JPS62222444A - 光メモリ−材料 - Google Patents
光メモリ−材料Info
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- JPS62222444A JPS62222444A JP61065158A JP6515886A JPS62222444A JP S62222444 A JPS62222444 A JP S62222444A JP 61065158 A JP61065158 A JP 61065158A JP 6515886 A JP6515886 A JP 6515886A JP S62222444 A JPS62222444 A JP S62222444A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N (1E)-1-(2,4-dichlorophenyl)-4,4-dimethyl-2-(1,2,4-triazol-1-yl)pent-1-en-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1/C(C(O)C(C)(C)C)=C/C1=CC=C(Cl)C=C1Cl FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカルコゲンガラス薄膜を用いた光メモリー材料
に関し、特に’１’ｅ−３ｅ−Ｇａ系のカルコゲンガラ
ス薄膜を用いた高記録密度の光メモリー材料に関するも
のである。
に関し、特に’１’ｅ−３ｅ−Ｇａ系のカルコゲンガラ
ス薄膜を用いた高記録密度の光メモリー材料に関するも
のである。
カルコゲンは広義には周期表の■ｂ族元素を指し、狭義
にはＳ、Ｓｅ、Ｔｅの３元素を指す。これらのＳ、Ｓｅ
、Ｔｅのそれぞれの単独の元素、あるいはこれらの狭義
のカルコゲン元素とＧ１３ ｒ Ａｓ ｒ Ｓ ｎ ＋
Ｓ ｂ ＋ ］３１などとの化合物から成るカルコゲ
ン物質は、構成元素の成分を変えることにより比重、転
移温度、導電率、電気・光学的禁止帯幅等を連続的に変
化させることができ、また熱や光などのエネルギーを加
えることにより非晶質＝結晶質の転移反応を可逆的に起
こし得ることが知られている。
にはＳ、Ｓｅ、Ｔｅの３元素を指す。これらのＳ、Ｓｅ
、Ｔｅのそれぞれの単独の元素、あるいはこれらの狭義
のカルコゲン元素とＧ１３ ｒ Ａｓ ｒ Ｓ ｎ ＋
Ｓ ｂ ＋ ］３１などとの化合物から成るカルコゲ
ン物質は、構成元素の成分を変えることにより比重、転
移温度、導電率、電気・光学的禁止帯幅等を連続的に変
化させることができ、また熱や光などのエネルギーを加
えることにより非晶質＝結晶質の転移反応を可逆的に起
こし得ることが知られている。
このカルコゲン物質は、上述の非晶質、結晶質の相転移
により屈折率が変化し、その結果反射率が変化すること
が知られており、近年、このような興味深い性質を有す
るカルコゲン物質を書き換え可能な光デイスクメモリー
材料として利用しようとする研究が盛んに行われている
。
により屈折率が変化し、その結果反射率が変化すること
が知られており、近年、このような興味深い性質を有す
るカルコゲン物質を書き換え可能な光デイスクメモリー
材料として利用しようとする研究が盛んに行われている
。
このような光デイスクメモリー材料に使用する力Ａ／）
ゲン物質としては、Ｔｅ 、 ’ｒｅ −Ｅ３ｅ 、
’ｒｅ、Ｓｅｗ Ｇａなどが知られている。
ゲン物質としては、Ｔｅ 、 ’ｒｅ −Ｅ３ｅ 、
’ｒｅ、Ｓｅｗ Ｇａなどが知られている。
（例えば昭和６０春応物描演、！９ｐ−Ｔ−７）〔発明
が解決しようとする間順点〕 上記従来のカルコゲン物質の内でもＴｅＸ （Ｇａｙ
。
が解決しようとする間順点〕 上記従来のカルコゲン物質の内でもＴｅＸ （Ｇａｙ
。
Ｓｅ１−ｙ）１−ｘ （０，６≦Ｘ≦０．９ 、０．０
！；≦ｙ≦０．３）で示されるＴｅ−Ｓｅ−Ｇａ ８ガ
ラスは、ガラスとしての耐久性が高く、又非晶質状態が
比較的安定でメモリー特性が高いという利点があった。
！；≦ｙ≦０．３）で示されるＴｅ−Ｓｅ−Ｇａ ８ガ
ラスは、ガラスとしての耐久性が高く、又非晶質状態が
比較的安定でメモリー特性が高いという利点があった。
しかしながら上記’ｒｅ−ｓｅ−ｃａ系ガラスは非晶質
状態としたカルコゲンガラスＷ膜部分に半導体レーザー
光をあてて結晶化させるのに必要な時間（消去時間）が
長く、高辻応答性におとる問題点があった。
状態としたカルコゲンガラスＷ膜部分に半導体レーザー
光をあてて結晶化させるのに必要な時間（消去時間）が
長く、高辻応答性におとる問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するために、一般式Ｔｅｘ（
Ｇａｙ、Ｓｅ１−ｙ）１−ｘテ表わされ、ｘ、ｙの値が
それぞれＯ８Ｘ≦０．９ 、０．０５≦ｙ≦０．３ の
範囲にある組成を主成分とするカルコゲンガラスの薄膜
を基板上に形成した光メモリー材料において、該カルコ
ゲンガラスＫ Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ＋Ｇｅ よりなる群よ
り選ばれた少なくとも１種の元素を０．５〜２０ｗｔ％
含ませている。
Ｇａｙ、Ｓｅ１−ｙ）１−ｘテ表わされ、ｘ、ｙの値が
それぞれＯ８Ｘ≦０．９ 、０．０５≦ｙ≦０．３ の
範囲にある組成を主成分とするカルコゲンガラスの薄膜
を基板上に形成した光メモリー材料において、該カルコ
ゲンガラスＫ Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ＋Ｇｅ よりなる群よ
り選ばれた少なくとも１種の元素を０．５〜２０ｗｔ％
含ませている。
本発明に用いるカルコゲンガラスの基本ｔｍ成はＴｅｘ
（Ｇａｙ Ｓｅ１−ｙ）１−ｘの式で表わした時、Ｏ１
乙≦Ｘ≦０．９．Ｏ，ＯＳ≦ｙ≦０．３の範囲のもので
あるが、上記範囲をこえると光メモリー材料として使用
する場合下記問題が生じる。
（Ｇａｙ Ｓｅ１−ｙ）１−ｘの式で表わした時、Ｏ１
乙≦Ｘ≦０．９．Ｏ，ＯＳ≦ｙ≦０．３の範囲のもので
あるが、上記範囲をこえると光メモリー材料として使用
する場合下記問題が生じる。
上記Ｔｅの割合（Ｘ）が０．６ より少なくになるとエ
ネルギーバンドギャップの関係で、弱パワーの半導体レ
ーザーでのカルコゲンガラス薄膜の励起が困難となり、
またＴｅの割合（増が０．９を越えると耐久性が劣化す
る。
ネルギーバンドギャップの関係で、弱パワーの半導体レ
ーザーでのカルコゲンガラス薄膜の励起が困難となり、
またＴｅの割合（増が０．９を越えると耐久性が劣化す
る。
またＧａの量のＳｅＯ量に対する割合ｙがｏ、ｏｒより
少なくなるとメモリーの安定性が悪く、０．３を越える
と膜質が脆弱となり、レーザー光照射により膜が破壊さ
れてしまうので光メモリー材料として不適となる。
少なくなるとメモリーの安定性が悪く、０．３を越える
と膜質が脆弱となり、レーザー光照射により膜が破壊さ
れてしまうので光メモリー材料として不適となる。
上記Ｔｅ−Ｇａ−８６ガラスに添加されるＡｕ、ｓｎ、
Ｉｎ。
Ｉｎ。
ａｅよりなる群より選ばれた少なくとも１種の元素の景
は、Ｔｅ−Ｇａ−３ｅガラスの重＠１００に対して０、
！；−２０の重量である。上記添加成分量がＯ０ｊｗｔ
％よりも少ないと、その添加効果が少なく Ｔｅ−Ｇａ
−３ｅ系と同程度の応答速度しか得られない。又２０ｗ
ｔ％ よりも多く添加するとガラスの耐久性が低下する
。
は、Ｔｅ−Ｇａ−３ｅガラスの重＠１００に対して０、
！；−２０の重量である。上記添加成分量がＯ０ｊｗｔ
％よりも少ないと、その添加効果が少なく Ｔｅ−Ｇａ
−３ｅ系と同程度の応答速度しか得られない。又２０ｗ
ｔ％ よりも多く添加するとガラスの耐久性が低下する
。
上記Ａｕ ＋ Ｓ ｎ ｒ Ｉ ｎ ｒ Ｇｅよりなる
群の内では、Ｇｅを添加することが書き込み消去の繰り
返し使用可能回数の増加の点で好ましい。又Ｇｅの添加
量は１〜ＩＯ’ｌｉｔ％であることが繰り返し使用可能
回数の点で望ましい。
群の内では、Ｇｅを添加することが書き込み消去の繰り
返し使用可能回数の増加の点で好ましい。又Ｇｅの添加
量は１〜ＩＯ’ｌｉｔ％であることが繰り返し使用可能
回数の点で望ましい。
実施例／〜ｌ、比較例／
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇａの谷粉末（純度９９．９９９％）を’
ｒｅｏ、７（Ｇａ０．０５１ｓｅｏ、９５ ）（＋、３
となる様、調合した後、混合粉末型ｊ１１００に対して
０，０．！；、／、２．６・の割合のＧｅ粉末（純度ｑ
９．ヲ９ｑ％）を各々添加・混合して５種類のガラス原
料粉末を作成した。この混合粉末３種を各々石英アンプ
ルに真空封入した後／ １００”Ｃ１０時間程度加熱融
解した後急冷してＮ Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ、１力ラス３種
を得た。これら５種のガラスな粉砕したガラス粉を蒸着
源として真空蒸着法によりガラス基板ｌ上に各々のカル
コゲンガラス薄膜２を作成した。この時蒸着の条件は基
板温度３０″Ｃ９蒸着レートｊｎｍ／分、真空度♂Ｘ
／ ０−６ｔＯｒｒであり該カルコゲンガラス薄膜コの
厚さは約７０ｎｍとした。
ｒｅｏ、７（Ｇａ０．０５１ｓｅｏ、９５ ）（＋、３
となる様、調合した後、混合粉末型ｊ１１００に対して
０，０．！；、／、２．６・の割合のＧｅ粉末（純度ｑ
９．ヲ９ｑ％）を各々添加・混合して５種類のガラス原
料粉末を作成した。この混合粉末３種を各々石英アンプ
ルに真空封入した後／ １００”Ｃ１０時間程度加熱融
解した後急冷してＮ Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ、１力ラス３種
を得た。これら５種のガラスな粉砕したガラス粉を蒸着
源として真空蒸着法によりガラス基板ｌ上に各々のカル
コゲンガラス薄膜２を作成した。この時蒸着の条件は基
板温度３０″Ｃ９蒸着レートｊｎｍ／分、真空度♂Ｘ
／ ０−６ｔＯｒｒであり該カルコゲンガラス薄膜コの
厚さは約７０ｎｍとした。
その後これらカルコゲンガラス薄膜２が設けられたガラ
ス板を別の真空蒸着装置に移し、該カルコゲンガラス薄
膜λ上にパラキシレン膜３を作成した。この時＃着の条
件は基板温度２よ°Ｃ２真空度／Ｘ／ ０ ”’３ｔｏ
ｒｒとし、該パラキシレン膜３の厚みは約２．３μｍと
した。その後この様にして作成した光メモリー材料弘に
ｔｏｏｍｗ７ａｉのキセノンランプを１０〜２０秒照射
して約コｏｏ℃に加熱し、該ガラスを結晶化させた。こ
れら光メモリー材料弘の概略断面図を第１図に示す。
ス板を別の真空蒸着装置に移し、該カルコゲンガラス薄
膜λ上にパラキシレン膜３を作成した。この時＃着の条
件は基板温度２よ°Ｃ２真空度／Ｘ／ ０ ”’３ｔｏ
ｒｒとし、該パラキシレン膜３の厚みは約２．３μｍと
した。その後この様にして作成した光メモリー材料弘に
ｔｏｏｍｗ７ａｉのキセノンランプを１０〜２０秒照射
して約コｏｏ℃に加熱し、該ガラスを結晶化させた。こ
れら光メモリー材料弘の概略断面図を第１図に示す。
次にこれら５種の光メモリー材料の特性（消去時間およ
び繰り返し使用可能回数）を第＜ｚｂに示す実験装置を
用いて測定した。
び繰り返し使用可能回数）を第＜ｚｂに示す実験装置を
用いて測定した。
実験装置！は、主としてコリメーションレンズ乙と対物
レンズ７と７ＩｒＯｎｍ、３０ｍＷの半導体レーザーｔ
とを取りつけたＸＹｚステーシワならびに半導体レーザ
ーｔに接続されたＤＣ１！源１０およびパルスジェネレ
ーター／／ならびに半導体レーｆ −了への電源をＤＣ
電源ＩＯ又はパルスジェネレーター／／へ切り変える切
換スイッチ１２ならびにパルスジェネレーター／／の波
形を測定するオシロスコープ／３ならびに試料固定台／
ｌＩならびに光学顕微鏡／Ｓとからなり、試料固定台／
弘に固定した光メモリー材料弘に半導体レーザーｔの光
を集光照射させることができ、又光メモリー材料ダの状
態を半導体レーザーｒの反対側の光学顕微鏡１５により
観察できるようになっている。
レンズ７と７ＩｒＯｎｍ、３０ｍＷの半導体レーザーｔ
とを取りつけたＸＹｚステーシワならびに半導体レーザ
ーｔに接続されたＤＣ１！源１０およびパルスジェネレ
ーター／／ならびに半導体レーｆ −了への電源をＤＣ
電源ＩＯ又はパルスジェネレーター／／へ切り変える切
換スイッチ１２ならびにパルスジェネレーター／／の波
形を測定するオシロスコープ／３ならびに試料固定台／
ｌＩならびに光学顕微鏡／Ｓとからなり、試料固定台／
弘に固定した光メモリー材料弘に半導体レーザーｔの光
を集光照射させることができ、又光メモリー材料ダの状
態を半導体レーザーｒの反対側の光学顕微鏡１５により
観察できるようになっている。
上記実験装置により、下記手順で測定した前記光メモリ
ー材料の消去時間および繰り返し使用可能回数を、第２
図および第７表に示す。
ー材料の消去時間および繰り返し使用可能回数を、第２
図および第７表に示す。
第２図および第１表から、ＧｅをＯ１！〜ｔｗｔ％添加
した本実施例の光メモリー材料は、Ｇｅを添加していな
い従来の光メモリー材料よりも速い消去時間を示してい
ること、およびＧ６を／ンｊｗｔ％添加した光メモリー
材料は特に良好な繰り返し使用可能回数を有しているこ
とがわかる。
した本実施例の光メモリー材料は、Ｇｅを添加していな
い従来の光メモリー材料よりも速い消去時間を示してい
ること、およびＧ６を／ンｊｗｔ％添加した光メモリー
材料は特に良好な繰り返し使用可能回数を有しているこ
とがわかる。
消去時間測定法
光メモリー材料弘を試料固定台ｌグに固定した後半導体
レーザーｆ ＫＤＣ電ｔ１．１０を接続し、ＸＹＺステ
ージ９を用いてレーザ光を光メモリー倒斜ｔに集光照射
さる。その後切換スイッチ１２を切換で半導体レーザｒ
にパルスジェネレーターｌ／よｒ） ハにスミ圧を印加
する。パルスジェネレーター／／は書き込み用パルス電
圧と消去用パルス電圧を発生させることができ、直径ハ
５〜２．０μｍのビームをＴｅ−Ｇａ−３ｅ系ガラスに
照射して’ｒｅ−Ｇａ−ｓｅ系ガラスを結晶化およびガ
ラス化させることができる。結晶化およびガラス化の状
態変化は、光学顕微鏡／ｊを用いて目視により求めるこ
とができる。パルス電圧のパルス幅をいろいろ変化させ
て書き込み（ガラス化）および消去（結晶化）が確認さ
れる最小のパルス電圧を求め、その時のパルス幅をオシ
ロスコープにより求め、消去時間とした。
レーザーｆ ＫＤＣ電ｔ１．１０を接続し、ＸＹＺステ
ージ９を用いてレーザ光を光メモリー倒斜ｔに集光照射
さる。その後切換スイッチ１２を切換で半導体レーザｒ
にパルスジェネレーターｌ／よｒ） ハにスミ圧を印加
する。パルスジェネレーター／／は書き込み用パルス電
圧と消去用パルス電圧を発生させることができ、直径ハ
５〜２．０μｍのビームをＴｅ−Ｇａ−３ｅ系ガラスに
照射して’ｒｅ−Ｇａ−ｓｅ系ガラスを結晶化およびガ
ラス化させることができる。結晶化およびガラス化の状
態変化は、光学顕微鏡／ｊを用いて目視により求めるこ
とができる。パルス電圧のパルス幅をいろいろ変化させ
て書き込み（ガラス化）および消去（結晶化）が確認さ
れる最小のパルス電圧を求め、その時のパルス幅をオシ
ロスコープにより求め、消去時間とした。
第 ｌ 表
繰り返し使用可能回数測定法
上記書き込みおよび消去が確認されるパルス電圧を半導
体レーザーにくり返し印加し４’ｅ−Ｇａ−８ｅ系ガラ
スの被膜の破損等によって書き込み消去が観察されなく
なるパルス電圧印加回数（書き込みおよび消去で７サイ
クル）を測定し繰り返し使用可能回数とした。
体レーザーにくり返し印加し４’ｅ−Ｇａ−８ｅ系ガラ
スの被膜の破損等によって書き込み消去が観察されなく
なるパルス電圧印加回数（書き込みおよび消去で７サイ
クル）を測定し繰り返し使用可能回数とした。
実施例５〜７比較例−〜ｔ
Ｉ８．Ｓｅ、Ｇａの各粉末（純度９９．９９９％）をＴ
ｅ０．７（Ｇａ０．０５１ｓｅｏ、９５ ）０．３
となる様に調合した後、混合粉末重量１００に対してｌ
の割合の■Ｇｅ■Ｉｎ■Ｓｎ■Ａｕ■無添加■Ｃｕ■Ａ
ｇ■Ｚｎ■５ｂ０Ｂｉ■Ｉｎ■ｐｔを各々添加混合して
７２種類のガラス原料粉末を作成した。
ｅ０．７（Ｇａ０．０５１ｓｅｏ、９５ ）０．３
となる様に調合した後、混合粉末重量１００に対してｌ
の割合の■Ｇｅ■Ｉｎ■Ｓｎ■Ａｕ■無添加■Ｃｕ■Ａ
ｇ■Ｚｎ■５ｂ０Ｂｉ■Ｉｎ■ｐｔを各々添加混合して
７２種類のガラス原料粉末を作成した。
上記１２種のガラス原料粉末を用いて実施例／〜ｔと同
様の操作で実施例／−１と同様の光メモリー材料を作成
した。
様の操作で実施例／−１と同様の光メモリー材料を作成
した。
得られた７２種の光メモリー材料について実施例／−１
と同様の操作で測定した消去時間を第３図に示す。第３
図からＧｅ ＋ Ｉ ｎ ｙ Ｓ ｎ 、Ａｕを添加し
た光メモリー材料の消去時間が従来のものよりも消去時
間が速くなっていることがわかる。
と同様の操作で測定した消去時間を第３図に示す。第３
図からＧｅ ＋ Ｉ ｎ ｙ Ｓ ｎ 、Ａｕを添加し
た光メモリー材料の消去時間が従来のものよりも消去時
間が速くなっていることがわかる。
また得られた７２種の光メモリー材料の繰り返し使用可
能回数を実施例／−１と同様測定した結果を第１表に示
す。
能回数を実施例／−１と同様測定した結果を第１表に示
す。
本発明の光メモリー材料は実施例からもあきらかなとう
りカルコゲンガラスの結晶化に要する時間（消去時間）
が短く、そのため応答速度の迷い光メモリー材料として
機能する。
りカルコゲンガラスの結晶化に要する時間（消去時間）
が短く、そのため応答速度の迷い光メモリー材料として
機能する。
又、Ｇｅを１〜１０ｗｔ％含ませた光メモリー材料は、
従来のＴｅｘ （Ｇａ’Ｊ 、Ｓ ｅ １−’ｌ ）
ｌ −Ｘ ツカ／’ ” ’ｆ ツカ７ Ｘを用いた光
メモリー材料とくらべ繰り返し使用可能回数が約を倍に
増加しており、耐久性も高くなっている。
従来のＴｅｘ （Ｇａ’Ｊ 、Ｓ ｅ １−’ｌ ）
ｌ −Ｘ ツカ／’ ” ’ｆ ツカ７ Ｘを用いた光
メモリー材料とくらべ繰り返し使用可能回数が約を倍に
増加しており、耐久性も高くなっている。
第１図は本発明の光メモリー材料の概略を示す断面図、
第２図は実施例／〜１１比較例１のカルコゲンガラス組
成と消去時間との関係を示す図、第３図は実施例−１ｊ
〜７および比較例／、２〜ｌのカルコゲンガラス組成と
消去時間との関係を示す図、第１１図は実施例で使用し
た消去時間および繰り返し使用回数測定用実熟装置の概
念図である。 千日１ｆｌｋＥ。 第１図 １１７ｅルスノエ不レーター 第４図
第２図は実施例／〜１１比較例１のカルコゲンガラス組
成と消去時間との関係を示す図、第３図は実施例−１ｊ
〜７および比較例／、２〜ｌのカルコゲンガラス組成と
消去時間との関係を示す図、第１１図は実施例で使用し
た消去時間および繰り返し使用回数測定用実熟装置の概
念図である。 千日１ｆｌｋＥ。 第１図 １１７ｅルスノエ不レーター 第４図
Claims (2)
- （１）一般式Ｔｅ＿ｘ（Ｇａ＿ｙ、Ｓｅ＿１＿−＿ｙ）
＿１＿−＿ｘで表わされ、ｘ、ｙの値がそれぞれ０．６
≦ｘ≦０．９、０．０５≦ｙ≦０．３の範囲にある組成
を主成分とするカルコゲンガラスの薄膜を基板上に形成
した光メモリー材料において、該カルコゲンガラスがＡ
ｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇｅなる群より選ばれた少なくとも１
種の元素を０．５〜２０ｗｔ％含んでいることを特徴と
する光メモリー材料。 - （２）該カルコゲンガラスがＧｅを１〜１０ｗｔ％含ん
だものである特許請求の範囲第１項記載の光メモリー材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065158A JPS62222444A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065158A JPS62222444A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 光メモリ−材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222444A true JPS62222444A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13278791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065158A Pending JPS62222444A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 光メモリ−材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6463195A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Thin film for information recording |
| WO2017168939A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | ガラス及びガラスの製造方法並びに光学素子 |
| WO2020175402A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 日本電気硝子株式会社 | 赤外線透過ガラス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186287A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-01 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065158A patent/JPS62222444A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186287A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-01 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6463195A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Thin film for information recording |
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| CN113302165A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-08-24 | 日本电气硝子株式会社 | 红外线透射玻璃 |
| EP3932882A4 (en) * | 2019-02-28 | 2022-12-07 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | INFRARED TRANSLUCENT GLASS |
| CN113302165B (zh) * | 2019-02-28 | 2023-08-01 | 日本电气硝子株式会社 | 红外线透射玻璃 |
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