JPS6220341A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPS6220341A
JPS6220341A JP15815985A JP15815985A JPS6220341A JP S6220341 A JPS6220341 A JP S6220341A JP 15815985 A JP15815985 A JP 15815985A JP 15815985 A JP15815985 A JP 15815985A JP S6220341 A JPS6220341 A JP S6220341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
wiring
probe test
bump
conductors
Prior art date
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Pending
Application number
JP15815985A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoru Isomura
悟 磯村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6220341A publication Critical patent/JPS6220341A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent between electrodes from improperly contacting even if a solder depositing is displaced by disposing a plurality of probe testing conductors around a bump wiring terminal, and connecting with probe testing wiring pattern. CONSTITUTION:A plurality of probe testing conductors 6 are disposed around bump wiring terminals 5A, 5B provided on a mother chip 2 which places a semiconductor chip 3, and electrically connected with a probe testing wiring pattern 6A. The conductors 6 and the pattern 6A are, for example, formed of conductors to be readily moistened with solder of Cr/Cu/Au. They are formed of the same mask as the terminals 5A, 5B. Thus, even if the solder depositing is displaced, since a solder 4C is connected at any of the conductors 6 and the pattern 6A, the terminals 5A, 5B are electrically connected effectively by 100%.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置に係り、特に、フリップチップ方
式のフェイスダウンボンディングを採用した半導体装置
におけるプローブテスト技術手段に適用して有効な技術
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a semiconductor device, and in particular to a technique that is effective when applied to a probe test technique in a semiconductor device that employs flip-chip type face-down bonding. .

〔背景技術〕[Background technology]

フリップチップ方式のフェイスダウンボンディングを採
用した半導体装置は、シリコン配線坊板(以下、マザー
チップという)上にフリップチップ方式のフェイスダウ
ンボンディングににす、′I4導体チップを多数実装す
る(例えば、特開昭54−73564号公報)。このた
め、バンプ電極数が、例えば、100乃至300個にも
なる。
A semiconductor device employing flip-chip face-down bonding has a large number of I4 conductor chips mounted on a silicon wiring board (hereinafter referred to as a mother chip) using flip-chip face-down bonding (for example, Publication No. 73564/1983). Therefore, the number of bump electrodes is, for example, 100 to 300.

このようにバンプ電極数が多くなると、バンプ電極と配
線どの接触不良や配線の断線等を試験するプローブテス
トが非常に困難であった。
When the number of bump electrodes increases in this way, it is extremely difficult to perform a probe test to test for poor contact between the bump electrodes and the wiring, disconnection of the wiring, etc.

そこで、例えば、2つのバンプ電極にまたがって半田を
蒸着する(半田ブリッジ)一方、この2つのバンプ電極
に接続された2つの配線をプローブで結び、導通を確認
する方法が考えられる。プローブでのチェック後、半田
をウェッ1〜バックして切り離し、2つのバンプ電極の
非導通を確認することにより、実装状態に戻すことがで
きる。
Therefore, for example, a method can be considered in which solder is deposited across two bump electrodes (solder bridge) and two wirings connected to these two bump electrodes are connected using a probe to confirm continuity. After checking with a probe, the solder is wetted back and separated, and the two bump electrodes are confirmed to be non-conductive to return to the mounted state.

しかし、半田ブリッジをウエッ1−バックした場合、第
10図に示すように、半田が片方のバンプに片寄って分
離し易い。このため、バンプ電極(ロ)に残った半田の
高さ及び景に差が生じて、リフロ一時に接触不良を生じ
るという問題があった。
However, when the solder bridge is wetted back, the solder tends to be biased toward one bump and separate, as shown in FIG. For this reason, there is a problem in that the height and appearance of the solder remaining on the bump electrode (b) differs, resulting in poor contact during reflow.

前記問題願意を解決するために、第8図に示すように、
半導体チップを塔載する配線用基板にプローブテスト用
配線(イ)を配設し、半田(ハ)を蒸着させて所定のバ
ンプ配線端子(ロ)を短絡(ショート)し、さらにウェ
ッ1ヘパツクすることにより前記短絡をオープンし、プ
ローブテスi−を容易に行なう手段が本出願人によって
開発された(特願昭59−1.42373号)。
In order to solve the above problem, as shown in FIG.
Probe test wiring (a) is arranged on the wiring board on which the semiconductor chip is mounted, solder (c) is vapor-deposited to short-circuit the predetermined bump wiring terminals (b), and the wafer 1 is further packed. The present applicant has developed a means for opening the short circuit and easily performing a probe test (Japanese Patent Application No. 59-1.42373).

しかしながら、前記手段では、半田(ハ)を蒸着させて
所定のバンプ配線端子(ロ)を短絡(ショー1〜)する
際に、第9図に示すように、メタルマスクのトータルピ
ッチ精度により、半田蒸着ズレが生じて、バンプ配線端
子(電極)(ロ)間の電気的接続が100%確実でない
ため実用にならないという問題があった。
However, in the above method, when short-circuiting (Show 1~) the predetermined bump wiring terminals (B) by vapor depositing the solder (C), as shown in FIG. 9, due to the total pitch accuracy of the metal mask, the solder There was a problem in that the vapor deposition misalignment occurred and the electrical connection between the bump wiring terminals (electrodes) (b) was not 100% reliable, making it impractical.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、前記半田蒸着ズレが生じても、電極間
の接続不良を100%確実に防止することができる技術
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique that can 100% reliably prevent connection failures between electrodes even if the solder deposition misalignment occurs.

本発明の他の目的は、蒸着された半田をウェットバック
した場合、バンプ配線端子に残った半田の高さ及び量を
ほぼ均一にすることできる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique that can make the height and amount of solder remaining on bump wiring terminals substantially uniform when deposited solder is wet-backed.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
Outline of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、フリップチップ型半導体装置において、半導
体チップを塔載する配線用基板に設けられたバンプ配線
端子の周りに、複数のプローブテスト用導体を配設し、
これらのプローブデス1〜用導体をプローブテスト用配
線パターンで接続したことにより、半田蒸着ズレが生じ
ても、電極間の接触不良を防止することができるように
したものである。
That is, in a flip-chip semiconductor device, a plurality of probe test conductors are arranged around bump wiring terminals provided on a wiring board on which a semiconductor chip is mounted,
By connecting these probe conductors 1 to 1 with a probe test wiring pattern, poor contact between the electrodes can be prevented even if solder evaporation misalignment occurs.

以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
Hereinafter, the configuration of the present invention will be explained along with examples.

なお、実施例を説明するための全回において、同一の機
能を有するものは同一の符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。
It should be noted that throughout the explanation of the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof will be omitted.

〔実施例〕〔Example〕

第1図乃至第6図は、本発明の一実施例の半導体装置を
説明するための図であり、第1図は、その要部に半田を
蒸着した状態の平面図、第2図は、第1図のA−’A切
断線における断面図、第3図は、第1図のB−B切断線
における断面図、第4図(A)、(B)は、第3図及び
第2図に示す部分をウェットバックした状態の断面図、
第5図は、フリップチップ型半導体装置の概略全体構成
図、第6図は、本実施例の動作を説明するための要部平
面図である。
1 to 6 are diagrams for explaining a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a state in which solder is deposited on the main parts, and FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view taken along section line A-'A in FIG. 1. FIG. 4 (A) and (B) are sectional views taken along section line BB in FIG. A cross-sectional view of the part shown in the figure wet-backed,
FIG. 5 is a schematic overall configuration diagram of a flip-chip semiconductor device, and FIG. 6 is a plan view of essential parts for explaining the operation of this embodiment.

第1図乃至第6図において、1はパッケージ基板、2は
配線を施したマザーチップ(配線用基板)、3は半導体
チップ、4.4A、4Bは半田バンプ電極、4Cは半田
(Sb/Sn) 、5A、 5Bはマザーチップ2に設
けられている配線のバンプ配線端子であり、例えば、C
r / Cu / A 11等の半田にぬれやすい導電
体からなっている。6はプローブテスト用導体であり、
第1図に示すように、半導体チップ3を塔載するマザー
チップ2に設けられたバンプ配線端子5A及び5Bのそ
れぞれの周りの複数箇所に配設されている。これらのプ
ローブテスト用導体6をプローブテスト用配線パターン
6Aで電気的に接続されている。前記プローブテスト用
導体6及び配線パターン6Aは、例えば、Cr / C
u / A u等の半田にぬれやすい導電体からなって
いる。これらはバンプ配線端子5 A 45Bと同一マ
スクにより形成する。7はマザー−チップ2に設(プら
れたポンディングパッド、8A。
1 to 6, 1 is a package board, 2 is a mother chip with wiring (wiring board), 3 is a semiconductor chip, 4A and 4B are solder bump electrodes, and 4C is solder (Sb/Sn ), 5A, and 5B are bump wiring terminals of wiring provided on the mother chip 2, for example, C
It is made of a conductor that is easily wetted by solder, such as r/Cu/A11. 6 is a probe test conductor;
As shown in FIG. 1, they are arranged at a plurality of locations around each of the bump wiring terminals 5A and 5B provided on the mother chip 2 on which the semiconductor chip 3 is mounted. These probe test conductors 6 are electrically connected by a probe test wiring pattern 6A. The probe test conductor 6 and wiring pattern 6A are made of, for example, Cr/C.
It is made of a conductor that is easily wetted by solder, such as u/Au. These are formed using the same mask as the bump wiring terminals 5A and 45B. 7 is a bonding pad 8A installed on the mother chip 2.

8Bはマザーチップ2に設けられた配線、9はリード、
10はボンディングワイヤ、11Δ及びjIBは測定器
の端子である。
8B is the wiring provided on the mother chip 2, 9 is the lead,
10 is a bonding wire, and 11Δ and jIB are terminals of the measuring device.

本実施例のフリップチップ型半導体装置は、第5図に示
すように、1′、s体チップ1をマザーチップ2の上に
フリップチップ方式で堵・載し、ポンディングパッド7
とリード9をボンディングワイヤ10によって電気的に
接続した半尊体装置であって、前記マザーチップ2に、
第1図乃至第4図に示すように、バンブ配線端子5A及
び5Bのそれぞれの周りの複数箇所に、プローブテスト
用導体6を配設し、これらのブローブテスI・用心体6
をブローブテス1へ用配線パターン6Aで電気的に接続
したものである。
As shown in FIG. 5, the flip-chip type semiconductor device of this embodiment has a 1', s-body chip 1 mounted on a mother chip 2 by a flip-chip method, and a bonding pad 7.
and leads 9 are electrically connected to each other by bonding wires 10, and the mother chip 2 includes:
As shown in FIGS. 1 to 4, probe test conductors 6 are arranged at multiple locations around each of the bump wiring terminals 5A and 5B, and these probe test conductors 6
is electrically connected to the Blobutes 1 using a wiring pattern 6A.

次に、本実施例に才9けるプローブテス1へに″つぃて
説明する。
Next, probe test 1 in this embodiment will be explained.

まず、マザーチップ2のLに、蒸着マスクを用して、第
1図乃至第3図に示すように、半日14Cの蒸着を行な
う。これにより、2つのバンブ配線端子5A、5Bの間
を短絡させる。この状態で、第6図に示すように、マザ
ーチップ2のポンディングパッド7A及び7Bに測定器
の端子11A及びIIBを接触してプローブテストを行
なうことにより、2つの配線8A及び8Bの導通チェッ
クを同時に行なう。
First, as shown in FIGS. 1 to 3, 14C of vapor deposition is performed on L of the mother chip 2 using a vapor deposition mask for half a day. This causes a short circuit between the two bump wiring terminals 5A and 5B. In this state, as shown in FIG. 6, a probe test is performed by contacting the terminals 11A and IIB of the measuring device with the bonding pads 7A and 7B of the mother chip 2 to check the continuity of the two wirings 8A and 8B. at the same time.

さらに、ウェットバックを行なうことにより、半田4C
が丸くなり、第4図(A、) 、  (B)に示すよう
に、バンブ配線端子5Aと5Bが物理的電気的に分離さ
れて半田バンブ電極4A及び4Bが形成される。この状
態でポンディングパッド7A及び7Bに測定器の端子1
1A及びIIBを接触して、2つの半田バンブ電極4A
と4Bの間の短絡チックを行なう。前記ウェットバック
を行なったとき、バンブ配線端子5Aと5B上に残る半
田バンプの高さ及び量は、゛IL、田ブリツブリッジた
め均一 どなる。
Furthermore, by performing wet back, solder 4C
becomes round, and as shown in FIGS. 4A and 4B, bump wiring terminals 5A and 5B are physically and electrically separated to form solder bump electrodes 4A and 4B. In this state, connect the terminal 1 of the measuring device to the bonding pads 7A and 7B.
1A and IIB, and two solder bump electrodes 4A
and 4B. When the wet back is performed, the height and amount of the solder bumps remaining on the bump wiring terminals 5A and 5B are uniform due to ``IL'' and the solder bumps are bridged.

このように、半導体チップ3を塔載するマザーチップに
設+′j+−,れたバンブ配線端子5A及び513の周
りの複数箇所に、プローブテスト用導体6を配設し、こ
れらのプロー用心体1−用導体6をブローブテス1へ用
配線パターン6Aで電気的に接続することにより、半[
(1蒸着のズレが生じても、半田4Cはプローブテスト
用導体6及びプローブテスト用配線パターン6Aのどこ
かで接続されるので。
In this way, the probe test conductors 6 are arranged at multiple locations around the bump wiring terminals 5A and 513 installed on the mother chip on which the semiconductor chip 3 is mounted, and these probe test conductors 6 are By electrically connecting the 1- conductor 6 to the blow test 1 with the wiring pattern 6A, the half-[
(Even if there is a deviation of one vapor deposition, the solder 4C will be connected somewhere between the probe test conductor 6 and the probe test wiring pattern 6A.

バンブ配線端子5Aと5Bは100%確実に電気的に接
続される。
The bump wiring terminals 5A and 5B are electrically connected with 100% certainty.

また、ウェブ1−バックを行なったとき、バンブ配線端
子5Aと5B上に残る半田バンプの高さ及び量が均一に
なるので、リフロ一時に生じる接触不良が防11ユでき
る。
Further, when web 1-back is performed, the height and amount of solder bumps remaining on the bump wiring terminals 5A and 5B become uniform, so that poor contact that occurs during reflow can be prevented.

また、プローブテス1−を容易に行なうことができ、か
つ、その作業能率を向−1ニさせることができる。
Further, the probe test 1- can be easily performed and the work efficiency can be improved.

また、プローブテスト用導体6及びプローブテスI・用
配線パターン6Aを用いて接続する半田バンブ電極の組
合せを選択することにより、テスト回数を低減すること
ができる。
Further, by selecting a combination of solder bump electrodes to be connected using the probe test conductor 6 and the probe test I/wiring pattern 6A, the number of tests can be reduced.

−8〜 また、第7図に示すように、前記プローブテスト用導体
6及びプローブテスト用配線パターン6Aの形状及び組
合せを工夫することにより、構成を簡単にすることがで
きる。
-8~ Moreover, as shown in FIG. 7, the configuration can be simplified by devising the shapes and combinations of the probe test conductor 6 and the probe test wiring pattern 6A.

なお、前記配線端子5A、5Bとプローブテスト用導体
6及びプローブテスト用配線パターン6Aを同一・金属
で形成することができるので、製造工程は増加しない。
Note that since the wiring terminals 5A, 5B, the probe test conductor 6, and the probe test wiring pattern 6A can be formed of the same metal, the number of manufacturing steps is not increased.

〔効果〕〔effect〕

以上説明したように、本願で開示した新規な技術手段に
よれば1次に述べるような効果髪得ることができる。
As explained above, according to the novel technical means disclosed in this application, it is possible to obtain the hair effects described in the first section.

(1)フリップチップ型半導体装置において、半導体チ
ップを塔載するマザーチップに設けられた配線端子の周
りの複数箇所に、プローブテスト用導体を配設し、これ
らのプロー用心体l−用導体をプローブテスト用配線パ
ターンで電気的に接続し。
(1) In a flip-chip semiconductor device, probe test conductors are arranged at multiple locations around the wiring terminals provided on the mother chip on which the semiconductor chip is mounted, and these probe test conductors are Connect electrically with the wiring pattern for probe testing.

半田蒸着により所定のバンブ配線端子を短絡し、さらに
ウェブ1−バックして前記短絡をオープンすることが可
能な構造にしたことにより、半田蒸着のズレが生じても
、半田はプローブテスト用導体及びプローブデスl−用
配線パターンのどこかで接続されるので、バンプ配線端
子(電極)間を確実に電気的に接続することができる。
By creating a structure in which predetermined bump wiring terminals are short-circuited by solder deposition, and the short-circuit can be opened by backing up the web 1, even if misalignment of solder deposition occurs, the solder can be used to connect probe test conductors and Since the connection is made somewhere in the wiring pattern for the probe dess L-, the bump wiring terminals (electrodes) can be reliably electrically connected.

(2)前記(1)により、ウェットバックを行なったと
き、バンプ配線端子に残る半田バンプの高さ及び量を均
一にすることができるので、リフロ一時に生ずる接触不
良を防止することができる。
(2) According to (1) above, when wet backing is performed, the height and amount of solder bumps remaining on the bump wiring terminals can be made uniform, so poor contact that occurs during reflow can be prevented.

(3)前記(1)により、多数のバンブ電極を有するも
のであっても、プローブテストを容易に行うことができ
る。
(3) According to (1) above, even if the device has a large number of bump electrodes, a probe test can be easily performed.

(4)前記(1)のプローブテスト用導体及びプローブ
テスト用配線パターンを用いて接続する半田バンプ電極
の組合せを選択することにより、テスト回数を低減する
ことができる。
(4) By selecting a combination of solder bump electrodes to be connected using the probe test conductor and probe test wiring pattern of (1) above, the number of tests can be reduced.

(5)前記(1)のプローブテスト用導体及びプローブ
テスト用配線パターンを工夫することにより、テスト検
出率をさらに向上することができる。
(5) By devising the probe test conductor and probe test wiring pattern described in (1) above, the test detection rate can be further improved.

(6)前記(1)乃至(5)により、プローブテストを
正確に行なうことができ、かつその作業能率を向上させ
ることができる。
(6) According to (1) to (5) above, the probe test can be performed accurately and the work efficiency can be improved.

以上、本発明を実施例にもとずき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
はいうまでもない。
The present invention has been specifically explained above based on examples, but
It goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments described above, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof.

例えば、前記プローブテスト用導体の配置及び配線パタ
ーンの形状及び半田バンプ電極の接続組合せは、必要に
応じて種々選択し得ることはいうまでもない。
For example, it goes without saying that the arrangement of the probe test conductors, the shape of the wiring pattern, and the connection combinations of the solder bump electrodes can be variously selected as necessary.

前記実施例ではマザーチップを配線基板としたが、これ
以外の基板にも本発明を適用できることは勿論である。
In the embodiments described above, the mother chip was used as a wiring board, but it goes without saying that the present invention can be applied to other boards as well.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第5図は、本発明の一実施例の半導体装置を
説明するための図であり、 第1図は、その要部に半田を蒸着した状態の平面図、 第2図は、第1図のA−A切断線における断面図、 第3図は、第2図のB−B切断線における断面した状態
の平面図、 第5図は、フリップチップ型半導体装置の概略全体構成
図、 第6図は、本実施例の動作を説明するための要部平面図
、 第7図は1本発明のプローブテスト用導体及び配線パタ
ーンの他の実施例の構成を示す平面図、第8図乃至第1
0図は、本発明に係る半導体装置プローブテストの問題
点を説明するための図である。 図中、1・・・パッケージ基板、2・・・マザーチップ
、3・・・半導体チップ、4,4A、4B・・・半田バ
ンプ電極、4C・・・半田、5A、5B・・・バンプ配
線端子、6・・・プローブテスト用導体、プローブテス
ト用配線パターン、7・・・ポンディングパッド、8A
、8B・・・配線、9・・・リード、10・・・ボンデ
ィングワイヤ、11・・・測定器の端子である。
1 to 5 are diagrams for explaining a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a state in which solder is deposited on the main parts, and FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2. FIG. 5 is a schematic overall configuration diagram of a flip-chip semiconductor device. , FIG. 6 is a plan view of essential parts for explaining the operation of this embodiment, FIG. 7 is a plan view showing the structure of another embodiment of the probe test conductor and wiring pattern of the present invention, and FIG. Figure to 1st
FIG. 0 is a diagram for explaining problems in the semiconductor device probe test according to the present invention. In the figure, 1...Package board, 2...Mother chip, 3...Semiconductor chip, 4, 4A, 4B...Solder bump electrode, 4C...Solder, 5A, 5B...Bump wiring Terminal, 6... Conductor for probe test, wiring pattern for probe test, 7... Bonding pad, 8A
, 8B... Wiring, 9... Lead, 10... Bonding wire, 11... Terminal of the measuring device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、フリップチップ型半導体装置において、半導体チッ
プを塔載する配線用基板に設けられたバンプ配線端子の
周りに、複数のプローブテスト用導体を配設し、これら
のプローブテスト用導体を配線パターンで接続したこと
を特徴とする半導体装置。 2、前記配線用基板として半導体配線基板を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、前記プローブテスト用導体及び配線パタンを、半田
蒸着により所定のバンプ配線端子を短絡し、さらにウェ
ットバックすることにより前記短絡をオープンし、テス
ト回数を低減することが可能な構造にしたことを特徴と
する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の半導体装置
。 4、前記基板に設けられた配線を用いて、短絡されるバ
ンプ配線端子を選択することにより、テスト回数を低減
することが可能な構造にしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項又は第2項記載の半導体装置。
[Claims] 1. In a flip-chip semiconductor device, a plurality of probe test conductors are arranged around bump wiring terminals provided on a wiring board on which a semiconductor chip is mounted, and these probe test conductors are provided. A semiconductor device characterized in that conductors are connected by a wiring pattern. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a semiconductor wiring board is used as the wiring board. 3. The probe test conductor and wiring pattern are structured so that predetermined bump wiring terminals are short-circuited by solder deposition, and further wet-back is performed to open the short circuits, thereby reducing the number of tests. A semiconductor device according to claim 1 or 2 characterized by: 4. The structure of claim 1 is characterized in that the number of tests can be reduced by selecting bump wiring terminals to be short-circuited using the wiring provided on the substrate. 2. The semiconductor device according to item 2.
JP15815985A 1985-07-19 1985-07-19 Semiconductor device Pending JPS6220341A (en)

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