JPS62195743A - Production of photomagnetic disk - Google Patents
Production of photomagnetic diskInfo
- Publication number
- JPS62195743A JPS62195743A JP61036756A JP3675686A JPS62195743A JP S62195743 A JPS62195743 A JP S62195743A JP 61036756 A JP61036756 A JP 61036756A JP 3675686 A JP3675686 A JP 3675686A JP S62195743 A JPS62195743 A JP S62195743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- protective film
- earth metal
- nitride
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 48
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、光磁気記録媒体を記録層として用いた光磁気
ディスクの製造方法において、上記記録層の酸化や腐食
による劣化を防止するために、窒化物と希土類金属とを
同時に成膜して上記記録層の表面に保護膜を形成するよ
うにしたものである。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention provides a method for manufacturing a magneto-optical disk using a magneto-optical recording medium as a recording layer, in which a nitride is used to prevent deterioration of the recording layer due to oxidation or corrosion. A protective film is formed on the surface of the recording layer by simultaneously forming a film of a rare earth metal and a rare earth metal.
本発明は、光磁気記録媒体を記録層に用いた書き換え可
能な光磁気ディスクに関する。The present invention relates to a rewritable magneto-optical disk using a magneto-optical recording medium as a recording layer.
光磁気記録方式が実現されるとファイルメモリとしての
機能はより一層拡大されるものであるが、上記方式の実
用化には、まだ長期安定性の確保という大きな課題があ
り、これを避けてｊｍることはできない。このような課
題が生じたのは、記録層を構成している希土類金属が非
常に酸化活性であり、そのため記録層が早く劣化し易い
という問題があるからである。従って、上記課題である
長期安定性を実現するためには、記録層の劣化を防止す
るための効果的な保護膜の選択が不可欠となってくる。Once the magneto-optical recording method is realized, its functionality as a file memory will be further expanded, but the practical application of the above method still faces the major issue of ensuring long-term stability. I can't. This problem has arisen because the rare earth metals constituting the recording layer are highly oxidatively active, and as a result, the recording layer tends to deteriorate quickly. Therefore, in order to achieve the above-mentioned problem of long-term stability, it is essential to select an effective protective film to prevent deterioration of the recording layer.
従来から用いられている一般的な光磁気ディスクの概略
構成を第５図に示す。これは、例えばプラスチック製の
透明な基板１上に、順に保護膜２、記録層３、保護膜４
を真空蒸着等で形成したものである。なお、記録層３と
しては、希土類金属と遷移金属との非晶質（アモルファ
ス）合金からなる光磁気記録媒体を用いている。FIG. 5 shows a schematic configuration of a conventionally used general magneto-optical disk. For example, a protective film 2, a recording layer 3, and a protective film 4 are formed on a transparent substrate 1 made of plastic.
is formed by vacuum evaporation or the like. Note that as the recording layer 3, a magneto-optical recording medium made of an amorphous alloy of a rare earth metal and a transition metal is used.
同図に明らかなように、記録層３は２つの保護膜２．４
によって上下から挟まれ、これら保護膜２．４の作用に
より、空気中の酸素や水分、更には基板１等からの活性
な成分が遮断され、酸化や腐食による劣化が防止される
ようになっている。As is clear from the figure, the recording layer 3 has two protective films 2 and 4.
These protective films 2.4 block out oxygen and moisture in the air, as well as active components from the substrate 1, etc., and prevent deterioration due to oxidation and corrosion. There is.
そのため、保護膜２．４には欠陥やピンポールのないこ
とが要求され、更にはこれ以前に、記録層３に含まれる
希土類金属との間に酸化反応を起こさないことも要求さ
れる。Therefore, the protective film 2.4 is required to be free of defects and pin-poles, and furthermore, it is also required that no oxidation reaction occurs with the rare earth metal contained in the recording layer 3.
一方、上記光磁気ディスクは、基板１から入射したレー
ザ光りによって記録層３に記録され、また反射光によっ
て再生されるので、保護膜２は特に透明でなければなら
ず、そのため従来から透明な酸化物、フッ化物、硫化物
もしくは窒化物が用いられている。On the other hand, in the magneto-optical disk, since the recording layer 3 is recorded by laser light incident from the substrate 1 and reproduced by reflected light, the protective film 2 must be particularly transparent. substances, fluorides, sulfides or nitrides are used.
従来の光磁気ディスクでは、透明な保護膜として、上述
したように酸化物、フッ化物、硫化物、窒化物が用いら
れているが、記録層に含まれている希土類金属は酸素、
フッ素、硫黄、窒素と反応しやすいという性質を持って
いる。例えば、保護膜として窒化物を用いた場合は、成
膜時に発生した遊離窒素が保護膜中に取り込まれ、この
遊離窒素が記録層中の希土類金属と反応してしまう。そ
のため、記録層の劣化防止の目的で設けた保護膜が逆に
記録層の劣化原因になるという皮肉な問題が生じ、この
問題に関しては従来から解決策が見い出されていない。In conventional magneto-optical disks, as mentioned above, oxides, fluorides, sulfides, and nitrides are used as transparent protective films, but the rare earth metals contained in the recording layer are oxygen,
It has the property of easily reacting with fluorine, sulfur, and nitrogen. For example, when nitride is used as the protective film, free nitrogen generated during film formation is taken into the protective film, and this free nitrogen reacts with the rare earth metal in the recording layer. Therefore, an ironic problem arises in that the protective film provided for the purpose of preventing deterioration of the recording layer actually causes deterioration of the recording layer, and no solution to this problem has been found to date.
しかし、光磁気ディスクの実用化のためには、上記問題
を是非とも解決しなければならない。However, in order to put magneto-optical disks into practical use, the above problems must be solved.
本発明は、−上記従来の問題点に鑑み、記録層に対して
安定な保護膜を持ち、長期安定性の確保できる光磁気デ
ィスクの製造方法を堤供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a magneto-optical disk that has a stable protective film on the recording layer and can ensure long-term stability.
本発明は、上記目的を達成するために、窒化物のみで保
護膜を形成するのではなく、窒化物とともに希土類金属
を同時に成膜することにより保護膜を形成するようにし
たものである。 〜〔作 用〕
希土類金属と窒素との反応性は高い。そこで、窒化物と
希土類金属とを同時に成膜していくと、形成されていく
保護膜中に遊離窒素とともに希土類金属も含まれること
になり、そのため、遊離窒素が希土類金属と結合し、安
定な窒化物となる。In order to achieve the above object, the present invention does not form a protective film using only nitride, but forms a protective film by simultaneously depositing nitride and rare earth metal. ~ [Action] Rare earth metals are highly reactive with nitrogen. Therefore, if a film of nitride and rare earth metal is formed at the same time, the rare earth metal will be included along with free nitrogen in the protective film that is being formed. It becomes nitride.
そのため、保護膜中に遊離窒素が存在しなくなり、記録
層中の希土類金属が上記遊離窒素と反応することがなく
なる。この結果、透明性を損うことがなく、かつ記録層
に対して反応性の極めて低い保護膜を得ることができる
。Therefore, free nitrogen no longer exists in the protective film, and the rare earth metal in the recording layer does not react with the free nitrogen. As a result, it is possible to obtain a protective film that does not impair transparency and has extremely low reactivity with respect to the recording layer.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例に係る保護膜の作成方法を
示す概略図である。同図において、まずガラス等ででき
た透明な基板１１を用意する。次に、窒化物（例えばＳ
ｉ、Ｎ、）もしくは、その窒化物を構成する金属ででき
たターゲット１２を、上記基板１１の下方に所定距離を
持たせて配置し、そのターゲット１２上に希土類金属（
例えばＴ、）の複数個のチップ１３を所定の面積比で並
べて、いわゆる複合ターゲットを構成する。そして、窒
素プラズマ１４中でスパッタリングによる成膜を行い、
基板１１」二に保８Ｗ膜１５を形成する。FIG. 1 is a schematic diagram showing a method for creating a protective film according to an embodiment of the present invention. In the figure, first, a transparent substrate 11 made of glass or the like is prepared. Next, a nitride (e.g. S
A target 12 made of a rare earth metal (i, N,) or a metal constituting its nitride is placed below the substrate 11 at a predetermined distance, and a rare earth metal (
For example, a plurality of chips 13 (T, ) are arranged in a predetermined area ratio to constitute a so-called composite target. Then, film formation is performed by sputtering in nitrogen plasma 14,
An 8W film 15 is formed on the substrate 11'.
なお、ここで」−記保護膜１５の形成過程について具体
的に述べる。第１図の構成においてスパッタリングを開
始すると、まずターゲット１２から基板１１に向かって
窒化物がとんでいく。それと同時に、チップ１３からも
基板１１に向かって希土類金属がとんでいく。すると、
上記窒化物と希土類金属の混合層が基板１１ ｈに形成
され、この混合層が保８Ｗ膜１５となる。この際、保護
膜１５中に、窒化物から分離した遊離窒素が一時存在す
ることになるが、−ト述したようにして同時にスパッタ
された希土類金属が上記遊離窒素と結合することにより
、その後は安定な窒化物として存在するようになる。Here, the process of forming the protective film 15 will be specifically described. When sputtering is started in the configuration shown in FIG. 1, nitride first flies from the target 12 toward the substrate 11. At the same time, the rare earth metal also flies from the chip 13 toward the substrate 11. Then,
A mixed layer of the nitride and rare earth metal is formed on the substrate 11h, and this mixed layer becomes the 8W film 15. At this time, free nitrogen separated from the nitride temporarily exists in the protective film 15, but as mentioned above, the rare earth metal sputtered at the same time combines with the free nitrogen, so that Comes to exist as a stable nitride.
上記のようにして、遊離窒素の含まない安定な保護膜１
５を作成したら、次に例えばＴ、Ｆ、Ｃ。As described above, a stable protective film 1 that does not contain free nitrogen
After creating 5, next, for example, T, F, C.
等の非晶質合金からなる光磁気記録媒体でできた記録Ｎ
（不図示）を、スパッタリング等で上記保護膜１５上に
形成する。そして最後に、第１図に示した方法と同様な
方法により、上記記録層上に更に保護膜を形成すること
により、光磁気ディスクを完成する。この際も、保護膜
作成中に発生した遊離窒素は、同時にスパッタされた希
土類金属と結合して、安定な窒化物になる。Recording N made of a magneto-optical recording medium made of an amorphous alloy such as
(not shown) is formed on the protective film 15 by sputtering or the like. Finally, a protective film is further formed on the recording layer by a method similar to that shown in FIG. 1 to complete the magneto-optical disk. At this time as well, free nitrogen generated during the formation of the protective film combines with the rare earth metal sputtered at the same time to form a stable nitride.
従って、上記記録層は安定した２つの保護膜によって両
面が覆われることになり、記録層中の希土類金属が保護
膜中の遊離窒素と反応することもなくなる。Therefore, both sides of the recording layer are covered with two stable protective films, and the rare earth metal in the recording layer does not react with free nitrogen in the protective film.
次に、本発明の他の実施例に係る保護膜の作成法を第２
図に示す。同図においては、２つの別々のターゲット２
１．２２を用意したもので、一方のターゲット２１は窒
化物（例えば５ｉ３Ｎ４）もしくはその窒化物を構成す
る金属でできており、もう一方のターゲット２２は希土
類金属（例えばＴ、）でできている。そこで、窒素プラ
ズマ２３中で上記２つのターゲット２１．２３を同時に
スパッタすることにより、基板１１−トに上記窒化物と
希土類金属との混合層である保護膜２４を形成する。次
に、その上に記録層を形成し、更にその記録層上に第２
図と同様にして保護膜を形成する。Next, a second method of creating a protective film according to another embodiment of the present invention will be described.
As shown in the figure. In the figure, two separate targets 2
1.22 is prepared, one target 21 is made of a nitride (for example, 5i3N4) or a metal that constitutes the nitride, and the other target 22 is made of a rare earth metal (for example, T). . Therefore, by simultaneously sputtering the two targets 21 and 23 in the nitrogen plasma 23, the protective film 24, which is a mixed layer of the nitride and rare earth metal, is formed on the substrate 11-. Next, a recording layer is formed thereon, and a second layer is further formed on the recording layer.
A protective film is formed in the same manner as shown in the figure.
このときも、第１図に示した実施例と同様に保護膜中に
おいては、上記希土類金属が不安定な遊離窒素を捕えて
、安定な窒化物として存在することになる。従って、記
録層は、安定した保護膜によって効果的に保護されるこ
とになる。In this case, as in the embodiment shown in FIG. 1, the rare earth metal captures unstable free nitrogen and exists as a stable nitride in the protective film. Therefore, the recording layer is effectively protected by a stable protective film.
そこで、次に、第１図に示した実施例によって作成され
た保護膜の効果を確認するための実験を行った。ここで
はまず、基板１１としてガラス、ターゲット１２として
Ｓｉ、Ｎ、、チップ１３としてＴ、を用い、第３図（８
１に示すような試料（以下、試料■とする）を作成した
。すなわち、窒素圧１×１Ｏ−ＩｐＨ（バンクグラウン
ド３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ）、スパッタパワー６００
Ｗ、成膜速度１ｎｍ／ｍｉｎで、基板ｌｌ上に膜厚１１
００ｎの保護膜１５を形成し、次にこの上にＴｂＦ、Ｃ
，の記録層１６を形成し、更に、その上に上記と同様の
条件で保護膜１７を形成したものである。なお、上記記
録層１６の層厚は１１００ｎ、保磁力Ｈｃは７〜８ＫＯ
，、カー回転角は０．３５ｄｅｇである。Therefore, next, an experiment was conducted to confirm the effect of the protective film produced according to the example shown in FIG. Here, first, glass is used as the substrate 11, Si and N is used as the target 12, and T is used as the chip 13.
A sample as shown in 1 (hereinafter referred to as sample ①) was prepared. That is, nitrogen pressure 1 × 1 O-IpH (bank ground 3 × 10-' Torr), sputter power 600
W, film thickness 11 on substrate 11 at a deposition rate of 1 nm/min.
A protective film 15 of 00n is formed, and then TbF, C
, and a protective film 17 was further formed thereon under the same conditions as above. The recording layer 16 has a thickness of 1100 nm and a coercive force Hc of 7 to 8 KO.
,, Kerr rotation angle is 0.35 deg.
実験は、まず上記試料ｌに対して１５０℃の高温空気中
で加熱試験を行い、記録層１６の保磁力Ｈｃの時間変化
を追跡した。その実験結果を第３図（ｂｌに示す。なお
、同図において、曲線Ｉ３、Ｉｂ、Ｉ、は、試料■を作
成する際に、上記ターゲット１２に対するチップ１３の
面積比をそれぞれ０，０．０５．０．２としたものであ
る。すると同図に明らかなように、チップ１３の面積（
すなわち希土類金属であるＴ、の量）が増加するに従っ
て、保磁力ＨＣが安定していき、面積比が０．２（試料
Ｉｃ）になると、保磁力Ｈｃの増加はほとんど見られな
い。これは、保磁力の増加は、記録層１６中のＴｂが保
護膜１５．１７中の遊離窒素と選択的に反応し、記録層
１６中のＴ、の含有量が見かけ上減少するためであるが
、試料■。では上記遊離窒素が前述したようにして窒化
物に変わるため、記録層１６中のＴ、とは反応しなくな
るからである。In the experiment, first, a heating test was conducted on the sample 1 in air at a high temperature of 150° C., and changes over time in the coercive force Hc of the recording layer 16 were tracked. The experimental results are shown in FIG. 3 (bl). In the same figure, curves I3, Ib, and I indicate that the area ratio of the chip 13 to the target 12 was 0, 0, respectively when preparing the sample (2). 05.0.2.Then, as is clear from the figure, the area of the chip 13 (
In other words, as the amount of rare earth metal (T) increases, the coercive force HC becomes stable, and when the area ratio reaches 0.2 (sample Ic), almost no increase in the coercive force Hc is observed. This is because the coercive force increases because Tb in the recording layer 16 selectively reacts with free nitrogen in the protective film 15.17, and the content of T in the recording layer 16 apparently decreases. However, sample ■. This is because the free nitrogen changes to nitride as described above, and therefore does not react with T in the recording layer 16.
次に、他の実験として、上記試料■と同様な構成を有す
る実際の光磁気ディスク（以下、試料■とする）を作成
し、この試料Ｈについて、１２０℃および９０％Ｒｆ（
の環境に放置した際の記録・再生感度（Ｃ／Ｎ比）の時
間変化を追跡した。なお、試料■の構成は、第４図（８
）に示すよう番こ試料■とほぼ同様であるが、ただ試料
■では、実際のトラッキングを行うための案内＊１１ａ
が、紫外線硬化型の樹脂等を用いて基板１１上に形成さ
れている。第４図（ｂｌに上記実験結果を示す。同図に
おいて、曲線Ｈａ、ｎｂ、Ｉｒｃは、試料■を作成する
際に、第３図（ｂｌと同様に前記面積比をそれぞれＯｌ
ｏ、０５．０．２としたものである。すると同図に明ら
かなように、面積比が増加するに従って記録・再生感度
（Ｃ／Ｎ比）の減少がなくなり、面積比が０．２（試料
Ｔｌｃ）になると、上記感度の減少はほとんど見られず
、保護膜１５．１７が長期安定した保護効果を奏するこ
とがわかる。Next, as another experiment, we created an actual magneto-optical disk (hereinafter referred to as sample ■) having the same configuration as the above-mentioned sample ■.
We tracked changes in recording/playback sensitivity (C/N ratio) over time when the device was left in the following environment. The composition of sample ■ is shown in Figure 4 (8).
), it is almost the same as the sample ■, but in the sample ■, there is no guide *11a for actual tracking.
is formed on the substrate 11 using an ultraviolet curing resin or the like. The above experimental results are shown in Fig. 4 (bl). In the same figure, the curves Ha, nb, and Irc are similar to Fig. 3 (bl) when the area ratios are
o, 05.0.2. As is clear from the figure, as the area ratio increases, the recording/reproducing sensitivity (C/N ratio) no longer decreases, and when the area ratio reaches 0.2 (sample Tlc), the decrease in sensitivity is almost observable. It can be seen that the protective films 15 and 17 have a long-term stable protective effect.
なお、上記実施例以外に、窒化物としてＡρＮ、ＴｉＮ
等を用い、保護膜を形成するための希土類金属としてＴ
、を用いてもよく、この場合も上記と同様な結果を得る
ことができる。In addition to the above embodiments, AρN, TiN, etc. are used as nitrides.
etc., and T as a rare earth metal to form a protective film.
, may also be used, and in this case also the same results as above can be obtained.
また、窒化物としてＳ ｉ ３ Ｎ ａを用い、上記希
土類金属としてり、、Ｃ，、Ｐ、、Ｎ、１．Ｐｌ、ＳＬ
＋、。In addition, S i 3 Na is used as the nitride, and the rare earth metal is ,C,,P,,N,1. Pl, SL
+,.
ＥいＧａ、Ｄｙ、、Ｈｏ、Ｅ、５ＴＩＩＸＹｂ、Ｌ、等
のうち少なくとも１つを用いてもよく、この場合も上記
と同様な結果を得ることができる。At least one of EGa, Dy, Ho, E, 5TIIXYb, L, etc. may be used, and in this case, the same results as above can be obtained.
更に、保護膜の形成は、窒化物と希土類金属との同時蒸
着によるイオンプレーティング法等で行ってもよい。Further, the protective film may be formed by an ion plating method using simultaneous vapor deposition of nitride and rare earth metal.
以上説明したように、本発明によれば、窒化物の成膜時
に希土類金属を同時に成膜し、上記成膜時に発生する遊
離窒素を上記希土類金属と結合させるようにしたことに
より、保護膜の記録層に対する反応性を極めて低下させ
ることがきる。従って、本発明によって製造された光磁
気ディスクは、記録層の酸化や腐食による劣化を効果的
に防止することができ、長期安定性を確保できる。As explained above, according to the present invention, a rare earth metal film is simultaneously formed when a nitride film is formed, and the free nitrogen generated during the film formation is combined with the rare earth metal. The reactivity to the recording layer can be extremely reduced. Therefore, the magneto-optical disk manufactured according to the present invention can effectively prevent deterioration of the recording layer due to oxidation and corrosion, and can ensure long-term stability.
第１図は、本発明の一実施例を示す概略図、第２図は、
本発明の他の実施例を示す概略図、第３図（ａｌ、（ｂ
）は、それぞれ上記実施例によって作成された試料■の
概略構成図、その試料■の保磁力の時間変化を示す図、
第４図＋ａ）、山）は、それぞれ上記実施例によって作
成された光磁気ディスク（試料■）の概略構成図、その
試料■の記録・再生感度の時間変化を示す図、
第５図は、従来の一般的な光磁気ディスクの概略構成図
である。
１１・・・基板、
１２・ ・ ・ターゲット、
１３・・・チップ、
１４・・・窒素プラズマ、
１５．１７・・・保護膜、
１６・・・記録層、
２１．２２・・・ターゲット、
２３・・・窒素プラズマ、
２４・・・保護膜。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention.
Schematic diagrams showing other embodiments of the present invention, FIGS.
) are a schematic diagram of the sample (2) prepared according to the above example, and a diagram showing the change in coercive force of the sample (2) over time, respectively. A schematic diagram of the configuration of a magnetic disk (sample (2)) and a diagram showing changes over time in the recording/reproduction sensitivity of the sample (2). FIG. 5 is a schematic diagram of the configuration of a conventional general magneto-optical disk. 11...Substrate, 12...Target, 13...Chip, 14...Nitrogen plasma, 15.17...Protective film, 16...Recording layer, 21.22...Target, 23 ...Nitrogen plasma, 24...Protective film.
Claims (5)
磁気記録媒体を記録層として用いた光磁気ディスクの製
造方法において、 窒化物と希土類金属とを同時に成膜することにより前記
記録層の表面に保護膜を形成したことを特徴とする光磁
気ディスクの製造方法。(1) In a method for manufacturing a magneto-optical disk using a magneto-optical recording medium made of an amorphous alloy of a rare earth metal and a transition metal as a recording layer, the recording layer is formed by simultaneously forming a film of a nitride and a rare earth metal. A method for manufacturing a magneto-optical disk, characterized in that a protective film is formed on the surface of the disk.
Ｎのうち少なくとも１つを用いる特許請求の範囲第１項
記載の光磁気ディスクの製造方法。(2) As the nitride, AlN, Si_3N_4, Ti
The method for manufacturing a magneto-optical disk according to claim 1, in which at least one of N is used.
してＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ
、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうち少
なくとも１つを用いる特許請求の範囲第１項または第２
項記載の光磁気ディスクの製造方法。(3) The rare earth metals to be formed simultaneously with the nitride include La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, and Gd.
, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu.
A method for manufacturing a magneto-optical disk as described in .
第１項乃至第３項のいずれか１つに記載の光磁気ディス
クの製造方法。(4) The method for manufacturing a magneto-optical disk according to any one of claims 1 to 3, wherein the film formation is performed by sputtering.
法で行う特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１
つに記載の光磁気ディスクの製造方法。(5) Any one of claims 1 to 3 in which the film is formed by an ion plating method using simultaneous vapor deposition.
The method for manufacturing a magneto-optical disk described in .
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036756A JP2527714B2 (en) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | Method of manufacturing optical recording medium |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| DE8686402530T DE3685649T2 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | APPARATUS WITH OPTICAL MEMORY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF. |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | Optical memory device and process for fabricating thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036756A JP2527714B2 (en) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | Method of manufacturing optical recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195743A true JPS62195743A (en) | 1987-08-28 |
| JP2527714B2 JP2527714B2 (en) | 1996-08-28 |
Family
ID=12478585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036756A Expired - Lifetime JP2527714B2 (en) | 1986-01-29 | 1986-02-21 | Method of manufacturing optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527714B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198042A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Tdk Corp | Optical recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938781A (en) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS60143460A (en) * | 1983-12-13 | 1985-07-29 | Toshiba Corp | Optothermomagnetic recording medium and its production |
| JPS6122458A (en) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | Photomagnetic recording element |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP61036756A patent/JP2527714B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938781A (en) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS60143460A (en) * | 1983-12-13 | 1985-07-29 | Toshiba Corp | Optothermomagnetic recording medium and its production |
| JPS6122458A (en) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | Photomagnetic recording element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198042A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Tdk Corp | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2527714B2 (en) | 1996-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6122458A (en) | Photomagnetic recording element | |
| JPS62195743A (en) | Production of photomagnetic disk | |
| US4777082A (en) | Optical magnetic recording medium | |
| JPS62219348A (en) | Photomagnetic recording medium | |
| JP2619361B2 (en) | Magneto-optical record carrier and method of manufacturing the same | |
| JP2829335B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0731831B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0619859B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0583971B2 (en) | ||
| JPS6353735A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH01232550A (en) | Protective film for optical disk | |
| JPH0447384B2 (en) | ||
| JP2565338B2 (en) | Manufacturing method of magneto-optical recording element | |
| JP3189414B2 (en) | Method for manufacturing magneto-optical recording medium | |
| JPS63195847A (en) | Magneto-optical disk | |
| JPS63166046A (en) | Optical disk | |
| JPS63155446A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0690814B2 (en) | Magneto-optical disk manufacturing method | |
| JPH01133240A (en) | Magneto-optical disk | |
| JP2616120B2 (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH04313835A (en) | Production of magneto-optical recording medium | |
| JPS62298954A (en) | Magneto-optical disk | |
| JPH0214445A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS62209750A (en) | Photomagnetic recording medium | |
| JPS62217444A (en) | Photomagnetic disk |