JPS622120A - 光フアイバ・ジヤイロ - Google Patents

光フアイバ・ジヤイロ

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JPS622120A
JPS622120A JP14041585A JP14041585A JPS622120A JP S622120 A JPS622120 A JP S622120A JP 14041585 A JP14041585 A JP 14041585A JP 14041585 A JP14041585 A JP 14041585A JP S622120 A JPS622120 A JP S622120A
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JP
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optical
directional coupler
light
optical fiber
frequency
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JP14041585A
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Shigefumi Masuda
増田 重史
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 ・概要 ・産業上の利用分野 ・従来の技術(第4図) ・発明が解決しようとする問題点 ・問題点を解決するための手段 ・作用 ・実施例(第1.2.3図) 発明の効果 〔概 要〕 周波数変調型光方向性結合器(25)及び位相変調型光
方向性結合(26)を形成し、これらを用いて光学系を
構成することにより、光ファイバジャイロの大幅な小形
化、及び感度、ダイナミックレンジの向上を可能とする
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ファイバジャイロに関し、特に周波数変調
型光方向性結合器、位相変調型光方向性結合器、及び単
一モード光ファイバコイル(リング干渉計)を用いて構
成した光ファイバ・ジャイロに関するものである。
従来より、ジャイロ゛(ジャイロスコープ)は回転体を
用いた機械式のものであったが、近年、サグナック(S
agnac)効果を利用した干渉型レーザジャイロが開
発され、さらに最近では、この干渉型レーザジャイロに
おける干渉計部分を長尺の単一モード光ファイバコイル
で構成した光ファイバジャイロが提案されている。
光ファイバジャイロは高感度(角速度検出の理論的限界
値は10−’ rad/5ec) 、小形軽量、低価格
等、種々の利点を有するため、盛んに研究されている。
〔従来の技術〕
第4図は従来の光ファイバジャイロの構成を示すブロッ
ク図であり、(イ)は光学系、(0)は電気系を示す図
である。
第4図(イ)において、半専体レーザ(LD)11から
出射された周波数r。のレーザ光は第1のレンズ12−
1を通り第1のハーフミラ−13−1によって透過光と
反射光に2分される。そして、透過光は第2のレンズ1
2−2を通って、周波数f1の第1の超音波周波数変調
器、AOMIに入力し、こ−で周波数がf0+f、に変
調され、第2のハーフミラ−13−2によって反射され
、第3のレンズ12−3を通って、光ファイバ15にそ
の一端面15aから人力し、四端子の光方向性結合器(
ODC) 16に府びかれ、このODC16によって光
ファイバコイル(リング干渉計)17にその一端側17
aから入力し、反時計方向(CCW)に伝搬する。一方
、第1のハーフミラ−13−1における反射光は第4の
レンズ12−4を通って、周波数f2の第2の超音波周
波数変調器AOM2に入力し、こ\で周波数がf0+f
2に変調され、第3のハーフミラ−13−3によって反
射され、第5のレンズ12−5を通って、光ファイバ1
5にその他端面15bから人力してODC16に導びか
れ、この0DC16によって光ファイバコイル17にそ
の他端側17bから入力し、時計方向(CW)に伝搬す
る。尚、図中、PZTは光ファイバコイル17に設けら
れたシリンダ巻位相変調器を示し、このPZTによって
ファイバコイル(リング干渉計)17の1周長がf0+
f、の光の波長の整数倍になるように制御される。また
、VCOIは第1の超音波光変調器AOMIを駆動制御
するための第1の電圧制御発振器であり、VCO2は第
2の超音波光変調器AOM−2を駆動側   ′御する
だめの第2の電圧制御発振器である。この場合、第1の
発振器VCO−1は基準発振器として設定されている。
光ファイバコイル17内を伝搬スるCW光(re +f
2 )はCW光同士で共振し、再び光方向性結合器(O
DC) 16に導びかれ、光ファイバ15の一端面15
aから出射し、レンズ12−3及びハーフミラ−13−
2を介して第1の光検知器DETIに入力する。そして
、第1の光検知器DETIは受光した戻り光f。+f2
のうち、f0成分は光の周波数であるので非常に周波数
数が高い(例えば、3007Hz程度)ので、f2構成
のみを検知して電気信号(交流成分)Δψ2に変換して
出力する。一方cctv光(fo+f+)はCCWC開
光で共振し、再び光方向結合器(ODC) 16に導び
がれ、光ファイバ15の他端面15bから出射し、レン
ズ12−5及びハーフミラ−13−3を介して第2の光
検知器DET2に入力する。第2の光検知器DET2は
、受光した戻り光f。+f2のうち、f0成分は前述し
たように非常に周波数が高いのでf1構成のみを検知し
て電気信号(交流信号)Δψ、に変換して出力する。
こ\で、光ファイバコイル17 (光学系)カその回転
軸回りに慣性空間に対して回転角速度Ωで回転すると、
サグナック効果によりcW光とCCW光の間に周波数差
Δr (位相差に相当)が発生する。この周波数差Δf
 (位相差)とΩの関係は、サグナック効果より、Aを
光ファイバコイル17で囲んだ面積、λをコイル17中
の光波長、Pを比例係数とすると、次式(1)で表はさ
れる。
従って、前記した変調周波数f、とf2の差Δf=f、
−f2を電気系によって、rlを基準としてf2を変化
させて−Δfとし、サグナ、り効果によって発生する周
波数差Δfを打ち消して常に零(0)になるように制御
すれば、このf2の変化量を検知することによってΩを
求めることができる。
次に第4図(o)に示す電気系について説明する。
図中、符号18は位相検波器(PSD) 、l 9はサ
ーボモジュール(SM)を示す。第1の光検知器DET
Iから出力された電気信号Δψ2と、第2の光検知器D
ET2から出力された電気信号Δψ1は共にpsn(1
8)に入力される。PSD (18)は入力された信号
Δψ、とΔψ2の位相を基準位相(Ω=0における位相
)と比較して位相差を検出し、この位相差に比例した直
流電圧を出力してサーボモジュール19に送出する。サ
ーボモジュール19はPSD(18)から直流電圧が入
力されると、これに応じた信号(電圧)をVCO2に送
出する。′これにより、νCO2はAOM2を駆動制御
して、PSD(1B)からの出力電圧が零(0)になる
ように(つまりΔψ1とΔψ2の位相差がOになるよう
に)、変調周波数r2を変化させる。このようにサーボ
モジュール(SM) 19は、PSD(18)からの出
力電圧が0になるように(予め定めた基準電圧と一敗す
るまで)作動するので、サグナック効果によって発生し
た周波数Δf (位相差)は常にOに引き戻された状態
となる。このときのVCO2の変化量を検出することに
よって光ファイバコイル17の回転角速度(Ω)を検出
することができ、その積分値から回転角を知ることがで
きる。
このように、この従来例は超音波周波数変調器(AOM
I 、 AOM2) テ右回り(C−)と左回り(CC
W)のレーザ光に周波数差を与え、この周波数差による
位相差とサグナック効果による位相差が相殺するように
超音波周波数変調器(AOMI 、 AOM2)の駆動
周波数を制御することによってジャイロの回転角速度(
Ω)を検出するように構成されたものである。
〔発明が解決しようとする問題点] 上記従来例にあっては、光方向性結合器(ODC)■6
がガラスブロックにクラッド部を研摩した光ファイバ1
5とファイバコイル17とを所定の曲率半径を保持して
寄り添わせてガラスブロックに埋込み形成されているた
めガラスブロックの長さくファイバ、15 、17の軸
方向の長さ)が数cm必要となり、ファイバコイル17
の大きさく直径数cm〜loam程度)に対して非常に
大形な部品となり、また、レンズ、ハーフミラ、PZT
等を個々に配設しているため、光学系が大形化されかつ
部品点数が多いという問題がある。
本発明は、このような点にかんがみて創作されたもので
、光学系の小形化を図り、かつ独立した部品点数の減少
化を図った高感度の光ファイバコイルを提供することを
目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するため、本発明の光ファイバジャイ
ロは、4端子の周波数変調型光方向性結合器25及び位
相変調型光方向性結合器26を近接して配置し、 前記光方向性結合器25の一端側に、光源21及び第1
の光検知器DETIに光学的結合される第1の光ファイ
バ24−1と、前記光方向性結合器26に光学的結合さ
れる第3の光ファイバ24−3の一端を傾斜端面とし前
記光方向性結合器25の中心線a1に沿って寄り添わせ
て光学的結合し、 前記光方向性結合器25の他端側に、第2の光検知器D
ET2に光学的結合される第2の光ファイバ24−2と
、前記光方向性結合器26に光学的結合される第4の光
ファイバ24−4の一端を傾斜端面とし前記光方向性結
合器25の中心線a3に沿って寄り添わせて光学的結合
し、 前記光方向性結合器26の一端側に、前記第3と第4の
光ファイバ24−3 、2.i−4の他端を傾斜端面と
し前記光方向性結合器26の中心線a2に沿って寄り添
わせて光学的結合し、 前記光方向性結合器26の他端側に、光ファイバコイル
27を形成する光ファイバの両端27a。
27bを傾斜端面とし前記光方向性結合器26の中心線
a2に沿って寄り添わせて光学的結合し、前記光ファイ
バコイル27内の光周波数差を零に自動制御するための
電気系を前記第1.第2の光検知器DETI 、 DE
T2の少くとも一方に対応して設け、 前記光方向性結合器25は、光学基板の片面に誘電体多
層膜を形成したハーフミラ−251をはさんで、光学結
晶から成る第1と第2の超音波周波数変調器252.2
53、及び第1と第2のレンズ254゜255を順次中
心線a1上に整列配置し、かつ該第1と第2のレンズ2
54.255に対し、前記第1と第3の光ファイバ24
−1 、24−3の一端、及び前記第2と第4の光ファ
イバ24−2 、24−4の一端をそれぞれ対向させて
配置して成り、 前記光方向性結合器26は、光学基板の片面に誘電体多
層膜を形成した高反射ミラー261をその誘電体多層膜
が前記光ファイバコイル27の両端27a、27bに対
向するように配置し、該ミラー261をはさんで、第3
と第4のレンズ262.263を中心線a2上に整列配
置し、かつ該第3と第4のレンズ262.263に対し
、前記第3と第4の光ファイバ24−3 、24−4の
他端、及び光ファイバコイル27の両端27a、27b
をそれぞれ対向させて配置して成ることを特徴とするも
のである。
〔作 用〕
光源(21)からの光は、周波数変調型光方向性結合器
25に導びかれ、こ\でハーフミラ−251によって透
過光と反射光に2分されると共に第1と第2の超音波周
波数変調器252.253によって周波数が変調され、
位相変調型光方向性結合器26に導びかれ、この結合器
26によって光ファイバコイル27にその両端27a、
27bから入射し、ファイバコイル27を互いに逆方向
(CW 、CCW方向)に伝搬し、再び光方向性結合器
26に戻り、こ\で高反射ミラー261によって大部分
が反射され、一部分が透過して再び光方向性結合器25
に戻り、こ\でCW光とCCW光それぞれがハーフミラ
−251によって透過光と反射光に分岐されて合成され
、第1と第2の光検知器DETIとDET2にそれぞれ
入力し、電気系によってCW光とccty光の周波数差
が零になるように制御される。
〔実施例〕
第1図は本発明実施例の光学系を示す図、第2図は第1
図の周波数変調型光方向性結合器(25)の拡大図、第
3図は第1図の光検知器(DET2)に接続する電気系
を付加した図である。
第1図と第2図において、符号21は半導体レーザ(L
D)、22はレンズ、23はハーフミラ−124−1、
24−2、24−3、24−4は第1.2’、3.4の
単−モード光ファイバ、25は周波数変調型光方向性結
合器、26は位相変調型光方向性結合器、27は光ファ
イバコイル(リング干渉計) 、DETI。
DET2 、 DET3は第1.2.3の光検知器(例
えば、ホトダイオード)をそれぞれ示す。
周波数変調型光検知器25は、第2図に拡大して示すよ
うに、光学基板の片面に誘電体多層膜を形成したハーフ
ミラ−251をはさんで、光学結晶から成る周波数fI
の第1の超音波周波数変調器(AO旧)252と周波数
「2の第2の超音波周波数変調器(40M2) 253
とを中心線a1上に整列配置し、この第1と第2の変調
器(252と253)の外側に対向しかつ中心線a、上
に整列して第1と第2の球レンズ(254と255)を
配置し、第1と第3の光ファイバ24−1と24−3の
一端を中心線a、に沿って寄り添わせて接合し、これら
一端を上記酸1の球レンズ254の中心線a1上の外側
に対向配置し、第2と第4の光ファイバ24−2と24
−4の一端を中心線a。
に沿って寄り添わせて接合しこれら一端を第2の球レン
ズ255の中心!a+上の外側に対向配置し、上記第1
〜第4の光ファイバ24−1〜24−4の端面をそれぞ
れの光軸に対して中心線a、側に傾く傾斜面(θ2)に
形成して構成される。尚、第2図において、符号256
はハーフミラ251を保持する結合子(ウィングプレー
ト)、257は結合子256に配設された位相変調用の
超音波振動子を示す。このように構成することにより、
周波数変調型光方向性結合器25は、光の周波数変調の
機能を兼有すると共に非常に小形に形成することが可能
となり、例えば、第1、第3の光ファイバ(25−1。
25−3)の端面と、第2、第4の光ファイバ(25−
2゜25−4)の端面との間隔寸法りを約1鰭程度で形
成することができる。
位相変調型光方向性結合器26は、上述した第2図に示
す光方向性結合器25とほぼ同様な要領で第1図に示す
ように構成されたもので、中心線a2に沿って高反射ミ
ラー261中心とし、その両側に第3と第4の球レンズ
262と263を配置し、第3と第4の光ファイバ24
−3と24−4の他端を寄り添わせて接合しかつ端面を
傾斜面に形成して第3の球レンズ262に対向配置し、
光ファイバコイル27を形成する光ファイバの両端(2
7a、27b)を寄り添わせて接合しかつ端面を傾斜面
にして第4の球レンズ263に対向配置して構成される
。高反射ミラー261は光学基板の片面に誘電体多層膜
が形成され高反射率(例えば、90〜99%)を有する
もので、誘電体多層膜が第4の球レンズ263に対向す
るように(つまり、ファイバコイル27の両端側に対向
するように)配置される。高反射ミラー261をこのよ
うに形成し、配置することにより、ファイバコイル27
の両端27a、27bからの出射光を高反射率(90〜
99%)で反射することができるので、ファイバコイル
27に入力された右左回り光(C−光、CC−光)の閉
じ込み量を多くし共振ピークを高くすることができる。
尚、符号264は高反射ミラー261を保持する結合子
、265は結合子264に配設された超音波振動子を示
す。
高反射ミラー261は超音波振動子265によって最適
振動数で、かつλ/8 (λは光波長)の振幅で振動(
矢印す方向)し、反射光のみにλ/4の位相差を与えて
(透過光には関係しない)、ファイバコイル27内の光
の共振ピークを高める役割を果すもので、前述の第4図
(イ)におけるPZTに相当するものである。このよう
に構成することにより、位相変調型光方向性結合器26
は、位相変調の機能を兼有すると共に前述の周波数変調
型光方向性結合器2゛5と同様に非常に小形に形成する
ことができる。
第1図において、半導体レーザ(LD) 21から出射
された周波数f0のレーザ光はレンズ22を通りハーフ
ミラ23によって透過光と反射光に2分され、反射光は
光検知器DET3人力し、透過光は第1の光ファイバ2
4−1に入射し、この光ファイバ24−1によって光方
向性結合器25に導びかれる。そして、この光方向性結
合器25において、第1のレンズ254を介してハーフ
ミラ−251に入射した光はこのハーフミラ−251に
よって透過光と反射光に2分される。ハーフミラ−25
1を透過した光は第1と第2の超音波周波数変調器25
2と253によって周波数が「。十f、+f2に変調さ
れ、第2のレンズ255を介して第4の光ファイバ24
−4に入射して位相変調型光方向性結合器26に導びか
れ、こ\で第3のレンズ262を介して高反射ミラー2
61を透過し、第4のレンズ263を介してファイバコ
イル27にその一端27aから入射し、CC−光として
ファイバコイル27を伝搬し、ファイバコイル27の他
端27bから再び光方向性結合器26に導びかれ、こ\
で高反射ミラー261によって大部分(例えば、90〜
99%)が反射され再びファイノ(コイル27の一端2
7aに入射し、一部分(例えば、10〜1%)が高反射
ミラー261を透過して第3のレンズ262を介して第
3の光ファイバ24−3に入射し再び光方向性結合器2
5に導びかれ、こ\で第1のレンズ254を介してハー
フミラ−251によって透過光と反射光に2分され、透
過光は第2のレンズ255及び第2の光ファイバ24−
2を介して第2の光検知器DET2に入力し、反射光は
第1のレンズ254、第1の光ファイバ24−1を通過
し、ハーフミラ−23によって反射されて第1の光検知
器DHT1に入力する。一方、光方向性結合器25にお
いて、ハーフミラ−251によって反射された光は、第
1の超音波周波数変調器252によって周波数がfo+
2fIに変調され、第1のレンズ254を介して第3の
光ファイバ24−3に入射して位相変調型光方向性結合
器26に導びかれ、こ\で第3のレンズ262、ハーフ
ミラ−261及び第4のレンズ263を介してファイバ
コイル27にその他端27bから入射し、CW光として
ファイバコイル27を伝搬し、ファイバコイル27の一
端27aから再び光方向性結合器26に導びかれ、こ\
で高反射ミラー261によって大部分く例えば、90〜
99%)が反射され再びファイバコイル27にその他端
27bから入射し、一部分(例えば、10−1%)が高
反射ミラー261を透過して第3のレンズ262を介し
て第4の光ファイバ24−4に入射し、再び光方向性結
合器25に導びかれ、こ\で第2のレンズ255を介し
てハーフミラ−251に入射して透過光と反射光に2分
され、透過光は第1のレンズ254及び第1の光ファイ
バ24−1を介してハーフミラ−23に入射しこのハー
フミラ−23によって反射されて第■の光検知器DET
Iに入力し、反射光は第2のレンズ255及び第2の光
ファイバ24−2を介して第2の光検知器DET2に人
力する。そして、光検知器DETI及びDET2は、受
光した戻り光f。+2f I(CW光)及びfo +f
+ +fz (CCC先光のうちf00分は光の周波数
であるため周波数が非常に高いのでf。
及びf22分のみを検知してCW光を電気信号(交流成
分)Δψ1、そしてCCW光を電気信号(交流成分)Δ
ψ2に変換して出力する。
こ\で、光ファイバコイル27 (光学系)がその回転
軸回りに慣性室間に対して回転角速度Ωで回転すると、
サグナック効果によりCW光とCC碕先の間に周波数差
Δf(= r +−ft) (位相差に相当)が発年す
る。この周波数差Δf (位相差)とΩの関係は、サグ
ナック効果より、Aをファイバコイル27で囲んだ面積
、λをコイル27中の光波長、Pを比例係数とすると、
前述の従来例(第4図)の場合と同様に次的(11で表
わされる。
λ P 従って、前記した変調周波数f、とf2の差Δf=f、
−f2を電気系によって「1を基準として「2を変化さ
せζ−Δfとし、サグナック効果によ1て発生する周波
数差Δf (位相差)を打ち消して常に零(0)になる
ようにf2を制御すれば、このf2の変化量を検出する
ことによってΩを求めることができる。
次に、第3図に示す電気系について説明する。
第3図は前述したように第1図の第2光検知器DET2
に電気系を付加した図である。同図において第1.2図
と同一部分は同一符号を付して示され、これら各部分は
第1,2図と同様に配置構成されている。そして、符号
31は位相検波器(P SO)、SMI 、5M2.5
M3は第1.第2.第3のサーボモジュール、VSOは
電圧制御発振器、05CI 、 0SC2は第1.第2
の基準発振器(例えば、水晶発振器)をそれぞれ示す。
第2の光検知器DET2から出力された電気信号(交流
成分)Δψ、とΔψ2は重畳してP 50 (31)に
入力される。P SD3’lは、人力された信号Δψ1
とΔψ2の位相を基準位相と比較してその位相差を検出
し、この位相差に比例した電圧(直流)を第1と第2の
サーボモジュール(SMI、5M2)に送出する。第1
のサーボモジュール5111はPSD(31)から電圧
が入力されると、この電圧を基準電圧と比較してその差
分に比例した信号(電圧)を電圧制御発振器(VCO)
に送出する。VCOはこの入力された信号(電圧)に応
じてAOM2 (253)を駆動制御して、PSD(3
1)からの出力電圧が基準電圧に対して零(0)になる
ように(つまりΔψ1とΔψ2の位相差が0になるよう
に)、変調周波数12を変化させる。この場合、第1の
基準発振器(O5C1)は第1の超音波周波数変調器(
AOM1)を駆動制御して基準変調周波数f、を一定に
保つ役割を果している。このように第1のサーボモジュ
ール(SM1)はPSD(31)からの出力電圧がOに
なるように(基準電圧と一致するまで)作動するので、
サグナック効果によって発生した周波数差Δf(位相差
)は常にOに引き戻された状態となる。
このことは、ファイバコイル(リング干渉計)27が静
止状態から回転角速度Ωで回転した場合、このΩに対応
して変調周波数12を制御することにより、ファイバコ
イル27の静止状態の場合と同様にファイバコイル27
におけるCW光とCCW光の周波数差を0に保つことに
なり、前出の式(1)の関係を常に一定に保つことがで
き、ダイナミックレンジを高めることができる。この変
調周波数f2の制御時におけるVCOの変化量を検出す
ることによって、ファイバコイル27の回転角速度(Ω
)を検出することができ、その積分値から回転角を知る
ことができる。第3図において、第2のサーボモジュー
ル(3M2)は、第2の基準発振器(O3C2)から入
力される信号(f2)を基準として、pso(31)か
らの出力電圧が入力されると、この電圧に対応した信号
を振動子265に送出する。振動子265はこの入力信
号に対応して接合子264を介してハーフミラ−261
を最適振動数で駆動制御する。これにより、ファイバコ
イル27におけるCW光とCCW光との共振ピークに対
するノイズが打ち消され、細くて高い共振ピークが得ら
れる。
尚、第3のサーボモジュール(5M3)は、第3の光検
知器DET3から出力された電気信号に基づいて半導体
レーザ(LD) 21の駆動電流や温度等を制御して、
半導体レーザ(LD)21から出力するレーザ光の周波
数(fo)やパワーを一定に保つ役割を果すものである
次に本実施例の一実験例を示す。ノイズリミッ) (n
oise 11m1t)ΔΩを次式で2)から求めてみ
た。
ΔΩ=λC,π/C2πLDf7771ττコー  (
2)こ\で、λ (光波長)=1μm C0:光速、 L=1km(ファイバコイルの長さ)、D=10cm(
ファイバコイルの直径)、ηP:ホトン係数(phot
on number)、η0:量子効率、 τ= 15ec(積分時間)、 とした場合、ΔΩ= 0.01(deg/h)が得られ
た。
このように2本実施例は、周波数変調型光方向性結合器
(25)と位相変調型光方向性結合器(26)を用い、
ファイバコイル27における右回り(CW)と左回り(
CCW)のレーザ光に周波数差を与え、この周波数差に
よる位相差とサグナック効果による位相差が相殺するよ
うに超音波周波数変調器(AOMI。
AOM2) 252.253の駆動周波数を制御(フィ
ードバンク制御)することによってジャイロの回転角速
度(Ω)を検出するように構成されたものである。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えば第1の光検知器DETIに接続する電気系を第2の
光検知器DET2に接続するものと反対称に設けること
もでき、そうすることにより、さらに感度及びダイナミ
ックレンジを高めることが可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、周波数変調型光
方向性結合器(25)及び位相変調型光方向性結合器(
26)を形成し、これを用いて光学系を構成することに
より、光学系の大幅な小形化が可能で、かつ高感度及び
高ダイナミツクレンジを有し実用性の高い光ファイバジ
ャイロを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の光学系を示す図、第2図は第1
図の周波数変調型光方向性結合器(25)の拡大図、 第3図は第1図の実施例に電気系を加えた図、第4図(
イ)は従来例の光学系を示す図、第4図to)は従来例
の電気系を示す図である。 第1.2.3図において、 21は半導体レーザ(LD 、光源)、22はレンズ、
   23はハーフミラ−124−1、24−2、24
−3、24−4は第1.2,3.4の単一モード光ファ
イバ、 25は周波数変調型光方向性結合器、 251はハーフミラ−1 252と253は第1と第2の超音波周波数変調器(八
〇MI、八〇M2)  、 254と255は第1と第2の球レンズ、256は結合
子、 257は超音波振動子、 26は位相変調型光方向性結合器、 261は高反射ミラー、 262と263は第3と第4の球レンズ、264は結合
子、 265は超音波振動子、 27は単一モード光ファイバコイル(リング干渉計)、 31は位相検波器(PSD)、 DETI、 DET2.0ET3は第1.2.3の光検
知器、SMI、SM2.5M3は第1.第2.第3のサ
ーボモジュール、VCOは電圧制御発振器、 0SCI 、 05C2は第1.第2基準発振動器をそ
れぞれ示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、4端子の周波数変調型光方向性結合器(25)及び
    位相変調型光方向性結合器(26)を近接して配置し、 前記光方向性結合器(25)の一端側に、光源(21)
    及び第1の光検知器(DET1)に光学的結合される第
    1の光ファイバ(24−1)と、前記光方向性結合器(
    26)に光学的結合される第3の光ファイバ(24−3
    )の一端を傾斜端面とし前記光方向性結合器(25)の
    中心線(a_1)に沿って寄り添わせて光学的結合し、
    前記光方向性結合器(25)の他端側に、第2の光検知
    器(DET2)に光学的結合される第2の光ファイバ(
    24−2)と、前記光方向性結合器(26)に光学的結
    合される第4の光ファイバ(24−4)の一端を傾斜端
    面とし前記光方向性結合器(25)の中心線(a_1)
    に沿って寄り添わせて光学的結合し、 前記光方向性結合器(26)の一端側に、前記第3と第
    4の光ファイバ(24−3、4−4)の他端を傾斜端面
    とし前記光方向性結合器(26)の中心線(a_2)に
    沿って寄り添わせて光学的結合し、 前記光方向性結合器(26)の他端側に、光ファイバコ
    イル(27)を形成する光ファイバの両端(27a、2
    7b)を傾斜端面とし前記光方向性結合器(26)の中
    心線(a_2)に沿って寄り添わせて光学的結合し、前
    記光ファイバコイル(27)内の光周波数差を零に自動
    制御するための電気系を前記第1、第2の光検知器(D
    ET1、DET2)の少くとも一方に対応して設け、 前記光方向性結合器(25)は、光学基板の片面に誘電
    体多層膜を形成したハーフミラー(251)をはさんで
    、光学結晶から成る第1と第2の超音波周波数変調器(
    252、253■)及び第1と第2のレンズ(254、
    255)を順次中心線(a_1)上に整列配置し、かつ
    該第1と第2のレンズ(254、255)に対し、前記
    第1と第3の光ファイバ(24−1、24−3)の一端
    、及び前記第2と第4の光ファイバ(24−2、24−
    4)の一端をそれぞれ対向させて配置して成り、前記光
    方向性結合器(26)は、光学基板の片面に誘電体多層
    膜を形成した高反射ミラー(261)をその誘電体多層
    膜が前記光ファイバコイル(27)の両端(27a、2
    7b)に対向するように配置し、該ミラー(261)を
    はさんで、第3と第4のレンズ(262、263)を中
    心線(a_2)上に整列配置し、かつ該第3と第4のレ
    ンズ(262、263)に対し、前記第3と第4の光フ
    ァイバ(24−3、24−4)の他端、及び光ファイバ
    コイル(27)の両端(27a、27b)をそれぞれ対
    向させて配置して成ることを特徴とする光ファイバジャ
    イロ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295910A (ja) * 1988-05-23 1989-11-29 Nittoc Constr Co Ltd 地盤強化施工方法
US6809010B1 (en) 1996-02-29 2004-10-26 Kyocera Corporation Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same

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