JPS62221108A - 半導体薄膜気相成長装置 - Google Patents
半導体薄膜気相成長装置Info
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- JPS62221108A JPS62221108A JP6523686A JP6523686A JPS62221108A JP S62221108 A JPS62221108 A JP S62221108A JP 6523686 A JP6523686 A JP 6523686A JP 6523686 A JP6523686 A JP 6523686A JP S62221108 A JPS62221108 A JP S62221108A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体薄膜を気相原料を用いて形成する装置に
関する。
関する。
従来の半導体薄膜気相成長装置の一例を、第３図に示す
。この様な、従来の半導体薄膜気相成長装置の原料ガス
切換パルプと反応管をつなぐ配管は、普通の単管ででき
ている。
。この様な、従来の半導体薄膜気相成長装置の原料ガス
切換パルプと反応管をつなぐ配管は、普通の単管ででき
ている。
この配管は、構造は筒塔だが、以下の様な欠点を有する
。
。
１、 配管の内壁面に原料ガスが吸着する為、原料ガス
の供給を切換パルプで断った後もしばらくの間、吸着し
ていた原料ガスが、反応管に供給されてしまう。
の供給を切換パルプで断った後もしばらくの間、吸着し
ていた原料ガスが、反応管に供給されてしまう。
２ 配管の内壁面近くの流速が遅い為、原料ガスの供給
を切換パルプで断った後もしばらくの間、配管の内壁面
近くにたまっていた原料ガスが反応管に供給されてしま
う。
を切換パルプで断った後もしばらくの間、配管の内壁面
近くにたまっていた原料ガスが反応管に供給されてしま
う。
従来の様に、普通の単管で原料ガス切換パルプと反応管
を接続した場合、上記の欠点を有する為、半導体薄膜の
急峻な界面の制御等は非常に困難である。
を接続した場合、上記の欠点を有する為、半導体薄膜の
急峻な界面の制御等は非常に困難である。
従来はこの様な欠点を解決する為、例えば原料ガス切換
パルプと反応管を接続する配管を極力短くする等の対策
がとられていた。しかし原料ガス切換パルプと反応管を
接続する管を短くするのにも限界がある。
パルプと反応管を接続する配管を極力短くする等の対策
がとられていた。しかし原料ガス切換パルプと反応管を
接続する管を短くするのにも限界がある。
本発明は従来の技術の項で述べたような従来技術の欠点
を解決するもので、半導体薄膜の急峻な界面の制御を行
うこと、ができる技術を提供するのが目的である。
を解決するもので、半導体薄膜の急峻な界面の制御を行
うこと、ができる技術を提供するのが目的である。
本発明は、半導体薄膜気相成長装置の原料ガス切換パル
プと反応管をつなぐ配管が二重構造をしていて、かつそ
の内側の配管が多孔質な材質で形成されていて、内側の
多孔質な管に原料ガスを、外側の管と内側の管の間に水
素又は希ガスを流すことを特徴とする。
プと反応管をつなぐ配管が二重構造をしていて、かつそ
の内側の配管が多孔質な材質で形成されていて、内側の
多孔質な管に原料ガスを、外側の管と内側の管の間に水
素又は希ガスを流すことを特徴とする。
原料ガス切換パルプと反応管をつなぐ配管をこのような
構造にすることにより、従来用いられていた単管で問題
になる、吸着、たまりの現象は大幅に改善される。
構造にすることにより、従来用いられていた単管で問題
になる、吸着、たまりの現象は大幅に改善される。
問題点を解決するための手段の項で述べた、吸着、たま
りの現象が改善されることの理由は以下の通りである。
りの現象が改善されることの理由は以下の通りである。
１、外側の管と内側の管の間に水素又は希ガスを流すこ
とにより、外側の管と内側の管の間の圧力が高″１り、
また内側の管が多孔質である為に、外側の管と内側の管
の間に流す水素又は希ガスが内側の管のすきまより吹き
出し、内側の管壁に原料ガスの吸着が起こらない。
とにより、外側の管と内側の管の間の圧力が高″１り、
また内側の管が多孔質である為に、外側の管と内側の管
の間に流す水素又は希ガスが内側の管のすきまより吹き
出し、内側の管壁に原料ガスの吸着が起こらない。
２ 同様に、内側の胃壁近くのたまりも起こりにくくな
る。
る。
第１図は、本発明に係る装置の断面図の一例である。
原料ガス切換パルプｑ）より供給された原料ガス■は、
外側の配管■と内側の多孔質の配管■より成る配管を経
由して、反応管■中へ供給される。
外側の配管■と内側の多孔質の配管■より成る配管を経
由して、反応管■中へ供給される。
また、外側の配管■と内側の多孔質の配管■の間には、
水素又は希反ス■が導入される。
水素又は希反ス■が導入される。
第２図は、本発明に係る装置の断面図の一例である。
原料ガス切換パルプ■よシ供給された原料ガス■は、外
側の配管■と内側の多孔質の配管■より成る配管を経由
して、反応管◎中へ供給される。
側の配管■と内側の多孔質の配管■より成る配管を経由
して、反応管◎中へ供給される。
また、外側の配管（皺と内側の多孔質の配管［相］の間
には、空隙率の高い材質０がつまっており、また水素又
は希ガス［相］が導入される。
には、空隙率の高い材質０がつまっており、また水素又
は希ガス［相］が導入される。
空隙率の高い材質＠を用いることにより、本発明に係る
装置は曲げに対しての影響がなくなる。
装置は曲げに対しての影響がなくなる。
すなわち、曲げても外側の配管■と内側の多孔質の配管
■の間に、空隙率の高い材質＠がつまっている為、曲げ
ても外側の配管■と内側の多孔質の配管ｑ）の間のすき
まは一定量確保される。
■の間に、空隙率の高い材質＠がつまっている為、曲げ
ても外側の配管■と内側の多孔質の配管ｑ）の間のすき
まは一定量確保される。
第３図は、従来の半導体薄膜気相成長装置の一例である
。
。
原料ガス切換パルプ■中に導入されたキャリアガス［相
］、ｉ料ガス［相］は、導入管■を経て、反応管０に導
入される。反応管［相］中には、サセプター〇が設置さ
れており、その上には、エピタキシャル成長を行う為の
基板［株］が置かれている。また、サセプター０は、加
熱装置＠によシ加熱される構造になっておυ、反応後の
ガス＠は、真空ポンプ等を経由して無毒化処理装置へと
送られる。
］、ｉ料ガス［相］は、導入管■を経て、反応管０に導
入される。反応管［相］中には、サセプター〇が設置さ
れており、その上には、エピタキシャル成長を行う為の
基板［株］が置かれている。また、サセプター０は、加
熱装置＠によシ加熱される構造になっておυ、反応後の
ガス＠は、真空ポンプ等を経由して無毒化処理装置へと
送られる。
第３図の構造の反応システムに、第１図の装置を用いて
行った実施例を以下に示す。
行った実施例を以下に示す。
キャリアガスには水素を、導入管の内側と外側のすきま
にも水素を流した。それぞれの供給量は以下の通りであ
る。
にも水素を流した。それぞれの供給量は以下の通りであ
る。
キャリアガス： Ｓｔ／＝
導入管の内側と外側のすきま：１ｔ／＝導入管は、外側
が５ＵＳ−３１６ステンレス鋼、内側がガラス繊維よυ
成り立っており、長さは約１ｍ、内径的６ｆｆｉｌ、外
径的１２ｍである。
が５ＵＳ−３１６ステンレス鋼、内側がガラス繊維よυ
成り立っており、長さは約１ｍ、内径的６ｆｆｉｌ、外
径的１２ｍである。
この構造のシステムを用いて、以下の原料を用いて、セ
レン化亜鉛及び硫化亜鉛のエピタキシャル成長を砒化ガ
リウム基板の（１００）面上に約５０Ａずつ、交互に５
０層行なった。
レン化亜鉛及び硫化亜鉛のエピタキシャル成長を砒化ガ
リウム基板の（１００）面上に約５０Ａずつ、交互に５
０層行なった。
１、 セレン化亜鉛の原料
（ＣＨ，）、Ｚｎ及び （ＯＨ３）、Ｂｅλ 硫化亜鉛
の原料。
の原料。
（Ｃ４Ｈ６）、Ｚｎ及び （０，Ｈ，）、Ｅｌ成長させ
たエピタキシャル薄膜の深さ方向の組成をＳ工ＭＳによ
り分析したところ、非常に急峻な界面ができていること
がわかった。
たエピタキシャル薄膜の深さ方向の組成をＳ工ＭＳによ
り分析したところ、非常に急峻な界面ができていること
がわかった。
また、第２図の装置で、空隙率の酷い材質として、アル
ミナの焼結体を砕細したものを用いたタイプのものでも
同様な効果が得られた。また、曲けに対する耐性も、普
通の単管と変わらなかった。
ミナの焼結体を砕細したものを用いたタイプのものでも
同様な効果が得られた。また、曲けに対する耐性も、普
通の単管と変わらなかった。
以上述べた様に、本発明に係る装置の使用によシ、従来
用いられていた単管で問題になる、吸着、たまりの現象
は大幅に改善される。したがって、従来作製が困難であ
った急峻な界面の形成が容易になり、超格子等の作製も
気相法で簡単に行なえるようになった。
用いられていた単管で問題になる、吸着、たまりの現象
は大幅に改善される。したがって、従来作製が困難であ
った急峻な界面の形成が容易になり、超格子等の作製も
気相法で簡単に行なえるようになった。
第１図は、本発明に係る装置の断面図
１・・・・・・原料切換パルプ ２・・・・・・原料ガ
ス３・・・・・・外側の配管 ４・・・・・・内側の多孔質の配管 ５・・・・・・反応管 ６・・・・・・水素又
は希ガス第２図は、本発明に係る装置の断面図 ７・・・・・・原料切換パルプ ８・・・・・・原料ガ
ス９・・・・・・外側の配管 １０・・・内側の多孔質の配管 １１・・・反応管 １２・・・空隙率の高い材質 １３・・・水素又は希ガス 第３図は、従来の半導体薄膜気相成長装置図１４・・・
原料切換パルプ １５・・・キャリアガス１６・・・原
料ガス １７・・・導入管１８・・・反応Ｖ
１９・・・サセプター２０・・・基板
２１・・・加熱装置２２・・・反応後のガス 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名 ４・ パ−１ １′、゛
ス３・・・・・・外側の配管 ４・・・・・・内側の多孔質の配管 ５・・・・・・反応管 ６・・・・・・水素又
は希ガス第２図は、本発明に係る装置の断面図 ７・・・・・・原料切換パルプ ８・・・・・・原料ガ
ス９・・・・・・外側の配管 １０・・・内側の多孔質の配管 １１・・・反応管 １２・・・空隙率の高い材質 １３・・・水素又は希ガス 第３図は、従来の半導体薄膜気相成長装置図１４・・・
原料切換パルプ １５・・・キャリアガス１６・・・原
料ガス １７・・・導入管１８・・・反応Ｖ
１９・・・サセプター２０・・・基板
２１・・・加熱装置２２・・・反応後のガス 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名 ４・ パ−１ １′、゛
Claims (2)
- （１）半導体薄膜気相成長装置の原料ガス切換パルプと
反応管をつなぐ配管が２重構造をしていて、かつその内
側の配管が多孔質な材質で形成されていて、内側の多孔
質な管に原料ガスを、外側の管と内側の管の間に水素又
は希ガスを流すことを特徴とする半導体薄膜気相成長装
置。 - （２）外側の管と内側の管の間のすきまに、空隙率の高
い材質をつめることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6523686A JPS62221108A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6523686A JPS62221108A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221108A true JPS62221108A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13281075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6523686A Pending JPS62221108A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113906157A (zh) * | 2019-06-06 | 2022-01-07 | 皮考逊公司 | 多孔入口 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6523686A patent/JPS62221108A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113906157A (zh) * | 2019-06-06 | 2022-01-07 | 皮考逊公司 | 多孔入口 |
| US20220235466A1 (en) * | 2019-06-06 | 2022-07-28 | Picosun Oy | Porous inlet |
| JP2022541373A (ja) * | 2019-06-06 | 2022-09-26 | ピコサン オーワイ | 多孔質インレット |
| EP3980575A4 (en) * | 2019-06-06 | 2023-03-15 | Picosun Oy | POROUS ENTRANCE |
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