JPS62223068A - Ceramic formed body and manufacture - Google Patents

Ceramic formed body and manufacture

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JPS62223068A
JPS62223068A JP62047901A JP4790187A JPS62223068A JP S62223068 A JPS62223068 A JP S62223068A JP 62047901 A JP62047901 A JP 62047901A JP 4790187 A JP4790187 A JP 4790187A JP S62223068 A JPS62223068 A JP S62223068A
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JP
Japan
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silicon
silicon nitride
mixture
whiskers
optionally
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JP62047901A
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Japanese (ja)
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ニルス・クラウセン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミック成形体およびその!l遣方法に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a ceramic molded body and its! Concerning how to send money.

従来の技術 墾化珪素は踵々の方法により成形体に加工されるが、該
成形体は如伺なる方法が適用されたかに応じて異なる特
性上層する。熱プレスしたまた熱等静圧プレスした窒化
珪素は圧縮助剤を含有しているが、このものは高温で、
すなわち1000℃を越える温度では早期の強度損失を
もたらす、それというのもガラスを含有する結晶粒界面
が軟化し、その結果結晶粒のすべりが起こシかつ結晶粒
界の腐食が生じる可能付があるからである。もちろんこ
の窒化珪素の強度は低および中温では極めて太きい。焼
結窒化珪素は熱プレス窒化珪素と類似の組成を有してい
るが、部分的には量的に多量の焼結助剤を含有している
。この場合にも強度は中および低温では良好であるが、
高温では熱または熱等静圧プレス窒化珪素の強度よ)も
さらに著しく低下する。
Conventional technology Reinforced silicon is processed into molded bodies by various methods, and the molded bodies have different properties depending on which method is applied. Heat-pressed or isostatically pressed silicon nitride contains compression aids, which are
In other words, temperatures above 1000°C result in premature strength loss because the glass-containing grain interfaces soften, resulting in grain slippage and possible grain boundary corrosion. It is from. Of course, the strength of silicon nitride is extremely high at low and medium temperatures. Sintered silicon nitride has a similar composition to hot-pressed silicon nitride, but partially contains higher amounts of sintering aids. In this case too, the strength is good at medium and low temperatures, but
At high temperatures, the strength of thermally or isostatically pressed silicon nitride also decreases significantly.

故旧に依存する窒化珪素は、その特徴的な多孔性のため
に小さい仰強度を有しているが、極めて高い6度1でも
この小さい強度を保持している。それというのも前記窒
化珪素は事実上軟化性不純*に有していないからである
。抗張力は、丁ぺての種類の窒化珪素において十分に高
いわけではな(、(5MPa、7’ii−よりも大きい
値に達することは稀である。しかし繊維の良好な機械的
特性は、大抵の場合、焼結もしくは熱プレス工程の間に
大抵微結晶性の繊維の結晶粒成長、セラミック地との反
応または破飄によって著しく劣化する。したがって従来
製造され九人部分の窒化珪素繊維の棒金材料は極めて小
さい強度を有していた。また単結晶性繊維上導入するこ
とによってセラミック材料上強化することも公知でちる
。しかし従来は、ホイスカと称されるこの繊維の特性を
セラミック地に不十分にしか移丁ことができなかった。
Traditional silicon nitride has a low elevation strength due to its characteristic porosity, but it retains this low strength even at extremely high 6°1. This is because the silicon nitride is virtually free of softening impurities. The tensile strength is not sufficiently high in silicon nitride of the type (5 MPa, rarely reaching values greater than 7'ii-, but the good mechanical properties of the fibers are During the sintering or hot-pressing process, the usually microcrystalline fibers deteriorate significantly due to grain growth, reaction with the ceramic matrix, or abrasiveness.Therefore, conventionally manufactured nine-piece silicon nitride fiber bars are The material had very low strength.It is also known to strengthen ceramic materials by introducing them onto monocrystalline fibers.However, until now it has not been possible to incorporate the properties of these fibers, called whiskers, into ceramic materials. I was only able to move it enough.

ホイスカは極めて有利な特性會有している。このものは
、窒化珪素および炭化珪素ホイスカの場合には最高23
 GPaにもなる極めて高い機械的強度を有している。
Whiskers have extremely advantageous properties. This is up to 23% for silicon nitride and silicon carbide whiskers.
It has an extremely high mechanical strength of GPa.

ホイスカはさらに高い弾性率および大部分理論密度も有
する。ホイスカはその特性により比較的損傷なく熱プレ
スまたは熱等静圧プレスに動えられる。
Whiskers also have a high modulus of elasticity and a mostly theoretical density. The whisker's properties allow it to be moved through a hot press or hot isostatic press relatively without damage.

発明が解決すべき問題点 ところで本発明の課題は、強度および抗張力に関して抜
群の特性を有するセラミック成形体を製造することかで
きかつ容易に実施することができる方法全提供すること
であった。
Problems to be Solved by the Invention The object of the invention was to provide a complete process by which ceramic molded bodies having outstanding properties with respect to strength and tensile strength can be produced and which can be carried out easily.

問題点を解決するための手段 前記課題は、珪素V)床をSiCおよび/または814
N、から成るホイスカと混合し、このN合物を成形し、
この生成形体に珪素および屋化珪率2よび場合により焼
結助剤から成る混合物の1個以上の層を@覆し、次に珪
素および/または窒化珪素および二酸化珪素含有材料か
ら成る混合物の層を被覆し、次いで窒化しかつ最外層の
ガラス化編度に加熱し、次いで引続き高めらnた温度で
熱等静圧で後圧縮を施すこと′f:特徴とするセラミッ
ク成形体の製造方法によって解決される。
Means for Solving the Problems The problem was solved by converting the silicon V) bed to SiC and/or 814
Mixing with whiskers consisting of N, forming this N compound,
This formed body is overlaid with one or more layers of a mixture of silicon and silica and optionally a sintering aid, followed by a layer of a mixture of silicon and/or silicon nitride and a silicon dioxide-containing material. coated, then nitrided and heated to the outermost vitrified layer, followed by subsequent post-compression at elevated temperatures and isostatic pressure: solved by a method for producing ceramic compacts characterized by: be done.

本発明により製造されたセラミック成形体は、使用でき
る全扇度範囲で高い靭性を有する。同成形体の強度は従
来公知の及応依存奮化珪素の場合よりも大きい。また本
発明により製造された成形体は、従来得られなかった優
nたクリープ抵抗も有する。本発明による製造方法は簡
素に実施することができる。また生状態で最終処理を行
うことができるのも有利である。
The ceramic molded body produced according to the present invention has high toughness over the entire usable degree range. The strength of the molded body is greater than that of conventional stress-stimulated silicon. The molded article produced according to the present invention also has excellent creep resistance that has not been previously available. The manufacturing method according to the invention can be implemented simply. It is also advantageous that final processing can be carried out in the raw state.

本発明によりセラミック成形体ヲ哀造するためには、珪
素粉末をホイスカと混合する。珪素粉末とホイスカとの
温合は好ましくはP/M混合物の範囲で行う。
In order to produce ceramic compacts according to the invention, silicon powder is mixed with whiskers. The heating of the silicon powder and the whiskers is preferably carried out in the range of the P/M mixture.

従って生成形体は、窒化珪素ま九は炭化珪素から成るホ
イスカが包含されている珪素粉末から成るホイスカの分
量は好1しくは5〜50容量%、脣に好ましくは10〜
60容蓋%である。
Therefore, in the formed body, whiskers made of silicon nitride or silicon carbide are included, and the amount of whiskers made of silicon powder is preferably 5 to 50% by volume, more preferably 10 to 50% by volume.
It is 60%.

ホイスカは0.05〜10μm1特に好ましくは1〜5
μmの直径を有する。
The whisker is 0.05 to 10 μm, particularly preferably 1 to 5 μm.
It has a diameter of μm.

珪素粉末としては、好ましくは反応焼結可能の粒度を有
する粉末を使用する。さらに巧に好ましくは約1〜30
μmの平均粒屓を有する粉末も使用する。この粒度は例
えば珪素粉末が凝集摩耗から防止される場合に得らnる
。例えば珪素粉末を、磨砕液としてのn−ヘキサンおよ
び冶砕体としてのY−TZP−または硬質金属小球と共
に磨砕ミルで2時間粉砕する。次いでこの珪素粉末を1
例えばn−へキサン中でシラスチックボールと共に回転
することによってホイスカと混合する。好ましくはホイ
スカを超音波を用いて分散する。
As the silicon powder, preferably a powder having a particle size that allows reaction sintering is used. More preferably about 1 to 30
Powders with an average particle size of μm are also used. This particle size is obtained, for example, if the silicon powder is prevented from cohesive wear. For example, silicon powder is ground for 2 hours in a grinding mill with n-hexane as the grinding liquid and Y-TZP- or hard metal spherules as the grinding body. Next, add this silicon powder to 1
Mix with whiskers, for example by rolling with a silastic ball in n-hexane. Preferably, the whiskers are dispersed using ultrasound.

珪素粉末およびホイスカから成る一俵復台物は、任意の
公仰成形法によって加工することができる。例えば該歯
台′@全射出成形、等靜圧常混プレス等によって所望の
形状にすることができる。また場合によっては成形に引
続いてさらに切削法、例えば旋削、孔あけ、フライス削
りを実施してもよい。この最終2JD工後に主成形体を
被覆する。それというのも酸化性雰囲気中でホイスカを
含有するセラミック成形体に高at適用すると、ホイス
カが破畿される可能性があるからである。
The bale moldings of silicon powder and whiskers can be processed by any surface forming method. For example, it can be formed into a desired shape by full injection molding, constant pressure constant press, etc. Optionally, shaping can also be followed by further cutting methods, such as turning, drilling or milling. After this final 2JD process, the main molded body is covered. This is because if a high AT is applied to a ceramic molded body containing whiskers in an oxidizing atmosphere, the whiskers may break.

包含されたホイスカを有する形成生成形体に、珪素と窒
化珪素とから成り、場合により焼結助剤を含有する混合
物の1個以上の層、特に1〜3個の層を被覆する。好ま
しくは珪素と窒化珪素とから成る混合物をスリップの形
に調製する。
The formed green body with included whiskers is coated with one or more layers, especially 1 to 3 layers, of a mixture of silicon and silicon nitride, optionally containing sintering aids. Preferably, a mixture of silicon and silicon nitride is prepared in the form of a slip.

次にこのスリップ中に生成形体全浸漬する。The resulting form is then completely immersed in this slip.

数個の層を施す場合には、個々の層の混合物は好ましく
は異なる組成を有している、つまシ珪累と窒化珪素との
間の割合が変化する。さらに、特に好ましくは層中の窒
化珪素の分量は内部から外部へと増大するが、層中の珪
素の分量は内部から外部へと溶合物中で減少する。
If several layers are applied, the mixtures of the individual layers preferably have different compositions, with varying proportions between silica and silicon nitride. Furthermore, it is particularly preferred that the amount of silicon nitride in the layer increases from the inside to the outside, whereas the amount of silicon in the layer decreases in the melt from the inside to the outside.

極めて好ましい実施態様では、生成形体を差当って珪素
70部と窒化珪素30部とから成るスリップ中に数回浸
漬する。この生成形体を次に珪素50部と窒化珪素50
部とから成るスリップ中に浸漬し、次いで珪素60部と
窒化珪素70部とから成るスリップ中に浸漬する。
In a highly preferred embodiment, the green body is first dipped several times into a slip consisting of 70 parts of silicon and 30 parts of silicon nitride. This formed body is then mixed with 50 parts of silicon and 50 parts of silicon nitride.
and then into a slip consisting of 60 parts silicon and 70 parts silicon nitride.

他の好ましい実施態様では、該生成形体を珪素と窒化珪
素とから成9、さらに付加的にホイスカ全含有する混合
物中に浸漬する。混合物中のホイスカの分量は好1しく
は5〜50%、特に好1しくは10〜30%である。
In another preferred embodiment, the green body is immersed in a mixture consisting of silicon and silicon nitride and additionally containing whiskers. The amount of whiskers in the mixture is preferably between 5 and 50%, particularly preferably between 10 and 30%.

次に珪素および/ま九は窒化珪素および二酸化珪素金含
有する材料および場合により焼結助剤から成る最外mt
−施し、このように彼)★した生成形体を次に乾燥する
Next, the silicon and/or outermost mt consists of silicon nitride and silicon dioxide gold-containing materials and optionally sintering aids.
- Apply and then dry the formed form thus produced.

このような最外層のためには、好ましくは二酸化珪素5
〜100容量%、窒化珪素0〜95容量%および場合に
よりキン肯石、フォルステライト、ムライトおよび/ま
たは風信子鉱から成る混合物を施丁。
For such an outermost layer, preferably silicon dioxide 5
~100% by volume, 0 to 95% by volume of silicon nitride and optionally a mixture of forsterite, forsterite, mullite and/or fushinite.

最終層の混合物としては特に好1しくけ、二酸化珪素6
0〜50部、窒化珪素60〜50部および珪素10〜5
0部から成る懸濁液全使用する。この層は窒化工程の際
にも不利ではない、それというのも同層は、温度が低す
ぎるために焼結しないからである。窒化珪素の分量によ
って高い窒素透過性が得られる。
A particularly preferred mixture for the final layer is silicon dioxide 6
0-50 parts, silicon nitride 60-50 parts and silicon 10-5
The entire suspension consisting of 0 parts is used. This layer is also not disadvantageous during the nitriding process, since the temperature is too low for the layer to sinter. High nitrogen permeability can be obtained depending on the amount of silicon nitride.

* f’Jさn1乾燥された成形体を、1200〜14
00℃の範囲の温度で窒化する。窒化工程は容易に実施
することができる。それというのも珪素生製品と完全窒
化珪素体との間の容量変化は最小なので、圧縮阻止応力
は事実土庄じないからである。ホイスカは熱膨張状態で
反応依存窒化珪素の地に組込まnるので、低湛で所望の
元応力が生じる。
* f'Jsann1 dried molded body, 1200~14
Nitriding at a temperature in the range of 00°C. The nitriding process can be easily performed. This is because the capacitance change between the silicon raw product and the fully silicon nitride body is minimal, so that the compressive blocking stress is virtually negligible. Since the whiskers are incorporated into the reaction-dependent silicon nitride substrate in a thermally expanded state, the desired original stress is generated at low levels.

さてこの反応焼結の終了後に該成形体を、ガラスt−f
f1有する最外層が緊密になるまでもう一回真空加熱す
る。この場合は約1500〜1700℃の温度である。
Now, after this reaction sintering is completed, the molded body is made of glass t-f.
Vacuum heating is performed once more until the outermost layer with f1 becomes tightly packed. In this case, the temperature is approximately 1500-1700°C.

次にさらに高められた温度で窒素を高圧で供給すると、
回収形体は後圧縮される。このためには10〜200 
MPaの圧力’tAii用する。この際温度は好ましく
は1600〜1900℃、特に1700〜1800℃で
ある。
Then, by supplying nitrogen at high pressure at an even higher temperature,
The collection form is post-compacted. For this, 10-200
A pressure of MPa'tAii is used. In this case, the temperature is preferably 1600-1900°C, especially 1700-1800°C.

本発明による方法を用いると、1300°Cの温度で4
50 MPat越える強度を有するセラミック成形体が
得られる。抗張力の値はQ Mpaiを越える範囲にさ
えある。このよりにして製造された成形体は高い強度お
よび高い靭性を有する。また該成形体は耐酸化性であシ
、悼めて容易vc製造することができる。層は心部との
かみ合いにより極めて良好に付着するが、このかみ合い
の原因は層および心部の構成に帰せらnる。
Using the method according to the invention, at a temperature of 1300 °C
A ceramic molded body having a strength of over 50 MPat is obtained. The tensile strength values are even in the range above Q Mpai. The molded body produced in this manner has high strength and high toughness. Moreover, the molded body is oxidation resistant and can be easily manufactured into a VC. The layers adhere very well through interlocking with the core, which is attributable to the configuration of the layers and the core.

本発明による方法は容量に実施することができる。向製
造方法は、例えばOVD ”lたはPVD扱積のような
公知禎フ法の場合よりも簡素である。
The method according to the invention can be carried out capacitively. The manufacturing process is simpler than known manufacturing methods such as OVD or PVD processing.

本発明の他の対象は、炭化珪素および/または窒化珪素
から成るホイスカがその中に包含された反応依存窒化珪
素の心部から成るセラミック成形体である。前記心部は
、窒化珪素および反応依存窒化珪素から成シ、場合によ
り焼結助蓋化珪累および/または窒化珪素および二酸化
珪素含有材料から成る。
Another object of the invention is a ceramic molded body consisting of a reaction-dependent silicon nitride core in which whiskers of silicon carbide and/or silicon nitride are incorporated. The core is made of silicon nitride and reaction-dependent silicon nitride, optionally of sintered assisted capped silicon and/or of silicon nitride and silicon dioxide containing materials.

垂部上に施された層は、特に好ましくはホイスカ5〜5
0容量%全含有する。
The layer applied on the hanging part particularly preferably has 5 to 5 whiskers.
Total content is 0% by volume.

本発明によるセラミック成形体は高い強度および靭性、
ならびに極めて良好な抗張力を有する。該成形体は公矧
の他の成形体と比べて極めて高い密度によって優れてい
る。
The ceramic molded body according to the invention has high strength and toughness,
It also has extremely good tensile strength. The molded bodies are distinguished by a very high density compared to other molded bodies in the public domain.

本発明方法の変法においては、珪素粉末および炭化珪素
および/lたは窒化珪素から成るホイスカから混合物を
作る。次に同混合物全常法で成形し、次いで窒化する。
In a variant of the process according to the invention, a mixture is prepared from silicon powder and whiskers consisting of silicon carbide and/or silicon nitride. Next, the mixture is molded in a conventional manner and then nitrided.

好ましくはこのような成形体にさらに0VD−またはP
VD級@を施して開成形体ヲtヌ化から保護する。
Preferably, such a molded body is further coated with 0VD- or P.
VD grade @ is applied to protect the opened molded body from deterioration.

このようにして製造された成形体は良好な機林的lIV
性の点で優nている。
The molded body produced in this way has a good mechanical performance.
They are superior in terms of sex.

本発明を次に実施例によって説明する。The invention will now be illustrated by examples.

実施例 41細(〜10 Am ) 21勅末80部と1310
ホイスカ(直径1〜5μm)20部とを1プロパツール
中で混合した。乾燥した粉末8合物を630MPaの等
静圧でプレスして円筒体(1m×[径1−)にした。こ
の生成形体を次に、5i7Q部およびSi3N430部
から成シ、焼結助剤としてAノ、0.10容量1%およ
びY2O310容」%の添加されている、同層に調製さ
れたスリップ中に31il!l浸漬した。次に浸漬工程
を6150部と81□N450部とより成るスリップを
用いて同様にして反後した。さらに8130部と813
N、 70部とから成るスリップを用いて浸漬工程を反
りした。最後に該成形体をE110240部、E313
N440部および8120部から成る貼り■中に浸漬し
た。5102含有最P、層を除いて、1¥fI4:の下
に存在する3層には81Cホイス力5容i&%が添加さ
れた。次いで該成形体を1350℃で像準圧(0,I 
MPa )で5時間乾燥した。
Example 41 details (~10 Am) 21 volumes 80 copies and 1310
20 parts of whiskers (1-5 μm in diameter) were mixed in a 1-property tool. The dried powder 8 mixture was pressed under an isostatic pressure of 630 MPa to form a cylinder (1 m×[diameter 1−)]. This formed body was then formed from 5i7Q and 430 parts Si3N into a slip prepared in the same layer, with the addition of A, 0.10% by volume and 10% by volume of Y2O3 as sintering aids. 31il! l Soaked. Next, the dipping process was repeated using a slip consisting of 6150 parts and 81□N450 parts. Further 8130 copies and 813
The dipping process was warped using a slip consisting of 70 parts of N. Finally, the molded body was mixed with 240 parts of E110 and E313.
It was immersed in a paste consisting of 440 parts and 8120 parts of N. Except for the most P layer containing 5102, 81C Whis force 5 volume i&% was added to the three layers existing under 1\fI4:. Next, the molded body was heated to an image normal pressure (0, I
MPa) for 5 hours.

乾燥後に該、til!?’J複合体を焼結装置−ヒツペ
(H1ppθ)で前記温度で窒化し、次に60分以内で
、ガラスを含む最外層がもはや開放細孔を有しなくなる
まで1650℃に真空加熱した。
After drying, til! ? The 'J composite was nitrided in a sintering apparatus - H1ppθ at the above temperature and then vacuum heated to 1650° C. within 60 minutes until the outermost layer containing glass no longer had open pores.

引続き著しい温度低下なしにNzffi150MPaの
圧力で供給しかつ温度t1850°atで高めた。得ら
nた層はそれぞれ50〜100μmの厚さであった。
Subsequently, a pressure of 150 MPa of Nzffi was introduced without significant temperature drop and the temperature was increased to 1850° at. The resulting layers were each 50-100 μm thick.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、炭化珪素および/または窒化珪素から成るホイスカ
がその中に包含された反応依存窒化珪素の心部から成り
、同心部が、反応依存窒化珪素と窒化珪素とから成りか
つ場合によりさらに焼結助剤も含有する混合物の1個以
上の層を有しかつ最外層としてさらに、反応依存窒化珪
素および/または窒化珪素および二酸化珪素および場合
により焼結助剤から成る混合物のガラス質層を有するこ
とを特徴とするセラミック成形体。 2、心部および場合により外層中にホイスカ5〜50容
量%が包含されている特許請求の範囲第1項記載の成形
体。 3、珪素粉末を窒化珪素および/または炭化珪素から成
るホイスカと混合し、この混合物を成形し、同生成形体
上に珪素および窒化珪素および場合により焼結助剤から
成る混合物の1個以上の層を施し、次に珪素および/ま
たは窒化珪素および二酸化珪素含有する材料から成る混
合物の層を施し、次いで窒化しかつ最外層のガラス化温
度に加熱し、引続きさらに高められた温度で熱等静圧で
後圧縮することを特徴とするセラミック成形体の製造方
法。 4、予め凝集摩耗の防止された珪素粉末を使用する特許
請求の範囲第3項記載の方法。 5、ホイスカを超音波で分散する特許請求の範囲第3項
または第4項記載の方法。 6、混合物を射出成形または等静圧常温プレスおよび場
合により次に旋削、孔あけまたはフライス削りによつて
成形する特許請求の範囲第3項から第5項までのいづれ
か1項記載の方法。 7、後圧縮を圧力10〜200MPaおよび温度160
0〜1900℃、好ましくは1700〜1800℃で行
う特許請求の範囲第3項から第6項までのいづれか1項
記載の方法。 8、生成形体を被覆するための混合物は、 Si_3N_410〜90容量%と珪素90〜10容量
とから成る特許請求の範囲第3項から第7項までのいづ
れか1項記載の方法。 9、最外層として、SiO_25〜100%、Si_3
N_40〜95%および場合によりキン青石、フォルス
テライト、ムライトおよび/または風信子鉱から成る混
合物を施す特許請求の範囲第3項から第8項までのいづ
れか1項記載の方法。 10、生成形体を、個々の層が10〜200μmの厚さ
であるように被覆する特許請求の範囲第3項から第9項
までのいづれか1項記載の方法。 11、珪素粉末を窒化珪素および/または炭化珪素から
成るホイスカと混合し、この混合物を成形し、次に生成
形体を窒化する特許請求の範囲第3項記載の方法。 12、窒化成形体にPVD−またはCVD被覆を施す特
許請求の範囲第11項記載の方法。
[Scope of Claims] 1. Consisting of a core of reaction-dependent silicon nitride within which whiskers made of silicon carbide and/or silicon nitride are included, the concentric portions consisting of reaction-dependent silicon nitride and silicon nitride, and A glass of a mixture comprising one or more layers of a mixture optionally also containing a sintering aid and further comprising reaction-dependent silicon nitride and/or silicon nitride and silicon dioxide and optionally a sintering aid as the outermost layer. A ceramic molded body characterized by having a textured layer. 2. The molded article according to claim 1, wherein the core and optionally the outer layer contain 5 to 50% by volume of whiskers. 3. Mixing silicon powder with whiskers consisting of silicon nitride and/or silicon carbide, shaping this mixture and applying one or more layers of a mixture consisting of silicon and silicon nitride and optionally sintering aids on the resulting shape. followed by a layer of a mixture of silicon and/or silicon nitride and silicon dioxide-containing materials, then nitrided and heated to the vitrification temperature of the outermost layer, followed by thermal isostatic pressure at a further elevated temperature. A method for producing a ceramic molded body, which comprises post-compressing the ceramic molded body. 4. The method according to claim 3, which uses silicon powder which has been prevented from cohesive wear in advance. 5. The method according to claim 3 or 4, wherein the whiskers are dispersed by ultrasonic waves. 6. A method according to claim 3, wherein the mixture is shaped by injection molding or isostatic cold pressing and optionally followed by turning, drilling or milling. 7. Post compression at a pressure of 10~200MPa and a temperature of 160MPa.
7. The process according to claim 3, wherein the process is carried out at a temperature of 0 to 1900<0>C, preferably 1700 to 1800<0>C. 8. The method according to any one of claims 3 to 7, wherein the mixture for coating the formed body comprises: 10-90% by volume of Si_3N_4 and 90-10% by volume of silicon. 9. As the outermost layer, SiO_25-100%, Si_3
9. The method as claimed in claim 3, wherein a mixture of 40 to 95% N and optionally kinezoite, forsterite, mullite and/or fushinite is applied. 10. The method according to claim 1, wherein the formed body is coated in such a way that the individual layers have a thickness of 10 to 200 μm. 11. A method according to claim 3, in which silicon powder is mixed with whiskers of silicon nitride and/or silicon carbide, the mixture is shaped, and the formed body is then nitrided. 12. The method according to claim 11, wherein the nitrided compact is coated with a PVD or CVD coating.
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