JPS62208686A - 半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
半導体レ−ザモジユ−ルInfo
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- JPS62208686A JPS62208686A JP5084486A JP5084486A JPS62208686A JP S62208686 A JPS62208686 A JP S62208686A JP 5084486 A JP5084486 A JP 5084486A JP 5084486 A JP5084486 A JP 5084486A JP S62208686 A JPS62208686 A JP S62208686A
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- semiconductor laser
- light emitting
- optical system
- optical fiber
- emitting points
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は主として光フアイバ通信に使用される半導体レ
ーザモジュールに関する。
ーザモジュールに関する。
「従来技術とその問題点」
光フアイバ通信システムに使用される半導体し一ザモジ
ュールは、通常、発光点が一つの半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子の光を光ファイバに導く光学系と
を備えている。
ュールは、通常、発光点が一つの半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子の光を光ファイバに導く光学系と
を備えている。
ところで、光フアイバ通信システムでは、その送信機能
に対する信顛性を確保するために、半導体レーザモジュ
ールの並列化が試みられている。
に対する信顛性を確保するために、半導体レーザモジュ
ールの並列化が試みられている。
即ち、第2図に示す如くに、複数の半導体レーザモジュ
ール1′を用意し、1個の半導体レーザモジュール1”
が故障したときに、故障した半導体レーザモジュール1
′に代わって別の半導体レーザモジュール1°を作動さ
せて送信を!!続さ廿ることが試みられている。この場
合、各半導体レーザモジュール1°内には1個の図示し
ない半導体レーザ素子が内蔵され、各半導体レーザモジ
ュール1゛の光出力を光ファイバ20に導くためにハー
フミラ−31を有する光結合器30が設けられる。
ール1′を用意し、1個の半導体レーザモジュール1”
が故障したときに、故障した半導体レーザモジュール1
′に代わって別の半導体レーザモジュール1°を作動さ
せて送信を!!続さ廿ることが試みられている。この場
合、各半導体レーザモジュール1°内には1個の図示し
ない半導体レーザ素子が内蔵され、各半導体レーザモジ
ュール1゛の光出力を光ファイバ20に導くためにハー
フミラ−31を有する光結合器30が設けられる。
このように複数の半導体レーザモジュール1′を用いる
場合には、少なくとも2個の半導体レーザモジュール1
゛ と、光結合器30を必要とするので、比較的コスト
が高くなるうえ、ハーフミラ−31による結合を員失が
生じるのが問題である。
場合には、少なくとも2個の半導体レーザモジュール1
゛ と、光結合器30を必要とするので、比較的コスト
が高くなるうえ、ハーフミラ−31による結合を員失が
生じるのが問題である。
そこで、第3図に示す如(に、1個の半導体レーザモジ
ュール内にそれぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御さ
れる2個の半導体レーザ素子41と、各半導体レーザ素
子41の光出力を光ファイバ20に結合させるハーフミ
ラ−42を設けるものがある。
ュール内にそれぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御さ
れる2個の半導体レーザ素子41と、各半導体レーザ素
子41の光出力を光ファイバ20に結合させるハーフミ
ラ−42を設けるものがある。
この場合には、1個の半導体レーザモジュールを使用す
ればよいのであるが、この半導体レーザモジュールの構
成が複雑になり、また、半導体レーザモジュールが比較
的大型になってコストが高くなる。しかも、第2図の光
通信システムの場合と同様に、ハーフミラ−42により
約3dBの結合損失が生じると言った問題が残されてい
る。
ればよいのであるが、この半導体レーザモジュールの構
成が複雑になり、また、半導体レーザモジュールが比較
的大型になってコストが高くなる。しかも、第2図の光
通信システムの場合と同様に、ハーフミラ−42により
約3dBの結合損失が生じると言った問題が残されてい
る。
「発明の目的」
本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであって
、送信機能に対する信頼性が高く、構成が簡単であり、
小型であり、しかも、内部損失の少ない半導体レーザモ
ジュールを提供することを目的とするものである。
、送信機能に対する信頼性が高く、構成が簡単であり、
小型であり、しかも、内部損失の少ない半導体レーザモ
ジュールを提供することを目的とするものである。
「問題点を解決するための手段」
本発明に係る半導体レーザモジュールは、」−記の目的
を達成するために、1個のパッケージ内にそれぞれ独立
に外部よりレーザ発振を制御される2点以上の発光点を
持つ半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のいず
れの発光点からの光線をも単一の光ファイバに導く光学
系とを有する。
を達成するために、1個のパッケージ内にそれぞれ独立
に外部よりレーザ発振を制御される2点以上の発光点を
持つ半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のいず
れの発光点からの光線をも単一の光ファイバに導く光学
系とを有する。
上記半導体レーザ素子の各発光点は、従来の半導体レー
ザ素子に内蔵されている発光点と同様にの技術で構成す
ればよく、各発光点に接続されるリード線のうち、例え
ば、接地線のように電位が共jmするリード線は共通化
することができる。
ザ素子に内蔵されている発光点と同様にの技術で構成す
ればよく、各発光点に接続されるリード線のうち、例え
ば、接地線のように電位が共jmするリード線は共通化
することができる。
上記光学系としては、はぼ同し位置から出力される光出
力を光ファイバに導けるものであればよく、例えば1枚
の凸レンズあるいは、1組のレンズ群等を使用すればよ
い。
力を光ファイバに導けるものであればよく、例えば1枚
の凸レンズあるいは、1組のレンズ群等を使用すればよ
い。
」−記の構成において、半導体レーザ素子の各発光点が
それぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御されるので、
一つの発光点で送信中にその発光点が故障した場合、他
の一つの発光点に切り換えて送信を41!続できる。
それぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御されるので、
一つの発光点で送信中にその発光点が故障した場合、他
の一つの発光点に切り換えて送信を41!続できる。
また、複数の発光点を1個のパッケージ内に設けである
ので、半導体レーザモジュールの内部構造を簡単にでき
、小型化を図れる。
ので、半導体レーザモジュールの内部構造を簡単にでき
、小型化を図れる。
さらに、複数の発光点が1個のパッケージに内蔵されて
いるので、光学系に対するこれら発光点の位置はほぼ同
じになる。従って、光学系を、例えば1枚の凸レンズ、
1組のレンズ群、通常の全反射鏡等、比較的安価でハー
フミラ−に比べると光透過率あるいは光反射率が高いも
のを使用することができる。
いるので、光学系に対するこれら発光点の位置はほぼ同
じになる。従って、光学系を、例えば1枚の凸レンズ、
1組のレンズ群、通常の全反射鏡等、比較的安価でハー
フミラ−に比べると光透過率あるいは光反射率が高いも
のを使用することができる。
「実施例」
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を概略的に示す構成図である
。すなわち、1つの半導体レーザモジュール2内に、2
個の発光点3.4を備え、各発光点3.4はそれぞれ独
立に外部よりレーザ発振が制御される半導体レーザ素子
1を構成している。
。すなわち、1つの半導体レーザモジュール2内に、2
個の発光点3.4を備え、各発光点3.4はそれぞれ独
立に外部よりレーザ発振が制御される半導体レーザ素子
1を構成している。
これらの各発光点3.4は外部の図示しない制御回路に
リード線5.7を介して接続されて上記の独立の制御を
可能にし、また、接地接続されるリード線6には再発光
点3.4が共通に接続される。
リード線5.7を介して接続されて上記の独立の制御を
可能にし、また、接地接続されるリード線6には再発光
点3.4が共通に接続される。
各発光点3.4の光はパンケージ2の頂面に形成された
開口8をjmってほぼ平行方向に出力される。
開口8をjmってほぼ平行方向に出力される。
上記半導体レーザ素子1のパッケージ2の頂面から所定
の距離に、このパッケージ2の頂面に対向して光ファイ
バ9の入力端が配置される。そして、この光ファイバ9
と半導体レーザ素子1の間に1枚の凸レンズからなる光
学系10が配置される。
の距離に、このパッケージ2の頂面に対向して光ファイ
バ9の入力端が配置される。そして、この光ファイバ9
と半導体レーザ素子1の間に1枚の凸レンズからなる光
学系10が配置される。
なお、上記の半導体レーザ素子1、光ファイバ9の入力
端及び光学系10は図示しない半導体レーザモジュール
のケース内に収納される。
端及び光学系10は図示しない半導体レーザモジュール
のケース内に収納される。
上記の構成において、半導体レーザ素子1の各発光点3
,4はそれぞれ制御回路から独立に送信される制御信号
によってオンオフ制御される。従って、通常は再発光点
3,4の一方を使って光信号を送信し、使用中の発光点
が故障した場合には他の一方の発光点に切り換えて光信
号の送信を継続さ一1!ることができる。尚、再発光点
3,4のを周期的に交替して稼動さセ、各発光点3,4
の寿命を長くすることもできる。又、各発光点3.4の
オンオフを重畳させて3(l!の光信号を送信すること
も可能である。更に再発光点3,4の発光波長を互いに
異ならせ、波長多重通信に用いることも可能である。
,4はそれぞれ制御回路から独立に送信される制御信号
によってオンオフ制御される。従って、通常は再発光点
3,4の一方を使って光信号を送信し、使用中の発光点
が故障した場合には他の一方の発光点に切り換えて光信
号の送信を継続さ一1!ることができる。尚、再発光点
3,4のを周期的に交替して稼動さセ、各発光点3,4
の寿命を長くすることもできる。又、各発光点3.4の
オンオフを重畳させて3(l!の光信号を送信すること
も可能である。更に再発光点3,4の発光波長を互いに
異ならせ、波長多重通信に用いることも可能である。
また、1個の半導体レーザモジュール内には、1個の半
導体レーザ素子1と光ファイバ9の入力端及び光学系1
0が収納されるに過ぎないので、第3図に示すように2
個の半導体レーザ素子を有する従来の半導体レーザモジ
ュールに比べて、構造が簡単で、小型にできる。
導体レーザ素子1と光ファイバ9の入力端及び光学系1
0が収納されるに過ぎないので、第3図に示すように2
個の半導体レーザ素子を有する従来の半導体レーザモジ
ュールに比べて、構造が簡単で、小型にできる。
更に、上記半導体レーザ素子1の各発光点3゜4は同じ
パッケージ内に設けられているので、光学系10に対し
て同し方向から光信号を入射することになる。従って、
この半導体レーザ素子1のいずれの発光点3.4からの
光線をも屯−の光ファイバ9に導く光学系10ばあたか
も単一の発光点から単一の光ファイバ9に光を導くよう
な単純な光学系であればよく、2方自から入射される光
を他の1方向に向けて透過あるいは反射するハーフミラ
−を使用する必要がなくなり、光学系10の光透過率あ
るいは光反射率を高めて、損失を少なくできる。
パッケージ内に設けられているので、光学系10に対し
て同し方向から光信号を入射することになる。従って、
この半導体レーザ素子1のいずれの発光点3.4からの
光線をも屯−の光ファイバ9に導く光学系10ばあたか
も単一の発光点から単一の光ファイバ9に光を導くよう
な単純な光学系であればよく、2方自から入射される光
を他の1方向に向けて透過あるいは反射するハーフミラ
−を使用する必要がなくなり、光学系10の光透過率あ
るいは光反射率を高めて、損失を少なくできる。
以十、半導体レーザ素子の発光点が2つである場合のみ
について説明したが、更に発光点の数を増やして、該素
子の信頼性を高めることが出来ることは勿論である。
について説明したが、更に発光点の数を増やして、該素
子の信頼性を高めることが出来ることは勿論である。
「発明の効果」
以−トのように、本発明の半導体レーザモジュールは、
半導体レーザ素子内に複数の発光点が設けられ、各発光
点がそれぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御されるの
で、一つの発光点で送信中にその発光点の送信系統が故
障した場合、他の一つの発光点の送信系統に切り換えて
送信を継続することにより送信機能に対する信頼性を高
めることができる。
半導体レーザ素子内に複数の発光点が設けられ、各発光
点がそれぞれ独立に外部よりレーザ発振を制御されるの
で、一つの発光点で送信中にその発光点の送信系統が故
障した場合、他の一つの発光点の送信系統に切り換えて
送信を継続することにより送信機能に対する信頼性を高
めることができる。
又、複数の発光点を1個のパッケージ内に設けであるの
で、複数の半導体レーザ素子を有する半導体レーザモジ
ュールに比べて半導体レーザモジュールの内部構造を簡
単にでき、小型化を図れ、安価にできる。
で、複数の半導体レーザ素子を有する半導体レーザモジ
ュールに比べて半導体レーザモジュールの内部構造を簡
単にでき、小型化を図れ、安価にできる。
更に、複数の発光点が1個のパッケージに内蔵されてい
るので、光学系に対するこれら発光点の位置がほぼ同じ
になり、ハーフミラ−を使わない光透過率あるいは光反
射率が高い光学系を使用することができ、内部での損失
を少なくできる。
るので、光学系に対するこれら発光点の位置がほぼ同じ
になり、ハーフミラ−を使わない光透過率あるいは光反
射率が高い光学系を使用することができ、内部での損失
を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を概略的に示す構成M、第2
図、第3図はそれぞれ異なる従来技術の概略を示す構成
図である。 図 中、 1・・・半導体レーザ素子、2・・・パッケージ、3・
・・発光点、 4・・・発光点、9・・・光フ
ァイバ、 10・・・光学系。
図、第3図はそれぞれ異なる従来技術の概略を示す構成
図である。 図 中、 1・・・半導体レーザ素子、2・・・パッケージ、3・
・・発光点、 4・・・発光点、9・・・光フ
ァイバ、 10・・・光学系。
Claims (2)
- (1)1個のパッケージ内にそれぞれ独立に外部よりレ
ーザ発振を制御される2点以上の発光点を持つ半導体レ
ーザ素子と、この半導体レーザ素子のいずれの発光点か
らの光線をも単一の光ファイバに導く光学系とを有する
半導体レーザモジュール。 - (2)上記半導体レーザ素子が同一チップ内に2点以上
の発光点を持つレーザアレイで構成された、特許請求の
範囲第1項に記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5084486A JPS62208686A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5084486A JPS62208686A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62208686A true JPS62208686A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12870040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5084486A Pending JPS62208686A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62208686A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024287A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Nec Corp | Wdm用半導体レーザ光モジュール |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP5084486A patent/JPS62208686A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024287A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Nec Corp | Wdm用半導体レーザ光モジュール |
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