡散物質の拡散が生
じ、その結果、超格子構造の消失が見られることを見出
し、これを光学記録に適用する・ことを着想し本発明に
想到し得たものである。本発明によれば、密ｎ可能な転
移型の光学的記録媒体を提供できる。この媒体は超格子
構造部分も超格子Ｍ４迄の消失部分もともに経時的に安
定であり、さらに記録の前後では全く異なった光学的性
質を示す為に大ぎなコントラスト比を得ることができる
。

（実施例） 以下、本発明を図を参照して詳述する。

基本構造 第１図（ａ）に本発明に係る光学的記録媒体の一実施例
の基本構造を示ず。この例では、Ｑａ　Ａｓウェハから
成る支持体１上に積層体２が形成され、更にその上にＺ
ｎから成る拡散物質層３が形成されている。第１図（ｂ
）は同図（ａ）の部分拡大図である。８！ｌ１ｉ１体２
は、第′１の化合物半導体Ｈ２１と第２の化合物半導体
層２２とを交互に６層積層したものである。ここで第１
の化合物半導体層２１は非み５０ＡのＱａＡ＋；薄膜層
であり、第２の化合物半導体層２２は厚み５０人の△Ｉ
Ａｓ薄膜層であり、これらを積層することにより超格子
構造を形成している。

ここで、第１図（Ｃ）に示−Ｉ　にうに拡散物質層３の
一部分３１に光ビーム４を照射すると、部分３１内の７
ｎが図の下方の積層体２内に熱拡散する。この熱拡散に
よって積層体２の一部に超格子構造消失領域２′が形成
される。この消失領域２′はＡｌＧａＡｓ゛なるｍ造を
有し、積層ｘ　　　１−ｘ 体２の超格子構造領域に対して光学的性質が異なるため
、情報ビットとして利用できる。

第２図（ａ＞に本発明に係る光学的記録媒体の別へ実施
例の基本構造の部分拡大図を示１Ｊ０この実施例では拡
散物質層３が積層体２のほぼ中央付近に形成されており
、光ビームの照射により、熱拡散はこの積層体２の上下
両方向に生じ、両方向に超格子構造消失領域が形成され
ることになる。

ただ、この場合光ビームが拡散物質層３まで１−分到遠
しなくてははならないので、化合物半導体層２１．２２
の吸収係数と拡散物質層３の上方に形成された積層体２
の厚みを考Ｉ１１！する必要がある。

要するに光ビームが十分到達する位置であれば、拡散物
質層３はどこに設置ブてもかまわない。

第２図（ｂ）は更にまた別な実施例の１１本構造を示す
部分拡大図である。この実施例では、拡散物質層３を特
に別個に設けることをせずに、積層体２に内在させた形
どなっている。即ち、第２図（Ｃ）に示すようにＷ４ｆ
ｆ休２の中に深さ方向に不均−となるように拡散物質を
分布させているのである。この例では拡散物質濃度は深
さ方向にガウス分布となっている。このような横′？ｉ
は、後述するように拡散物質をイオン注入する方法や、
各化合物半導体層形成時に拡散物質をドーピングする方
法によって得ることができる。また、第２図（Ｃ）の例
では拡散物質１１度が深さ方向に不均一となっているが
、拡散物ｆｅＪａｄ＞度は深さ方向に均一であってもよ
い。これはこの拡散現象が通常の熱拡散とは異なり、拡
散物質を介して積層体を構成する原子が動くと考えられ
るからである。

第２図（ｄ）は、３種類の化合物半導体層２１゜２２．
２３を順に積層して積層体２を形成した実施例である。

このように積層体２は少なくとも２種類の化合物半導体
層から成るように１１−ればよく、４種類以上の化合物
半導体層を積層しくｂよい。

以上のような基本構造を有する記録媒体は、容易にフレ
キシブルディスク、カード、デーブ、シー１−等の形状
にして利用することができる。なお、実用上は第３図（
ａ）に示すように表層に保護層５を設【ノるのが好まし
い。この保護層５は透光性の材料であればどのようなも
のぐもかまわない。

保１１層５を右していてし、第３図（ｂ）のように光ビ
ーム４の照射によって超格子１造消失領域２′を形成す
ることができる。

また、この他、積層体２と支持体１との接着性を改善し
たり、積層体２の膜形成性を向上さける目的で積層体２
と支持体１との間に一層以上の中間層を設けたり、読み
取り時のコントラス１−比を向上さける目的で反射層や
反射防止層を設けたり、読取時に光ビームが、記録予定
部、被記録部を追跡できるように凹凸状、あるいは濃淡
状のトラッキングパターン層を設けたりすることもでき
よう。

１１１焦ＯＵｇ 本発明に係る光学内聞９媒体の各構成要素に用いる材料
を以下に例示する。

■　支持体 本発明に用いる支持体としては、一般的な無機物、また
は有機物の板、フィルム、シート等を用いることができ
る。

■　化合物半導体 本発明に用いる化合物半導体としては、ＢＮ。

ＢＰ、ＢＡｓ　、Ａ　Ｉ　Ｎ、ΔＩＰ、Ａｌ八Ｓ。

Ａ、へＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ。

ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｊ３よびこれら
の混合体よりなる■−ｖ族化合物半導体、またはＺｎＯ
，ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅ。

Ｃｄ　Ｓ、Ｃｄ　Ｓｅ　、Ｃｄ　Ｔｅ　、ＨｇＳ、Ｈａ
　Ｓｅ　。

ＨｇＴａ　、およびこれらの混合体よりなるＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いることができる。

一般に２種類の化合物半導体層を交互にｖ４層して積層
体２を形成する場合、第一の化合物半導体薄膜層と第二
の化合物半導体薄膜層の膜厚は、光照射による超格子構
造の消失時に光学的性質の変化が大となる組成を与える
膜厚でなければならない。また、光照射時間内に不純物
の拡散が充分に進み超格子構造のＷ１失がすみやかに行
われる膜厚でなければならない。この為、膜ルは第一の
化合物半導体薄膜層と第二の化合物半導体薄膜層共に１
ｅ八以上１０００八以下とするのが好ましい。

さらに詳しくは、不純物の拡散定数ａ３よび光照射時間
から決めることが望ましい。

このような第一の化合物半導体薄ＷＡ層と第二の化合物
半導体薄膜層の組み合わせとしては、Ｇａ　Ａｓ　／Ａ
　Ｉ　ＡＳの他にＡｌＧａＡｓ／ｘ　　　　　１−ｘ Ａ　ＩＹＧａ　１−Ｙ　Ａｓ　　（０≦Ｘ＜Ｙ≦１）。

Ｇａ　Ａｓ　Ｓｂ　／Ｇａ　Ａｓ　Ｐ、Ｇａ　Ｉｎ　Ａ
ｓ　／Ｇａ　Ａｓ　Ｐ、Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ　／Ｉｎ　Ｇ
ａ　ｐ。

Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ　／Ｉｎ　Ｐ、Ｚｎ　Ｓｃ　／Ｇａ　
Ａｓ　。

Ｃｄ　Ｔｅ　／Ｚｎ　Ｔｅ　、Ｚｎ　Ｓ／Ｚｎ　Ｃｄ　
Ｓを（、Ｌじめ前述した各化合物の組合せとして数百種
類以上のものがある。

第一の化合物半導体と第二の化合物半導体の状態は、単
結晶、多結晶、非晶質のいずれでしよく、第一の化合物
半導体と第二の化合物半導体の状態が異なっていてもよ
い。

■　拡散物質 本発明に用いる拡散物質としては、 ０ｆｉｊｉｌ： 希土類金属、！！移金ａ、Ａ１．Ｇａ、Ｉｎ。

Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ ◎　半金Ｆ＆： Ｂ、Ｃ，Ｓｉ　、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ。

Ｓｂ、Ｔｅ、１．Ｂｉ　、　　Ｐ。

■　上記金属、非金属の化合物 ◎　金属イオン： アルカリ金属、アルカリ土類金病、希土類金属、遷移金
属、Ａ１．Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ。

Ｔｌ、Ｓｂの各イオン ◎　半金属イオン： Ｂ、Ｃ，Ｓｉ　、Ｐ、Ｇｅ　、Ａｓ　、Ｓｅ　。

Ｓｂ、ＴＯ，ｌ、Ｂｉ　、Ｐｏの各イオン◎　非金属イ
オン： １−１ｅ　、Ｎ、Ｏ，Ｆ、Ｎｃ　、Ｓ、Ｃ１，Δｒ。

Ｂｒ、ｔ（ｒ、ｘｃの各イオン を用いることができる。

拡散物質としてｔよ上記各物質を用いることができるが
、拡散現象を生じやすくするためには、積層体の構造原
子と同程度の大きざの拡散物質を用いるのが好ましい。

例えばＧａ　Ａｓ　／へ１へＳを積層体とする場合は、
Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｉの原子またはイオンが、またＣｄ　Ｔ
ｅ　／Ｚｎ　ｌ−ｃを積層体とする場合は、Ｉｎ、Ｇａ
の原子またはイオンが拡散物質として好ましい。

１五五り 以下に本発明に係る光学的記録媒体の製造方法を例示す
る。

■　積層体 本発明に用いる積層体の製造は、従来一般に用いられて
いる超格子構造の製造技術をそのまま利用すればよい。

例えば、光ＣＶＤ法、ＭＯＣｖＤ法、分子線蒸着法、プ
ラズマＣＶＤ法などを用いれば、組成制御、膜厚ａ、Ｉ
Ｉ御を容易に行いながら積層体を形成することができる
。この他、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、クラスクーイ
オンビーム法、イオンプレーティング法、イオンビーム
スパッタリング法、スパッタリング法、蒸着法、液相成
長法、等を用いて形成を行うことがｅきる。

■　拡散物質層 （＋）　　拡散物ｌＪｉ層を独立して設ける場合蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いれ
ば容易に拡散物質層３を形成り゛ることができる。また
、プラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、分子
線成長法を用いれば、積層体の形成と同一装置を利用Ｃ
きるのぐ便利である。この他、イオンビームスパッタリ
ング法、クラスクーイオンビーム法、常圧ＣＶＤ法、減
圧ＣＶＤ法等を用いることもできる。

（ｉｉ）　　拡散物質を化合物半導体内に分布させて拡
散物質層とする場合 できる。イオン注入法では、積層体に電界中で加速され
た拡散物質のイオン流を照射する。照射イオンエネルギ
ーは１〜数１００ｋｃＶ程度がよい。

ドーピング法では化合物半導体層の形成時に拡散物質の
ドーピングを行えばよい。各種ＣＶＤ法で化合物半導体
層を形成Ｊるのであれば、化合物半導体の原料ガスに、
分解時に拡散物質を放出する分子のガスを混入して供給
すればよい。Ｍえば（ＣＩ　　）　　ＧａおよびＡＳＩ
−１３を原料ガスとしてＧａ　Ａｓ　ＭＩＪをＣＶＤ法
で形成４゛るのであれば、この原料ガスにＳｉＨ，ｉを
混合させ、ＧａＡｓ１ｔｉ中に拡散物質として３ｉをド
ーピング法ればよい。

なお、光照射によって深さ方向に拡散が生じるように、
拡散物質の分布は深さ方向に不均一となるようにする。

１亙五１ 以下に本発明に係る光学的記録媒体の記録方法を詳述す
る。

拡散物質の拡散による超格子ＩＩ４造の消失を引き起こ
寸為には、積層体内の拡散物ｆｆｌｌｌｌ度が１×１０
　　ｔｅａ　　以上、望ましくは１×１０１８Ｃ１１−
３以上であるとよく、この条件を満足する拡散が起きる
ように照射光のエネルギー密度と照射時間を決めること
が望ましい。照射光としてはシー１Ｆ光を収束して用い
るのがよい。

照射に用いるレーザの発娠波艮は、記録媒体に用いる化
合物半導体あるいは、拡散物質の吸収波長であることが
望ましい。逆に、使用するシー１ｆ波長にあわせて、化
合物半導体あるいは、拡散物質を選ぶことができる。

例えば、光吸収端が８６７　ｎｍであるＧａ　Ａｓと光
吸収端が５７　／Ｉ　ｎＩｎであるＡｌＡｓとをそれぞ
れ、第一、第二の化合物半導体薄膜として用いた光学的
記録媒体の場合、発振波長８３０　ｎｌｌの半導体レー
ザの発振光にて光照射を行なうと、光はＡｌＡＳにはほ
とんど吸収されないが、Ｇａ　Ａｓに吸収されＧａＡｓ
を加熱する。この結果、光照射部分は、積層体構造が消
失し、吸収端が７７０ｎｌのＧａＡｌＡｓに転移し、半
導体レーザの８３０　ｒｖの発振光はほとんど吸収され
なくなる。

この光照射による光吸収端の変化は、光の透過率の変化
によって検出できるのはららろんであるが、被照０４部
の光学定数が変化する為に反）１率の変化としても検出
できる。検出に８３０ｎ１１の半導体レーザ光を用いる
場合、シー１Ｆ出力を十分に）げ、光学記録材料に熱の
蓄積が進まないようにすれば、検出光が未記録部に照射
されたとしても、未記録部が新たに記録されてしまうこ
とはない。

記録光と、検出光の波長を追えることにより、より高感
度に記録または検出を行うことができる。

例えば、Ｇａ　ＡｓとＡｌＡｓの積層体を用いた記録媒
体に記録光として発振波長４２２ｎｍの１」ｅ−Ｃｄシ
レーＦを用いると、レーザ光はＧａ　ＡｓとＡｌＡｓの
両者に吸収されるのですみやかに加熱が進み８ＩＩＨ体
構造の消失がおこる。この場合検出光として発振波長８
３０止の半導体レーデの発揚光を用いれば、光吸収端８
６７　ｎｍのＧａＡｓが含まれる光未照射部分では、検
出光は吸収され、光吸収端７７０ｒｖのＧａ　Ａ　Ｉ　
Ａｓである光記録部では検出光は吸収されないので、検
出１１！１が高い。

記録用レーザの波長としては、ｖ４層体を構成する第一
または第二の化合物半導体の吸収端波長のいずれか長い
波長より短い波Ｓぐあるか、あるいは拡散物質の吸収波
長であることが望ましい。第一または第二の化合物半導
体として用いることのできる化合物半導体と、その吸収
端波長を表１に示す。ただし、この波長値は、ＧａＡｌ
Ａｓや、Ｃａｌ−１ｏＴｅの様な混合物では、Ｇａ　Ａ
ｓとＡｌＡｓあるいはＣｄＴａとＨ！ｌ１ｌ−Ｑの光吸
収端波長の中間値を示し、その値はＱａと八１あるいは
ＣｄとＨｇの原子数比で決まる。

なお、検出用レーザの波長としては、特に制限はなく、
光記録材料が検出するのに十分な反射率、透過率を示す
波長を選べばよい。

表１．　化合物半導体の光吸収端波長 １１五叉ユ月 以下に本発明に係る光学的記録媒体を製造し、これに記
録を行った具体的実施例をデポする。

〈実施例１〉 厚み１１ＩＲの洗浄したＱａ　Ａｓウェハーから成る支
持体の上に、１ヴみ５０ＡのＧａ　Ａｓ薄膜層を第１の
化合物半導体薄膜層、厚み５０へのＡｌＡＳ前膜層を第
２の化合物半導体薄膜層として６層から成る＃％層体を
形成した。第１の化合物半導体薄Ｉ！層はトリメデルガ
リウム（（Ｃ１−１３”）　３Ｇａ　）とアルシン（Ａ
ｓＨ２）とを、第２の化合物半導体薄膜層はトリメチル
アルミニウム （（ＣＨ）　　Ａｌ）とアルシン（Ａ：１Ｈ３）とを、
それぞれ原料ガスとして用いたＭＯＣＶＤ法により作製
した。即Ｉう、第４図（ａ）に示づように支持体１を真
空容器６内に置き、１０　’Ｔ　ｏｒｒまで排気した後
、支持体１をヒータ７によって６００℃に加熱する。

この真空容器内に高純度水糸ガス（＋−１２）で１０％
に希釈されたアルシン（ＡｓＨ２）と液体状のトリメチ
ルガリウム（（ＣＨ３）３Ｇａ　）をバブリングさせて
］−リメチルガリウムが溶は込んだＨ２ガスとをそれぞ
れ５０ｃｃ／ｎ＋ｉｎの流量で、２０秒間流し、５０人
のＧａＡｓ薄膜を堆積させた。次に、真空容器６を１０
−６Ｔｏｒｒまで再度排気し容器内のトリメチルガリウ
ム、アルシン水素を取り除く。次にこの６００℃に加熱
された支持体１の置かれた真空容器６内に高純度水素ガ
ス（Ｈ２）で、１０％に希釈されたアルシン（ＡＳ１］
３）と、液体状のトリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）
３Ａ＋＞バブリングさせて１〜リメチルアルミニウムが
溶は込んだ＋１２ガスとをそれぞれ５０ｃｃ／ｓｉｎの
流量で３０秒間流し、５０へのＡｌＡｓ薄膜をＭ＆積さ
Ｕた。この操作を３回づつ繰り返す。この様にして得ら
れた積層体の上に次のようにして亜鉛薄膜を拡散物質と
して設けた。即ち、ｌＸｌ０　　Ｔｏｒｒの　Ａｒ雰囲
気中で、１３゜５６Ｍ１−１ｚの高周波マグネトロン放
電を用いたスパッタリング法で、亜鉛（Ｚｎ　）を２０
への厚さに堆積させた。こうして得られた光学的記録媒
体に、さらに保：Ｊ！層として、５μ瓜の厚さに紫外線
硬化型樹脂をスピンコードし、紫外線を照射して硬化さ
せた。この時の照射紫外線は光学的記録媒体に変化を生
じさせるほど強くはない。

以上の様にして得た、光学的記録媒体に発振波長８３０
　ｒｖ、出力２０ｍＷの半導体レーザ光をレンズで、直
径１μｍに集光して支持体とは反対側からパルス幅１μ
ｓｅｃでＷＩ＆射した。照射部と未照射部との８３０ｎ
−の光に対する反射率は、それぞれ、１９％と４３％と
であり、記録媒体として用いるのに十分な反射率変化を
示した。

〈実施例２〉 第４図（ｂ）に示すように、厚み１００μｍの洗浄した
ポリイミドフィルムを支持体１として、この支持体１上
に、１０　’Ｔ’　ｏｒｒの雰囲気下で、ケイ素（Ｓｉ
　）を電子線加熱蒸着し、厚み１００へのケイ素薄躾を
設は拡散物質層とした。この拡散物質層を設けた支持体
１上に化合物半導体層として、厚み１００へのＩｎＰ薄
Ｆ薄層１層厚み５０ＡのＧａ　Ｓｂ　ｍを交互に１０回
ずつ光ＣＶ　Ｄ法を用いて積層した。即ち、支持体１を
、真空容器６内に置き、１０’Ｔｏｒｒまで排気した後
、支持体１を２００℃に加熱する。真空容ムロ内に液体
状のトリエチルインジウム（（Ｃ２Ｈ５）３　Ｉｎ　）
をバブリングさせてトリエチルインジウムが溶は込んだ
水素ガス（Ｈ２）とＨ２ガスで５％に希釈されたホスフ
ィン（ＰＨ３）とをそれぞれ１００ＣＣ／Ｓｉｎの流量
で流し込む。この時、真空容器６の外から石英窓６１を
通じて低圧水銀ランプ８の光を拡散物質層に３０秒間照
射し、ＩｎＰの９み１００人のｗＪ膜層を成長させる。

次に、真空容器６内を、再度１０−６−ｒ　ｏｒｒまで
排気した後に、トリメチルガリウムをバブリングさせて
トリエチルガリウムが溶は込んだ水素ガス（Ｈ２）とＨ
２ガスで６％に希釈されたスチビン（ＳｂＨ３）とを、
それぞれ１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で流し込む。この時
低圧水銀ランプ８の光を４０秒間照射し、厚み５０人の
Ｇａ　Ｓｂ薄膜層を成長させる。以上の操作を１０回繰
り返して、光学的記録媒体を作製した。この記録媒体に
、実施例１と同様に光照口（を行なった。光照躬部と、
光未照 胴部との反射率はそれぞれ３２％と４７％とであった。

〈実施例３〉 厚み１履のアクリル樹脂を支持体１として用い、この上
に第１の化合物半導体薄膜層として厚み１００ＡのＧａ
　Ａｓ　Ｌ１１！層を、第２の化合物半導体ｓＩＩ！ｉ
ｌａとして厚さ２５人のＩｎＳｂ薄膜をそれぞれ１０回
ずつＷ４層した。化合物半導体層は、それぞれＧａ　Ａ
ｓとＩｒ１Ｓｂをターゲツト材に用いたスパッタリング
法にて作製した。この様にして得られた積層体に２００
ｋｅＶに加速されたアルミニウムイオンをＩ　Ｘ　１０
”ａｓ−２の密痕で照射し、積層体中に拡散物質として
金属イオンであるアルミニウムイオンを分散して注入し
、光学的記録媒体を作製した。

この記録媒体に、発振波長４２２　ｎｍ、出力３０７Ｆ
ＬＷのｌ−１ｃｍＣｄレー働Ｆの光をレンズで直径２μ
ｍｋ：集光し、２μｓｅｃ照射した。光学系の効率は２
５％で記録媒体表面でのレーザ光強度は７．５ｍＷであ
った。照射部と、未照射部との波長８３０　ｎｍにおけ
る光透過率は、それぞれ８０％と２０％とであり、良好
なコンＩ・ラスト比を得た。

またこの記録媒体に、発振波長８３０ｎ１ｍ、光出力２
０ｍＷの半導体レーザ光を直径１μｍに集光した時にも
、同様の光透過率変化を示した。

〈実施例４〉 厚み０．４履のポリカーボネートを支持体として用い、
この上に第１の化合物半導体薄膜層として、厚み６０Ａ
のＣｄ　Ｔｃを、第２の化合物半導体１１１ＩＦｒＪと
して厚み７０ＡのＺｎＴｅを交互に１０回ずつ積層した
。

化合物半導体薄膜は、プラズマＣＶＤ法により作製した
。即ち、１４図（Ｃ）に示すように、支持体１を真空容
器６内に置き、５　Ｘ　１０−５Ｔｏｒｒまで排気した
後、支持体１を１５０℃まで加熱する。この真空容器６
内にジエチルカドミウム（（Ｃ２Ｈ５）２Ｃｄ）をバブ
リングし、ジエチルカドミウムを溶は込んだ水素ガス（
Ｈ２）と５％に希釈されたテルル化水素（Ｈ２Ｔ（りを
１００　ｃｃ／ｓｉｎの流Ｒで流す。ざらに同時に０．
００１％の１ｌｌｆになるようにシラン（Ｓｉ１−１４
）ガスを拡散物質の原料として加える。このとき真空容
器６内の支持体１を含む領域に電極９および＾周波電源
１０を用いて１３．５６ＭＨｚの高周波電界をかけるこ
とにより、放電によるプラズマを発生させる。これによ
って支持体１上に、Ｃｄ　Ｔｅ　＊膜を所定の厚みに堆
積ざ往る。同様にジエチル亜鉛（（Ｃ２Ｈ５）　２Ｚｎ
−）をバブリングし、ジエチル亜鉛を溶かし込んだ水素
ガス（１−１２）と、水素ガスで５％に希釈されたテル
ル化水素（Ｌ１２Ｔａ）とを原料スとして、所定の厚み
のＺｎ　Ｔｅ　ｖａ膜を堆積させる。以上の操作を繰返
し、積層体を作製する。このようにして得られた積層体
は、ｆｉ層体のＣｄ　Ｔａ　ｌｉｌ内に拡散物質として
半金属元素のＳｉを含む光学的記録媒体である。

この記録媒体に発振波長４２２ｎ園、出力３０ｍＷのＥ
〜１ｅ−Ｃｄシレー！の光をレンズで集光し、照射した
。この光照射により、波長４２２ｎｍでの屈折率が０．
２減少し、良好なコントラスＩ−比が得られた。

〈実施例５〉 厚み１履の石英ガラスの支持体上に実施例２と同じ光Ｃ
ＶＤ法により、第１の化合物半導体薄膜層として厚さ７
０ＡのＡ　Ｉ　Ａｓ　ｉｌｌ！層を、第２の化合物半導
体１１１１１Ｊｌとして厚み５０へのＧａ　Ａｓ薄膜層
を、第３の化合物半導体薄１ｇ１ｌｌｌとして厚み３０
ＡのＺｎ　Ｓｅ　薄１１１！を、それぞれ１０回づつ次
々に積層してＷ４１ＦＩ体を作製した。原料ガスは以下
のとおりである。

原料ガス　Ｈ２で希釈する。

第１　　バブリング　トリメチルアルミラム（ＣＨ３）
３Ａ１ １０　％　　アルシンＡＳＨ３ 第２　　バブリング　トリメデルガリウム（、ＣＨ３）
　３　Ｇａ １０　％　　アルシン 第３　　バブリング　ジエチル亜鉛 （Ｃ２１−１５）　２　Ｚｎ ８　％　　　セレン化水素　１１２ｓｅこの８！ｉ層体
に３００ｋｅＶに加速されたアルゴンイオンを１　Ｘ　
１０１５ａｓ−２の密度で照射する。これによって積層
体中に拡散物質として非金属イオンであるアルゴンイオ
ンを平均してＩ　Ｘ　１０１９ｍ５−３の濃度で注入し
、光学的記録媒体を作製した。

この記録媒体に、発振波長６３３　ｎｍ、出力１５Ｔｒ
ＬＷのＨｅ−Ｎｅレーザの光を集光して照射した。

照射部は変色し、未照射部の暗赤色から橙色に変化した
。これは記録媒体のエネルギーギャップが未照０４８１
ｓの１．４３ｅＶ　（８６７ｎａ）から照射部の２．０
５ｅＶ　（６０５ｎｍ）に変化したためである。

（１明の効果〕 上述した本発明に係る光学的記録媒体を用いて記録を行
えば、次のような効果が得られる。

（１）光照射による記録媒体の光学的性質の変化は急激
であり、この為高速の光履込が可能となる。

（２）光照射の前後で、記録媒体内の元素組成分布が大
ぎく変化するため、結晶−非結晶同相転移を利用した従
来の記録媒体に比べ、光照射部、光来照射部ともにｅｈ
的に安定しておりかつ記録部のコントラスト比も大ぎい
。

（３）光照射時の物質移動は、溶融、蒸発による四部、
孔部形成を利用した従来の光学的記録媒体に比べ極めて
小さい。この為記録感電を高くする為に記録媒体を空隙
をはさん′Ｃ密１！ＩＩする必要はなく、この結果容易
に多様な形状の製品化が可能である。空隙を必要としな
い光学的記録媒体は、機械的強痘、高８！度、高湿瓜へ
の耐性に優れており、種々の産業分野において有用′Ｃ
ある。

（４）広い波長範囲の光源に対して対応可能であり、書
込、読取装置の設計Ｅ有利である。

なお、参考のため、以下に本発明に係る光学的記録媒体
の用途を列挙し、産業上利用可能性を示す。

（１）金融流通産業：キャッシュカード、クレジットカ
ード （２）医療健康産業：健康保ｌ１ｔＩ証、カルテ、医療
カード、緊急カード （３）娯楽産業：ソフトウェア用媒体 （４）運輸旅行産業：旅行者カード、免ｉ；’ｒ＆Ｅ、
定期券、パスポート （５）出版産業：ｗ１子出版 （６）情報処理産業：ｌｉ子機器の外部記憶装置、ファ
イリング （７）教育ＪＩ業二教材プログラム、成績管理カード、
図繊館の人出ｆ！１１！！！ （８）自動ｉｎＮ＊：整備記録、運行ＩＩｌ！（９）Ｆ
Ａ　：ＭＣ，ＮＧ、ｏボット等のプログラム記憶媒体。

（１０）その他：ビルコントロール、ホームコントロー
ル、ＩＤカード、自動販売機等。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ＞は本発明に係る光学的記録媒体の一実施例
の構造を示１°断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の部分
拡大図、同図（Ｃ）は同図（ａ）に示寸媒体への記録方
法を示す因、第２図（ａ）。 （ｂ）、（ｄ）は本発明に係る光学的記録媒体の別な一
実施例の構造を示ｔ　ｉ面図、同図（Ｃ）は同図＜１）
）に示す媒体中の拡散物質分布図、第３図＜８）は第１
図（ａ）に示す媒体に保護層を形成した例を示す所面図
、同図（ｂ）は同図（ａ）に示す媒体への記録方法を示
す図、第４図（ａ）。 （ｂ）、（Ｃ）は、本発明に係る光学的記録媒体の製造
方法の一例を示す図である。 １・・・支持体、２・・・半導体積層体、２′・・・超
格子構造消失領域、２１・・・第１の化合物半導体層、
２２・・・第２の化合物半導体層、２３・・・第３の化
合物半導体層、３・・・拡散物質層、３１・・・照射部
分、４・・・光ビーム、５・・・保護層、６・・・真空
容器、６１・・・石英窓、７・・・ヒータ、８・・・低
圧水銀ランプ、９・・・電極、１０・・・高周波電源。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 （ｂ）　　　　　　　　　　　（Ｃ） （ｄ） 帛２図 馬　３　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、互いに異なる少なくとも２種類の化合物半導体層を
   積層して成る超格子構造の半導体積層体と、この半導体
   積層体上またはこの半導体積層体内の一部分に設けられ
   、前記化合物半導体中に熱拡散しうる拡散物質を含んだ
   拡散物質層と、前記半導体積層体を支持する支持体と、
   を備えることを特徴とする光学的記録媒体。 ２、半導体積層体が第１の化合物半導体層と第２の化合
   物半導体層とを交互に積層して成ることを特徴とする特
   許請求の範囲１項記載の光学的記録媒体。 ３、拡散物質層が半導体積層体内の第１の化合物半導体
   層および第２の化合物半導体層に拡散物質を含ませて成
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
   記載の光学的記録媒体。 ４、第１の化合物半導体が、III−Ｖ族化合物半導体か
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項または第
   ３項記載の光学的記録媒体。 ５、第１の化合物半導体が、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、Ａｌ
   Ｎ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、Ｇ
   ａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳ
   ｂ、およびこれらの混合体よりなる群から選ばれた少な
   くとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲第
   ４項記載の光学的記録媒体。 ６、第１の化合物半導体が、II−VI族化合物半導体から
   成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項または第３
   項記載の光学的記録媒体。 ７、第１の化合物半導体が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ
   、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、Ｈ
   ｇＳｅ、ＨｇＴｅ、およびこれらの混合体よりなる群か
   ら選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする特
   許請求の範囲第６項記載の光学的記録媒体。 ８、第２の化合物半導体が、III−Ｖ族化合物半導体か
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第７
   項のいずれかに記載の光学的記録媒体。 ９、第２の化合物半導体が、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、Ａｌ
   Ｎ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、Ｇ
   ａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳ
   ｂ、およびこれらの混合体よりなる群から選ばれた少な
   くとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲第
   ８項記載の光学的記録媒体。 １０、第２の化合物半導体が、II−VI族化合物半導体か
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第７
   項のいずれかに記載の光学的記録媒体。 １１、第２の化合物半導体が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
   ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、
   ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、およびこれらの混合体よりなる群
   から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１０項記載の光学的記録媒体。 １２、拡散物質が、金属、半金属、または金属と半金属
   との化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項乃至第１１項のいずれかに記載の光学的記録媒体。 １３、金属が、希土類金属、遷移金属、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、およびＰｂよりなる群から選ばれた少
   なくとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲
   第１２項記載の光学的記録媒体。 １４、半金属が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ
   、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｂｉ、およびＰｏよりなる群から選
   ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする特許請
   求の範囲第１２項記載の光学的記録媒体。 １５、拡散物質が、金属イオン、半金属イオン、または
   非金属イオンであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第１１項のいずれかに記載の光学的記録媒体。 １６、金属イオンが、アルカリ金属イオン、アルカリ土
   類金属イオン、希土類金属イオン、遷移金属イオン、Ａ
   ｌイオン、Ｇａイオン、Ｉｎイオン、Ｓｎイオン、Ｔｌ
   イオン、およびＳｂイオンよりなる群から選ばれた少な
   くとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲第
   １５項記載の光学的記録媒体。 １７、半金属イオンが、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ
   、Ｂｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｂｉ、およびＰｏの各イオン
   よりなる群から選ばれた少なくとも１種からなることを
   特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の光学的記録媒
   体。 １８、非金属イオンが、Ｈｅ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅ、Ｓ、
   Ｃｌ、Ａｒ、Ｂｒ、Ｋｒ、およびＸｅの各イオンよりな
   る群から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１５項記載の光学的記録媒体。 １９、各化合物半導体層の厚みが１０Å〜１０００Åで
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１８
   項のいずれかに記載の光学的記録媒体。 ２０、第１の化合物半導体層がＧａＡｓ、第２の化合物
   半導体層がＡｌＡｓ、拡散物質がＺｎから成ることを特
   徴とする特許請求の範囲第２項、第３項、または第１９
   項記載の光学的記録媒体。 ２１、支持体上に互いに異なる少なくとも２種類の化合
   物半導体層を積層し超格子構造の半導体積層体を形成す
   る工程と、前記化合物半導体中に熱拡散しうる拡散物質
   を含んだ拡散物質層を前記半導体積層体上またはこの半
   導体積層体内の一部分に形成する工程と、前記拡散物質
   層の一部に光を照射し、この照射部分から前記拡散物質
   を前記化合物半導体内に熱拡散させ、超格子構造消失領
   域を形成する工程と、を有し、前記超格子構造消失領域
   に情報量をもたせることを特徴とする光学的記録方法。 ２２、化合物半導体が第１の化合物半導体層と第２の化
   合物半導体層とを交互に積層して成ることを特徴とする
   特許請求の範囲第２１項記載の光学的記録方法。 ２３、拡散物質層が半導体積層体内の第１の化合物半導
   体層および第２の化合物半導体層に拡散物質を含ませて
   成ることを特徴とする特許請求の範囲第２１項または第
   ２２項記載の光学的記録方法。 ２４、第１の化合物半導体が、III−Ｖ族化合物半導体
   から成ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項また
   は第２３項記載の光学的記録方法。 ２５、第１の化合物半導体が、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、Ａ
   ｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、
   ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、Ｉｎ
   Ｓｂ、およびこれらの混合体よりなる群から選ばれた少
   なくとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲
   第２４項記載の光学的記録方法。 ２６、第１の化合物半導体が、II−VI族化合物半導体か
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項または
   第２３項記載の光学的記録方法。 ２７、第１の化合物半導体が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
   ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、
   ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、およびこれらの混合体よりなる群
   から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第２６項記載の光学的記録方法。 ２８、第２の化合物半導体が、III−Ｖ族化合物半導体
   から成ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項乃至
   第２７項のいずれかに記載の光学的記録方法。 ２９、第２の化合物半導体が、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、Ａ
   ｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、
   ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、Ｉｎ
   Ｓｂ、およびこれらの混合体よりなる群から選ばれた少
   なくとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲
   第２８項記載の光学的記録方法。 ３０、第２の化合物半導体が、II−VI族化合物半導体か
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項乃至第
   ２７項のいずれかに記載の光学的記録方法。 ３１、第２の化合物半導体が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
   ｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、
   ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、およびこれらの混合体よりなる群
   から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第３０項記載の光学的記録方法。 ３２、拡散物質が、金属、半金属、または金属と半金属
   との化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第２
   １項乃至第３１項のいずれかに記載の光学的記録方法。 ３３、金属が、希土類金属、遷移金属、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、およびＰｂよりなる群から選ばれた少
   なくとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲
   第３２項記載の光学的記録方法。 ３４、半金属が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ
   、Ｓｂ、Ｔｏ、Ｉ、Ｂｉ、およびＰｏよりなる群から選
   ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする特許請
   求の範囲第３２項記載の光学的記録方法。 ３５、拡散物質が、金属イオン、半金属イオン、または
   非金属イオンであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第３１項のいずれかに記載の光学的記録方法。 ３６、金属イオンが、アルカリ金属イオン、アルカリ土
   類金属イオン、希土類金属イオン、遷移金属イオン、Ａ
   ｌイオン、Ｇａイオン、Ｉｎイオン、Ｓｎイオン、Ｔｌ
   イオン、およびＳｂイオンよりなる群から選ばれた少な
   くとも１種からなることを特徴とする特許請求の範囲第
   ３５項記載の光学的記録方法。 ３７、半金属イオンが、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ
   、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｂｉ、およびＰｏの各イオン
   よりなる群から選ばれた少なくとも１種からなることを
   特徴とする特許請求の範囲第３５項記載の光学的記録方
   法。 ３８、非金属イオンが、Ｈｅ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅ、Ｓ、
   Ｃｌ、Ａｒ、Ｂｒ、Ｋｒ、およびＸｅの各イオンよりな
   る群から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴と
   する特許請求の範囲第３５項記載の光学的記録方法。 ３９、各化合物半導体層の厚みが１０Å〜１０００Åで
   あることを特徴とする特許請求の範囲第２１項乃至第３
   ８項のいずれかに記載の光学的記録方法。 ４０、第１の化合物半導体層がＧａＡｓ、第２の化合物
   半導体層がＡｌＡｓ、拡散物質がＺｎから成ることを特
   徴とする特許請求の範囲第２２項、第２３項、または第
   ３９項記載の光学的記録方法。 ４１、半導体積層体の形成を光ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法
   、分子線蒸着法、または、プラズマＣＶＤ法によって行
   うことを特徴とする特許請求の範囲第４０項記載の光学
   的記録方法。 ４２、拡散物質層を化合物半導体層とは別の独立した層
   として設けることを特徴とする特許請求の範囲第４０項
   または第４１項記載の光学的記録方法。 ４３、拡散物質層を蒸着法、スパッタリング法、または
   イオンプレーティング法を用いて行うことを特徴とする
   特許請求の範囲第４２項記載の光学的記録方法。 ４４、拡散物質層を半導体積層体の形成に用いた装置と
   同じ装置を用いて形成することを特徴とする特許請求の
   範囲第４２項記載の光学的記録方法。 ４５、拡散物質を化合物半導体内に分布させることによ
   り半導体積層体層の一部を拡散物質層とすることを特徴
   とする特許請求の範囲第４０項または第４１項記載の光
   学的記録方法。 ４６、拡散物質を半導体積層体にイオン注入法またはド
   ーピング法を用いて分布させることを特徴とする特許請
   求の範囲第４５項記載の光学的記録方法。 ４７、拡散物質層内の拡散物質濃度を１×１０＾１＾７
   ｃｍ＾−＾３以上とする特許請求の範囲第４５項または
   第４６項記載の光学的記録方法。 ４８、レーザ光を用いて熱拡散を行うことを特徴とする
   特許請求の範囲第４０項乃至第４７項のいずれかに記載
   の光学的記録方法。 ４９、レーザ光の発振波長が化合物半導体あるいは拡散
   物質の吸収波長域に属することを特徴とする特許請求の
   範囲第４８項記載の光学的記録方法。 ５０、半導体積層体が２種類の化合物半導体から成り、
   この２種類の化合物半導体の吸収端波長のうちいずれか
   長い方の波長より短い発振波長のレーザ光を用いること
   を特徴とする特許請求の範囲第４８項記載の光学的記録
   方法。