JPS62222559A - 極端紫外光発生装置 - Google Patents

極端紫外光発生装置

Info

Publication number
JPS62222559A
JPS62222559A JP6686786A JP6686786A JPS62222559A JP S62222559 A JPS62222559 A JP S62222559A JP 6686786 A JP6686786 A JP 6686786A JP 6686786 A JP6686786 A JP 6686786A JP S62222559 A JPS62222559 A JP S62222559A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
gas
extreme ultraviolet
ultraviolet light
self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6686786A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH067475B2 (ja
Inventor
Seiichi Itabashi
聖一 板橋
Ikuo Okada
岡田 育夫
Yasunao Saito
斉藤 保直
Hideo Yoshihara
秀雄 吉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP6686786A priority Critical patent/JPH067475B2/ja
Publication of JPS62222559A publication Critical patent/JPS62222559A/ja
Publication of JPH067475B2 publication Critical patent/JPH067475B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は極端紫外光を発生する装置に係り・特にバタン
形成、薄膜形成、酸化、エツチング等の工程に対して好
適な極端紫外光発生装置に関するものである。
極端紫外光とは、波長にして10〜10001程度の光
を指す。この波長領域の光は、気体分子や固体表面の原
子層によって非常に強く吸収される。紫外光などの光に
比べ、極端紫外光の吸収係数は数桁大きく、非常に効率
よく吸収され、気体分子や固体表面の原子層は、極端紫
外光を吸収することによって、電子励起状態、さらには
イオン化・分解、あるいは、振動・回転状態に励起され
るため、化学的に非常に反応性に富んだ状態になる。従
って、これらの励起された状態を利用することで、効率
的に光反応を引き起こし、薄膜形成、酸化。
エツチング、バタン形成等を効率よく行うことができる
ので、極端紫外光を高出力で効率よく発生できるような
装置の実現が要望されている。
〔従来の技術〕
従来、極端紫外光に近い短波長の光を発生する光源とし
ては、水銀ランプ(波長1850λ)、 7gランプ(
波長>147OA)、 Krランプ(波長〉1230λ
)。
Ayプラズマ波長> 106OA)、 Ha−Cd L
/−ザ(波長3250A)や、各種のエキシマ−レーザ
が用いられテキタ。(エキシマ−レーザには、エキシマ
−媒体と発振波長との関係によって、次のような各種の
ものがある。F、 1580A’、 Ar2−126O
A、 Kr2−146OA。
Xa2−1720A、  Afcj!−175OA、 
 AyF−193OA、  KrCf1.−222OA
KrF−249OA、  XmBr−282OA、  
ZgCj2−3080At  ZgF’−352OA)
また、他に極端紫外光が得られる光源として、分光用の
標準光源として用いられている。H,(波長> 90O
A) 、 Ha (波長> 60OA) 、 Ng (
波長〉740X)等のキャピラリ放電管や、ウラニウム
等の重金属を電極としたERV光源(開発者Ba1lo
ffat、 RotnafLd。
Vodaデの頭文字をとった名)のような真空スパーク
光源および高密度プラズマを用いた光源、さらにはシン
クロトロン光放射装置(略してSR装置)がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
極端紫外光は上述したように非常に吸収され易いために
、極端紫外光を透過させ、且つ、真空と大気圧とを隔て
ることができるような窓材となる物質がないために、可
視光や紫外光には見られない困難な問題がある。すなわ
ち、現在、最も短い波長まで透過できる急材は、LiF
 (7)化リチウム)であるが、10601以下の波長
の光を透過することはできない。従って、ガスを封入す
るために鬼、材を必要とする光源からは、極端紫外光を
取り出すことができない。上述の各種ランプやガスレー
ザはガス封入型の光源であるため、ガス封入管のガラス
、例えば、石英・MQF、・LiFを透過する波長の光
しか発生しないため、上述したように、106OA以下
の極端紫外光領域の光を得ることはできない。
量の気体等の吸収係数を調べることはできても、気体分
子や固体表面を励起して、上記の各種製造工程に適用す
るためには充分ではなく、また、電極の重金属の蒸発に
よる汚染が避けられない。
高密度プラズマを光源とする装置も分光用光源として実
験室段階で用いられているが、放電容器内にガスを充満
させて放電する方式であるために、ガス自身による極端
紫外光の吸収等の原因により、光反応を引き起こすため
に充分な光量は得られていない。さらに、高密度プラズ
マ生成過程におけるプラズマの不安定性のために、再現
性・制御性を得るのが困難であシ、放電ガスの種類によ
って放電条件が異なるために、放電ガス種を変えて簡単
にスペクトルを変えることが難しい等の問題がある。
また、SR装置は、電子を光速に近い速度で回転させる
必要があるために、線形加速器、高周波加速器、多くの
電磁石、電子が回転する軌道部分を1cJ−10tor
r程度の超高真空に保つだめの真空排気装置等を必要と
し、多量のガスを用いる薄膜形成や酸化・エツチング等
の光化学反応に用いることは容易でない。
本発明は、このように従来困難であった波長1000λ
以下の極端紫外光を高出力で発生することができるとと
もに、極端客外光を取り出すためのさ材を必要としない
構造、および高真空を必要としない構造等の問題点を解
決した、実用的な極端紫外光源を提供しようとするもの
である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の極端紫外光発生装置はこのような従来技術の問
題点を解決するため、 真空中にあるプラズマに電流を流し、このプラズマを流
れる電流の作り出す自己磁場によってプラズマを自己収
縮させて高密度プラズマを生成し、このプラズマから極
端紫外光を発生させるようにしたものであ)、または、 真空中にあるプラズマに電流を流し、このプラズマを流
れる電流の作シ出す自己磁場によってプラズマを自己収
縮させて高密度プラズマを形成するとともに、プラズマ
を流れる電流に平行な磁場を印加して、このプラズマか
ら極端紫外光を発生させるようにしたものである。
〔作 用〕
本発明の極端紫外光発生装置においては、ガスを真空中
の電極間にパルス的に供給し、電極間に高電圧を印加し
て放電させ、放電で形成されるプラズマ自身を流れる電
流の作り出す自己磁場による、プラズマの自己収束作用
で生成する高温・高密度のプラズマを用いて、高出力の
極端紫外光を発生する。
従来の技術では、各種希ガスランプ・レーザ等はガスを
封入する必要があるために、窓材を必要とし、極端紫外
光を取り出すことができない。また、キャピラリ放電管
ではガスを定常的に流して放電すゐ必要があるために、
光源ガス自身の吸収によって極端紫外光は減衰し、高出
力の極端紫外光を取シ出すことは困難であり、また、高
真空中では使用できないという問題があったが、本発明
ではこのようなことがなく容易に高出力の極端紫外光を
発生させることができ、また高真空中でも使用可能であ
る。
また本発明では、リターン成極の外側にコイルを配置し
、これによってプラズマを流れる電流に平行な磁場を加
えて、高密度プラズマの生成を安定化することによって
、極端紫外光発生の再現性を向上させるとともに、高密
度プラズマの温度・密度が制御でき、従って発生する極
端紫外光の波長分布を簡単に変えることができる。
さらに、本発明では、電極間へのガス注入装置として、
複数の高速開閉ガスバルブを使うことによって、混合ガ
ス注入放電を可能にするとともに、さらには、放電ガス
種を容易に変えられるようにしたので、発生する極端紫
外光の波長を容易に選ぶことができる。
〔発明の実施例〕
(第1の実施例) 第1図は本発明の第1の実施例を説明する図であって、
1はガス溜、2は高電圧側電極、3は取薯 シはずし可能な電極でW−ClL合金やカーゴ1ン慢形
6Aは真空容器5の真空排気装置、7は基準信号発生装
置、8は遅延パルサーで7の信号パルスに遅延をかける
。9は高速開閉ガスバルブ、10は高速開閉ガスバルブ
9に対する駆動電気回路で遅延パルサー8からの信号パ
ルスに応じて高速開閉ガスバルブ9を駆動する。11は
コンデンサー、12は充電電源でコンデンサー11を充
電する。13は遅延パルサーで基準信号発生装置7の信
号パルスに遅延を掛ける。14はスイッチ駆動パルス発
生装置であって、遅延パルサー13からの信号パルスで
高電圧のパルスを発生する。15はスイッチ駆動パルス
発生装置14の高電圧パルスで動作するスイッチ。
16はスイッチ15を閉じることによって電極3.4の
あいだに高電圧を印加して放電させたとき、形成される
プラズマを流れる電流、17は電流16の作り出す自己
磁場、18はコイル、18Aはコイル用の電源、19は
コイル18によって形成される電流に平行な磁場、20
はプラズマが自己磁場によって中心部に圧縮されて形成
される高密度プラズマ、21は20の高密度プラズマか
らあらゆる方向に放射される極端紫外光、22は1端紫
外光取り出し口。
これを動作するためには、真空容器5を真空排気装置6
Aで排気し、10−’〜10−’torr程度の真空に
しておく。次に、充電電源12でコンデンサー11を充
電する。次に、基準信号発生装置7で基準パルスを発生
し、遅延パルサー8で遅延を掛けて、高速開閉ガスバル
ブ用駆動電気回路10を動かし、高速開閉ガスバルブ9
を駆動して、電極3.4の間にガスを注入する。次に、
基準信号発生装置7で発生した基準パルスに、遅延時間
が電極6.4の間にガスが注入される時間と一致するよ
うに設定された遅延パルサー13で遅延を掛けたパルス
で、スイッチ駆動パルス発生装置14を駆動してスイッ
チ駆動パルスを発生し、スイッチ15を動かして電極3
.4の間に高電圧を印加し、ガスによって放電させる。
ガスは放電によってプラズマ化し、プラズマを流れる電
流16の作シ出す自己磁場17とプラズマ中のイオン・
電子との電磁相互作用により、プラズマの中心方向へ取
束し、電極中心軸上で、高温高密度となシ、高温高密度
プラズマ中のイオンと電子の相互作用によって、極端紫
外光が発生する。
第2図に、光源ガスとしてN、とArガスを使った場合
に、第1図の装置構成の極端紫外光発生装置から発生す
る、極端紫外光スペクトルの測定結果を示す。同図にお
いて、(α)は強くピンチさせた場合を示し、(b)は
ピンチを弱くした場合を示している。測定に用いた分光
器は、瀬谷−波岡分光方式で、裏面にA2をコーティン
グした1200本/フ鴇の凹面回折格子を装備したもの
である。波長の掃引は回折格子を回転させて行なった。
第2図の横軸は波長を、縦軸は極端紫外光の相対強度を
表わしており、20A毎の光量の和を示している。測定
波長領域は、気体及び固体表面に強く吸収される500
〜1500Aである。 この結果から、本発明の極端紫
外光発生装置からは、極端紫外光が発生していることが
わかる。
また第6図は波長500Aの極端紫外光の出力と、放電
タイミング(1!極間にガスを注入してから放電するま
での時間)との関係を示したものである。
極端紫外光出力は、プラズマを強くピンチさせたくした
場合には■で示すように減少する。極端紫外光のスペク
トルは、■のタイミングすなわちプラズマを強くピンチ
させた場合は、第2図(1)に示すように連続的となシ
、■のタイミングすなわちピンチを弱くした場合には、
第2図(6)に示すように輝線的になる。これはプラズ
マを強くピンチさせた場合はプラズマの温度が上昇し、
制御放射による連続光が増加するためであると考えられ
る。
従って本発明の極端紫外光発生装置によれば、放電タイ
ミングを変化させることによって、発生光のスペクトル
を連続的にも輝線的にも容易に変えることができる。ま
た第2図においてN2ガスとArさらに、本発明の極端
紫外光発生装置から発生する極端紫外光の光量が、次の
ように算出された。
まず、ATから発生する波長400〜3000λ領域の
スペクトルを測定した。次に、パルス状光源の光量が測
定できるジュールメータと光源の間に石英を置き、極端
紫外光量を測定した。石英は波長1600A端紫外光量
の比を求め、ジュールメータでの測定結果と組み合わせ
た結果、1600A以下の極端紫外光量は、1回の放電
当た。i9.15.7以上であった。
この値は、凹面回折格子の反射率が波長が短くなるにつ
れて低下することを考慮すれば、実際は、15Jより大
きいものと考えられる。従って、本発明の伎Nlからは
、従来の光源に比べて高出力の極端紫外光が発生するこ
とがわかった。しかも、多数回の放電を行った場合の極
端紫外光量の変動を調べた結果、平均値±10係以内で
あυ、充分な再現性が得られた。
に、光源ガスの種類を変えることで発生する極端紫外光
のスペクトルを変えることができる。さらに、放電条件
を変化させることによっても、すなわちピンチの強弱(
自己収束の強弱)によってもスペクトルは変化する。こ
れは高密度プラズマの温度及び密度が変化するためであ
り、第2の実施例で示す方法等によって、高密度プラズ
マの温度、密度を変えることによっても、極端虞外光の
スペクトルを変えることができることを示している。
第4図は電流に平行な磁場を印加した場合のプラズマの
挙動を説明する図であって、3は高電圧側の電極、4は
接地側の電極、20はプラズマ、16はプラズマ表面を
流れる電流、17は電流16の作り出す自己磁場、18
はコイル、19はコイル18の作り出す磁場、20−G
は、自己収束の速さを示す矢印である。
さて、プラズマが自己収束の過程で、第4図(α)のよ
うに完全な円柱の形を保ちつつ自己収束すれば不安定性
は生じにくい。しかし、プラズマの自己収束過程で放電
初期のガス密度分布に差があった場合等には、プラズマ
の分布に第4図(61のように太い部分と細い部分が生
じ、プラズマ表面を流れる電流の作り出す自己磁場の強
度に片寄シができるために、太い部分はゆつくシ収束し
、細い部分は速く収束するためにプラズマは崩喫しやす
くなる不安定性を生じる。しかしプラズマ内部に第4図
(c)のように、コイルによって作られる電流に平行な
磁場があった場合、プラズマ柱の一部が細くなろうとし
た時プラズマ内部の磁気圧が上昇し、細くなることを妨
げる働きをするために、不安定性は生じにくくなり、高
密度プラズマの生成過程が安定になる。
また、コイルによる磁場を大きくした場合、プラズマ柱
の内部磁気圧が大きくなり、中心部に圧縮されることを
妨げるために、生成される高密度プラズマの温度も密度
も低くなる。従って、コイルによって作られる磁場の強
度を変えることによって、高密度プラズマの温度と密度
を制御できる。
一方、第2図に示すように極端紫外光の光量とスペクト
ルは高密度プラズマの状態で大きく変化するために、高
密度プラズマ状態すなわち自己収束の強弱を制御するこ
とによってこれを制御できる。
第1図の構造で、リターン電極の外側のコイルによって
電甑間に加えられる磁場の強度を変えた場合の、高密度
プラズマから発生するX線出力の変化を調べたのが第5
図である。第5図において強度が0〜50G程度の弱い
磁場ではX線出力は変化しない。これは、生成される高
密度プラズマの状態が変化しないことを反映している。
加える磁場が250〜500GになるとX線出力は低下
し、950Gに増やすことでX線出力はほとんど無くな
る。
これは、プラズマを流れる電流に平行に磁場を加え、第
4図の原理で高密度プラズマの温度を低く抑えることに
よって、イオンの電離度合が低下し、電子温度が上がら
なくなるために、X線出力が低下していることを示すと
考えられる。従って、電流に平行に磁場を加えることに
よって、同一の放電条件でも高密度プラズマの温度、密
度を制御できるという効果を生じる。
(第2の実施例) 第6図は、本発明の第2の実施例の、複数の高速開閉ガ
スバルブを備えた極端紫外光発生装置を説明する図であ
って、第1図におけると同じ部分を同じ番号で示し、1
Aはガス溜、8Aは基準信号発生装置7の信号パルスを
遅延させる遅延パルサー。10Aは遅延パルサー8Aの
パルスを受けて動作する高速開閉ガスバルブ用の駆動電
気回路。9Aは駆動電気回路10Aによって動作する高
速開閉ガスバルブである。なお第6図においては、プラ
ズマに流れる電流16に平行な磁場を形成するためのコ
イルは省略して示されている。
これを動作するためには、真空容器5を真空排気装置6
Aで排気し、10−4〜10−’ toデr程度の真空
に保つ。次に、充電電源12でコンデンサー11を充電
する。次に、基準信号発生装置7で基準パルスを発生し
、遅延パルサー8で遅延を掛けて、高速開閉ガスバルブ
用駆動′亀気回路10を動かし、高速開閉ガスバルブ9
を駆動して、電極3.40間にガス溜1のガスAを注入
する。次に、同じ基準信号発生装置7からの基準パルス
に、電極間に拡散速度の異なるガスAとガスBが同時に
存在する様に遅延時間を設定した遅延パルサー8Aで遅
延を掛けて、高速開閉ガスバルブ用駆動回路10Aを動
かし、高速開閉ガスバルブ9Aを、駆動して、電極3.
4の間にガスJIAのガスBを注入し、混合ガス状態を
形成する。次に、基準信号発生装置7で発生した基準パ
ルスに、遅延時間が電極3.4の間にガスが注入される
時間と一致するように設定された遅延パルサー13で遅
延を掛けたパルスで、スイッチ駆動パルス発生装置14
を駆動してスイッチ駆動パルスを発生し、スイッチ15
を動かして電極3.4の間に高電圧を印加し、混合ガス
によって放電させる。混合ガスは放電によってプラズマ
化し、プラズマを流れる電流16の作シ出す17の自己
磁場とプラズマ中のイオン・電子との電磁相互作用によ
り、プラズマの中心方向へ収束し、電極中心軸上で、高
温高密度となシ、高温高密度プラズマ中のイオンと電子
の相互作用によって、極端紫外光が発生する。
気体分子はその種類によって、運動速度が異なる。例え
ば、Krの場合ユ320φ、 N2の場合=6501n
/8である。予め2種類以上のガスを混合して1つのバ
ルブで噴射した場合、噴射されたガス内の気体分子は方
向の揃った超音速の分子流になるために、分子が相互に
衝突することは非常に少なくなシ、気体分子は上記の様
な固有の速度で運動ずでには真空容器内に拡散してしま
う。電極間に高電圧を印加する時に気体分子AとBが混
在した状態を作り出すためには、まず、運動速度の小さ
な気体を注入し、適当な時間を置いて運動速度の大きな
気体を注入する必要がある。
従って、第6図の様な、時間差を持って、駆動できる、
複数の高速開閉ガスバルブを備えた構造とすることによ
って、それぞれ異なる運動速度を有する複数の気体を、
別々の高速開閉ガスバルブを用い、運動速度に対応した
時間差をつけて電極間に注入し、1原間に任意の混合ガ
ス状態を作り出して、混合ガス放電することが可能にな
る。そして混合ガス放電によって複数の気体分子を含む
高密度プラズマを生成し、この高密度プラズマから複数
の気体分子からの極端紫外光を同時に発生させられると
いう効果を生じる。
さらに、1回目の放電で高速開閉ガスバルブ9を駆動し
て、気体Aから極端紫外光を発生させ、次の放電では高
速開閉ガスバルブ9Aを駆動して、気体Bから極端紫外
光を発生させることができる。
従って、複数の高速開閉ガスバルブを備えることによっ
て、容易に光源となる気体の種類を変えることができる
という効果を生じる。
なおここで、高速開閉ガスバルブ9,9Aには、自動車
で用いられる燃料噴射バルブを用いることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ガスをパルス状
に供給する方式を用いるために、ガスを封入する必要が
なくなり、また極端紫外光を取シ出す窓材を用いないた
め、極端紫外光を発生装置外に取り出すことができる。
さらに、ガスを定常的に流す必要もなくなるために、ガ
ス自体の内部吸収による減衰をも防ぐことができるため
に、高出力の極端紫外光を取υ出すことができる利点を
もつ。
また、プラズマを流れる電流に平行な磁場を印加するこ
とによって、高密度プラズマを安定化し、極端紫外光の
発生再現性を向上させられる利点がある。さらに、印加
する磁場の強度を変えることによって、高密度プラズマ
の温度・密度を制御して、発生する極端紫外光の光量と
、そのスペクトル等を変えることができる。
また、複数の高速開閉ガスバルブを時刻をずらして駆動
することによって、複数の種類の気体分子を含む混合ガ
ス塊を形成することができるために、単独の高速開閉ガ
スバルブでは不可能であった、混合ガスでの放電が可能
となシ、−回の放電で、複数種の気体で生成される高密
度プラズマから極端紫外光を発生させることができ、従
って、ガス種・ガスの混合比を変えることで、極端紫外
光スペ、クトルを容易に変えることができる利点がある
さらに、1回目の放電では高速開閉ガスバルブAで、ガ
スAを注入して放電し、2回目の放電では、高速開閉ガ
スバルブBでガスBを注入して放電し、生成される高密
度プラズマ内の元素を変えて、発生するスペクトルを変
えることもできる。
本発明の光源を用いれば、極端室外光を気体や固体表面
に照射し、気体分子や固体表面の数原子層が励起できる
ために、薄膜形成・酸化・エツチング・ドーピング・表
面の清浄化等に適用できる。
本発明によれば、従来の光CVDに比べて極端紫外光に
よって効率的に光励起されるので、このような薄膜形成
等の工程における効率が良くなるだけでなく、原子オー
ダーで膜厚等の制御を行うことができる可能性がある。
さらに本発明の光源は、極端紫外光によるLSIの微細
バタン転写装置の光源として用いることができる。また
、X線露光用のプラズマX線源として用いることもでき
る。
また、本発明の光源から発生する高出力の極端紫外光を
、光化学反応を引き起こす光源として用い、光化学反応
を調べることができる。また、固体表面に照射して、反
射・吸収を利用した表面解析装置に用いることができる
また、気体・極薄膜等の吸収係数・反射率等を測定する
分光光源としても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の極端紫外光発生装置の第1の実施例を
示す図、 第2図は本発明の装置における極端紫外光のスペクトル
の測定結果を示す図、 第3図は極端紫外光の出力と放電タイミングとの関係を
示す図、 第4図は電流に平行な磁場を印加した場合のプラズマの
挙動を説明する図、 第5図は本発明における高密度プラズマから発生するX
線出力の変化を示す図、 第6図は本発明の極端紫外光発生装置の第2の実施例を
示す図である。 1.1A・・・ガス、留、 2・・・高電圧側電極、 3・・・取りはずし可能な電極、 4・・・接地側電極、 5・・・真空容器、 6・・・絶燦体、 6A  ・・・真空排気装置、 7・・・基準信号発生装置、 8.8A  ・・・遅延パルサー、 9.9A  ・・・高速開閉ガスバルブ、10.1OA
  ・・・駆動電気回路、11  ・・・コンデンサー
、 12  ・・・充電電源、 13  ・・・遅延パルサー、 14  ・・・スイッチ駆動パルス発生装置、15  
・・・スイッチ、 16  ・・・プラズマを流れる電流、17  ・・・
自己磁場、 18  ・・・コイル、 18A・・・コイル用電源、 19  ・・・磁場、 20  ・・・高密度プラズマ、 2O−10L  ・・・自己収束の速さを表わす矢印、
21  ・・・極端紫外光雫孝咄叱千千四 −・・極璃
紮zト光取り工し口。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士玉、戊久五部(外2名)(a)    
         (b)5皮畏 (人)      
              波長 (X)本発明絞i
t= 8け各極端紫外光スペクトルの測定緒第を示す3
第 2 図 1.0           1.5   (ms)−
一一−―放電、タイミング 楢傭紫外光の出力と放電タイミングとの関係を示す3第
 3 図 (Q)                (bン20−
σ・・・・自己収束の速さを示す矢印電流−平行梗磁埼
)印加した場合のプラズマの第 4 図 帯動を説B月す2図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空中にあるプラズマに電流を流し該プラズマを
    流れる電流の作り出す自己磁場によってプラズマを自己
    収縮させることによって高密度プラズマを生成する手段
    を具え、 該高密度プラズマから極端紫外光を発生させることを特
    徴とする極端紫外光発生装置。
  2. (2)前記真空中にあるプラズマが、真空槽内にスイッ
    チを介して電源に接続された対向電極間に、高速開閉ガ
    スバルブを介してガスを供給した後、前記スイッチを経
    て対向電極間に電圧を印加して放電させることによって
    形成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の極端紫外光発生装置。
  3. (3)前記高速開閉バルブが複数であって、それぞれを
    介してガスを供給することを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の極端紫外光発生装置。
  4. (4)真空中にあるプラズマに電流を流し該プラズマを
    流れる電流の作り出す自己磁場によってプラズマを自己
    収縮させることによって高密度プラズマを生成する手段
    と、 該プラズマを流れる電流に平行な磁場を印加する手段と
    を具え、 該高密度プラズマから極端紫外光を発生させることを特
    徴とする極端紫外光発生装置。
  5. (5)前記真空中にあるプラズマが、真空槽内にスイッ
    チを介して電源に接続された対向電極間に、高速開閉ガ
    スバルブを介してガスを供給した後、前記スイッチを経
    て対向電極間に電圧を印加して放電させることによって
    形成されることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載
    の極端紫外光発生装置。
  6. (6)前記高速開閉バルブが複数であって、それぞれを
    介してガスを供給することを特徴とする特許請求の範囲
    第5項記載の極端紫外光発生装置。
JP6686786A 1986-03-24 1986-03-24 極端紫外光発生装置 Expired - Lifetime JPH067475B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6686786A JPH067475B2 (ja) 1986-03-24 1986-03-24 極端紫外光発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6686786A JPH067475B2 (ja) 1986-03-24 1986-03-24 極端紫外光発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62222559A true JPS62222559A (ja) 1987-09-30
JPH067475B2 JPH067475B2 (ja) 1994-01-26

Family

ID=13328241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6686786A Expired - Lifetime JPH067475B2 (ja) 1986-03-24 1986-03-24 極端紫外光発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH067475B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000053765A (ko) * 2000-04-04 2000-09-05 엄환섭 Rf를 이용한 대기압 극자외선 방사장치
JPWO2006120942A1 (ja) * 2005-05-06 2008-12-18 国立大学法人東京工業大学 プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000053765A (ko) * 2000-04-04 2000-09-05 엄환섭 Rf를 이용한 대기압 극자외선 방사장치
JPWO2006120942A1 (ja) * 2005-05-06 2008-12-18 国立大学法人東京工業大学 プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法
JP5114711B2 (ja) * 2005-05-06 2013-01-09 国立大学法人東京工業大学 プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH067475B2 (ja) 1994-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6282222B1 (en) Electron beam irradiation of gases and light source using the same
Kudryavtsev et al. A new in-gas-laser ionization and spectroscopy laboratory for off-line studies at KU Leuven
US20040149937A1 (en) Extreme UV light source and semiconductor exposure device
Wieland et al. EUV and fast ion emission from cryogenic liquid jet target laser-generated plasma
Gerasimov et al. UV emission from excited inert-gas molecules
Li et al. Study of Ne-and Ni-like x-ray lasers using the prepulse technique
JPS62222559A (ja) 極端紫外光発生装置
Carman et al. Enhanced performance of an EUV light source (λ= 84 nm) using short-pulse excitation of a windowless dielectric barrier discharge in neon
Waynant Vacuum ultraviolet laser emission from C IV
Fournier et al. Novel laser ion sources
Lu et al. Demonstration of a transient high gain soft x-ray laser for neon-like argon
Kawanaka et al. New xenon excimer lamps excited by quasi-CW jet discharges
Doron et al. Spectroscopic signature of strong dielectronic recombination in highly ionized xenon produced by irradiating a gas puff with laser
JPS63239811A (ja) 光反応装置
US20120167962A1 (en) System and method for generating a beam of particles
Stiel et al. EUV-emission of xenon clusters excited by a high-repetition-rate burst-mode laser
Grebner et al. Dissociation rates of energy-selected benzene cations: comparison of experimental results from ion cyclotron resonance and cylindrical ion trap time-of-flight mass spectrometry
Boulmer et al. Collisional depopulation cross sections of high-Rydberg Na s states by Ar
Glab et al. High-np Rydberg states of atomic carbon studied through vuv and uv double resonance
JP5368664B2 (ja) アーク放電陰極、アーク放電電極及びアーク放電光源
JP3462949B2 (ja) 負電荷酸素原子発生方法
US20240063012A1 (en) Ultraviolet and vacuum ultraviolet lamps driven by molecular-atomic, atomic-atomic, or atomic-molecular excitation transfer
Himpsl et al. Plasma chemistry induced by low energy electron beams
JPH0713949B2 (ja) 光反応方法および装置
Forestier et al. Pulsed blowdown—electron gun facility for low‐temperature and high‐pressure supersonic flow electronic transition lasers

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term