JPS62216141A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JPS62216141A JPS62216141A JP61056825A JP5682586A JPS62216141A JP S62216141 A JPS62216141 A JP S62216141A JP 61056825 A JP61056825 A JP 61056825A JP 5682586 A JP5682586 A JP 5682586A JP S62216141 A JPS62216141 A JP S62216141A
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- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線発生装置に係り、特に大規模集積回路製造
に好適な軟Ｘ線発生装置に関する。
に好適な軟Ｘ線発生装置に関する。
軟Ｘ線によるＸ線露光技術は高い解像力を有し、０．５
μｍ内外のパターンを精度よく転写し得るので、益々微
細化且つ高集積化する超ＬＳＩ等の半導体装置の製造に
きわめて有用なものである。
μｍ内外のパターンを精度よく転写し得るので、益々微
細化且つ高集積化する超ＬＳＩ等の半導体装置の製造に
きわめて有用なものである。
このような軟Ｘ線を発生させるため技術より第２図に示
す如く、棒状の陰極１と棒状の陽極２の先端を互いに対
向させて配置し１両者のｒｒｒｔに高電圧を印加して放
電を発生させることにより電子線８にたたかれて陽極２
の材料が蒸発しプラズマ４が生成され、このプラズマ中
を更に電子、１３が通過することによりＸ線を発生させ
る構造の真空スパーク式Ｘ線源が提案されている。なお
同図においてＣはコンデンサ、Ｒは保護抵抗、ＳＷはス
イッチで、負の高圧電源から保護抵抗Ｒを介してコンデ
ンサＣに蓄えられた電荷を、スイッチｓｗを閉じること
により陰ｔ４１と陽極２１ｉｔｌに瞬時に放電せしめる
よう構成されている。
す如く、棒状の陰極１と棒状の陽極２の先端を互いに対
向させて配置し１両者のｒｒｒｔに高電圧を印加して放
電を発生させることにより電子線８にたたかれて陽極２
の材料が蒸発しプラズマ４が生成され、このプラズマ中
を更に電子、１３が通過することによりＸ線を発生させ
る構造の真空スパーク式Ｘ線源が提案されている。なお
同図においてＣはコンデンサ、Ｒは保護抵抗、ＳＷはス
イッチで、負の高圧電源から保護抵抗Ｒを介してコンデ
ンサＣに蓄えられた電荷を、スイッチｓｗを閉じること
により陰ｔ４１と陽極２１ｉｔｌに瞬時に放電せしめる
よう構成されている。
上記１造のＸ線源は陽極２の構成材料固有の特性Ｘを発
生するとされている０例えばアルミニウム（ＡＱ）、モ
リブデン（Ｍｏ）等を用いれば数人の波長のＸ線を発生
する。しかも放電を繰り返すことによりパルス状のＸ線
を連続して取り出すことができる。
生するとされている０例えばアルミニウム（ＡＱ）、モ
リブデン（Ｍｏ）等を用いれば数人の波長のＸ線を発生
する。しかも放電を繰り返すことによりパルス状のＸ線
を連続して取り出すことができる。
このような従来例は特開昭５７−２０８０９９に開示さ
れている。
れている。
しかしながら上記従来例はＸ ４’ｉ ｎ光用に適用す
る場合輝度が低いことに問題があった。すなわち、この
場合、特性Ｘ線は陰極より電界放射された電子が陽極に
衝突して陽極物質の内殻電子をたたき出し、そこへ外殻
電子が遷移するときに放出されるか、あるいは電界放射
によるビーム状世子によって陽極が局部的に加熱されて
蒸発し、これに電子が衝突して特性Ｘ線が放出される。
る場合輝度が低いことに問題があった。すなわち、この
場合、特性Ｘ線は陰極より電界放射された電子が陽極に
衝突して陽極物質の内殻電子をたたき出し、そこへ外殻
電子が遷移するときに放出されるか、あるいは電界放射
によるビーム状世子によって陽極が局部的に加熱されて
蒸発し、これに電子が衝突して特性Ｘ線が放出される。
この場合、電極間の放電がアーク放電へと進展すると、
電極間電圧は数１０ｖに低下してしまい電子は、陽極物
質の内殻電子をたたき出す程のエネルギーが得られなく
なってしまう。真空中の放電の場合、陰極から電界放射
によって電子の放出される前駆放電からアーク放電に移
る時間は、数ナノ秒のオーダであるので、この間に発生
する特性Ｘ線は、結局、非常に弱いものになってしまっ
ていた。
電極間電圧は数１０ｖに低下してしまい電子は、陽極物
質の内殻電子をたたき出す程のエネルギーが得られなく
なってしまう。真空中の放電の場合、陰極から電界放射
によって電子の放出される前駆放電からアーク放電に移
る時間は、数ナノ秒のオーダであるので、この間に発生
する特性Ｘ線は、結局、非常に弱いものになってしまっ
ていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、十
分に強い特性Ｘ線を放出する真空スパーク式Ｘ線発生装
置を提供するにある。
分に強い特性Ｘ線を放出する真空スパーク式Ｘ線発生装
置を提供するにある。
上記目的は、Ｘ線発光物質を陰極に用いることにより達
成される。
成される。
大電流アーク放電では、陰極点よりｌＩ３極物質が蒸発
し、それが電離されてプラズマを形成している。電流立
ち上り峻度１μｓ台、ｉ’［！流波高値数１００ｋＡ台
のパルス大電流アーク放電では、電流自身の磁気力によ
りアークを軸方向にしぼるＺピンチ現象が生じる。その
結果、プラズマは高温。
し、それが電離されてプラズマを形成している。電流立
ち上り峻度１μｓ台、ｉ’［！流波高値数１００ｋＡ台
のパルス大電流アーク放電では、電流自身の磁気力によ
りアークを軸方向にしぼるＺピンチ現象が生じる。その
結果、プラズマは高温。
高密度となり、強い特性Ｘ腺厘が放出される。この場合
、プラズマのイオン原子は陰極より放出された陰極物質
であり、所望の強い特性ＸｕＡを得ることができる。
、プラズマのイオン原子は陰極より放出された陰極物質
であり、所望の強い特性ＸｕＡを得ることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。陽極
２は端板５に接合され、ｒＡＡｌ１集電子部１５を介し
て電流路１６に接続されている。真空容器は端板５．絶
縁物６．容器７．？Ｉｉ流路１６゜電極駆動部端板９１
回転部１１によって形成されている。陰極１はガイド１
４を通りこま部１０に取付けられ、こま部製起部１０ａ
は第３図に示す回転部１１のスリットｌｌ線を通して、
端板９のネジ部９ａと摺動自在に接合されている０回転
部１１は端板９と○リング１２により真空気密がとられ
ている。さらに回転部１１は図示していないモータの軸
１３と接合されている。
２は端板５に接合され、ｒＡＡｌ１集電子部１５を介し
て電流路１６に接続されている。真空容器は端板５．絶
縁物６．容器７．？Ｉｉ流路１６゜電極駆動部端板９１
回転部１１によって形成されている。陰極１はガイド１
４を通りこま部１０に取付けられ、こま部製起部１０ａ
は第３図に示す回転部１１のスリットｌｌ線を通して、
端板９のネジ部９ａと摺動自在に接合されている０回転
部１１は端板９と○リング１２により真空気密がとられ
ている。さらに回転部１１は図示していないモータの軸
１３と接合されている。
上記陰極１は先端円錐で数人に特性ＸＡ！波長を有する
軟Ｘ線発光物質で構成する。一方陽極１は陰極と同一材
質あるいは、特性Ｘａ波長の長いカーボン等で構成する
のがよい。アルミニウムの様な融点の低い材料を用いる
場合は、先端を球状にする方がよい。この場合放電の消
耗は陽極と比較して先端円錐の陰極１の方が大きい。
軟Ｘ線発光物質で構成する。一方陽極１は陰極と同一材
質あるいは、特性Ｘａ波長の長いカーボン等で構成する
のがよい。アルミニウムの様な融点の低い材料を用いる
場合は、先端を球状にする方がよい。この場合放電の消
耗は陽極と比較して先端円錐の陰極１の方が大きい。
Ｘ線発生にあたっては、正の電源から保護抵抗Ｒを介し
てコンデンサＣに充電する。その後スイッチＳＷを閉じ
ることにより、陰極からのｆａ極放射電子流で陽極物質
が加熱蒸発し、これが引き金となって放電が始まる。放
電が始まればｌ１３極より蒸発してくる蒸気がプラズマ
化され、磁気ピンチ効果によりプラズマが高温・高密度
に圧縮され。
てコンデンサＣに充電する。その後スイッチＳＷを閉じ
ることにより、陰極からのｆａ極放射電子流で陽極物質
が加熱蒸発し、これが引き金となって放電が始まる。放
電が始まればｌ１３極より蒸発してくる蒸気がプラズマ
化され、磁気ピンチ効果によりプラズマが高温・高密度
に圧縮され。
電子の軌溝遷移により特性Ｘ線１７を放出し、Ｘ線透過
窓８から取り出される。以上の場合陽極の特性ｘｉも若
干発生するが、カーボン等の長波長のＸ線は透過窓８を
透過できないので問題ない。
窓８から取り出される。以上の場合陽極の特性ｘｉも若
干発生するが、カーボン等の長波長のＸ線は透過窓８を
透過できないので問題ない。
多数回放電により陰極が消耗した場合、こま部１０をモ
ーター回転により、ネジ部９ａにそって上下駆動するこ
とができる。微少址を調整する場合は、減速機をモータ
ーと回転部の間に入れろとよい、また電気的絶縁をとる
必要のある場合、モーターにエアーモーターを使用し、
絶縁性空気配管を用いるとよい。
ーター回転により、ネジ部９ａにそって上下駆動するこ
とができる。微少址を調整する場合は、減速機をモータ
ーと回転部の間に入れろとよい、また電気的絶縁をとる
必要のある場合、モーターにエアーモーターを使用し、
絶縁性空気配管を用いるとよい。
上記構造とすることにより、発明者等の研究では、モリ
ブデンを発光物質とした場合、Ｘ線発生効率は約０．５
〜１．０％が得られている。これは従来の約２．５〜５
倍ｘｍｍ度が高い。
ブデンを発光物質とした場合、Ｘ線発生効率は約０．５
〜１．０％が得られている。これは従来の約２．５〜５
倍ｘｍｍ度が高い。
第４図に他の発明例を示す。陰極だけでなく。
陽極にも電極駆動機構１９を設けたものである。
陽極２は集電子部１８を介して端板５に接合され、電極
駆動機構１９は端板５線を介して端板５に接合されてい
る。
駆動機構１９は端板５線を介して端板５に接合されてい
る。
上記の場合陽極にもｔｔｉ極消耗に対する駆動装置が付
加されているから、Ｘ線発生に対する位置の再現性が良
く、安定な放電が得られる。陽・Ｉ１３極共、Ｘ線発光
物質で構成することにより、蒸気化が高くなり、高輝度
のＸ線を得られる効果も有する。
加されているから、Ｘ線発生に対する位置の再現性が良
く、安定な放電が得られる。陽・Ｉ１３極共、Ｘ線発光
物質で構成することにより、蒸気化が高くなり、高輝度
のＸ線を得られる効果も有する。
本発明によれば、真空スパーク式ｘｌ源において、ｌ１
３極に所望の波長の特性Ｘ線を有する物質を用いたもの
であるから、パルス大電流アークのプラズマは、陰極物
質のイオンで形成されるため、２ピンチ現象により所望
の波長の強い特性Ｘ線を得ることができる。
３極に所望の波長の特性Ｘ線を有する物質を用いたもの
であるから、パルス大電流アークのプラズマは、陰極物
質のイオンで形成されるため、２ピンチ現象により所望
の波長の強い特性Ｘ線を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来の
Ｘ線源の説明に供する図、第３図は本発明の回転部の外
観図、第４図は本発明の他の実施例の縦断面図。
Ｘ線源の説明に供する図、第３図は本発明の回転部の外
観図、第４図は本発明の他の実施例の縦断面図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器と該真空容器内に設けられた先端が対向配
置された陽陰極から成る一対の電極、並びに該電極に接
続されたパルス大電流電源を備えてなるＸ線発生装置に
おいて、少なくとも陰極を所望の特性Ｘ線を放出する物
質で構成することを特徴とするＸ線発生装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のＸ線発生装置において
、真空容器と該真空容器内の設けられた先端が対向配置
された陽陰極から成る一対の電極、並びに該電極に接合
されたパルス大電流源を備えてなるＸ線発生装置におい
て、少なくとも陰極を所望の特性Ｘ線を放出する物質で
構成するとともに、陰極の長さ方向の位置を可変とする
手段を設け、前記陰極の先端位置を調整可能としたこと
を特徴とするＸ線発生装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のＸ線発生装置において
、真空容器と該真空容器内の設けられた先端が対向配置
された陽陰極から成る一対の電極、並びに該電極に接合
されたパルス大電流源を備えてなるＸ線発生装置におい
て、少なくとも陰極を所望の特性Ｘ線を放出する物質で
構成し前記陽陰極両方共長さ方向の位置を可変とする手
段を設け、前記陽陰極の先端位置を調整可能としたこと
を特徴とするＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056825A JPS62216141A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056825A JPS62216141A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216141A true JPS62216141A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13038154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056825A Pending JPS62216141A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216141A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6814425B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Droplet placement onto surfaces |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208099A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | X-ray device |
| JPS59214146A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-04 | Fujitsu Ltd | エツクス線発生装置 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61056825A patent/JPS62216141A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208099A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | X-ray device |
| JPS59214146A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-04 | Fujitsu Ltd | エツクス線発生装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6814425B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Droplet placement onto surfaces |
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