JPS62219939A - Measuring method for thickness of semiconductor layer and apparatus employed therefor - Google Patents

Measuring method for thickness of semiconductor layer and apparatus employed therefor

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JPS62219939A
JPS62219939A JP6305586A JP6305586A JPS62219939A JP S62219939 A JPS62219939 A JP S62219939A JP 6305586 A JP6305586 A JP 6305586A JP 6305586 A JP6305586 A JP 6305586A JP S62219939 A JPS62219939 A JP S62219939A
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JP
Japan
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semiconductor layer
measured
thickness
light beams
incident light
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Application number
JP6305586A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Nakano
中野 好典
Shingo Uehara
上原 信吾
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enable the highly precise measurement of the thickness of a semiconductor layer to be measured, by using first and second outgoing beam outputs and first and second absorption coefficient outputs with regard to incident light beams. CONSTITUTION:Incident light beams LB1 and LB2 are applied to a semiconductor laminate 4, and thereby outgoing beams LC1 and LC2 are obtained. Therefore, the intensities I01 and I02 thereof are detected electrically as outgoing beam outputs E01 and E02 by a light detecting means 12. The outgoing beam outputs E01 and E02 obtained from the light detecting means 12 are supplied to an arithmetic operation unit 13. The arithmetic operation unit 13 sets internally absorption coefficient outputs Ealpha1 and Ealpha2 which represent electrically absorption coefficients alpha1 and alpha2 for the incident light beams LB1 and LB2 to a semiconductor layer 1 of the semiconductor laminate 4. Accordingly, an operation is executed by using the outgoing beam outputs E01 and E02, incident beam outputs Ei1 and Ei2 and the absorption coefficient outputs Ealpha1 and Ealpha2, and a thickness output representing the thickness of the semiconductor layer 1 can be obtained therefrom.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体層の厚さ測定法及びそれに使用する装
置にIIIする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention is directed to a method for measuring the thickness of a semiconductor layer and an apparatus used therefor.

【監立藍韮 従来、被測定半導体層の厚さを測定するにつき、その被
測定半導体層の断面を外部に露呈させ、その外部に露呈
している断面を、光学顕微鏡、走査型顕微鏡などを用い
て実測することによって、被測定半導体層の厚さを測定
する、という方法が提案されている。
[Kanritsu Blue Ni] Conventionally, when measuring the thickness of a semiconductor layer to be measured, a cross-section of the semiconductor layer to be measured is exposed to the outside, and the exposed cross-section is measured using an optical microscope, scanning microscope, etc. A method has been proposed in which the thickness of a semiconductor layer to be measured is measured by actually measuring the thickness using a semiconductor layer.

発明が解決しようどするバ 1 しかしながら、このような半導体層の厚さ測定法ににる
場合、被測定半導体層の断面を明瞭に且つ全域において
平坦に得ることが困難であることから、被測定半導体層
の厚さを、0.1μm以下というような高精度に、測定
することができない、という欠点を右していた。
Problems to be Solved by the Invention 1 However, when using such a method for measuring the thickness of a semiconductor layer, it is difficult to obtain a clear and flat cross section of the semiconductor layer to be measured. The drawback is that the thickness of the semiconductor layer cannot be measured with high accuracy of 0.1 μm or less.

また、被測定半導体層の断面を外部に露呈させなければ
ならないことから、厚さが測定された半導体層は、破壊
し、その半導体層を実際の使用に洪し得ず、このため、
実際に使用する半導体層の厚さを測定することができな
い、という欠点を有していた。
In addition, since the cross section of the semiconductor layer to be measured must be exposed to the outside, the semiconductor layer whose thickness has been measured cannot be destroyed and the semiconductor layer cannot be used for actual use.
This method has the disadvantage that it is not possible to measure the thickness of the semiconductor layer actually used.

さらに、被測定半導体層の断面を外部に露早さUなりれ
ばならないことから、半導体層の複数の位置における厚
さを測定Jるのに困ガを伴い、従って、半導体層の厚さ
の分布を測定することが困難である、という欠点を右し
でいた。
Furthermore, since the cross-section of the semiconductor layer to be measured must be exposed to the outside at a speed U, it is difficult to measure the thickness of the semiconductor layer at multiple positions. The disadvantage was that it was difficult to measure the distribution.

問題点を解決するための一一段 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
層の厚さ測定法、及びそれに使用する新規な装置を提案
眩んとするものである。
By taking one step towards solving the problem, the present invention proposes a new method for measuring the thickness of semiconductor layers and a new device for use therein, which does not have the above-mentioned drawbacks.

本願第1番目の発明による半導体層の厚さ測定法は、被
測定半導体層に、ともに被測定半導体層に吸収され得る
が互に異なる波長を有する第1及び第2の光を、それぞ
れ第1及び第2の入射光として、照射させ、その第1及
び第2の入射光の被測定半導体層をそれぞれ透過して1
!7られる第1及び第2の出射光の強度を、電気的に第
1及び第2の出射光出力として検出し、その第1及び第
2の出射光出力と、被測定半導体層の第1及び第2の入
射光に対する第1及び第2の吸収係数をそれぞれ表わし
ている電気的な第1及び第2の吸収係数出力とを用いて
、被測定半導体層の厚さを測定する。
The method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the first invention of the present application is to apply first and second lights to the semiconductor layer to be measured, respectively, which can be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths. and the second incident light is irradiated, and the first and second incident light are transmitted through the semiconductor layer to be measured to obtain 1
! The intensities of the first and second emitted lights are electrically detected as the first and second emitted light outputs, and the first and second emitted light outputs and the first and second emitted light outputs of the semiconductor layer to be measured are Electrical first and second absorption coefficient outputs representing the first and second absorption coefficients, respectively, for the second incident light are used to measure the thickness of the semiconductor layer to be measured.

また、本願第21R目の発明による半導体層の厚さ測定
装置は、ともに被測定半導体層に吸収され得るが互に異
なる波長を有する第1及び第2の光が得られる光源と、
その光源から得られる第1及び第2の光をそれぞれ第1
及び第2の入射光として、被測定半導体層に照射さぼる
光照射手段と、第1及び第2の入射光の被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光を、
電気的に第1及び第2の出射光出力として検出する光検
出手段と、第1及び第2の出射光出力と、被測定半導体
層の第1及び第2の入%l先に対する吸収係数をそれぞ
れ表わしている第1及び第2の吸収係数出力とを用いて
、被測定半導体層の厚さを表わしている電気的な厚さ出
力を得る演算処理装置とを有する。
Further, the semiconductor layer thickness measuring device according to the 21st invention of the present application includes a light source that can obtain first and second lights that can both be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths;
The first and second lights obtained from the light source are respectively
and a light irradiation means that irradiates the semiconductor layer to be measured as the second incident light, and first and second output lights obtained by transmitting the first and second incident lights through the semiconductor layer to be measured, respectively,
A photodetecting means for electrically detecting first and second emitted light outputs, the first and second emitted light outputs, and absorption coefficients for the first and second input points of the semiconductor layer to be measured. and an arithmetic processing device that obtains an electrical thickness output representing the thickness of the semiconductor layer to be measured using the first and second absorption coefficient outputs respectively representing the thickness of the semiconductor layer to be measured.

ざらに、本願第3番目の発明による半導体層の厚さ測定
法は、上述した本願第1番目の発明による半導体層の厚
さ測定法において、その第1及び第2の入射光として、
それぞれ第1及び第2の入射光ビームを用い、そして、
それら第1及び第2の入射光ビームを被測定半導体層の
同じ位置に照射さけ、よって、被測定半導体層のVさを
第1及び第2の入射光ビームによって照射された位置に
おける厚さとして測定する。
Roughly speaking, the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the third invention of the present application is as follows:
using first and second incident light beams, respectively, and
The first and second incident light beams are irradiated to the same position of the semiconductor layer to be measured, so that the V of the semiconductor layer to be measured is defined as the thickness at the position irradiated by the first and second incident light beams. Measure.

また、本願第4番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置は、上述した本願第2番目の発明による半導体層の厚
さ測定装置において、その光源において、第1及び第2
の光がそれぞれ第1及び第2の光ビームで1!7られ、
これに応じて、光照射手段が第1及び第2の入射光ビー
ムを被測定半導体層の同じ位置に照射させ、また、光検
出手段が第1及び第2の入射光ビームの被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光ビー
ムの強度を、電気的に第1及び第2の出射光ビーム出力
として検出し、さらに、演C)処理装置が被測定半導体
層の第1及び第2の入射光ビームによって照射された位
置における厚さを表わしている電気的な厚さ出力41q
る。
Further, in the semiconductor layer thickness measuring device according to the fourth invention of the present application, in the above-mentioned semiconductor layer thickness measuring device according to the second invention of the present application, in the light source, the first and second
are respectively 1!7 beams of light,
Accordingly, the light irradiation means irradiates the first and second incident light beams onto the same position of the semiconductor layer to be measured, and the light detection means irradiates the same position of the semiconductor layer to be measured with the first and second incident light beams. The intensities of the first and second emitted light beams obtained by passing through the semiconductor layer are electrically detected as the first and second emitted light beam outputs; an electrical thickness output 41q representing the thickness at the location illuminated by the first and second incident light beams;
Ru.

さらに、本願第5番目の発明による半導体層の厚さ測定
法は、上述した本願第1Ki目の発明にJ:る半導体層
の厚さ測定法において、その第1及び第2の入射光とし
て、本願第2番目の発明によ半導体層の厚さ測定法の場
合と同様に、それぞれ第1及び第2の入射光ビームを用
い、そして、それら第1及び第2の入射光ビームを被測
定半導体層の同じ位置に照射させるようにした状態で、
被測定半導体層と第1及び第2の入射光ビームとを相対
的に移動させ、よって、被測定半導体層の厚さを、第1
及び第2の入射光ビームによって照射された複数の位置
における複数のりさとして測定する。
Furthermore, in the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the fifth invention of the present application, in the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the first invention of the invention described above, as the first and second incident light, Similarly to the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the second invention of the present application, first and second incident light beams are used, respectively, and the first and second incident light beams are applied to the semiconductor layer to be measured. While irradiating the same position on the layer,
The semiconductor layer to be measured and the first and second incident light beams are moved relative to each other, so that the thickness of the semiconductor layer to be measured is changed to the first and second incident light beams.
and a plurality of radias at a plurality of locations illuminated by a second incident light beam.

また、本願第6番目の発明による半導体層の厚さ測定袋
Uは、上述した本願第2番目の発明による半導体層の厚
さ測定装置において、その光源において、第1及び第2
の光が本願第4番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置の場合と同様に、それぞれ第1及び第2の光ビームで
1qられ、これに応じて、光照射手段が第1及び第2の
入射光ビームを被測定半導体層の同じ位置に照射させ、
被測定半導体層と光照射手段とを相対的に移動させる移
動手段を有し、さらに、光検出手段が第1及び第2の入
射光ビームの被測定半導体層をそれぞれ透過して得られ
る第1及び第2の出射光ビームの強度を、電気的に第1
及び第2の出射光ビーム出力として検出し、また、演算
処]!I!装惹が被測定半導体層の第1及び第2の入射
光ビームによって照射された複数の位置における厚さを
それぞれ表わしている電気的な複数の厚さ出力を得る。
Further, the semiconductor layer thickness measuring bag U according to the sixth invention of the present application is provided in the semiconductor layer thickness measuring device according to the second invention of the present application described above, in which the first and second light sources are used.
As in the case of the semiconductor layer thickness measuring device according to the fourth aspect of the present invention, the first and second light beams each emit 1q of light, and accordingly, the light irradiation means irradiate the incident light beam to the same position of the semiconductor layer to be measured,
It has a moving means for relatively moving the semiconductor layer to be measured and the light irradiation means, and further, the light detection means transmits the first and second incident light beams through the semiconductor layer to be measured, respectively. and the intensity of the second emitted light beam is electrically controlled by the first
and detected as the output of the second emitted light beam, and also processed]! I! A plurality of electrical thickness outputs are obtained, each representing a thickness of the semiconductor layer to be measured at a plurality of locations illuminated by the first and second incident light beams.

作  用 本願第1番目の発明による半導体層の厚さ測定法によれ
ば、被測定半導体層の厚さをt、被測定半導体層を照射
する第1及び第2の入射光の強度をそれぞれ■11及び
■12、被測定半導体層を透過して1!?られる第1及
び第2の出射光の強度をそれぞれr。1及びl。2、被
測定半導体層の第1及び第2の入射光に対する第1及び
第2の吸収係数をそれぞれα1、及びα2とするとき、
被測定半導体層の厚さtが、第1及び第2の入射光の強
度li1及びli2、第1及び第2の出射光の強度I。
According to the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the first invention of the present application, the thickness of the semiconductor layer to be measured is t, and the intensities of the first and second incident lights that irradiate the semiconductor layer to be measured are respectively 11 and ■12, 1 after passing through the semiconductor layer to be measured! ? The intensities of the first and second emitted lights are respectively r. 1 and l. 2. When the first and second absorption coefficients of the semiconductor layer to be measured for the first and second incident light are α1 and α2, respectively,
The thickness t of the semiconductor layer to be measured is the intensity li1 and li2 of the first and second incident lights, and the intensity I of the first and second outgoing lights.

1及び■。2、及び第1及び第2の吸収係数α 及びα
2との間で、第1及び第、2の入射光が被測定半導体層
を照射したときに、その第1及び第2の入射光にもとず
く第1及び第2の強度R及びR2を有する反射光がそれ
ぞれ1qられる場合、第1及び第2の入射光の波長λ 
及びλ2を、第1及び第2の反射光の強度R及びR2間
の差lR1−R21が無祝し17る値で(!1られるの
に十分な値に予め選んでおけば、 (Io1/l11)(Io2/l12)=0−(α、−
αr H ・・・・・・・・・・・・・・・ (1)の関係を有し
、また、第1及び第2の入射光が被測定半導体層を照射
したとぎ、上述した第1及び第2の反射光が得られない
場合、第1及び第2の波長21及びλ2を上述した値に
予め選んでおかな(でも、上述した(1)式の関係を有
し、一方、第1及び第2の入射光の強度Ii1及び1 
 及び第1及び第2の吸収係数α1及びα2は予め判知
することができるので、また、第1及び第2の入射光の
強度I 及びIi2聞に、1.1/ I 、2=K (
Kは定数)の関係を有せしめることができるので、第1
及び第2の入射光の強度’N及び■12をそれぞれ表し
ている電気的な第1及び第2の入射光出力を用いなくて
も、被測定半導体層の厚ざtを測定り°ることがでさ・
る。
1 and ■. 2, and the first and second absorption coefficients α and α
2, when the first, second, and second incident lights irradiate the semiconductor layer to be measured, the first and second intensities R and R2 based on the first and second incident lights are calculated. The wavelengths λ of the first and second incident lights are 1q if each reflected light has 1q
and λ2 are selected in advance to be sufficient values such that the difference lR1-R21 between the intensities R and R2 of the first and second reflected lights is equal to (!1), then (Io1/ l11)(Io2/l12)=0-(α,-
αr H ・・・・・・・・・・・・・・・ It has the relationship of (1), and when the first and second incident lights irradiate the semiconductor layer to be measured, the above-mentioned first If the first and second wavelengths 21 and λ2 cannot be obtained, the first and second wavelengths 21 and λ2 may be preselected to the above-mentioned values. Intensities Ii1 and 1 of the first and second incident lights
Since the absorption coefficients α1 and α2 of the first and second absorption coefficients α1 and α2 can be determined in advance, the intensities I and Ii2 of the first and second incident lights are expressed as 1.1/I, 2=K (
K is a constant), so the first
and measuring the thickness t of a semiconductor layer to be measured without using electrical first and second incident light outputs representing the intensities 'N and 12 of the second incident light, respectively. Gadesa・
Ru.

また、本願第2番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置によれば、それを用いて、被測定半導体層の厚さを測
定することができることは、本願第1番目の発明による
半導体層の厚さ測定法について上述したところから、明
らかである。
Further, according to the semiconductor layer thickness measuring device according to the second invention of the present application, the thickness of the semiconductor layer to be measured can be measured using the device. It is clear from the above description of the thickness measurement method.

さらに、本願第3番目の発明によ半導体層の厚さ測定法
によれば、第1及び第2の入射光ビームが被測定半導体
層の同じ位置を照射するので、本願第1番目の発明によ
る半導体層の厚さ測定法について上述した理由に準じた
理由で、被測定半導体層の第1及び第2の入射光ビーム
によって照射された位置における厚さを測定することが
できることは明らかである。
Furthermore, according to the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the third invention of the present application, the first and second incident light beams irradiate the same position of the semiconductor layer to be measured. It is clear that it is possible to measure the thickness of the semiconductor layer to be measured at the position irradiated by the first and second incident light beams for reasons analogous to those described above for the method for measuring the thickness of a semiconductor layer.

また、本願第4番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置によれば、それを用いて、被測定半導体層の第1及び
第2の入射光ビームによって照射された位置における厚
さを測定することができることは、本願第3番目の発明
について上述したところから明らかである。
Further, according to the semiconductor layer thickness measuring device according to the fourth aspect of the present invention, the thickness of the semiconductor layer to be measured is measured at the position irradiated with the first and second incident light beams. It is clear from the above description of the third invention of the present application that this is possible.

さらに、本願第5番目の発明による半導体層の厚さ測定
法によれば、第1及び第2の入射光ビームが被測定半導
体層の同じ位置を照射する状fフで、被測定1(導体層
と第1及び第2の入射光ビームとが相対的に移動するの
で、本願第1番口の発明による半導体層の厚さ測定法に
ついて上述した理由に準じた理由で、被測定半導体層の
第1及び第2の入射光ビームにJ:って照射された複数
の位置における複数の厚さを測定することができること
は明らかである。
Furthermore, according to the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the fifth invention of the present application, the first and second incident light beams irradiate the same position of the semiconductor layer to be measured, Since the layer and the first and second incident light beams move relative to each other, the thickness of the semiconductor layer to be measured is It is clear that a plurality of thicknesses can be measured at a plurality of locations illuminated by the first and second incident light beams.

また、本願第6番目の発明にJ:る半導体層の厚さ測定
装置によれば、被測定半導体層の第1及び第2の入射光
ビームによって照射された複数の位置における複数の厚
さを測定することができることは、本願第5番目の発明
について上述したところから、明らかである。
Further, according to the semiconductor layer thickness measuring device according to the sixth invention of the present application, the thickness measurement device measures the thicknesses of the semiconductor layer to be measured at the plurality of positions irradiated with the first and second incident light beams. It is clear from the above description of the fifth invention of the present application that it can be measured.

発明の効果 本願第1番目の発明による半導体層の厚さ測定法及び本
願第2番目の発明による半導体層の厚さ測定装置によれ
ば、被測定半導体層の断面を外部に露呈させることなし
に、従って、被測定半導体層を破壊することなしに、被
測定半導体層の厚さを測定することができるので、実際
に使用する半導体層についても、その厚さを、高精度に
容易に測定することができる。
Effects of the Invention According to the semiconductor layer thickness measuring method according to the first invention of the present application and the semiconductor layer thickness measuring apparatus according to the second invention of the present application, the cross section of the semiconductor layer to be measured is not exposed to the outside. Therefore, since the thickness of the semiconductor layer to be measured can be measured without destroying the semiconductor layer to be measured, the thickness of the semiconductor layer to be actually used can be easily measured with high precision. be able to.

また、本願第3番目の発明による半導体層の厚さ測定法
及び本願第11番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置によれば、被測定半導体層の断面を外部に露デさせる
ことなしに、従って、被測定半導体mを破壊することな
しに、被測定半導体層の第1及び第2の入射光ビームに
よって照射された位置における厚さを測定することがで
きるので、実際に使用する半導体層についてし、イの第
1及び第2の入射光ビームによって照射された位置にお
ける厚さを、高精度に、容易に、測定することができる
Further, according to the semiconductor layer thickness measuring method according to the third invention of the present application and the semiconductor layer thickness measuring device according to the eleventh invention of the present application, the cross section of the semiconductor layer to be measured can be exposed to the outside. Therefore, the thickness of the semiconductor layer to be measured at the position irradiated by the first and second incident light beams can be measured without destroying the semiconductor to be measured m. Therefore, the thickness at the position irradiated by the first and second incident light beams (a) can be easily measured with high accuracy.

さらに、本願筒5M日の発明による半導体層の厚さ測定
法及び本願第6番目の発明による半導体層の厚さ測定装
置によれば、被測定半導体層の断面を外部に露呈させる
ことなしに、従って、被測定半導体層を破壊することな
しに、被測定半導体層の第1及び第2の入射光ビームに
よって照射された複数の位置における複数の厚さを1l
l11定することができるので、実際に使用する゛l’
l体力についても、その第1及び第2の入射光ビームに
よって照射された複数の位置における複数の厚さを高精
度に、容易に、測定することができる。
Furthermore, according to the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the invention of the present invention and the device for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the sixth invention of the present application, the cross section of the semiconductor layer to be measured can be measured without exposing the cross section to the outside. Therefore, the thicknesses of the semiconductor layer to be measured at the positions irradiated by the first and second incident light beams can be reduced to 1l without destroying the semiconductor layer to be measured.
Since l11 can be specified, the actual value of l'
Regarding physical strength, it is possible to easily measure a plurality of thicknesses at a plurality of positions irradiated by the first and second incident light beams with high precision.

実施例1 次に、第1図を伴なって、本願第1番[1の発明による
半導体層の厚さ測定法の一例を、本願第2番目の発明に
よる半導体層の厚さ測定装置の第1の実施例どともに、
被測定半導体層が1゜5μmの波長帯の光を吸収する単
結晶E nGaASP系でなる半導体層1であるとし、
ただし、その半導体層1の両端上に半導体層1に比し狭
いエネルギバンドギVツブを有りる単結晶InGaAs
P系でなる他の半導体層2及び3が配され、そして、そ
れら半導体層2及び3と半導体層1とで半導体積層体4
を形成している場合で述べよう。
Example 1 Next, an example of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the invention of No. 1 [1] of the present application will be described with reference to FIG. In the first embodiment,
Assuming that the semiconductor layer to be measured is a semiconductor layer 1 made of a single crystal E nGaASP system that absorbs light in a wavelength band of 1°5 μm,
However, single-crystal InGaAs has an energy band gap on both ends of the semiconductor layer 1 that is narrower than that of the semiconductor layer 1.
Other P-based semiconductor layers 2 and 3 are arranged, and these semiconductor layers 2 and 3 and the semiconductor layer 1 form a semiconductor stack 4.
Let's discuss the case where it forms.

上述した半導体積層体4を、窓6を右ツる載置台5上に
、その窓6を閉塞するように配置する。
The semiconductor stack 4 described above is placed on the mounting table 5 with the window 6 turned to the right so that the window 6 is closed.

しかして、半導体85居休4に、ぞの半尋体層3側から
、光源7から時間順次にまたは同時に得られる光LA1
及びLA2を、光照射手段8を通じて、入射光LB1及
びLB2として照射させる。
Therefore, light LA1 obtained from the light source 7 sequentially or simultaneously from the side of the half-layer 3 of the semiconductor 85
and LA2 are irradiated as incident lights LB1 and LB2 through the light irradiation means 8.

この場合、光しA1及び1−A2は、半導体積層体4の
被測定半導体層としての半導体y11には吸収され得る
が、他の半導体層2及び3には実質的に吸収されl?な
いHに異なる波長λ1及びA2をそれぞれ右し、光源7
における例えば半導体レーザ及びその駆動回路からなる
光源部M 及びM2から得られる。
In this case, the light beams A1 and 1-A2 can be absorbed by the semiconductor y11 as the semiconductor layer to be measured in the semiconductor stack 4, but are substantially absorbed by the other semiconductor layers 2 and 3. Different wavelengths λ1 and A2 are set on the right side of the light source 7, respectively.
For example, the light source parts M and M2 each include a semiconductor laser and its driving circuit.

また、光照射手段8の一例は、光源8から得られる光L
A  及びLA2を、それぞれ光伝送路U 及び1ノ、
を介して光結合器9に尋き、次で、その光結合器9から
光伝送路10を介して光投射器11に導き、その光投射
器11から、入射光LB  及びLB2として出射させ
る構成を有する。
Further, an example of the light irradiation means 8 is the light L obtained from the light source 8.
A and LA2 are optical transmission lines U and 1, respectively,
from the optical coupler 9 via the optical transmission line 10 to the optical projector 11, and from the optical projector 11, the incident light beams LB and LB2 are emitted. has.

半導体積層体4に、入射光LB1及びLB2を照射させ
れば、その入射光181及びLB2G、t、’lこ導体
積層体4を、出射光LC,及びLC2として透過する。
When the semiconductor stack 4 is irradiated with incident lights LB1 and LB2, the incident lights 181 and LB2G,t,'l are transmitted through the conductive stack 4 as output lights LC and LC2.

この場合、入射光LB1及びLB2の強度をそれぞれ■
11及びIi2とずれば、入射光LB  及びLB2が
半導体積層体4の被測定半導体層としての半導体層1に
吸収されるので、出射光LC1及びLC2がそれぞれ入
射光L81及び182の強度’il及び’i2に比し弱
い強度I。1及び1゜2で得られる。
In this case, the intensities of the incident lights LB1 and LB2 are respectively
11 and Ii2, the incident lights LB and LB2 are absorbed by the semiconductor layer 1 as the semiconductor layer to be measured of the semiconductor stack 4, so the output lights LC1 and LC2 have the intensities 'il and Ii2 of the incident lights L81 and 182, respectively. 'Intensity I is weaker than i2. 1 and 1°2.

このように半導体積層体4に、入射光181及びLB2
を照射させることによって、出射光LC及びLC2が得
られるので、その強度1ol及び(。2を、光検出手段
12によって、電気的に出射光出力E。1及びE。2と
して検出させる。
In this way, the incident light 181 and LB2 are applied to the semiconductor stack 4.
Since the output lights LC and LC2 are obtained by irradiating the light, the intensities 1ol and (.2) are electrically detected as the output light outputs E.1 and E.2 by the photodetecting means 12.

この場合、光検出手段42は、それ自体公知の秤々のも
のを用い得るが、光LA1及びL△2が時間順次に得ら
れ、従って、出射光LC1及びLC2が時間順次に得ら
れる場合、出射光出力E 及びE。2を時間順次の1つ
の出力としてqlそれを1つの出力11H1に出力させ
る構成を有するものを用い得、また、光LAI及びL 
A 2が同時に得られ、従って、出射光LCi及びLC
2が同時に得られる場合、出射光LC1及びLC2を分
光器を用いて、互に分離し、そして、それから、それぞ
れ出射光出力E。1及びEO2を得、それらをそれぞれ
出力線H1及び上記に同時に出力させる構成を有するも
のを用い得る。
In this case, the light detection means 42 may be of a type known per se, but if the lights LA1 and LΔ2 are obtained in time order, and therefore the emitted lights LC1 and LC2 are obtained in time order, Output light output E and E. 2 can be used as one time-sequential output ql and one output 11H1, and the optical LAI and L
A 2 is obtained at the same time, therefore, the output beams LCi and LC
2 are obtained simultaneously, the output lights LC1 and LC2 are separated from each other using a spectrometer, and then each output light output E. 1 and EO2 and simultaneously output them to the output line H1 and above, respectively.

また、光検出手段12から得られる出射光出力EOI及
びE。2を、出力線H1を介して、または出)〕線ト1
 及び上記を介して演算処理装置13に供給さVる。
Further, the output light outputs EOI and E obtained from the light detection means 12. 2 via output line H1 or output)] line T1
and is supplied to the arithmetic processing unit 13 via the above.

一方、上述した光源8から得られる光LA1及びLA2
を用いて、半導体積層体4を照射しでいる入射光LB1
及びLB2の強度■11及びli2を、他の光検出手段
14によって、電気的に入射光出力E 及びEi2とし
て検出させる。
On the other hand, the lights LA1 and LA2 obtained from the light source 8 mentioned above
Incident light LB1 that has irradiated the semiconductor stack 4 using
The intensities 11 and li2 of LB2 and LB2 are electrically detected as incident light outputs E and Ei2 by another light detection means 14.

この場合、光検出手段14は、それ自体公知の種々の乙
のを用い得るが、光LA1及びLA2が時間順次に1!
?られる場合、それら光LA1及びLA2をそれぞれ光
検出部1:1及び上記によって、それぞれ入射光出力E
i1及びEi2として検出し、それらを時間順次の1つ
の出力として得、それを1つの出力v;AG1に出力さ
せる構成を有するbのを用い得、また、光LA1及びし
A2が同時に得られる場合1、E述した光検出部F1及
び上記からそれぞれ得られる入射光出力Ei1及びEi
2をそれぞれ出力線G1及びG2に出力させる構成を有
するものを用い得る。
In this case, the light detecting means 14 can use various types known per se, but the lights LA1 and LA2 are sequentially 1!
? When the light beams LA1 and LA2 are converted to the incident light output E by the photodetector 1:1 and the above, respectively.
It is possible to use the configuration of b, which has the configuration of detecting i1 and Ei2, obtaining them as one time-sequential output, and outputting it to one output v; 1. E-described photodetector F1 and incident light outputs Ei1 and Ei obtained from the above, respectively.
2 to the output lines G1 and G2, respectively.

しかして、上述した光検出手段14から得られる入射光
出力Ei1及びEi2を、出力線G1を介して、または
出力ll1lG  及びG2を介して、上述した演算処
理装置13に供給させる。
Thus, the incident light outputs Ei1 and Ei2 obtained from the above-mentioned photodetecting means 14 are supplied to the above-mentioned arithmetic processing unit 13 via the output line G1 or via the outputs ll11G and G2.

この場合、演算処理装置13は、それ自体は公知の種々
の構成のものを用い得るが、半導体積層体4の半導体層
1の上述した入射光LB1及びLB2に対する吸収係数
α、及びα2を電気的に表している吸収係数出力Ea1
及σEa2を内部設定し得る構成を有し、また、このよ
うに設定される吸収係数出力E  及びEa2α1 と、光検出手段12から供給される出射光出力EOl及
びE。2と、光検出手段14から供給される入射光出力
Ei1及びEi2とを演算処理し得る構成を有する。こ
の場合、演算処理装置13と光源7とは、演算処理装置
13による上述した演算処理が、光源7から得られる光
LA1及びL/’2と同期して行われるように、互に同
期している。
In this case, the arithmetic processing unit 13 may have various configurations that are known per se; Absorption coefficient output Ea1 expressed in
and σEa2 can be internally set, and the absorption coefficient outputs E and Ea2α1 set in this way and the output light outputs EOl and E supplied from the light detection means 12. 2 and the incident light outputs Ei1 and Ei2 supplied from the photodetecting means 14. In this case, the arithmetic processing device 13 and the light source 7 are synchronized with each other so that the above-mentioned arithmetic processing by the arithmetic processing device 13 is performed in synchronization with the lights LA1 and L/'2 obtained from the light source 7. There is.

ところで、半導体積層体4が、上述したように、入射光
LB  及びLB2の照射を受けた場合、それらに入射
光LB1及びLB2の一部を、・半導体層3の半導体層
1側とは反対側の面でそれぞれ強If R及びRを有す
る反射光N11及び”12として反射させ、また、半導
体層2の半導体層1側とは反対側の面で(れぞれ強度R
12及びRを有する反射光”12及びN22として反射
させるが、半導体層3及び1間、及び半導体層1及び2
間の界面ではなんら反射光として反射させないとした場
合、入射光LB、及びL82の波長λ 及びA2を、反
射光N11及び”21の強度R11及びR21121の
差I R11−R211、及び反射光N12及びN22
の強度R12及びR22間の差lR12−R221が無
祝し得る値で1qられるのに十分な値に予め選んでJ3
けば、R11+R12=R−R,2+ R22−R2と
置き、また、出射光出力E。1及びE。2を、それぞれ
それらが■。1及び102に対応しているのでぞれぞれ
I。1及びIo2であるとし、また、入射光出力Ei1
及びEi。
By the way, when the semiconductor stack 4 is irradiated with the incident lights LB1 and LB2 as described above, a part of the incident lights LB1 and LB2 is applied to the semiconductor layer 3 on the side opposite to the semiconductor layer 1 side. are reflected as reflected lights N11 and ``12, which have strong If
12 and R are reflected as "12 and N22" between the semiconductor layers 3 and 1 and between the semiconductor layers 1 and 2.
If no reflected light is reflected at the interface between them, the wavelengths λ and A2 of the incident light LB and L82 are expressed as the difference I between the intensities R11 and R21121 of the reflected light N11 and "21", N22
J3 is preselected to a value sufficient for the difference lR12-R221 between the intensities R12 and R22 to be reduced by 1q to an acceptable value.
Then, R11+R12=R-R, 2+R22-R2, and output light output E. 1 and E. 2, each of them ■. 1 and 102, respectively. 1 and Io2, and the incident light output Ei1
and Ei.

を、(れらがそれぞれril及び]A1に対応している
ので、それぞれEil及びEioであるとし、ざらに、
吸収係数出力E  及びE  を、ぞα1   α2 れらが半導体WJ1の入射光LB  及びLB2に対り
゛る吸収係数α1及びα2をそれぞれ表しているので、
α1及びα2であるとすれば、作用の項で上述した(1
)式が得られる。
(They correspond to ril and ]A1, respectively, so let them be Eil and Eio respectively, and roughly,
The absorption coefficient outputs E and E are α1 and α2, respectively, since they represent the absorption coefficients α1 and α2 for the incident lights LB and LB2 of the semiconductor WJ1, respectively.
If α1 and α2 are α1 and α2, then (1
) formula is obtained.

従って、演算処理装置13において、光源7で得れる光
LA1及び[A2の波長λ1及びA2、従って入射光L
B、及びLB2の波長λ1及びA2を、上述した差IR
,,−R2,1及び1−Rl2−R221が無視し得る
値で得られるのに十分な鎖に予め選んで置いた状態で、
出射光出力E 及びE  入射光出力Ei1及びEi2
及び吸収係数出力E  及びEa2を用いて、上述しα
ま た(1)式を用いて厚ざtを求める演算に対応した演算
を行わせる。
Therefore, in the arithmetic processing unit 13, the wavelengths λ1 and A2 of the lights LA1 and [A2 obtained by the light source 7, and therefore the incident light L
The wavelengths λ1 and A2 of B and LB2 are determined by the above-mentioned difference IR
, , -R2,1 and 1-Rl2-R221 are preselected to sufficient strands to obtain negligible values,
Outgoing light output E and E Incoming light output Ei1 and Ei2
and absorption coefficient output E and Ea2, α
Further, the calculation corresponding to the calculation for calculating the thickness t is performed using the equation (1).

しかるときは、演算処理装置13で、半導体積層体4の
被測定半導体層としての半導体層1の厚さtを表す厚さ
出力Etが得られる。
In this case, the arithmetic processing unit 13 obtains a thickness output Et representing the thickness t of the semiconductor layer 1 as the semiconductor layer to be measured of the semiconductor stack 4.

実施例2 次に、第2図を伴なって、本発明による半導体層の厚さ
測定装置の第2の実施例を用いた本発明による半導体層
の厚さ測定法の第2の実施例を述べよう。
Example 2 Next, a second example of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention using the second example of the device for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention will be explained with reference to FIG. Let me explain.

第2図において、第1図との対応部分には同一符号を(
=J L、て詳m説明を省略する。
In Figure 2, parts corresponding to those in Figure 1 are designated by the same reference numerals (
=JL, detailed explanation will be omitted.

本発明による半導体層の厚さ測定装2の第2の実施例を
用いた本発明による半導体層の厚さ測定法の第2の実施
例は、第1図において、その光源8から得られる光LA
  及びLA2が光ビーム・LA  ’及びLA2 ’
 で19られ、これに応じて、半導体積層体4を照射す
る入射光LB1及びLB2が半導体V4FM体4の同じ
位置を照射する入射光ビーム1B  ’及び182’ 
となす、また、半導体積層体4を透過して得られる出射
光LC1及びLC2が出射光ビームL01′及びLC2
’ となり、さらに、光検出手段12から17れる出射
光出力E。1及びEO2が出口(光ビーム出力E ′及
びE ′となり、また光検山手[14から得られる入射
光出力E11及びEi2が入射光ビーム出力Ei1′及
びE、/ となっていることを除いて、第1図の場合と
同様である。
A second embodiment of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention using a second embodiment of the device 2 for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention is shown in FIG. L.A.
and LA2 are light beams・LA' and LA2'
19, and accordingly, the incident light beams LB1 and LB2 that irradiate the semiconductor stacked body 4 are incident light beams 1B' and 182' that irradiate the same position of the semiconductor V4FM body 4.
In addition, the output lights LC1 and LC2 obtained by passing through the semiconductor stack 4 are output light beams L01' and LC2.
', and furthermore, the output light output E from the light detection means 12 17. 1 and EO2 become the exits (light beam outputs E' and E', and the incident light outputs E11 and Ei2 obtained from the optical detector [14] become the incident light beam outputs Ei1' and E, / , is the same as in FIG.

よって、これ以上の詳細説明は省略するが、半導体V4
ffl休4の被測定半導体層としての半導体Vviの入
射光ビームLB、’及びL82′によって照射された位
置の厚さを測定することができる。
Therefore, although further detailed explanation will be omitted, semiconductor V4
It is possible to measure the thickness of the semiconductor Vvi as the semiconductor layer to be measured at the position irradiated by the incident light beams LB,' and L82'.

尖itユ 次に、第3図を伴なって、本発明による半導体層の厚さ
測定装置の第3の実施例を用いた本発明による半導体層
の厚さ測定法の第3の実施例を述べよう。
Next, a third embodiment of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention using the third embodiment of the device for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention will be explained with reference to FIG. Let me explain.

第3図において、第2図との対応部分には同一符号を(
=Jして詳細説明を省略する。
In Figure 3, parts corresponding to those in Figure 2 are designated by the same reference numerals (
=J and detailed explanation will be omitted.

本発明による半導体層の厚さ測定装置の第3の実施例を
用いた本発明による半導体層の厚さ測定法の第3の実施
例は、第2図において、載置台5が演口処理装置13と
同期制御線16を介して同期作動りる駆動装置17によ
って、光照射手段8に対して駆動するようになされてい
ることを除いて、第2図の場合と同様である。
A third embodiment of the semiconductor layer thickness measuring method according to the present invention using the third embodiment of the semiconductor layer thickness measuring device according to the present invention is shown in FIG. 2, except that the light irradiation means 8 is driven by a drive device 17 which operates synchronously with the light irradiation means 13 through a synchronization control line 16.

よって、これ以上の詳細説明は省略するが、半導体積層
体4の被測定半導体層としての半導体層1の入射光ビー
ムLB1’及びLB2’ によって照射されIζHに連
接しているまたはしていない複数の位置の厚さを測定す
ることができる。
Therefore, although further detailed explanation will be omitted, the semiconductor layer 1 as the semiconductor layer to be measured of the semiconductor stack 4 is irradiated by the incident light beams LB1' and LB2', and a plurality of light beams that may or may not be connected to IζH. The thickness of the position can be measured.

なお、上述においては、本発明による半導体層の厚さ測
定法、及び本発明による半導体層の厚さ測定装置のいず
れにづいても、僅かな例を示したに留まり、例えば、第
1図〜第3図に示1、うに、光検出手段14の出)JE
。1及びE。2(またはE 01’及びE。2′)を、
出力E。1及びE o2(またはE。1′及びE  ’
)が一定レベルで1ワられるように、光源7に帰還さぼ
るようにすることもでき、その他、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
Incidentally, in the above description, only a few examples have been shown regarding both the semiconductor layer thickness measuring method according to the present invention and the semiconductor layer thickness measuring apparatus according to the present invention, and for example, FIGS. As shown in FIG. 3, the output of the light detection means 14)
. 1 and E. 2 (or E 01' and E. 2'),
Output E. 1 and E o2 (or E.1' and E'
) may be fed back to the light source 7 so that the light is turned on at a constant level, and various other modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による半導体層の厚さ測定法の第1の
実施例、及びそれに用いる装置の第1の実施例を示す路
線的系統図である。 第2図は、本発明による半導体層の厚さ測定法の第2の
実施例、及びそれに用いる装置の第2の実施例を示す路
線的系統図である。 第3図は、本発明による半導体層の厚さ測定法の第3の
実施例、及びそれに用いる装置の第3の実施例を示す路
線的系統図である。 1.2.3 ・・・・・・・・・半導体層 4・・・・・・・・・半導体fa届体 5・・・・・・・・・載置台 6・・・・・・・・・窓 7・・・・・・・・・光源 Ml・M2 ・・・・・・・・・光源部 8・・・・・・・・・光照射手段 U  % U  % Ul 10 ・・・・・・・・・光伝送路 9・・・・・・・・・光結合器 11・・・・・・・・・光投射器 12、14 ・・・・・・・・・光検出手段 13・・・・・・・・・8J1f:’J処理装置15.
16 ・・・・・・・・・同期制御線 17・・・・・・・・・駆動装を 出願人  日本電信電話株式会社 第1図 第2図 第3図
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of a method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention and a first embodiment of an apparatus used therefor. FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention and a second embodiment of the apparatus used therefor. FIG. 3 is a schematic diagram showing a third embodiment of the method for measuring the thickness of a semiconductor layer according to the present invention and a third embodiment of the apparatus used therefor. 1.2.3 ...... Semiconductor layer 4 ...... Semiconductor fa notification body 5 ...... Mounting table 6 ...... ...Window 7...Light source Ml/M2...Light source section 8...Light irradiation means U % U % Ul 10... ...... Optical transmission line 9 ...... Optical coupler 11 ...... Light projectors 12, 14 ...... Light detection means 13...8J1f:'J processing device 15.
16 ...... Synchronous control line 17 ...... Drive system Applicant: Nippon Telegraph and Telephone Corporation Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被測定半導体層に、ともに上記被測定半導体層に吸
収され得るが互に異なる波長を有する第1及び第2の光
を、それぞれ第1及び第2の入射光として、照射させ、 上記第1及び第2の入射光の上記被測定半導体層をそれ
ぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光の強度を、
電気的に第1及び第2の出射光出力として検出し、 上記第1及び第2の出射光出力と、上記被測定半導体層
の上記第1及び第2の入射光に対する第1及び第2の吸
収係数をそれぞれ表わしている電気的な第1及び第2の
吸収係数出力とを用いて、上記被測定半導体層の厚さを
測定することを特徴とする半導体層の厚さ測定法。 2、ともに被測定半導体層に吸収され得るが互に異なる
波長を有する第1及び第2の光が得られる光源と、 上記光源から得られる第1及び第2の光を、それぞれ第
1及び第2の入射光として、上記被測定半導体層に照射
させる光照射手段と、上記第1及び第2の入射光の上記
被測定半 導体層をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射
光の強度を、電気的に第1及び第2の出射光出力として
検出する光検出手段と、上記第1及び第2の出射光出力
と、上記被測定半導体層の上記第1及び第2の入射光に
対する吸収係数をそれぞれ表わしている第1及び第2の
吸収係数出力とを用いて、上記被測定半導体層の厚さを
表わしている電気的な厚さ出力を得る演算処理装置とを
有することを特徴とする半導体層の厚さ測定装置。 3、被測定半導体層の同じ位置に、ともに上記被測定半
導体層に吸収され得るが互に異なる波長を有する第1及
び第2の光ビームを、それぞれ第1及び第2の入射光ビ
ームとして、照射させ、 上記第1及び第2の入射光ビームの上記被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光ビー
ムの強度を、電気的に第1及び第2の出射光ビーム出力
として検出し、 上記第1及び第2の出射光ビーム出力と、 上記被測定半導体層の上記第1及び第2の入射光ビーム
に対する第1及び第2の吸収係数をそれぞれ表わしてい
る電気的な第1及び第2の吸収係数出力とを用いて、上
記被測定半導体層の上記第1及び第2の入射光ビームに
よつて照射された位置における厚さを測定することを特
徴とする半導体層の厚さ測定法。 4、ともに被測定半導体層に吸収され得るが互に異なる
波長を有する第1及び第2の光ビームが得られる光源と
、 上記光源から得られる第1及び第2の光ビームを、それ
ぞれ第1及び第2の入射光ビームとして、上記被測定半
導体層の同じ位置に照射させる光照射手段と、 上記第1及び第2の入射光ビームの上記被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光ビー
ムの強度を、電気的に第1及び第2の出射光ビーム出力
として検出する光検出手段と、 上記第1及び第2の出射光ビーム出力と、 上記被測定半導体層の上記第1及び第2の入射光ビーム
に対する吸収係数をそれぞれ表わしている第1及び第2
の吸収係数出力とを用いて、上記被測定半導体層の上記
第1及び第2の入射光ビームによって照射された位置に
おける厚さを表わしている電気的な厚さ出力を得る演算
処理装置とを有することを特徴とする半導体層の厚さ測
定装置。 5、被測定半導体層の同じ位置に、ともに上記被測定半
導体層に吸収され得るが互に異なる波長を有する第1及
び第2の光ビームを、それぞれ第1及び第2の入射光ビ
ームとして、上記被測定半導体層の同じ位置に照射させ
るようにした状態で、上記被測定半導体層と上記第1及
び第2の入射光ビームとを相対的に移動させ、 上記第1及び第2の入射光ビームの上記被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光ビー
ムの強度を、電気的に第1及び第2の出射光ビーム出力
として検出し、 上記第1及び第2の出射光ビーム出力と、上記被測定半
導体層の上記第1及び第2の入射光ビームに対する第1
及び第2の吸収係数をそれぞれ表わしている電気的な第
1及び第2の吸収係数出力とを用いて、上記被測定半導
体層の上記第1及び第2の入射光ビームによつて照射さ
れた複数の位置における複数の厚さを測定することを特
徴とする半導体層の厚さ測定法。 6、ともに被測定半導体層に吸収され得るが互に異なる
波長を有する第1及び第2の光ビームが得られる光源と
、 上記光源から得られる第1及び第2の光ビームを、それ
ぞれ第1及び第2の入射光ビームとして、上記被測定半
導体層の同じ位置に照射させる光照射手段と、 上記被測定半導体層と上記光照射手段とを相対的に移動
させる移動手段と、 上記第1及び第2の入射光ビームの上記被測定半導体層
をそれぞれ透過して得られる第1及び第2の出射光ビー
ムの強度を、電気的に第1及び第2の出射光ビーム出力
として検出する光検出手段と、 上記第1及び第2の出射光ビーム出力と、 上記被測定半導体層の上記第1及び第2の入射光ビーム
に対する吸収係数をそれぞれ表わしている第1及び第2
の吸収係数出力とを用いて、上記被測定半導体層の上記
第1及び第2の入射光ビームによって照射された複数の
位置における厚さをそれぞれ表わしている電気的な複数
の厚さ出力を得る演算処理装置とを有することを特徴と
する半導体層の厚さ測定装置。
[Claims] 1. First and second lights that can be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths are applied to the semiconductor layer to be measured as first and second incident lights, respectively. , and the intensities of the first and second output lights obtained by transmitting the first and second incident lights through the semiconductor layer to be measured, respectively,
electrically detecting the output as first and second emitted light outputs, A method for measuring the thickness of a semiconductor layer, characterized in that the thickness of the semiconductor layer to be measured is measured using electrical first and second absorption coefficient outputs each representing an absorption coefficient. 2. A light source that can obtain first and second lights that can both be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths; a light irradiation means for irradiating the semiconductor layer to be measured as the second incident light; and first and second output lights obtained by transmitting the first and second incident lights through the semiconductor layer to be measured, respectively. a photodetector for electrically detecting intensity as first and second emitted light outputs; the first and second emitted light outputs; and the first and second incident light on the semiconductor layer to be measured. and an arithmetic processing device for obtaining an electrical thickness output representing the thickness of the semiconductor layer to be measured using the first and second absorption coefficient outputs respectively representing the absorption coefficient for the semiconductor layer to be measured. Features: Semiconductor layer thickness measuring device. 3. First and second light beams that can be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths at the same position of the semiconductor layer to be measured are used as first and second incident light beams, respectively; The intensities of the first and second emitted light beams obtained by transmitting the first and second incident light beams through the semiconductor layer to be measured are electrically determined by the first and second emitted light beams. an electric current detected as a beam power and representing the first and second output light beam powers and first and second absorption coefficients of the semiconductor layer to be measured for the first and second incident light beams, respectively; measuring the thickness of the semiconductor layer to be measured at a position irradiated by the first and second incident light beams using the first and second absorption coefficient outputs. Method for measuring the thickness of semiconductor layers. 4. A light source that obtains first and second light beams that can both be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths; and a light irradiation means for irradiating the same position of the semiconductor layer to be measured as a second incident light beam; and a first light beam obtained by transmitting the first and second incident light beams through the semiconductor layer to be measured, respectively. and a photodetector for electrically detecting the intensity of the second emitted light beam as first and second emitted light beam outputs; the first and second emitted light beam outputs; and the semiconductor layer to be measured. first and second beams representing absorption coefficients for said first and second incident light beams, respectively;
an arithmetic processing device for obtaining an electrical thickness output representing the thickness of the semiconductor layer to be measured at a position irradiated by the first and second incident light beams using the absorption coefficient output of the semiconductor layer; A device for measuring the thickness of a semiconductor layer, comprising: 5. First and second light beams that can both be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths at the same position of the semiconductor layer to be measured, as first and second incident light beams, respectively; moving the semiconductor layer to be measured and the first and second incident light beams relative to each other while irradiating the same position of the semiconductor layer to be measured; electrically detecting the intensities of the first and second emitted light beams obtained by transmitting the beams through the semiconductor layer to be measured as first and second emitted light beam outputs; and a first output of the semiconductor layer to be measured relative to the first and second incident light beams.
and electrical first and second absorption coefficient outputs representing a second absorption coefficient, respectively, of the semiconductor layer to be measured that is irradiated by the first and second incident light beams. A method for measuring the thickness of a semiconductor layer, the method comprising measuring a plurality of thicknesses at a plurality of positions. 6. A light source that obtains first and second light beams that can both be absorbed by the semiconductor layer to be measured but have mutually different wavelengths; and a light irradiation means for irradiating the same position of the semiconductor layer to be measured as a second incident light beam; a moving means for relatively moving the semiconductor layer to be measured and the light irradiation means; Photodetection that electrically detects the intensities of the first and second emitted light beams obtained by transmitting the second incident light beam through the semiconductor layer to be measured as the first and second emitted light beam outputs. means; first and second output light beam powers; first and second light beams representing absorption coefficients of the semiconductor layer to be measured for the first and second incident light beams, respectively;
and absorption coefficient outputs of the measured semiconductor layer to obtain a plurality of electrical thickness outputs each representing a thickness of the semiconductor layer under test at a plurality of locations illuminated by the first and second incident light beams. 1. A semiconductor layer thickness measuring device, comprising: an arithmetic processing device.
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