JPS6219905A - 数ミリボルトのプログラム可能な最小電圧増加を得るための傾斜電圧プログラマ用マイクロプロセツサ - Google Patents
数ミリボルトのプログラム可能な最小電圧増加を得るための傾斜電圧プログラマ用マイクロプロセツサInfo
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- JPS6219905A JPS6219905A JP61121403A JP12140386A JPS6219905A JP S6219905 A JPS6219905 A JP S6219905A JP 61121403 A JP61121403 A JP 61121403A JP 12140386 A JP12140386 A JP 12140386A JP S6219905 A JPS6219905 A JP S6219905A
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06G—ANALOGUE COMPUTERS
- G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
- G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
- G06G7/14—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for addition or subtraction
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1902—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value
- G05D23/1904—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value variable in time
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、数ｍＶの出力信号変化を得るために、商業的
に入手し得る電圧変化プログラマに使用するのに適した
電子装置に関する。
に入手し得る電圧変化プログラマに使用するのに適した
電子装置に関する。
詳述すると、本発明は、１度の１０９分の幾つかのすな
わち１０分の数度の温度変化を得るために、佃斜電圧プ
ログラマ（ジェネレータ）と温度コントローラ間にイン
ターフェースとして挿入されるマイクロプロセッサに関
する。
わち１０分の数度の温度変化を得るために、佃斜電圧プ
ログラマ（ジェネレータ）と温度コントローラ間にイン
ターフェースとして挿入されるマイクロプロセッサに関
する。
一般的に入手し得るプログラマ０１つの制約は、プログ
ラム可能な最小の電圧の増加が、１ｍＶよシ大、一般的
に１０〜２０ｍＶと高いことに起因する。
ラム可能な最小の電圧の増加が、１ｍＶよシ大、一般的
に１０〜２０ｍＶと高いことに起因する。
最小の電圧の増加がそのように高いことは、１０分の数
度の温度制御を有することを必要とする炉において欠点
となる。
度の温度制御を有することを必要とする炉において欠点
となる。
実際に、ある特定の応用においては、１℃以下、例えば
約α１℃まであるいはそれ以下さえの温度変化が必要と
される。
約α１℃まであるいはそれ以下さえの温度変化が必要と
される。
このような温度変化は、約１ｍＶまたはそれ以下°さえ
の傾斜電圧ジェネレータの最小の電圧増加に対応する。
の傾斜電圧ジェネレータの最小の電圧増加に対応する。
一般に使用される電圧プログラマは、例えは、Ｈｏｎ＠
Ｆｗ＠１１ ＤＣＰ ７７０Ｇ である。類似のプａ
／ ９ ｖはｓ Ｌ＠ａｄｓ ａｎｄ Ｎｏｒｔｈｒ
ｕｐ ％ Ｅｕｒｏｔｈｏｎ その他から入手し得る
。
Ｆｗ＠１１ ＤＣＰ ７７０Ｇ である。類似のプａ
／ ９ ｖはｓ Ｌ＠ａｄｓ ａｎｄ Ｎｏｒｔｈｒ
ｕｐ ％ Ｅｕｒｏｔｈｏｎ その他から入手し得る
。
Ｈｏｎ＠ｙｗ＠１１傾斜電圧ジェネレータは次の特性を
有する。すなわち、３つの独立のチャンネルに電圧出力
を有し、９９の温度設定をプログラムでき、９つのプロ
グラムを記憶し得る。９つのプログラムは、予め設定さ
れた初電圧値から最終値へと、長短種々の時間の設定さ
れた期間で中間値を通過するよりに設定値を変化させる
ように勤〈。
有する。すなわち、３つの独立のチャンネルに電圧出力
を有し、９９の温度設定をプログラムでき、９つのプロ
グラムを記憶し得る。９つのプログラムは、予め設定さ
れた初電圧値から最終値へと、長短種々の時間の設定さ
れた期間で中間値を通過するよりに設定値を変化させる
ように勤〈。
約１０〜２０ｍＶの電圧変化を有するこれらのプログラ
マは、最小のプｑグラム可能な温度変化が約１°〜２°
Ｃの間で変わるから上述の欠点を有する。
マは、最小のプｑグラム可能な温度変化が約１°〜２°
Ｃの間で変わるから上述の欠点を有する。
特に、半導体形式の絶対性または金属性単一結晶の成長
においてこのような温度変化を使用すると、多数の格子
欠陥を生ずる。これらの欠陥は、得られる単結晶を、種
々の応用、特にエミッタダイオード、マイクロ波デバイ
ス、レーザ、集積回路のようなエレクトロエックス分野
の応用に不適当なものとする。例えばＧａＰおよびＩｎ
Ｐのような１−４族単結晶は、高いディスロチ−ジョン
密度を有し、またしばしば高い不純物濃度を有する。
においてこのような温度変化を使用すると、多数の格子
欠陥を生ずる。これらの欠陥は、得られる単結晶を、種
々の応用、特にエミッタダイオード、マイクロ波デバイ
ス、レーザ、集積回路のようなエレクトロエックス分野
の応用に不適当なものとする。例えばＧａＰおよびＩｎ
Ｐのような１−４族単結晶は、高いディスロチ−ジョン
密度を有し、またしばしば高い不純物濃度を有する。
上述のＩ−Ｖ族単結晶はまた化学ｍ論的でなくな）、構
造上の均一性が低い。実際に、包含物、微小沈殿物等が
存在する。
造上の均一性が低い。実際に、包含物、微小沈殿物等が
存在する。
これは、単結晶が先駆物質として多結晶全使用すること
によりｅ造される場合重大な欠点となる。
によりｅ造される場合重大な欠点となる。
この場合、単結晶は、多数のディスロケーションおよび
不純物を有することになろう。
不純物を有することになろう。
単結晶の成長において一般的に使用される炉はＣＺ形式
（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｌ ）であり、成長はＬＥＣ技
術を使って行なわれる。
（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｌ ）であり、成長はＬＥＣ技
術を使って行なわれる。
水平のＢｒＩｄｇｍａｎ 形式の炉も使用できる。
遭遇する他の欠点は、汚染不純物の濃度と関連して高蕃
度の欠陥が生ずることである。これは、これらの不純物
が、一般に、単一結晶の成長および冷却中格子欠陥の形
成に関与するからである。
度の欠陥が生ずることである。これは、これらの不純物
が、一般に、単一結晶の成長および冷却中格子欠陥の形
成に関与するからである。
それゆえ、得られる単一結晶が高度の完全性と純度を示
すよりに、約１ｍＶまだはそれ以下の電圧変化をプログ
ラムすることができる特別のプログラマの必要性が感じ
られた。実際に、成長サイクルのある槙の段階において
は、上述の高度の特質を有する単一の結晶金得るために
、約ｃＬ１度またはそれ以下さえの温度変化を有する必
要があろう。
すよりに、約１ｍＶまだはそれ以下の電圧変化をプログ
ラムすることができる特別のプログラマの必要性が感じ
られた。実際に、成長サイクルのある槙の段階において
は、上述の高度の特質を有する単一の結晶金得るために
、約ｃＬ１度またはそれ以下さえの温度変化を有する必
要があろう。
予期に反することであるが、特別の電子装置を使用する
と、商業的に入手し得るプログラマを採用して１ｍＶま
たはそれ以下の値さえまでの出力電圧変化を得ることが
できることが分った。
と、商業的に入手し得るプログラマを採用して１ｍＶま
たはそれ以下の値さえまでの出力電圧変化を得ることが
できることが分った。
それゆえ、本発明の目的は、最小値および最大仏間で変
化し得かつ１ｍｖよシ大きい最小値で増大し得る２つの
出力電力（ｖ２およびＶｓ ）チャンネルＣＨ２および
ＣＨ５を備える傾斜ＥＥＥジェネレータと、温度コント
ｏ−９との間にインター７エスとして挿入されるマイク
ロプロセッサであって、３つの入力１１圧ＶＩ ＳＶ２
、ｖ３と（Ｖｚおよびｖ３はプログラマＯ出力電圧で
あ’）、Ｖｌは以下に説明されるように挿入される負電
圧である）、次の式すなわち ■２ Ｖｏｕｔ ＝Ｖ３ ＋ ＋Ｖ１ （１）こ＼
に、ｙは追って説明される減衰ファクタである、によっ
て定められ１ に等しいかそれより小さい最小電圧増加
値をもつ出力電圧を有する加算増幅器を備えるマイクロ
プロセッサを提供するものである。しかして、前記の電
圧Ｖｏｕｔは、ジェネレータのチャンネ／Ｉ／Ｃ）（２
から得られる最小出力電圧変化ｔチャンネルＣＨ２の前
記最小電圧変化に等しいかそれより大きい減衰ファクタ
ｙにより圧縮し、ジェネレータのチャンネルＣＨ５から
供給される不変化のま−の出力電圧をチャンネルＣＨ２
の圧縮された電圧に加算し、チャンネルＣＨ２の最大出
力値に等しい電圧をチャンネルＣＨ２の総出力から減算
することによりｈることかできる。
化し得かつ１ｍｖよシ大きい最小値で増大し得る２つの
出力電力（ｖ２およびＶｓ ）チャンネルＣＨ２および
ＣＨ５を備える傾斜ＥＥＥジェネレータと、温度コント
ｏ−９との間にインター７エスとして挿入されるマイク
ロプロセッサであって、３つの入力１１圧ＶＩ ＳＶ２
、ｖ３と（Ｖｚおよびｖ３はプログラマＯ出力電圧で
あ’）、Ｖｌは以下に説明されるように挿入される負電
圧である）、次の式すなわち ■２ Ｖｏｕｔ ＝Ｖ３ ＋ ＋Ｖ１ （１）こ＼
に、ｙは追って説明される減衰ファクタである、によっ
て定められ１ に等しいかそれより小さい最小電圧増加
値をもつ出力電圧を有する加算増幅器を備えるマイクロ
プロセッサを提供するものである。しかして、前記の電
圧Ｖｏｕｔは、ジェネレータのチャンネ／Ｉ／Ｃ）（２
から得られる最小出力電圧変化ｔチャンネルＣＨ２の前
記最小電圧変化に等しいかそれより大きい減衰ファクタ
ｙにより圧縮し、ジェネレータのチャンネルＣＨ５から
供給される不変化のま−の出力電圧をチャンネルＣＨ２
の圧縮された電圧に加算し、チャンネルＣＨ２の最大出
力値に等しい電圧をチャンネルＣＨ２の総出力から減算
することによりｈることかできる。
詳述すると、マイクロプロセッサは、集積回路μＡ７２
５で構成され、第２図の配線囚参照、下式で足輪される
出力電圧ｖｏｕｔを有する加算増幅器金儲える。すなわ
ち、 Ｖｏｕｔ−山＋ム＋立 （２） １７に こ−で、ＸｓＺはｖ３およびＶｌの減衰または増幅値で
あり、値１もとシ、ｙは、つねに、ジェネレータのチャ
ンネルＣＨ２の最小出力電圧変化に等しいかそれより大
きい。Ｎ’ｌ 、ｖｌおよびｖ３の値は下記のように定
められる。
５で構成され、第２図の配線囚参照、下式で足輪される
出力電圧ｖｏｕｔを有する加算増幅器金儲える。すなわ
ち、 Ｖｏｕｔ−山＋ム＋立 （２） １７に こ−で、ＸｓＺはｖ３およびＶｌの減衰または増幅値で
あり、値１もとシ、ｙは、つねに、ジェネレータのチャ
ンネルＣＨ２の最小出力電圧変化に等しいかそれより大
きい。Ｎ’ｌ 、ｖｌおよびｖ３の値は下記のように定
められる。
１）ｖｌはプログラマのＣＨ２からの出力信号および増
＠器の固有の出力信号を完全に補償する出力信号を維持
するに必要なゼナーダイオードにより安定化された負の
電圧であり、この電圧Ｖｔはまた、抵抗Ｒ１およびＲＦ
の逆数の関数としてファクタｚにより減衰または増幅さ
れ得る。
＠器の固有の出力信号を完全に補償する出力信号を維持
するに必要なゼナーダイオードにより安定化された負の
電圧であり、この電圧Ｖｔはまた、抵抗Ｒ１およびＲＦ
の逆数の関数としてファクタｚにより減衰または増幅さ
れ得る。
２）■２はプログラマによりチャンネルＣＨ２に供給さ
れる出力電圧であり、最小値および最大値間で可変であ
り、最小の増加は１ｍＶよシ大きい。
れる出力電圧であり、最小値および最大値間で可変であ
り、最小の増加は１ｍＶよシ大きい。
この電圧ｖ２は、抵抗Ｒ２およびＲＦ の逆数の関数と
してファクタｙにより減衰され、最小増加値は、ｖｌの
変化範囲の減衰された極値間にあシ、１ｍＶに等しいか
それよ）小さい。
してファクタｙにより減衰され、最小増加値は、ｖｌの
変化範囲の減衰された極値間にあシ、１ｍＶに等しいか
それよ）小さい。
３）Ｖｓはプログラマの第５のチャンネルＣＨ３の出力
電圧であり、最小および最大値間で可変であり、最小の
増加は１ｍＶより大きい。この電圧ｖ３は、Ｒ３および
ＲＦ間の逆数の関数としてファクタＸにより減衰または
増幅される。値Ｖ！および■３は、適当に増幅または減
衰され、あるいは不変化のま−とされ、ｖｌは、つねに
、Ｘｚ７−、ｚが１ｍＶに等しいかそれよりも小さい最
小値を有す葛ｏｕｔをもたらすような条件で減衰される
。
電圧であり、最小および最大値間で可変であり、最小の
増加は１ｍＶより大きい。この電圧ｖ３は、Ｒ３および
ＲＦ間の逆数の関数としてファクタＸにより減衰または
増幅される。値Ｖ！および■３は、適当に増幅または減
衰され、あるいは不変化のま−とされ、ｖｌは、つねに
、Ｘｚ７−、ｚが１ｍＶに等しいかそれよりも小さい最
小値を有す葛ｏｕｔをもたらすような条件で減衰される
。
１ ｍＶに等しい増加ｉｔ−有する出力電圧を得るため
に、上述のｖ、 、Ｖ２ 、Ｖ３により仮定され得る値
を例示するため、ＣＺＡＤＬ Ｆ ＨＰＣＺ型ならびに
Ｈｏｎａｙｗ＠１１ ＤＣ７７００型プログラマおよび
ＣＡＴシリーズ８０の温度コントローラを用いて単結晶
の成長および合成を行なり際のインターフェースの特定
の応用を１例として挙げる。
に、上述のｖ、 、Ｖ２ 、Ｖ３により仮定され得る値
を例示するため、ＣＺＡＤＬ Ｆ ＨＰＣＺ型ならびに
Ｈｏｎａｙｗ＠１１ ＤＣ７７００型プログラマおよび
ＣＡＴシリーズ８０の温度コントローラを用いて単結晶
の成長および合成を行なり際のインターフェースの特定
の応用を１例として挙げる。
この特定の例の場合、加算増幅器の入力電圧の値は下記
のごとくである。
のごとくである。
１） Ｖｔ＝以下の２）項に特定されるプログラマの
ＣＨｚにより提供される５００ｍＶの信号および増幅器
の固有の出力信号を完全に補償する出力信号を維持する
に必要なゼナーダイオードによ多安定化された一５００
ｍＶ、ｒｌＬ圧に対する増幅器利得は、抵抗Ｒ１＝Ｒ，
（Ｚ＝１）であるから単位である。
ＣＨｚにより提供される５００ｍＶの信号および増幅器
の固有の出力信号を完全に補償する出力信号を維持する
に必要なゼナーダイオードによ多安定化された一５００
ｍＶ、ｒｌＬ圧に対する増幅器利得は、抵抗Ｒ１＝Ｒ，
（Ｚ＝１）であるから単位である。
２）プログラマによりチャンネルＣＨ２に供給されるｖ
２出力電圧は、１Ｖ〜５Ｖ間で可変であり、１０ｍｖの
最小増加値をもつ。Ｒ２−＝ＲＦ・１ｏであるから、こ
の電圧はファクタ１０（ｙ＝１０）で増幅器により減衰
され、１００ｍｖおよび５００ ｍＶ間の出力電圧変化
に寄与し、そしてこの際の最小増加値は１ ｍＶである
。
２出力電圧は、１Ｖ〜５Ｖ間で可変であり、１０ｍｖの
最小増加値をもつ。Ｒ２−＝ＲＦ・１ｏであるから、こ
の電圧はファクタ１０（ｙ＝１０）で増幅器により減衰
され、１００ｍｖおよび５００ ｍＶ間の出力電圧変化
に寄与し、そしてこの際の最小増加値は１ ｍＶである
。
３）プ′ログラマの第３のチャンネルＣＨ３のｖ３出力
電圧は、１Ｖおよび５Ｖ間で可変であり、最小増加値は
１０ ｍＶである。Ｒｓ＝ＲＦであるから、増幅利得は
単位（、＝１）である。
電圧は、１Ｖおよび５Ｖ間で可変であり、最小増加値は
１０ ｍＶである。Ｒｓ＝ＲＦであるから、増幅利得は
単位（、＝１）である。
特に、プログラマのチャンネルＣＨ２の出力が５Ｖに固
定されていると、Ｖｌおよびｖｌの出力への総寄与度は
０である。このようにすれば、０〜−４００ ｍＶ間で
可変であり、１ｍＶの減小値を有する出力電圧を得るこ
とができる。この方法は、単結晶の成長相に理想的であ
ることが分る。何故ならば、このようにすると、炉に、
約α１°Ｃ〜４０℃の範囲において約ＬＬ１℃さえもの
最小変化で制御された温度降下を採用することができる
からである。
定されていると、Ｖｌおよびｖｌの出力への総寄与度は
０である。このようにすれば、０〜−４００ ｍＶ間で
可変であり、１ｍＶの減小値を有する出力電圧を得るこ
とができる。この方法は、単結晶の成長相に理想的であ
ることが分る。何故ならば、このようにすると、炉に、
約α１°Ｃ〜４０℃の範囲において約ＬＬ１℃さえもの
最小変化で制御された温度降下を採用することができる
からである。
チャンネルＣＨ５上の電圧プログラミングは、１０ｍＶ
よシ大きい最小増加値が必要とされるすべての全処理相
において使用される。
よシ大きい最小増加値が必要とされるすべての全処理相
において使用される。
例えば、これはＬＥＣ技術で得られる半導体の場合、元
素から出発して多結晶を合成する段階で遭遇する。
素から出発して多結晶を合成する段階で遭遇する。
実際に、この特定の例において、インターフェースは次
の機能を遂行する。
の機能を遂行する。
０チャンネル２ （ＣＨ２）の最小出力電圧変化を１０
倍圧縮しく１０によ多分割）、１ｍＶの値にもたらす。
倍圧縮しく１０によ多分割）、１ｍＶの値にもたらす。
Ｏチャンネル５ （ＣＨ３）の出力電圧（無変化）をチ
ャンネル２の圧縮電圧に加える。
ャンネル２の圧縮電圧に加える。
０チャンネル２の総出力から５００ｍＶを減じて、α１
〜（Ｌ５Ｖで動作しているＣＨ２に負の電圧値を設定し
、ＣＨ２の動作範囲を０〜−α４ｖにする。
〜（Ｌ５Ｖで動作しているＣＨ２に負の電圧値を設定し
、ＣＨ２の動作範囲を０〜−α４ｖにする。
実際に、この特定の例において、インターフェースは２
つのプログラマチャンネルを温度コントローラに接続し
、そして総出力電圧は下式により制御される。すなわち
、 Ｖｏｕｔ−’！／３ ＋Ｖｚ ／１０−５００ （
２）こ＼で、Ｖｏｕｔ は加算増幅器からの総出力電
圧であり、ｖ２および■３はプログラマのチャンネル２
および３の出力電圧である。
つのプログラマチャンネルを温度コントローラに接続し
、そして総出力電圧は下式により制御される。すなわち
、 Ｖｏｕｔ−’！／３ ＋Ｖｚ ／１０−５００ （
２）こ＼で、Ｖｏｕｔ は加算増幅器からの総出力電
圧であり、ｖ２および■３はプログラマのチャンネル２
および３の出力電圧である。
上述の特定の例においてインターフェーストシて使用さ
れるマイクロプロセッサは、第２図に示される配線図に
詳細に示されている。
れるマイクロプロセッサは、第２図に示される配線図に
詳細に示されている。
Ｃ１４１、ＣＨ２、ＣＨ３は、使用される商業的に入手
されるプログラマの出力チャンネルである。
されるプログラマの出力チャンネルである。
Ｒｔ ｓ Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＲＢｌＲＦ は抵
抗である。Ｃ％Ｃ２は抵抗である。
抗である。Ｃ％Ｃ２は抵抗である。
Ｐ＋ 、Ｐ２ 、Ｐ３ は可変抵抗（ポテンショメー
タ）であり、最大値が示されている。
タ）であり、最大値が示されている。
ＩＣ１は加算増幅器である。
ＩＣ２は集積回路であり、ゼナーダイオードと抵抗を含
んでいる。
んでいる。
上に考慮された特定の例に対して稙々の量の大きさは以
下の如くである。
下の如くである。
Ｒ＋ −Ｒｓ ＝ＲＦ＝ １０ ＫΩ、Ｒ２−＝１ｏｏ
ｘΩ、ＲＥ＝ｉ９にΩ、Ｒ，＝１０Ω、Ｒｓ＝５９Ω、
Ｐｓ ＝Ｐｘ ＝５０ ＤΩ、ｐ１＝１０にΩ、Ｒ６＝
１２にΩ、Ｃ！電α ０５μＦ１Ｃ２−１０２μＦ 加算増幅器ＩＣＩとしては、集積回路μＡ７２５が使用
されている。
ｘΩ、ＲＥ＝ｉ９にΩ、Ｒ，＝１０Ω、Ｒｓ＝５９Ω、
Ｐｓ ＝Ｐｘ ＝５０ ＤΩ、ｐ１＝１０にΩ、Ｒ６＝
１２にΩ、Ｃ！電α ０５μＦ１Ｃ２−１０２μＦ 加算増幅器ＩＣＩとしては、集積回路μＡ７２５が使用
されている。
第１図は、プログラマおよび温度コントローラ間のイン
ターフェースのブロック図を例示するものであり、この
図において、インターフェースは、プログラマのチャン
ネルＣＨ５になんら作用を及はしておらず、他方、チャ
ンネルＣＨ２には作用を及ぼしておシ、その電圧がファ
クタｙ＝１０で分割され、そしてチャンネルＣＲ２上に
は、−５００ｍＶｏ固定の信号が印加されることを、上
述の特定の例七参照して強調しておく。
ターフェースのブロック図を例示するものであり、この
図において、インターフェースは、プログラマのチャン
ネルＣＨ５になんら作用を及はしておらず、他方、チャ
ンネルＣＨ２には作用を及ぼしておシ、その電圧がファ
クタｙ＝１０で分割され、そしてチャンネルＣＲ２上に
は、−５００ｍＶｏ固定の信号が印加されることを、上
述の特定の例七参照して強調しておく。
第１図において、プログラマは１により指示され、イン
ターフェースは２で指示され、そして温度コントローラ
は３で指示されている。
ターフェースは２で指示され、そして温度コントローラ
は３で指示されている。
当技術に精通したものであれば、上述の特定のデータに
基づいて、℃王位ｖ１およびＶ！を減衰または増幅し、
■２の減衰を、チャンネルＣＨ２上のプログラマからの
最小出力増大値の関数として決定して、１ ｍＶに等し
いかそれより小さいＶｏｕｔの増加値を異なる応用の必
要条件に応じて任意得ることができることを理解された
い。
基づいて、℃王位ｖ１およびＶ！を減衰または増幅し、
■２の減衰を、チャンネルＣＨ２上のプログラマからの
最小出力増大値の関数として決定して、１ ｍＶに等し
いかそれより小さいＶｏｕｔの増加値を異なる応用の必
要条件に応じて任意得ることができることを理解された
い。
以下に、本発明の実施例を例示する。これは本発明を限
定するものではない。
定するものではない。
〔実施例１〕
ＣＺ ＡＤＬ形式の炉、ＨＰＣＺ型金使用して、商業的
に入手し得る５ｏｏｙの多結晶を採用して１１００℃で
溶融した。プログラマ自体とＣＡＴシリーズ８０の温度
コントローラ間に本発明のマイクロプロセッサを挿入し
た後、Ｈｏｎｅｗｅｌｌ ＤＣＰ ７７０ 型プログ
ラマに電圧変化を生じさせた。こ＼で、このマイクロプ
ロセッサの諸量の値は、上述の特定の例について上述し
た値でちる。
に入手し得る５ｏｏｙの多結晶を採用して１１００℃で
溶融した。プログラマ自体とＣＡＴシリーズ８０の温度
コントローラ間に本発明のマイクロプロセッサを挿入し
た後、Ｈｏｎｅｗｅｌｌ ＤＣＰ ７７０ 型プログ
ラマに電圧変化を生じさせた。こ＼で、このマイクロプ
ロセッサの諸量の値は、上述の特定の例について上述し
た値でちる。
１ｍＶの出力電圧変化の場合、約α１°Ｃの対応する溶
融温度変化が生じた。この温度は、白金／白金〜ロジウ
ム形式（１３％）の高温度用の精密サーモカップルを使
用して測定した。
融温度変化が生じた。この温度は、白金／白金〜ロジウ
ム形式（１３％）の高温度用の精密サーモカップルを使
用して測定した。
〔比較例１〕
実施例を、同じ条件を使用し、本発明のマイクロプロセ
ッサを使用することなく反復した。出力電圧値の１０ｍ
Ｖの最小の増加に対応して、１℃の最小の温度変化が観
察された。
ッサを使用することなく反復した。出力電圧値の１０ｍ
Ｖの最小の増加に対応して、１℃の最小の温度変化が観
察された。
第１図はプログラマおよび温度コントローラ間に挿入さ
れた本発明のインターフェースすなわちマイクロプロセ
ッサのブロック図、第２図は本発明のマイクロプロセッ
サの１実施例の電子回路図である。 １：傾斜電圧プログラマ（ジェネレータ）２：マイクロ
プロセッサ ３：温度コントローラ ＣＨｌ、ＣＨ２、ＣＨ３：プログラマの出力チャンネル
Σ：加算増幅器 、頁の続き 邑 明 者 ペナト・マグカニニ イタリア国しツ
ジオ・ユツテイ、鑓 邑 明 者 カル口・パオリチ イタリア国パルマ
、ビア邑 明 者 ルチオ・ツアノツテイ イタリ
ア国パルマ、ビア当明者 ジオバンニ・ツツカル
イタリア国パルマ、ビア、ミリア、ルツツアラ、ビア
・イア °・ツアロットー、３６ ・シルビオ・ペルリコ、８ □・パウル口、３ 手続浦正；外（方式） 昭和６１年８月 ８［］ ’Ｉ”’Ｉ”＋ｉ’１庁長官黒田明雄殿事叶の表示 昭
和６１年 特願第１２１４０５ 号発明の名称 数ミ
リボルトのプ田グラム可能な最小電圧増加を得るための
傾斜電圧プ四グラ！用マイク田プロセッサ 補正をする者
れた本発明のインターフェースすなわちマイクロプロセ
ッサのブロック図、第２図は本発明のマイクロプロセッ
サの１実施例の電子回路図である。 １：傾斜電圧プログラマ（ジェネレータ）２：マイクロ
プロセッサ ３：温度コントローラ ＣＨｌ、ＣＨ２、ＣＨ３：プログラマの出力チャンネル
Σ：加算増幅器 、頁の続き 邑 明 者 ペナト・マグカニニ イタリア国しツ
ジオ・ユツテイ、鑓 邑 明 者 カル口・パオリチ イタリア国パルマ
、ビア邑 明 者 ルチオ・ツアノツテイ イタリ
ア国パルマ、ビア当明者 ジオバンニ・ツツカル
イタリア国パルマ、ビア、ミリア、ルツツアラ、ビア
・イア °・ツアロットー、３６ ・シルビオ・ペルリコ、８ □・パウル口、３ 手続浦正；外（方式） 昭和６１年８月 ８［］ ’Ｉ”’Ｉ”＋ｉ’１庁長官黒田明雄殿事叶の表示 昭
和６１年 特願第１２１４０５ 号発明の名称 数ミ
リボルトのプ田グラム可能な最小電圧増加を得るための
傾斜電圧プ四グラ！用マイク田プロセッサ 補正をする者
Claims (3)
- （１）最小値および最大値間で変化し得、１ｍＶより大
きい最小値で増加し得る出力電圧Ｖ＿２およびＶ＿３の
２つのチャンネルＣＨ２およびＣＨ３を有する傾斜電圧
プログラマと温度コントローラとの間にインターフェー
スとして挿入されるマイクロプロセッサにおいて、５つ
の入力電圧Ｖ＿１、Ｖ＿２、Ｖ＿３と、こゝでＶ＿２お
よびＶ＿３はプログラマからの出力電圧、Ｖ＿１は以下
に定められる挿入される負電圧である、以下の式、すな
わちＶｏｕｔ＝Ｖ＿３＋Ｖ＿２／ｙ＋Ｖ＿１（１）こゝ
にｙは以下に定義されるごとき減衰ファクタである、な
る式により定められ１ｍＶに等しいかそれより小さい最
小電圧増加をもつ出力電圧Ｖｏｕｔを有する加算増幅器
を備え、前記のＶｏｕｔが、プログラマのチャンネルＣ
Ｈ２からの出力電圧の最小変化を、チャンネルＣＨ２の
前記最小変化に等しいかそれより大きい減衰ファクタｙ
により圧縮し、プログラマのチャンネルＣＨ３からの無
変化のまゝの出力電圧をチャンネルＣＨ２の圧縮された
電圧に加算し、チャンネルＣＨ２の最大出力値に等しい
電圧Ｖ＿１を、チャンネルＣＨ２の総出力から減するこ
とにより得られることを特徴とするマイクロプロセッサ
。 - （２）加算増幅器が集積回路μＡ７２５で構成され、下
記の式、すなわち Ｖｏｕｔ＝Ｖ＿３／ｘ＋Ｖ＿２／ｙ＋Ｖ＿１／ｚ（２）
なる式で定められる出力を有し、 こゝで、ｘおよびｚはＶ＿３およびＶ＿１の増幅または
減衰値であり、１の値もとり、ｙは、つねに、プログラ
マのチャンネルＣＨ２からの出力電圧の最小変化に等し
いかそれより大きく、Ｖ＿１、Ｖ＿２、Ｖ＿３は下記の
ように定められる、すなわち （ａ）Ｖ＿１：プログラマのチャンネルＣＨ２からの出
力信号および増幅器の固有の出力信号を完全に補償する
出力信号を維持するに必要なゼナーダイオードにより安
定化される負電圧であり、抵抗Ｒ＿１およびＲ＿Ｆの逆
数の関数としてファクタｚにより減衰または増幅できる
。 （ｂ）Ｖ＿２：１ｍＶより大金い最小増加値をもつて最
小値および最大値間で変化し得る、プログラマによりチ
ャンネルＣＨ２上に提供される出力電圧であり、抵抗Ｒ
＿２およびＲ＿Ｆの逆数の関数としてファクタｙにより
減衰され、最小増加値は、Ｖ＿２の変化範囲の減衰され
た極値間において１ｍＶに等しいかそれより小さい、 （ｃ）Ｖ＿３：１ｍＶより大きい最小増加値をもつて最
小値および最大値間で変化し得る、プログラマの第３の
チャンネルＣＨ３の出力電圧で、Ｒ＿３およびＲ＿Ｆ間
の逆数の関数としてファクタｚにより減衰または増幅さ
れる、 そして、Ｖ＿１およびＶ＿３は、増幅または減衰され、
あるいは無変化のまゝとされ、Ｖ＿２は、つねに、ｘ、
ｙ、ｚが上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に言及される抵抗
の逆数の組合せの関数として１ｍＶに等しいかそれより
小さい最小増加値を有するＶｏｕｔをもたらすような条
件で減衰されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のマイクロプロセッサ。 - （３）プログラマからの出力チャンネルＣＨ２およびＣ
Ｈ３が、１０ｍＶの最小増加値をもつて電圧を供給し、
Ｖ＿１、Ｖ＿２およびＶ＿３が、１ｍＶの最小増加値を
もつて出力電圧Ｖｏｕｔを得るため、下記の値をとる、
すなわち、 （ａ）Ｖ＿１：以下の（ｂ）項に定められるようなジェ
ネレータのＣＨ２により供給される５００ｍＶ信号およ
び増幅器の固有の出力信号を完全に補償する出力信号を
維持するに必要なゼナーダイオードにより安定化された
−５００ｍＶ、しかしてこの電圧に関する増幅利得は、
抵抗Ｒ＿１＝Ｒ＿Ｆであるから単位である、 （ｂ）１０ｍＶの最小増加値をもつて１Ｖ〜５Ｖ間で変
化し得る、プログラマによりチャンネルＣＨ２上に供給
される出力電圧で、Ｒ＿２＝Ｒ＿Ｆ・１０であるから、
この電圧は、ファクタｙ＝１０で増幅器により減衰され
、１００ｍＶおよび５００ｍＶの間において１ｍＶの最
小増加値での出力電圧変化に寄与する、 （ｃ）１０ｍＶの最小増加値をもつて１Ｖおよび５Ｖ間
で変化し得る、プログラマの第３チャンネルＣＨ３の出
力電圧で、Ｒ＿３＝Ｒ＿Ｆであるから、増幅器利得は単
位（ｘ＝１）である、 ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のマイクロ
プロセッサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8520915A IT1207055B (it) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | Microprocessore per programmatori di rampe di tensioni per ottenere incrementi minimi di tensione programmabile dell'ordine del millivolt. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219905A true JPS6219905A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=11174019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121403A Pending JPS6219905A (ja) | 1985-05-28 | 1986-05-28 | 数ミリボルトのプログラム可能な最小電圧増加を得るための傾斜電圧プログラマ用マイクロプロセツサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023801A (ja) |
| EP (1) | EP0204508B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6219905A (ja) |
| CA (1) | CA1306771C (ja) |
| DE (1) | DE3685995T2 (ja) |
| IT (1) | IT1207055B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10583947B2 (en) | 2011-12-20 | 2020-03-10 | G.D S.P.A. | Method and apparatus for filling capsules with loose material and for their sealing |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475609A (en) * | 1993-03-05 | 1995-12-12 | Square D Company | Load interrupter system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158532A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度検出回路 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3201611A (en) * | 1963-02-18 | 1965-08-17 | Burroughs Corp | Staircase-waveform generator employing two controllable ramp signal generators combined at the output |
| US3311303A (en) * | 1965-09-28 | 1967-03-28 | Gen Electric | Programmer |
| US3493782A (en) * | 1965-10-19 | 1970-02-03 | Beckman Instruments Inc | Discriminator possessing multiple levels of discrimination |
| US3922535A (en) * | 1970-11-12 | 1975-11-25 | Courtaulds Eng Ltd | Process control apparatus for temperature control |
| GB1465191A (en) * | 1974-03-29 | 1977-02-23 | Nat Res Dev | Automatically controlled crystal growth |
| US3970774A (en) * | 1975-03-31 | 1976-07-20 | Rca Corporation | Electronic signal mixer |
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| US4079331A (en) * | 1977-02-09 | 1978-03-14 | Honeywell Inc. | Amplifier system with special feedback circuits |
| SU783749A1 (ru) * | 1979-01-03 | 1980-11-30 | Предприятие П/Я В-2572 | Корректирующее устройство |
| GB2085599B (en) * | 1980-09-30 | 1984-09-19 | Gould Advance Ltd | Automatic drift correction |
| US4414638A (en) * | 1981-04-30 | 1983-11-08 | Dranetz Engineering Laboratories, Inc. | Sampling network analyzer with stored correction of gain errors |
| US4484295A (en) * | 1981-05-26 | 1984-11-20 | General Electric Company | Control circuit and method for varying the output of a waveform generator to gradually or rapidly vary a control signal from an initial value to a desired value |
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| JPS5971501A (ja) * | 1982-10-16 | 1984-04-23 | Yamato Scient Co Ltd | 温度制御方式 |
| JPS59102896A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-14 | Toshiba Corp | 単結晶の形状制御方法 |
| JPS59103174A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Pioneer Electronic Corp | 電圧加算回路 |
| US4644138A (en) * | 1983-04-25 | 1987-02-17 | Corning Glass Works | Temperature control system with simplified controller and power supply |
| JPS59182747U (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-05 | アルプス電気株式会社 | インタ−フエ−ス回路 |
| US4634892A (en) * | 1984-01-16 | 1987-01-06 | National Semiconductor Corporation | Pulse width modulator circuit for switching regulators |
-
1985
- 1985-05-28 IT IT8520915A patent/IT1207055B/it active
-
1986
- 1986-05-28 CA CA000510230A patent/CA1306771C/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-28 EP EP86304065A patent/EP0204508B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-28 DE DE8686304065T patent/DE3685995T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-28 JP JP61121403A patent/JPS6219905A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-15 US US07/323,172 patent/US5023801A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10583947B2 (en) | 2011-12-20 | 2020-03-10 | G.D S.P.A. | Method and apparatus for filling capsules with loose material and for their sealing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1207055B (it) | 1989-05-17 |
| CA1306771C (en) | 1992-08-25 |
| EP0204508A3 (en) | 1988-09-21 |
| EP0204508A2 (en) | 1986-12-10 |
| DE3685995T2 (de) | 1993-03-04 |
| EP0204508B1 (en) | 1992-07-15 |
| US5023801A (en) | 1991-06-11 |
| IT8520915A0 (it) | 1985-05-28 |
| DE3685995D1 (de) | 1992-08-20 |
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