JPS62201843A - 1,3−ジ置換シクロブタン化合物 - Google Patents
1,3−ジ置換シクロブタン化合物Info
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- JPS62201843A JPS62201843A JP4189886A JP4189886A JPS62201843A JP S62201843 A JPS62201843 A JP S62201843A JP 4189886 A JP4189886 A JP 4189886A JP 4189886 A JP4189886 A JP 4189886A JP S62201843 A JPS62201843 A JP S62201843A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物である1、3−ジ置換シクロブタ
ン誘導体に関する。さらに詳しくは、シクロブタン環の
3−位に炭素数1〜8のいずれかのアルキル基を有する
シクロブタンカルボン酸とそのエステル誘導体に関する
。
ン誘導体に関する。さらに詳しくは、シクロブタン環の
3−位に炭素数1〜8のいずれかのアルキル基を有する
シクロブタンカルボン酸とそのエステル誘導体に関する
。
現在、液晶化合物の化学構造の基本骨格を形成する環と
しては、ベンゼン環、シクロヘキサン環、ビシクロオク
タン環、ジオキサン環、ピリミシン環、キューノ2ン環
などが知られているがこれまでに、シクロブタン環を分
子内に有する化合物は見当らない。
しては、ベンゼン環、シクロヘキサン環、ビシクロオク
タン環、ジオキサン環、ピリミシン環、キューノ2ン環
などが知られているがこれまでに、シクロブタン環を分
子内に有する化合物は見当らない。
従来、液晶相の形成には、分子の幾何学的形状が棒状あ
るいは平板状であること、分子の平行配列を保持させる
ために適当な大きさの分子間力を与えるグループをその
分子内に持つことなどが関与しておシ、言い換えれば、
分子の直線性、剛直性、極性などが関与すると経験的に
言われており、シクロブタン環の場合には、それ自身の
歪みや平面性の欠如による液晶性の低下が予測されてい
るものと理解される。
るいは平板状であること、分子の平行配列を保持させる
ために適当な大きさの分子間力を与えるグループをその
分子内に持つことなどが関与しておシ、言い換えれば、
分子の直線性、剛直性、極性などが関与すると経験的に
言われており、シクロブタン環の場合には、それ自身の
歪みや平面性の欠如による液晶性の低下が予測されてい
るものと理解される。
本発明者らは、シクロブタン環の特性が室温液晶として
発現できるか否かについて、鋭意研究した結果、一般式 %式% (式中、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基でで表わさ
れる種々の新規化合物、すなわち、3−アルキルシクロ
ブタンカルボン酸のエステル誘導体が単品でも室温域を
含んで広い液晶温度範囲を有する物質であることを見い
出した。上記一般式において、X=Hのカルボン酸はそ
のエステル誘導体合成における重要な中間体として有用
なものである。
発現できるか否かについて、鋭意研究した結果、一般式 %式% (式中、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基でで表わさ
れる種々の新規化合物、すなわち、3−アルキルシクロ
ブタンカルボン酸のエステル誘導体が単品でも室温域を
含んで広い液晶温度範囲を有する物質であることを見い
出した。上記一般式において、X=Hのカルボン酸はそ
のエステル誘導体合成における重要な中間体として有用
なものである。
上記の1.3−:)置換シクロブタン誘導体には、2つ
の幾何異性体、すなわち、cis体とtrans体が存
在する。一般には、cis体は液晶分子の折れ曲りに寄
与し、液晶相を発現させないと言われているが、本発明
における上記のエステル誘導体の018体は、tran
s体と同様、液晶相を有している。勿論、an体、tr
ans体混合物でも、液晶相を有している。
の幾何異性体、すなわち、cis体とtrans体が存
在する。一般には、cis体は液晶分子の折れ曲りに寄
与し、液晶相を発現させないと言われているが、本発明
における上記のエステル誘導体の018体は、tran
s体と同様、液晶相を有している。勿論、an体、tr
ans体混合物でも、液晶相を有している。
従来技術においては、シクロブタン環をその分子構造中
に含む液晶物質の例は存在しない。
に含む液晶物質の例は存在しない。
また、単品で、室温域を含んで広い液晶温度範囲を有す
るという例はない。したがって、本発明に係る3−アル
キルシクロブタンカルボン酸エステルは液晶表示材料と
して極めて有用なものである。
るという例はない。したがって、本発明に係る3−アル
キルシクロブタンカルボン酸エステルは液晶表示材料と
して極めて有用なものである。
以下、本発明に係る化合物の合成例を下記合成フローシ
ートに従い説明する。
ートに従い説明する。
なお、cis体およびtrans体の分離は通常、異性
体の分離に使用する方法、例えば、再結晶、カラムクロ
マト、あるいは分取りロマトなどの中から、最適な方法
を選択して行う。
体の分離に使用する方法、例えば、再結晶、カラムクロ
マト、あるいは分取りロマトなどの中から、最適な方法
を選択して行う。
Br5
R1−CH2(CH20H)2+++4 R”−CH2
(CH2Br )2二””””)”これを詳細に説明す
ると、2−アルキル−1,3−プロ・Qンジオールを用
い、これを三臭化リンなどを使用してブロム化すること
にょシ2−アルキルー1,3−ジブロムプロ/Qンに変
換する。
(CH2Br )2二””””)”これを詳細に説明す
ると、2−アルキル−1,3−プロ・Qンジオールを用
い、これを三臭化リンなどを使用してブロム化すること
にょシ2−アルキルー1,3−ジブロムプロ/Qンに変
換する。
これにマロン酸ジエチルを作用させて3−アルキルシク
ロブタン−1,1−ジカルボン酸エチルとし、次にこの
ジエステルを加水分解し、ジカルボン酸とする。続いて
これを脱カルボキシル化することにより、3−アルキル
シクロブタンカルボン酸に変換する。さらに、この3−
アルキルシクロブタンカルボン酸を所望のR2−0H(
アルコールやフェノール誘導体)とのエステル化反応に
付することにより3−アルキルシクロブタンカルボン酸
エステルを得ることができる。これを分取りロマトグラ
フィーによp trans−3−アルキルシクロブタン
カルボン酸ニステルトcis−3−アルキルシクロブタ
ンカルボン酸エステルとに分けることができる。
ロブタン−1,1−ジカルボン酸エチルとし、次にこの
ジエステルを加水分解し、ジカルボン酸とする。続いて
これを脱カルボキシル化することにより、3−アルキル
シクロブタンカルボン酸に変換する。さらに、この3−
アルキルシクロブタンカルボン酸を所望のR2−0H(
アルコールやフェノール誘導体)とのエステル化反応に
付することにより3−アルキルシクロブタンカルボン酸
エステルを得ることができる。これを分取りロマトグラ
フィーによp trans−3−アルキルシクロブタン
カルボン酸ニステルトcis−3−アルキルシクロブタ
ンカルボン酸エステルとに分けることができる。
以下、実施例により、本発明に係る化合物およびその合
成法をさらに詳細に説明する。
成法をさらに詳細に説明する。
実施例13−プロピルシクロブタンカルホン酸の合成
(a)2−iロピル−1,3−uプロムプロノQンの合
成 2−プロピル−1,3−フロノξンジオール142、!
i’ (1,2モル)を、300 mll四ツスフラス
コニ仕込、攪拌下、50’C以下で、三臭化リン239
g(0,88モル)を滴下した。滴下後、70℃まで除
徐に昇温し、1時間反応させた。さらに100℃で5時
間反応させた後、冷却した。反応生成物を氷水11に圧
加した後、塩化メチレン50011を加えた。塩化メチ
レン層を数回水洗した後、In炭酸ナトリウム水溶液で
1回洗込再び水洗した。塩化メチレン層を分取し、無水
芒硝で乾燥してから塩化メチレンを留去した。得られた
残留物を減圧蒸留すると、無色透明液体が得られた。
成 2−プロピル−1,3−フロノξンジオール142、!
i’ (1,2モル)を、300 mll四ツスフラス
コニ仕込、攪拌下、50’C以下で、三臭化リン239
g(0,88モル)を滴下した。滴下後、70℃まで除
徐に昇温し、1時間反応させた。さらに100℃で5時
間反応させた後、冷却した。反応生成物を氷水11に圧
加した後、塩化メチレン50011を加えた。塩化メチ
レン層を数回水洗した後、In炭酸ナトリウム水溶液で
1回洗込再び水洗した。塩化メチレン層を分取し、無水
芒硝で乾燥してから塩化メチレンを留去した。得られた
残留物を減圧蒸留すると、無色透明液体が得られた。
収t : 200.9 (68,3%) b、p、1
14〜118°C/33mmHg(bl 3−プロピ
ルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸エチルの合成 無水エタノール300°mlに金属ナトリウム(スライ
スしたもの) 11.5.9 (0,5グラム原子)を
投入して得られた溶液に、攪拌下、市販のマロン酸ジエ
チル809(0,5モル)を、40〜50℃で滴下した
。さらに上記(a)で得られた2−プロピル−1,3−
ジブロムプロパン61.9 (0,25モル)を同温度
で滴下した。滴下後2時間この温度を保った後、約3.
50m1のエタノールを常圧下に留去した後、冷却した
。反応生成物を分液ロートに移し、水soo rntと
ベンゼン500.7Llを加えた。
14〜118°C/33mmHg(bl 3−プロピ
ルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸エチルの合成 無水エタノール300°mlに金属ナトリウム(スライ
スしたもの) 11.5.9 (0,5グラム原子)を
投入して得られた溶液に、攪拌下、市販のマロン酸ジエ
チル809(0,5モル)を、40〜50℃で滴下した
。さらに上記(a)で得られた2−プロピル−1,3−
ジブロムプロパン61.9 (0,25モル)を同温度
で滴下した。滴下後2時間この温度を保った後、約3.
50m1のエタノールを常圧下に留去した後、冷却した
。反応生成物を分液ロートに移し、水soo rntと
ベンゼン500.7Llを加えた。
ベンゼン層を飽和食塩水で、洗液が中性になるまで水洗
した。ベンゼン層を分取し、無水芒硝で乾燥してからベ
ンゼンを留去した。得られた残留物を減圧蒸留すると無
色透明液体が得られた。
した。ベンゼン層を分取し、無水芒硝で乾燥してからベ
ンゼンを留去した。得られた残留物を減圧蒸留すると無
色透明液体が得られた。
収量:42J7(69,4%) b、p、93〜96
’C10,7mmHg(c)3−プロピルシクロブタン
−1,1−:yカルボン酸の合成 上記/b)で得られた3−プロピルシクロブタン−1,
1−’)fjkボ/駿エチェチル41 li(0,17
モル)トエタノール200コを500r71/四ツロフ
ラスコに仕込み、攪拌下、50%苛性カリ水溶液76
g(0,68モル)を注意深く、滴下した。滴下後、還
流温度で3時間反応してから冷却した。反応液をエバポ
レーターにより、濃縮し乾固した。
’C10,7mmHg(c)3−プロピルシクロブタン
−1,1−:yカルボン酸の合成 上記/b)で得られた3−プロピルシクロブタン−1,
1−’)fjkボ/駿エチェチル41 li(0,17
モル)トエタノール200コを500r71/四ツロフ
ラスコに仕込み、攪拌下、50%苛性カリ水溶液76
g(0,68モル)を注意深く、滴下した。滴下後、還
流温度で3時間反応してから冷却した。反応液をエバポ
レーターにより、濃縮し乾固した。
得られた固型物を最小限の水で溶解し、エーテル30(
1!を加えて、エーテル可溶物を除いた(2回行う)。
1!を加えて、エーテル可溶物を除いた(2回行う)。
次いで水層に濃塩酸を徐々に加えて酸性とした後、再び
エーテル3001+IA!を加えて抽出した(3回行う
)。
エーテル3001+IA!を加えて抽出した(3回行う
)。
エーテル層を合わせ、無水芒硝で乾燥した後、エーテル
を留去した。残留した固型物をイソプロピルエーテルか
ら再結晶すると3−プロピルシクロブタン−1,1−:
)カルボン酸が得られた。
を留去した。残留した固型物をイソプロピルエーテルか
ら再結晶すると3−プロピルシクロブタン−1,1−:
)カルボン酸が得られた。
収t : 23.7fi (75,0% ) m、p
、 155.0〜156.5°C(d)3−プロピルシ
クロブタンカルボン酸の合成 上記(c)で得られた3−プロピルシクロブタ/−1,
1−ジカルボン酸22.311 (0,12−F−ル)
を100M1四ツロフラスコに仕込み攪拌下、190’
C笠で、ゆっくりと昇温させた。この温度で3時間、脱
Co2反応を呵った。冷却後、このまま、減圧蒸留する
と無色透明の3−プロピルシクロブタンカルボン酸が得
られた。
、 155.0〜156.5°C(d)3−プロピルシ
クロブタンカルボン酸の合成 上記(c)で得られた3−プロピルシクロブタ/−1,
1−ジカルボン酸22.311 (0,12−F−ル)
を100M1四ツロフラスコに仕込み攪拌下、190’
C笠で、ゆっくりと昇温させた。この温度で3時間、脱
Co2反応を呵った。冷却後、このまま、減圧蒸留する
と無色透明の3−プロピルシクロブタンカルボン酸が得
られた。
収′I?l: 13.6g (80,0%) b、p
、80〜82℃/ 0 、6 mmHg赤外腺吸収スペ
クトル(cm−” ) 3300〜2500.1690.1460.1420.
1330.1295゜1260、1240.1220.
1120.930マススペクトル(メチルエステルトシ
て)m/e (*) : 156(1)、 141(1
)、 125(13)、 101(12)。
、80〜82℃/ 0 、6 mmHg赤外腺吸収スペ
クトル(cm−” ) 3300〜2500.1690.1460.1420.
1330.1295゜1260、1240.1220.
1120.930マススペクトル(メチルエステルトシ
て)m/e (*) : 156(1)、 141(1
)、 125(13)、 101(12)。
97(10)、 96(16)、 88(33)、 8
7(100)。
7(100)。
82(17)、 74(15)、 70(20)、 6
7(20)。
7(20)。
55(81)、 42(46)、 41(42)元素分
析値(C@H1&02 ) 実測値(係) c : 68.OH: 9.9計″搾
値(チ) C: 67.57 H: 9.92実施
例2 3−−=ンチルシクロブタンカルボン酸の合成 実施例1の(a)において2−プロピル−1,3−プロ
ノQンジオールの代りに2−ペンチ#−1,3−プロパ
ンジオールを用い、以下、実施例1(a)〜(C)に準
拠して、同様の操作を行い、3 d/チルシクロブタ
ン−1,1−・ジカルボン酸x3,4た。この3−ペン
チルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸25gを、t
oom/!四ツロフラスコに仕込み、攪拌下、190℃
までゆっくりと昇温させだ。この温度で、3時間脱co
2反応を行った。
析値(C@H1&02 ) 実測値(係) c : 68.OH: 9.9計″搾
値(チ) C: 67.57 H: 9.92実施
例2 3−−=ンチルシクロブタンカルボン酸の合成 実施例1の(a)において2−プロピル−1,3−プロ
ノQンジオールの代りに2−ペンチ#−1,3−プロパ
ンジオールを用い、以下、実施例1(a)〜(C)に準
拠して、同様の操作を行い、3 d/チルシクロブタ
ン−1,1−・ジカルボン酸x3,4た。この3−ペン
チルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸25gを、t
oom/!四ツロフラスコに仕込み、攪拌下、190℃
までゆっくりと昇温させだ。この温度で、3時間脱co
2反応を行った。
冷却後、このまま、減圧蒸留すると、無色透明の3−ペ
ンチルシクロブタンカルボン酸が得られた。
ンチルシクロブタンカルボン酸が得られた。
収i : 17N (86,9%)b、p、106〜1
07°C10,5mmHg赤外線吸収スペクトル 3300〜2500.1700.1460.1420.
1330.1295゜1255、1220.1120.
930元素分析値(C’1OHIE+02 )実測値(
%) Cニア0.6 H:10.6計算値(%)
C: 70.54 H: 10.66マススペク
トル(メチルエステルトシて)mls (%) : 1
84(1)、 153(8)、 128(5)、 11
0(13)。
07°C10,5mmHg赤外線吸収スペクトル 3300〜2500.1700.1460.1420.
1330.1295゜1255、1220.1120.
930元素分析値(C’1OHIE+02 )実測値(
%) Cニア0.6 H:10.6計算値(%)
C: 70.54 H: 10.66マススペク
トル(メチルエステルトシて)mls (%) : 1
84(1)、 153(8)、 128(5)、 11
0(13)。
101(15)、 88(33)、 87(100)、
69(27)。
69(27)。
55(42)、 41(44)
なお、実#i例1(a)〜(C)に準じて行った各段階
(、j〜(e)の生成物の収率と物性値を示す。
(、j〜(e)の生成物の収率と物性値を示す。
体) 2−−<フチルー1,3−ジブロムプロ/ぐン
収率 64.5% b、p、 136〜138°C/
21mmHg(b)3−、gンチルシクロブタン−1,
1−ジカルボン酸エチル 収率 56.7 % b、p、 118〜122°
c10 、5 mmHg(c)3−Aンチルシクロゾタ
ンー1,1−ジカルボン酸 収率 64.1 ’ly m、p、 113〜11
56C実施例33−へブチルシクロブタンカルボン酸の
合成 実施例1の(a)において、2−プロピル−1,3−プ
ロ、Qンジオールの代シに2−へジチル−1,3−プロ
・Qンジオフルを用い、以下、実施例1 (a)〜(C
)に準拠して、同様の操作を行い、3−へブチルシクロ
ブタン−1,1−ジカルボン酸31gを得た。この3−
へブチルシクロブタン−1,1−’、; 力/Iz;t
? 7 p309を、100.′nl四ツロ7ラスコに
仕込み、攪拌下、190’Cまでゆっくり昇温させた。
収率 64.5% b、p、 136〜138°C/
21mmHg(b)3−、gンチルシクロブタン−1,
1−ジカルボン酸エチル 収率 56.7 % b、p、 118〜122°
c10 、5 mmHg(c)3−Aンチルシクロゾタ
ンー1,1−ジカルボン酸 収率 64.1 ’ly m、p、 113〜11
56C実施例33−へブチルシクロブタンカルボン酸の
合成 実施例1の(a)において、2−プロピル−1,3−プ
ロ、Qンジオールの代シに2−へジチル−1,3−プロ
・Qンジオフルを用い、以下、実施例1 (a)〜(C
)に準拠して、同様の操作を行い、3−へブチルシクロ
ブタン−1,1−ジカルボン酸31gを得た。この3−
へブチルシクロブタン−1,1−’、; 力/Iz;t
? 7 p309を、100.′nl四ツロ7ラスコに
仕込み、攪拌下、190’Cまでゆっくり昇温させた。
この温度で3時間脱CO2反応を行った。冷却後、この
まま減圧蒸留すると無色透明の3−へブチルシクロブタ
ンカルボン酸が得られた。
まま減圧蒸留すると無色透明の3−へブチルシクロブタ
ンカルボン酸が得られた。
収Jt:20g(81,6%) b、p、130〜1
33°C/ 0 、6mmHg赤外線吸収スはクトル 3300〜2500.1705.1460.1420.
1330.1290゜1250、1220.1120.
930元素分、折値(C’12H2202) 実測値(チ) c : 72.8 H: 11.2
計算値(チ) C: 72.68 H: 11.1
Bなお、実施例1(a)〜(C)に準じて行った各段階
(a)〜(C)の生成物の収率と物性値を示す。
33°C/ 0 、6mmHg赤外線吸収スはクトル 3300〜2500.1705.1460.1420.
1330.1290゜1250、1220.1120.
930元素分、折値(C’12H2202) 実測値(チ) c : 72.8 H: 11.2
計算値(チ) C: 72.68 H: 11.1
Bなお、実施例1(a)〜(C)に準じて行った各段階
(a)〜(C)の生成物の収率と物性値を示す。
(a)2−へブチル−1,3−:)ブロムゾロノQン収
率70.3% b、p、155〜b(b) 3−へ
ブチルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸エチル 収率62.7 % b、p、 142〜146℃1
0.6mmHg(c) 3−ヘプチルシクロブタン−
1,1−9カルボ/酸 収率75.0% m、p、 101〜103℃実施例
43−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニルの合成 実施例1で得た3−プロピルシクロブタンカルボンlI
22.84 、!7 (0,02モル)に塩化チオニル
5 mlを加えて湯浴上で2時間加温した。ついで、過
剰の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記カルボン酸の
クロライドを生成させた。一方、p−シアノフェニルフ
ェノール5.91!(0,03モル)、ベンゼン4Q
ml及びピリジy2mlを仕込んだ溶液に、上記の反応
で得た酸クロライrのベンゼン溶液(ベンゼンIQ v
lで溶かしたもの)を室温で滴下した。その後、室温で
2時間、還流塩!、((80〜85℃)で2時間熟成し
た後、冷却した。
率70.3% b、p、155〜b(b) 3−へ
ブチルシクロブタン−1,1−ジカルボン酸エチル 収率62.7 % b、p、 142〜146℃1
0.6mmHg(c) 3−ヘプチルシクロブタン−
1,1−9カルボ/酸 収率75.0% m、p、 101〜103℃実施例
43−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニルの合成 実施例1で得た3−プロピルシクロブタンカルボンlI
22.84 、!7 (0,02モル)に塩化チオニル
5 mlを加えて湯浴上で2時間加温した。ついで、過
剰の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記カルボン酸の
クロライドを生成させた。一方、p−シアノフェニルフ
ェノール5.91!(0,03モル)、ベンゼン4Q
ml及びピリジy2mlを仕込んだ溶液に、上記の反応
で得た酸クロライrのベンゼン溶液(ベンゼンIQ v
lで溶かしたもの)を室温で滴下した。その後、室温で
2時間、還流塩!、((80〜85℃)で2時間熟成し
た後、冷却した。
反応生成物を水100 mlに注ぎ、ベンゼン層を水洗
しくlQQmA’x2回)、1%苛性ソーダ水溶液で洗
浄しく5Qz/XI回)、水洗(100mlxB回)を
順次行った後、無水芒硝で乾燥した。ベンゼンを留去し
て得られた残留物を減圧蒸留すると、3−プロピルシク
ロブタンカルボン酸p−シアノビフェニルが得られた。
しくlQQmA’x2回)、1%苛性ソーダ水溶液で洗
浄しく5Qz/XI回)、水洗(100mlxB回)を
順次行った後、無水芒硝で乾燥した。ベンゼンを留去し
て得られた残留物を減圧蒸留すると、3−プロピルシク
ロブタンカルボン酸p−シアノビフェニルが得られた。
収jfj(: 4.5 g (70,5’A ) m、
p、 (TON) 14℃、cJp (TNI )99
℃b−:9.220°C10,3mmHgこの異性体混
合物tよcie体約50係、trans体約50係であ
ったが、このものは20°Cにおいて粘度ηは219セ
ンチポイズ、誘電率異方性△εは+13.4 (ε11
=20.0、ε±=6.8)であった。これをセル厚9
μmのTNセルに封入した際のしきい電圧vthは1.
45V、飽和電圧Vsatは2.01 Vであった。
p、 (TON) 14℃、cJp (TNI )99
℃b−:9.220°C10,3mmHgこの異性体混
合物tよcie体約50係、trans体約50係であ
ったが、このものは20°Cにおいて粘度ηは219セ
ンチポイズ、誘電率異方性△εは+13.4 (ε11
=20.0、ε±=6.8)であった。これをセル厚9
μmのTNセルに封入した際のしきい電圧vthは1.
45V、飽和電圧Vsatは2.01 Vであった。
次いで上述のエステルを分取りロマトによりciB体と
tranθ体とに分離した。分取りロマト装置(クロマ
ト条件、カラム:500朋×20龍φ、固定相: OD
S15mesh、移動相:15チ含水メタノール、流量
IQ Irl / min )を用いて分離した前留分
を濃縮し、残留物を減圧蒸留すると(:is −3−プ
ロピルシクロブタンカルボ7Hp−シアノビフェニルが
得られた。
tranθ体とに分離した。分取りロマト装置(クロマ
ト条件、カラム:500朋×20龍φ、固定相: OD
S15mesh、移動相:15チ含水メタノール、流量
IQ Irl / min )を用いて分離した前留分
を濃縮し、残留物を減圧蒸留すると(:is −3−プ
ロピルシクロブタンカルボ7Hp−シアノビフェニルが
得られた。
b−p、 220°C/ 0.3 mmHg m、
p、 (T(jJ) 43°CCh)−(TNI) 6
1.9°C 赤外線吸収ス啄クトり(cm−” ) 3100〜2800.2200.1740.1600.
1/180.1450゜1370.1130,990,
830 ”H−NMRス滅クトり(ppm 、 CC14)0
.8〜2.7 (m、 ]、2H)、3.1 (un、
I H,CHOO)7.1 (m、8H,Aroma
tic )さらに分離した後留分を同様に処理するとt
ranθ−3−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シ
アノビフェニルが得られた。
p、 (T(jJ) 43°CCh)−(TNI) 6
1.9°C 赤外線吸収ス啄クトり(cm−” ) 3100〜2800.2200.1740.1600.
1/180.1450゜1370.1130,990,
830 ”H−NMRス滅クトり(ppm 、 CC14)0
.8〜2.7 (m、 ]、2H)、3.1 (un、
I H,CHOO)7.1 (m、8H,Aroma
tic )さらに分離した後留分を同様に処理するとt
ranθ−3−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シ
アノビフェニルが得られた。
b、p、 220℃/Q、3mmHg m、pm
(TCN) 34.5℃alp、 (TNI) 133
.2°C赤外;線吸収ス滅りトル 3100〜2800.2200.1740.1600.
1480.1380゜1340、1130.990.8
40.8301H−NMRス滅クトり 0.8〜2.7 (m、 12H)、3.2 (m、
I H,CHCO)7.1 (m、 3 H,Arom
atic )実施例53−にンチルシクロブタンカルボ
ンHp−シアノビフェニルの合成 実施レリ2で得られた3−滅ンチルシクロブタンカルボ
ンCff 3.4.9 (0,02モル)に、塩化チオ
ニル5m/!を加えて湯浴上で2時間加温した。っいで
、過剰の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記カルボン
酸のクロライドを得た。一方、p−シアノフェニルフェ
ノール5.9.9 (0,03モル)、ベンゼン、(□
ml及びピリジン2mlを仕込んだ溶液に、上記の反
応で得たカルボン酸クロライドのベンゼン溶液(ベンゼ
ン10 mlで溶かしたもの)を室温で滴下した。その
後、室温で2時間、還流温度(80〜85°C)で2時
間熟成した後、冷却した。反応生成物を水100 ml
に注ぎ、ベンゼン層を水洗しく 100.727 X
2回)、1チ苛性ソーダ水溶液で洗浄しく50n!/x
I回)、水洗(100,7I/×3回)を順次行った後
、無水芒硝で乾燥した。
(TCN) 34.5℃alp、 (TNI) 133
.2°C赤外;線吸収ス滅りトル 3100〜2800.2200.1740.1600.
1480.1380゜1340、1130.990.8
40.8301H−NMRス滅クトり 0.8〜2.7 (m、 12H)、3.2 (m、
I H,CHCO)7.1 (m、 3 H,Arom
atic )実施例53−にンチルシクロブタンカルボ
ンHp−シアノビフェニルの合成 実施レリ2で得られた3−滅ンチルシクロブタンカルボ
ンCff 3.4.9 (0,02モル)に、塩化チオ
ニル5m/!を加えて湯浴上で2時間加温した。っいで
、過剰の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記カルボン
酸のクロライドを得た。一方、p−シアノフェニルフェ
ノール5.9.9 (0,03モル)、ベンゼン、(□
ml及びピリジン2mlを仕込んだ溶液に、上記の反
応で得たカルボン酸クロライドのベンゼン溶液(ベンゼ
ン10 mlで溶かしたもの)を室温で滴下した。その
後、室温で2時間、還流温度(80〜85°C)で2時
間熟成した後、冷却した。反応生成物を水100 ml
に注ぎ、ベンゼン層を水洗しく 100.727 X
2回)、1チ苛性ソーダ水溶液で洗浄しく50n!/x
I回)、水洗(100,7I/×3回)を順次行った後
、無水芒硝で乾燥した。
ベンゼンを留去して得ら、れた残留物を減圧蒸留すると
、3−ペンチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニルが得らレタ。
、3−ペンチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニルが得らレタ。
収−t : 4.50 fl (64,6% )m−p
−(Tcs)20’C1Clp、 (TNI) 89℃
1)、p、 225°C/ 0 、2 mmHg実施例
63−へブチルシクロブタンカルホン酸p−シアノビフ
ェニルの合成 実施例3で得られた3−へブチルシクロブタンカルボン
e 3.99 F (0,02モル)に塩化チオニル5
mlを加えて湯浴上で2時間加温した。ついで、過剰
の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記のカルボン酸の
クロライドを得た。一方、p−シアノフェニルフェノー
ル5.911(0,03モル)、ベンゼン40コ及びピ
リジン2mlを仕込んだ溶液に、上記の反応で得た酸ク
ロライrのベンゼン溶液(べ/イン10 Preで溶か
したもの)を室温で滴下した。その後、室温で2時間、
還流温度(80〜85℃)で2時間熟成させた後、冷却
した。反応生成物を水100rnAK注ぎ、ベンゼン層
を水洗しく100s(x2回)、1%苛性ソーダ水溶液
で洗浄しく5Qm/x1回)、水洗(100:nl×3
回)を順次行った後、無水芒硝で乾燥した。
−(Tcs)20’C1Clp、 (TNI) 89℃
1)、p、 225°C/ 0 、2 mmHg実施例
63−へブチルシクロブタンカルホン酸p−シアノビフ
ェニルの合成 実施例3で得られた3−へブチルシクロブタンカルボン
e 3.99 F (0,02モル)に塩化チオニル5
mlを加えて湯浴上で2時間加温した。ついで、過剰
の塩化チオニルを減圧下に留去し、上記のカルボン酸の
クロライドを得た。一方、p−シアノフェニルフェノー
ル5.911(0,03モル)、ベンゼン40コ及びピ
リジン2mlを仕込んだ溶液に、上記の反応で得た酸ク
ロライrのベンゼン溶液(べ/イン10 Preで溶か
したもの)を室温で滴下した。その後、室温で2時間、
還流温度(80〜85℃)で2時間熟成させた後、冷却
した。反応生成物を水100rnAK注ぎ、ベンゼン層
を水洗しく100s(x2回)、1%苛性ソーダ水溶液
で洗浄しく5Qm/x1回)、水洗(100:nl×3
回)を順次行った後、無水芒硝で乾燥した。
ベンゼンを留去して得られた残留物を、減圧蒸留すると
3−ヘプチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルが得うれた。
3−ヘプチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルが得うれた。
収量: 5.1 g(64,9%) m、p、(ToN
) 18℃ clp、 (TNr) so℃b、p、
235℃10.2mmHg 実施例7 3−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルと 3−ペンチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルの 等モル混合物を調製した。この混合物は、9〜94℃の
温度範囲でネマチック相を示した。
) 18℃ clp、 (TNr) so℃b、p、
235℃10.2mmHg 実施例7 3−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルと 3−ペンチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニルの 等モル混合物を調製した。この混合物は、9〜94℃の
温度範囲でネマチック相を示した。
実施例8
3−プロピルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニル、 3−A!ンチルシククロタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニル、 3−へブチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニル よシなる等モル混合物を調製した。この混合物は一1〜
87℃の温度範囲でネマチック相を示した。
ニル、 3−A!ンチルシククロタンカルボン酸p−シアノビフ
ェニル、 3−へブチルシクロブタンカルボン酸p−シアノビフェ
ニル よシなる等モル混合物を調製した。この混合物は一1〜
87℃の温度範囲でネマチック相を示した。
Claims (4)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基であり、X
は水素原子であるか又は基 ▲数式、化学式、表等があります▼である) で表わされる1,3−ジ置換シクロブタン化合物。 - (2)cis−3−アルキルシクロブタンカルボン酸又
はそのエステル誘導体である特許請求の範囲第1項記載
の1,3−ジ置換シクロブタン化合物。 - (3)trans−3−アルキルシクロブタンカルボン
酸又はそのエステル誘導体である特許請求の範囲第1項
記載の1,3−ジ置換シクロブタン化合物。 - (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素数1〜8のアルキル基である) で表わされるcis体あるいはtrans体あるいは、
cis、trans体混合の3−アルキルシクロブタン
カルボン酸p−シアノビフエニルエステル誘導体の少な
くとも1種を含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4189886A JPS62201843A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 1,3−ジ置換シクロブタン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4189886A JPS62201843A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 1,3−ジ置換シクロブタン化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62201843A true JPS62201843A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12621104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4189886A Pending JPS62201843A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 1,3−ジ置換シクロブタン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62201843A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988009322A1 (en) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Cyclobutane derivatives |
US5532386A (en) * | 1994-03-07 | 1996-07-02 | Basf Aktiengesellschaft | Catalytic process for eliminating carboxylic ester and acyl groups from organic compounds |
US5545747A (en) * | 1990-08-16 | 1996-08-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Cyclobutanecarboxylic acid derivatives and liquid crystalline compositions containing them |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2155946A (en) * | 1984-03-14 | 1985-10-02 | Secr Defence | Substituted cyclobutanes and their use in liquid crystal materials |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4189886A patent/JPS62201843A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2155946A (en) * | 1984-03-14 | 1985-10-02 | Secr Defence | Substituted cyclobutanes and their use in liquid crystal materials |
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