JPS62190230A - 非線形光学応答を示すポリシロキサン系ポリマ− - Google Patents
非線形光学応答を示すポリシロキサン系ポリマ−Info
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
- C09K19/406—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing silicon
- C09K19/408—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、非線形光学応答を示し、電気光学的光変調装
置の透明光学要素として宵月な、新規なポリビニル系ポ
リマーに関する。
置の透明光学要素として宵月な、新規なポリビニル系ポ
リマーに関する。
(従来の技術)
大きな非局在化π電子系を有する有機および高分子材料
が非線形光学応答を示すことができ、多くの場合にその
応答は無機基体が示すものよりはるかに大きくなること
は公知である。
が非線形光学応答を示すことができ、多くの場合にその
応答は無機基体が示すものよりはるかに大きくなること
は公知である。
また、有機および高分子材料の特性は、非線形光学効果
をもたらす電子相互作用を保持したまま、機械的安定性
および耐熱酸化安定性ならびに高レーザー損傷閾値など
の他の望ましい特性が最適にな墨ように変動させること
ができる。
をもたらす電子相互作用を保持したまま、機械的安定性
および耐熱酸化安定性ならびに高レーザー損傷閾値など
の他の望ましい特性が最適にな墨ように変動させること
ができる。
大きな二次非線形性を示す有機もしくは高分子材料の薄
膜をシリコン系電子回路と組合わせたものは、レーザー
変調および偏向、光学回路の情報制御などのシステムと
して利用可能性がある。
膜をシリコン系電子回路と組合わせたものは、レーザー
変調および偏向、光学回路の情報制御などのシステムと
して利用可能性がある。
三次非線形性から起こる他の新規なプロセス、たとえば
光学場でリアルタイム処理が起こるようにする縮退四波
混合などは、光通信および光集積回路製作などの多様な
分野で滑在的な有用性を有している。
光学場でリアルタイム処理が起こるようにする縮退四波
混合などは、光通信および光集積回路製作などの多様な
分野で滑在的な有用性を有している。
共役有機系の特に重要な点は、非線形効果を生ずる原因
が、無機材料に見られる核座標の変移もしくは再配置と
は異なり、π電子雲の分極にある点である。
が、無機材料に見られる核座標の変移もしくは再配置と
は異なり、π電子雲の分極にある点である。
有機および高分子材料の非線形光学特性は1982年9
月開催の米国化学会(ACS)第18回総会におけるA
CS高分子化学部会後援のシンポジウムのテーマでもあ
った。この学会で発表された論文は、米国化学会(ワシ
ントン)発行のACSシンポジウム・シリーズ233
(1983)に掲載されているので、参照されたい。
月開催の米国化学会(ACS)第18回総会におけるA
CS高分子化学部会後援のシンポジウムのテーマでもあ
った。この学会で発表された論文は、米国化学会(ワシ
ントン)発行のACSシンポジウム・シリーズ233
(1983)に掲載されているので、参照されたい。
本発明に特に関係するのは、A、 Blumstein
g r高分子液晶J (Plenum Publis
hing社(New York)発行、 1985)の
275〜368頁に発表されている5つの論文のような
側鎖形液晶性ポリマーに関連する従来技術である。
g r高分子液晶J (Plenum Publis
hing社(New York)発行、 1985)の
275〜368頁に発表されている5つの論文のような
側鎖形液晶性ポリマーに関連する従来技術である。
米国特許第4,293,435号には、一般式:゛(式
中、R+は水素またはメチルを意味し、nは1〜6の整
数であり、R5は少なくとも2個のフェニレン基を含有
する構造部分を意味する)で示される液晶性ポリマーが
記載されている。
中、R+は水素またはメチルを意味し、nは1〜6の整
数であり、R5は少なくとも2個のフェニレン基を含有
する構造部分を意味する)で示される液晶性ポリマーが
記載されている。
It、 Finkel+@ann et al、マクロ
モレキュールズ・ケミストリー (Makromol、
Chem、)+ 179.2541(197B)には
、メソーゲン部分としてビフェニル基を持った液晶性ポ
リマーについてのモデル考察がなされている。
モレキュールズ・ケミストリー (Makromol、
Chem、)+ 179.2541(197B)には
、メソーゲン部分としてビフェニル基を持った液晶性ポ
リマーについてのモデル考察がなされている。
Pa1eos et al、、ジャーナル・オブ・ポリ
マー・サイエンス(J、 Polym、 Sci、)、
19.1427 (1981)には、ポリ (了クリ
ロイルクロリド)とp−7ミノビフエニルのようなメソ
ーゲン化合物との相互作用により調製される液晶性ポリ
マーの合成法が記載されている。
マー・サイエンス(J、 Polym、 Sci、)、
19.1427 (1981)には、ポリ (了クリ
ロイルクロリド)とp−7ミノビフエニルのようなメソ
ーゲン化合物との相互作用により調製される液晶性ポリ
マーの合成法が記載されている。
ヨーロピアン・ポリマー・ジャーナル(Eur、 P。
Iym、 J、)、■、 651 (1982)には、
側鎖にシアノビフェニル基を持った下記構造のスメクテ
ィフクおよびネマティック型のクシ型液晶性ポリマーが
記載されている: (式中、Rは水素もしくはメチルを意味し、nは2〜1
1の整数であり、Xはオキシ、アルキレンおよびカルボ
ニルオキシから選ばれた2価基を意味する)。
側鎖にシアノビフェニル基を持った下記構造のスメクテ
ィフクおよびネマティック型のクシ型液晶性ポリマーが
記載されている: (式中、Rは水素もしくはメチルを意味し、nは2〜1
1の整数であり、Xはオキシ、アルキレンおよびカルボ
ニルオキシから選ばれた2価基を意味する)。
側鎖を持ったサーモトロピック液晶性ポリマーを記載し
ているその他の文献には、ポリマー(POlymer)
、 25.1342 (1984) ;E! −0ピ
アン・ポリマー・ジャーナル、2X、隘7.645 (
1985);ポリマー、訃、 615 (1985)i
およびこれらの論文中で引用されている文献がある。
ているその他の文献には、ポリマー(POlymer)
、 25.1342 (1984) ;E! −0ピ
アン・ポリマー・ジャーナル、2X、隘7.645 (
1985);ポリマー、訃、 615 (1985)i
およびこれらの論文中で引用されている文献がある。
(発明が解決しようとする問題点)
クシ型側鎖構造の配向状態を示すことを特徴とする液晶
性ポリマーの理論と実用化に関しては、−貫して関心が
持たれている。
性ポリマーの理論と実用化に関しては、−貫して関心が
持たれている。
また、レーザー周波数変換、光学回路の情報制御、光バ
ルブおよび光スィッチに適した将来育望な新規な現象お
よび装置のための新規な非線形光学有機系を開発する目
的での研究は増え続けている。大きな二次および三次非
線形性を示す有機材料のVHF周波数用途に対する有用
可能性は、従来の無機電気光学的材料ではバンド幅の制
限があるのと好対照をなす。
ルブおよび光スィッチに適した将来育望な新規な現象お
よび装置のための新規な非線形光学有機系を開発する目
的での研究は増え続けている。大きな二次および三次非
線形性を示す有機材料のVHF周波数用途に対する有用
可能性は、従来の無機電気光学的材料ではバンド幅の制
限があるのと好対照をなす。
よって、本発明の目的は、新規なポリシロキサン系ポリ
マーを提供することである。
マーを提供することである。
本発明の別の目的は、非線形光学応答を示すメソーゲン
基側鎖を持ったサーモトロピック液晶性ポリシロキサン
系ポリマーを提供することである。
基側鎖を持ったサーモトロピック液晶性ポリシロキサン
系ポリマーを提供することである。
本発明のまた別の目的は、サーモトロピック側鎖形液晶
性ポリシロキサン系ポリマーからなる透明高分子非線形
光学要素を備えた電気光学的光変調装置を提供すること
である。
性ポリシロキサン系ポリマーからなる透明高分子非線形
光学要素を備えた電気光学的光変調装置を提供すること
である。
本発明のその他の目的および利点は、以下の説明および
実施例から明らかとなろう。
実施例から明らかとなろう。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明の上述した目的は、ポリマーの少なくとも約25
重量%を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有する
サーモトロピック液晶性ポリマーであって、ポリマーの
ガラス転移温度が約40℃以上であり、前記メソーゲン
基が励起波長1.91pnで測定して少なくとも約5x
1o−” esuの二次非線形光学感受率βを示す、サ
ーモトロピック液晶性ポリマーの提供により達成される
。
重量%を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有する
サーモトロピック液晶性ポリマーであって、ポリマーの
ガラス転移温度が約40℃以上であり、前記メソーゲン
基が励起波長1.91pnで測定して少なくとも約5x
1o−” esuの二次非線形光学感受率βを示す、サ
ーモトロピック液晶性ポリマーの提供により達成される
。
別のB様において、本発明は、ポリマーの少なくとも約
25重量%を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有
するサーモトロピック液晶性ポリマーであって、ポリマ
ーのガラス転移温度が約40℃以上であり、前記メソー
ゲン基が励起波長1.91uTlで測定して少なくとも
約lXl0−” esuの三次非線形光学怒受率Tを示
す、サーモトロピック液晶性ポリマーを提供する。
25重量%を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有
するサーモトロピック液晶性ポリマーであって、ポリマ
ーのガラス転移温度が約40℃以上であり、前記メソー
ゲン基が励起波長1.91uTlで測定して少なくとも
約lXl0−” esuの三次非線形光学怒受率Tを示
す、サーモトロピック液晶性ポリマーを提供する。
本発明の液晶性ポリマーの主鎖は、ポリビニル、ポリシ
ロキサン、ポリオキシアルキレン、ポリエステルなどの
多数の適当な重合単テ体および共単量体構造から選択す
ることができる。
ロキサン、ポリオキシアルキレン、ポリエステルなどの
多数の適当な重合単テ体および共単量体構造から選択す
ることができる。
別の態様において、本発明は非線形光学媒体の製造方法
を提供する。この方法は、サーモトロピック側鎖形液晶
性ポリマーを加熱してポリマー中間相を生成させ、この
ポリマー中間相に外場を作用させて整列した側鎖メソー
ゲン基の配向を誘起させ、メソーゲン基が整列した前記
ポリマー中間相を、外場の作用を保持しながらそのガラ
ス転移温度(Tg)より低温に冷却して、固体ポリマー
中にメソーゲン基の整列を固定することからなり、前記
メソーゲン基が非線形光学応答を示すことを特徴とする
。
を提供する。この方法は、サーモトロピック側鎖形液晶
性ポリマーを加熱してポリマー中間相を生成させ、この
ポリマー中間相に外場を作用させて整列した側鎖メソー
ゲン基の配向を誘起させ、メソーゲン基が整列した前記
ポリマー中間相を、外場の作用を保持しながらそのガラ
ス転移温度(Tg)より低温に冷却して、固体ポリマー
中にメソーゲン基の整列を固定することからなり、前記
メソーゲン基が非線形光学応答を示すことを特徴とする
。
上記方法により製造されたメソーゲン基が整列した固体
ポリマー生成物は、この固体ポリマー生成物を、はぼi
gと(Tg −30℃)の間の温度に加熱し、ポリマー
に少なくとも約10’ V/■の外部電界を印加して整
列メソーゲン基の非中心対称性配向を誘起させ、配向し
たポリマーを、電界の作用を保持しながら冷却して、固
体ポリマー中にメソーゲン基の整列を固定することから
なる別のメソーゲン基配向処理をさらに行うことにより
変性させることができる。ただし、この場合、メソーゲ
ン基は二次非線形光学応答を示すものである。
ポリマー生成物は、この固体ポリマー生成物を、はぼi
gと(Tg −30℃)の間の温度に加熱し、ポリマー
に少なくとも約10’ V/■の外部電界を印加して整
列メソーゲン基の非中心対称性配向を誘起させ、配向し
たポリマーを、電界の作用を保持しながら冷却して、固
体ポリマー中にメソーゲン基の整列を固定することから
なる別のメソーゲン基配向処理をさらに行うことにより
変性させることができる。ただし、この場合、メソーゲ
ン基は二次非線形光学応答を示すものである。
別の態様において、本発明は高分子非線形光学要素を備
えた電気光学的光変調装置を提供する。
えた電気光学的光変調装置を提供する。
この光変調装置は、ポリマーの少なくとも約25重量%
を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有するサーモ
トロピック液晶性ポリマーであって、ポリマーのガラス
転移温度が約40℃以上であり、前記メソーゲン基が電
子に由来する非線形光学応答(例、二次非線形感受率β
の応答、もしくは三次非線形感受率Tの応答)を示すサ
ーモトロピック液晶性ポリマーの透明固体媒体からなる
高分子非線形光学要素を備えていることを特徴とする。
を占めるクシ型構造のメソーゲン基側鎖を有するサーモ
トロピック液晶性ポリマーであって、ポリマーのガラス
転移温度が約40℃以上であり、前記メソーゲン基が電
子に由来する非線形光学応答(例、二次非線形感受率β
の応答、もしくは三次非線形感受率Tの応答)を示すサ
ーモトロピック液晶性ポリマーの透明固体媒体からなる
高分子非線形光学要素を備えていることを特徴とする。
本発明の電気光学的光変調装置は、典型的には外場によ
り誘起されたメソーゲン基の整列による安定な配向を有
するサーモトロピック液晶性ポリマーの透明固体媒体を
備えていよう。
り誘起されたメソーゲン基の整列による安定な配向を有
するサーモトロピック液晶性ポリマーの透明固体媒体を
備えていよう。
本明細書で使用した「透明」なる用語は、光学媒体が、
入射基本光の周波数および発生した光の周波数に関して
透明、すなわち光退過性であることを意味する。非線形
光学装置において、本発明の非線形光学媒体は入射光周
波数と射出光周波数の両方に対して透明である。
入射基本光の周波数および発生した光の周波数に関して
透明、すなわち光退過性であることを意味する。非線形
光学装置において、本発明の非線形光学媒体は入射光周
波数と射出光周波数の両方に対して透明である。
本発明はさらに次に述べる種類の新規な高分子材料にも
関するものである。
関するものである。
すなわち、本発明は、一般式】
(式中、Pはポリマー主鎖単位を意味し、Sは原子数約
0〜20の線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味
し、Mは励起波長1,91,11111で測定して少な
くとも約20X10−” esuの二次非線形光学感受
率βを示す懸垂メソーゲン基を意味する)で示される反
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーであって、前記懸垂メソーゲン基はポリマーの
少なくとも約10重量%を占めていて、外場により誘起
された分子整列状態にあり、前記ポリマーはガラス転移
温度が約60℃以上のものである、サーモトロピック液
晶性ポリマーを提供する。
0〜20の線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味
し、Mは励起波長1,91,11111で測定して少な
くとも約20X10−” esuの二次非線形光学感受
率βを示す懸垂メソーゲン基を意味する)で示される反
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーであって、前記懸垂メソーゲン基はポリマーの
少なくとも約10重量%を占めていて、外場により誘起
された分子整列状態にあり、前記ポリマーはガラス転移
温度が約60℃以上のものである、サーモトロピック液
晶性ポリマーを提供する。
別の態様において、本発明は、一般式;(式中、Pはポ
リマー主鎖単位を意味し、Sは原子数約0〜20の線状
鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味し、M”は励起
波長1.91mで測定して少なくとも約5X10−”
esuの三次非線形光学感受率Tを示す懸垂メソーゲン
基を意味する)で示される反復単量体単位により構成さ
れるサーモトロピック液晶性ポリマーであって、前記懸
垂メソーゲン基はポリマーの少なくとも約10重量%を
占めていて、外場により誘起された分子整列状態にあり
、前記ポリマーはガラス転移温度が約60℃以上のもの
である、サーモトロピック液晶性ポリマーを提供する。
リマー主鎖単位を意味し、Sは原子数約0〜20の線状
鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味し、M”は励起
波長1.91mで測定して少なくとも約5X10−”
esuの三次非線形光学感受率Tを示す懸垂メソーゲン
基を意味する)で示される反復単量体単位により構成さ
れるサーモトロピック液晶性ポリマーであって、前記懸
垂メソーゲン基はポリマーの少なくとも約10重量%を
占めていて、外場により誘起された分子整列状態にあり
、前記ポリマーはガラス転移温度が約60℃以上のもの
である、サーモトロピック液晶性ポリマーを提供する。
また別の態様において、本発明は、下記一般式で示され
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
ニ ーf P’ty S゛ −Y−Z (式中、P’ はポリビニルポリマー主鎖を意味し;m
は少なくとも3の整数であり;S゛ は原子数約1〜2
50線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味し;X
は−NR−もしくは−S−を意味し;Rは水素もしくは
01〜C4アルキル基を意味し;Yは、 を意味し;ならびにZは電子供与性基もしくは電アクリ
レート、ハロゲン化ビニル、カルボン酸ビニル、アルケ
ン、アルカジエン、アリールビニルなどの1種または2
種以上の反復単量体単位を含有するポリマーである。七
ツマ−の具体例は、各種メタクリレート類、塩化ビニル
、酢酸ビニル、エチレン、プロピレン、イソブチレン、
1−ブテン、イソプレン、スチレンなどである。
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
ニ ーf P’ty S゛ −Y−Z (式中、P’ はポリビニルポリマー主鎖を意味し;m
は少なくとも3の整数であり;S゛ は原子数約1〜2
50線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味し;X
は−NR−もしくは−S−を意味し;Rは水素もしくは
01〜C4アルキル基を意味し;Yは、 を意味し;ならびにZは電子供与性基もしくは電アクリ
レート、ハロゲン化ビニル、カルボン酸ビニル、アルケ
ン、アルカジエン、アリールビニルなどの1種または2
種以上の反復単量体単位を含有するポリマーである。七
ツマ−の具体例は、各種メタクリレート類、塩化ビニル
、酢酸ビニル、エチレン、プロピレン、イソブチレン、
1−ブテン、イソプレン、スチレンなどである。
「電子供与性」の有機置換基とは、共役電子構造を電磁
エネルギーの投入により分極させた場合にπ電子雲を与
える置換基を意味する。
エネルギーの投入により分極させた場合にπ電子雲を与
える置換基を意味する。
「電子吸引性」の有機置換基とは、共役電子構造を電磁
エネルギーの投入により分極させた場合にπ電子雲を吸
引する電気陰性の有機置換基を意味する。
エネルギーの投入により分極させた場合にπ電子雲を吸
引する電気陰性の有機置換基を意味する。
上の式においてZで示される電子供与性置換基の例は、
アミノ、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、ヒドロ
キシ、チオロ、アシルオキシ、ビニル、ハロなどである
。
アミノ、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、ヒドロ
キシ、チオロ、アシルオキシ、ビニル、ハロなどである
。
上の式においてZで示される電子吸引性置換基の例は、
ニトロ、ハロアルキル、シアノ、アシル、アルカノイル
オキシ、アルコキシスルホニルなどである。
ニトロ、ハロアルキル、シアノ、アシル、アルカノイル
オキシ、アルコキシスルホニルなどである。
別の態様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるポリマーを提供する: 書 (式中、麟1は少なくとも5の整数、 nlは約4〜20の整数、 XIは−NR’−もしくは−8−1 R1は水素もしくはメチル、および Zlは−No、 、−CNもしくは−CF、をそれぞれ
意味する)。
復単量体単位により構成されるポリマーを提供する: 書 (式中、麟1は少なくとも5の整数、 nlは約4〜20の整数、 XIは−NR’−もしくは−8−1 R1は水素もしくはメチル、および Zlは−No、 、−CNもしくは−CF、をそれぞれ
意味する)。
別の態様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるサーモトロピ7り液晶性
ポリマーを提供する: 、1 (式中、■1は少なくとも5の整数、 nlは約4〜20の整数、 x”cよ−NR’−1−〇−もしくは−3−1およびR
Iは水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
復単量体単位により構成されるサーモトロピ7り液晶性
ポリマーを提供する: 、1 (式中、■1は少なくとも5の整数、 nlは約4〜20の整数、 x”cよ−NR’−1−〇−もしくは−3−1およびR
Iは水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
また別のB様において、本発明は、下記一般式で示され
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
: IPS iT− 8′ −y−z (式中、PSはポリシロキサンポリマーの主鎖を意味し
;mは少なくとも3の整数であり;S゛ は原子数約1
〜25の線状鎖長を有する屈曲性スペーサー暴を意味し
;Xは−NR−1−〇−もしくは−8−を意味し:Rは
水素もしくは01〜C4アルキル基を意味し;Yは、 を意味し;ならびに2は電子供与性基もしくは電子吸引
性基である)。
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
: IPS iT− 8′ −y−z (式中、PSはポリシロキサンポリマーの主鎖を意味し
;mは少なくとも3の整数であり;S゛ は原子数約1
〜25の線状鎖長を有する屈曲性スペーサー暴を意味し
;Xは−NR−1−〇−もしくは−8−を意味し:Rは
水素もしくは01〜C4アルキル基を意味し;Yは、 を意味し;ならびに2は電子供与性基もしくは電子吸引
性基である)。
別の態様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるポリマーを提供する: (式中、R2はCI−Clo炭化水素基、Cは少なくと
も5の整数、 nは約4〜20の整数、 χ1は−NR’−1−〇−もしくは−8−1R’41水
素もしくはメチル、および zlは−NO! 、−CNもしくは−CF3をそれぞれ
意味する)。
復単量体単位により構成されるポリマーを提供する: (式中、R2はCI−Clo炭化水素基、Cは少なくと
も5の整数、 nは約4〜20の整数、 χ1は−NR’−1−〇−もしくは−8−1R’41水
素もしくはメチル、および zlは−NO! 、−CNもしくは−CF3をそれぞれ
意味する)。
別の態様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーを提供する: (式中、ll11は少なくとも5の整数、nは約4〜2
0の整数、 XIは−NR’−1−〇−もしくは−3−1およびRI
は水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーを提供する: (式中、ll11は少なくとも5の整数、nは約4〜2
0の整数、 XIは−NR’−1−〇−もしくは−3−1およびRI
は水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
また別の態様において、本発明は、下記一般式で示され
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
; 一寸OX士1− S。
る反復単量体単位により構成されるポリマーを提供する
; 一寸OX士1− S。
鬼
−y−z
(式中、OXはポリオキシアルキレンポリマーの主鎖を
意味し;mは少なくと63の整数であり;S゛は原子数
約1〜250線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意
味し;Xは−NR−1−〇−もしくは−8−を意味し;
Rは水素もしくはC+”−C4アルキル基を意味し;Y
は、 を意味し;ならびにZは電子供与性基もしくは電子吸引
性基である)。
意味し;mは少なくと63の整数であり;S゛は原子数
約1〜250線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意
味し;Xは−NR−1−〇−もしくは−8−を意味し;
Rは水素もしくはC+”−C4アルキル基を意味し;Y
は、 を意味し;ならびにZは電子供与性基もしくは電子吸引
性基である)。
ポリオキシアルキレンポリマーの主鎖の例は、オキシエ
チレン、オキシプロピレン、オキシブチレン、オキシイ
ソブチレン、オキシフェニルエチレン、オキシシクロヘ
キシルエチレンなどの反復単量体単位1種もしくは2種
以上を含有するポリマーである。
チレン、オキシプロピレン、オキシブチレン、オキシイ
ソブチレン、オキシフェニルエチレン、オキシシクロヘ
キシルエチレンなどの反復単量体単位1種もしくは2種
以上を含有するポリマーである。
別のB様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるポリマーを提、供する: (式中、R2は水素もしくはC8〜C4アルキル基、m
lは少なくとも5の整数、 nは約4〜20の整数、 XIは−NR’−5−〇−もしくは−8−1R1は水素
もしくはメチル、および Zlは−NOよ、−CNもしくは−cpsをそれぞれ意
味する)。
復単量体単位により構成されるポリマーを提、供する: (式中、R2は水素もしくはC8〜C4アルキル基、m
lは少なくとも5の整数、 nは約4〜20の整数、 XIは−NR’−5−〇−もしくは−8−1R1は水素
もしくはメチル、および Zlは−NOよ、−CNもしくは−cpsをそれぞれ意
味する)。
別の態様において、本発明は、下記一般式で示される反
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーを提供する: (式中、R2は水素もしくはC8〜C4アルキル基、m
lは少なくとも5の粒数、 nは約4〜20の粒数、 XIは−NR’−1−〇−もしくは−8−5およびp+
は水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
復単量体単位により構成されるサーモトロピック液晶性
ポリマーを提供する: (式中、R2は水素もしくはC8〜C4アルキル基、m
lは少なくとも5の粒数、 nは約4〜20の粒数、 XIは−NR’−1−〇−もしくは−8−5およびp+
は水素もしくはメチルをそれぞれ意味する)。
’aj;Nポリマーのム 法
メソーゲン基側鎖を有するポリビニル系液晶性ポリマー
の合成の例は、下記の反応系列式により示される。
の合成の例は、下記の反応系列式により示される。
メソーゲン基側鎖を存するポリシロキサン系液晶性ポリ
マーの合成の例は、下記の反応式で示すようにオルガノ
水素ポリシロキサン化合物とビニルで換メソーゲン化合
物との反応により行われる。
マーの合成の例は、下記の反応式で示すようにオルガノ
水素ポリシロキサン化合物とビニルで換メソーゲン化合
物との反応により行われる。
オルガノポリシロキサン主鎖の平均ケイ素原子数は、約
3〜3000の範囲内で変動しうる。
3〜3000の範囲内で変動しうる。
メソーゲン基側鎖を有するポリシロキサン系液晶性ポリ
マーは、米国特許第4,358,391号、同第4.3
88,453号および同第4,410,570号;なら
びにマクロモレキュールズ・ケミストリー速頼版(Ma
kromol、 Chem、+ Rapid Comm
un、)+ 3+ 557 (1982)および同5.
287 (1984)に記載されているので、参照され
たい。
マーは、米国特許第4,358,391号、同第4.3
88,453号および同第4,410,570号;なら
びにマクロモレキュールズ・ケミストリー速頼版(Ma
kromol、 Chem、+ Rapid Comm
un、)+ 3+ 557 (1982)および同5.
287 (1984)に記載されているので、参照され
たい。
メソーゲン基側鎖を有するポリオキシアルキレン系液晶
性ポリマーの合成の例は、下記の重合反応により示され
る。
性ポリマーの合成の例は、下記の重合反応により示され
る。
非線形光学の基本概念およびその化学構造との関係は、
外場により原子もしくは分子内に誘起される分極に対す
る双極子近似(dipolar approximat
ion)により説明することができる。
外場により原子もしくは分子内に誘起される分極に対す
る双極子近似(dipolar approximat
ion)により説明することができる。
前掲のACSシンポジウム・シリーズ233 (198
3)に概説されているように、下記の基本式(1)は、
ある単一の分子について、電磁線の電気成分のような電
界との相互作用によって起こる励起状態μ。
3)に概説されているように、下記の基本式(1)は、
ある単一の分子について、電磁線の電気成分のような電
界との相互作用によって起こる励起状態μ。
と基底状態μ、との間の双極子モーメントの変化を、電
界Eのベキ級数として表して説明するものである。係数
αは周知の線形もしくは一次分極率であり、係数βおよ
びTはそれぞれ二次および三次の超分極率(hyper
polarizabi 1ity)である、これらの超
分極率の係数はテンソル量であり、したがって高度の対
称性依存を示す、奇数次の係数は分子および単位格子レ
ベルでの構造がいかなるものであってもゼロとなること
はない、βのような偶数次の係数は、分子および/もし
くは単位格子°レベルで反転対称中心を有する構造のも
のについてはゼロとなる。
界Eのベキ級数として表して説明するものである。係数
αは周知の線形もしくは一次分極率であり、係数βおよ
びTはそれぞれ二次および三次の超分極率(hyper
polarizabi 1ity)である、これらの超
分極率の係数はテンソル量であり、したがって高度の対
称性依存を示す、奇数次の係数は分子および単位格子レ
ベルでの構造がいかなるものであってもゼロとなること
はない、βのような偶数次の係数は、分子および/もし
くは単位格子°レベルで反転対称中心を有する構造のも
のについてはゼロとなる。
下記の式(2)は式(1)と同じであるが、ただし、液
晶ドメイン内の分子配列から生ずるような巨視的分極を
説明するものである。
晶ドメイン内の分子配列から生ずるような巨視的分極を
説明するものである。
Δμ冨μ、−μ、讃αE+βEE + yEEE +
、、、 +11P−P、+ χ Ill E +
χ f21 EE +χ ”EEE+ 、、、
(2)分子の列を通過する光波は、分子と相互作用し
て新たな波動を生ずることができる。この相互作用は、
屈折率の変調から起こるとして、または分極の非線形性
として解釈できる。かかる相互作用は、基本波と高調波
とで同一の伝搬速度を要件とするある種の位相整合条件
が満たされたときに特に効率的に起こる。複屈折性の結
晶は、分散に打ち勝つことができるように基本波ωと第
二高調波2ωとで屈折率が同一となる伝搬方向をしばし
ば有している。
、、、 +11P−P、+ χ Ill E +
χ f21 EE +χ ”EEE+ 、、、
(2)分子の列を通過する光波は、分子と相互作用し
て新たな波動を生ずることができる。この相互作用は、
屈折率の変調から起こるとして、または分極の非線形性
として解釈できる。かかる相互作用は、基本波と高調波
とで同一の伝搬速度を要件とするある種の位相整合条件
が満たされたときに特に効率的に起こる。複屈折性の結
晶は、分散に打ち勝つことができるように基本波ωと第
二高調波2ωとで屈折率が同一となる伝搬方向をしばし
ば有している。
本明細書で使用した「位相整合」なる用語は、高調波を
入射基本光波と同じ実効屈折率で伝搬させる非線形光学
媒体における効果を意味する。効率的な第二高調波発生
は、非線形光学媒体が、光学媒体の複屈折が自然分散を
打ち消すような伝搬方向を有している、すなわち、基本
波周波数と第二高調波周波数の光透過がその媒体中で位
相整合する必要がある。この位相整合により、入射光か
ら第二高調波への高い変換率を得ることができる。
入射基本光波と同じ実効屈折率で伝搬させる非線形光学
媒体における効果を意味する。効率的な第二高調波発生
は、非線形光学媒体が、光学媒体の複屈折が自然分散を
打ち消すような伝搬方向を有している、すなわち、基本
波周波数と第二高調波周波数の光透過がその媒体中で位
相整合する必要がある。この位相整合により、入射光か
ら第二高調波への高い変換率を得ることができる。
−i的なパラメトリック波混合の場合、位相整合条件は
次の関係式で表される: rl、ω、+nlω、−fi 、 ω。
次の関係式で表される: rl、ω、+nlω、−fi 、 ω。
式中、n、およびn、は各入射基本波光線の屈折率、n
、は発生した光線の屈折率であり、ω1およびω2は各
入射基本波光線の周波数、ω、は発生した光線の周波数
である。特に、第三高調波発整合条件は次の関係式で示
されることになる;nω 3 n廁 式中、n、およびntwはそれぞれ入射基本光波および
発生第二高調波光波の屈折率を意味する。より詳細な理
論的考察は、A、 Yariv著、「量子エレクトロニ
クス(Quantum Electronics)J
+ (Ilileyand 5ons、 New Yo
rk) (1975) 16〜17章に記載されている
。
、は発生した光線の屈折率であり、ω1およびω2は各
入射基本波光線の周波数、ω、は発生した光線の周波数
である。特に、第三高調波発整合条件は次の関係式で示
されることになる;nω 3 n廁 式中、n、およびntwはそれぞれ入射基本光波および
発生第二高調波光波の屈折率を意味する。より詳細な理
論的考察は、A、 Yariv著、「量子エレクトロニ
クス(Quantum Electronics)J
+ (Ilileyand 5ons、 New Yo
rk) (1975) 16〜17章に記載されている
。
本発明の液晶性ポリマーの基体は、典型的には光学的に
透明であり、第二高調波および第三高調波発生、ならび
に−次電気光学効果(ポッケルス効果)のような超分極
テンソル特性を示す、第二高調波発生に関しては、本発
明の液晶性ポリマー基体のバルク相は、液体または固体
のいずれであろうと、真のもしくは配向平均で見た反転
中心を有していない、この基体は巨視的に非中心対称性
の構造である。
透明であり、第二高調波および第三高調波発生、ならび
に−次電気光学効果(ポッケルス効果)のような超分極
テンソル特性を示す、第二高調波発生に関しては、本発
明の液晶性ポリマー基体のバルク相は、液体または固体
のいずれであろうと、真のもしくは配向平均で見た反転
中心を有していない、この基体は巨視的に非中心対称性
の構造である。
率の値を求めることができる。
分子およびドメインレベルで非中心対称性サイトからな
る巨視的に非線形の光学基体の場合、巨視的二次非線形
光学応答χ(Hは、相当する分子非線形光学応答βから
構成される。剛直格子ガス近似(rigid 1att
ice gas approxio+ation)にお
いて、巨視的怒受率χ3雪) は次の関係式により表さ
れる: χ1.k(−ω2;ω5.ωり−Nf””f″J、 f
″、りβiJバーω、;ω、ω2)ン式中、Nは単位体
積当たりのサイト数であり、fは微小局部場相関を意味
し、βijkは単位格子について平均化された値であり
、ω、は発生した光波の周波数であり、ω1およびω2
は入射基本光波の周波数である。
る巨視的に非線形の光学基体の場合、巨視的二次非線形
光学応答χ(Hは、相当する分子非線形光学応答βから
構成される。剛直格子ガス近似(rigid 1att
ice gas approxio+ation)にお
いて、巨視的怒受率χ3雪) は次の関係式により表さ
れる: χ1.k(−ω2;ω5.ωり−Nf””f″J、 f
″、りβiJバーω、;ω、ω2)ン式中、Nは単位体
積当たりのサイト数であり、fは微小局部場相関を意味
し、βijkは単位格子について平均化された値であり
、ω、は発生した光波の周波数であり、ω1およびω2
は入射基本光波の周波数である。
上記の理論的考察は、Garito et alによる
上掲のACS シンポジウム・シリーズ233 (19
83)の第1章;およびLipscomb et al
+ ジャーナル、オブ・ケミカル・フィジックス(J、
Chew、 Phys、)、二1509 (1981
)に詳細に論じられているので参照されたい、また、L
alama et a2+ フィジカル・レビュー (
Phys、 Rev、)、 A20.1179 (19
79) ;およびGarito et al+モレキ
ュール・クリスタルズ・アンド・リキッド・クリスタル
ズ(Mol−+ Cryst、 and Liq、 C
ryst、)、 106.219 (1984)も参照
できる。
上掲のACS シンポジウム・シリーズ233 (19
83)の第1章;およびLipscomb et al
+ ジャーナル、オブ・ケミカル・フィジックス(J、
Chew、 Phys、)、二1509 (1981
)に詳細に論じられているので参照されたい、また、L
alama et a2+ フィジカル・レビュー (
Phys、 Rev、)、 A20.1179 (19
79) ;およびGarito et al+モレキ
ュール・クリスタルズ・アンド・リキッド・クリスタル
ズ(Mol−+ Cryst、 and Liq、 C
ryst、)、 106.219 (1984)も参照
できる。
五曵n並厘五皿皿
本明細書において使用した「外場」なる用語は、印加し
た場に平行な分子の双極子整列を誘起させるために易動
性有機分子からなる基体に印加する電界、磁界もしくは
機械応力場を意味する。
た場に平行な分子の双極子整列を誘起させるために易動
性有機分子からなる基体に印加する電界、磁界もしくは
機械応力場を意味する。
液晶(高分子液晶も含む)は、液晶分子からなるマトリ
ックスに外場を作用させることにより整列、すなわち配
向させることができる。配向の程度は、配向秩序パラメ
ータにより決まる。ネマティックおよびスメクティック
のいずれ廊中間相についても、このパラメータは、分子
長軸に平行な(スメクテインク中間相の場合には分子層
面に垂直な)ベクトルである配向ベクトル(direc
tor)により決定される。
ックスに外場を作用させることにより整列、すなわち配
向させることができる。配向の程度は、配向秩序パラメ
ータにより決まる。ネマティックおよびスメクティック
のいずれ廊中間相についても、このパラメータは、分子
長軸に平行な(スメクテインク中間相の場合には分子層
面に垂直な)ベクトルである配向ベクトル(direc
tor)により決定される。
配向ベクトルとある軸との間の角度をθとすると、配向
秩序パラメータは、その全分子についての第二ルジ中ン
ドル多項式の平均値として定義される。このパラメータ
は−0,5から1.0までの値をとりうる。 (1,0
はある一定の軸方向への完全な1軸配向に相当する。0
.0はランダムな配向に相当し、−〇。5はある軸に垂
直な平面内に制限されたランダムな配向に相当する。) このようにして定義される秩序パラメータは、平行整列
とと逆平行整列とを職別しない、したがうて、非対称性
の棒状分子の試料は、各分子がコリニア−(colin
ear)であり、すべてが同じ方間を向いている場合と
、各分子が同じコリニア−であるが、逆平行対を形成し
ている場合の両方にっいて、同じ1.0の秩序パラメー
タを示すことになろう。
秩序パラメータは、その全分子についての第二ルジ中ン
ドル多項式の平均値として定義される。このパラメータ
は−0,5から1.0までの値をとりうる。 (1,0
はある一定の軸方向への完全な1軸配向に相当する。0
.0はランダムな配向に相当し、−〇。5はある軸に垂
直な平面内に制限されたランダムな配向に相当する。) このようにして定義される秩序パラメータは、平行整列
とと逆平行整列とを職別しない、したがうて、非対称性
の棒状分子の試料は、各分子がコリニア−(colin
ear)であり、すべてが同じ方間を向いている場合と
、各分子が同じコリニア−であるが、逆平行対を形成し
ている場合の両方にっいて、同じ1.0の秩序パラメー
タを示すことになろう。
ネマティック液晶分子の列に外部配向場を作用さセると
、約0.65の秩序パラメータを生ずる。理想的な秩序
からのずれは、固有の欠陥に相応したミクロン長スケー
ルでのネマティックゆらぎに起因する。このゆらぎは、
低分子液晶については動的であるが、高分子液晶につい
ては固定的であろう、いずれも場合も、ネマティックゆ
らぎは、整列配向した試料が白濁して見える (特に、
厚みのある試料の場合)ように光を散乱させる。
、約0.65の秩序パラメータを生ずる。理想的な秩序
からのずれは、固有の欠陥に相応したミクロン長スケー
ルでのネマティックゆらぎに起因する。このゆらぎは、
低分子液晶については動的であるが、高分子液晶につい
ては固定的であろう、いずれも場合も、ネマティックゆ
らぎは、整列配向した試料が白濁して見える (特に、
厚みのある試料の場合)ように光を散乱させる。
スメクティフク液晶は、外部配向場を印加すると、0.
9を超える秩序パラメータを生ずるように整列させるこ
とができる。ネマティ7り相とは異なり、スメクティッ
ク相を配向させると固有欠陥が除去され、そのため単一
の液晶相が形成される。
9を超える秩序パラメータを生ずるように整列させるこ
とができる。ネマティ7り相とは異なり、スメクティッ
ク相を配向させると固有欠陥が除去され、そのため単一
の液晶相が形成される。
このような相はモノドメインと呼ばれ、欠陥がないため
に光学的に透明である。
に光学的に透明である。
ネマティックおよびスメクティックのいずれの中間相に
あっても、直流電界を印加すると、印加した電界と正味
の分子双極子モーメントとの相互作用によるトルクによ
り配向を生ずる8分子双極子モーメントは、永久双極子
モーメント (すなわち、固定した正電荷と負電荷との
分離)と、誘起双極子モーメント (すなわち、印加電
界による正電荷と負電荷との分離)の両方に起因する。
あっても、直流電界を印加すると、印加した電界と正味
の分子双極子モーメントとの相互作用によるトルクによ
り配向を生ずる8分子双極子モーメントは、永久双極子
モーメント (すなわち、固定した正電荷と負電荷との
分離)と、誘起双極子モーメント (すなわち、印加電
界による正電荷と負電荷との分離)の両方に起因する。
に小さな配向しか生じないであろう、この配向トルクは
、熱により誘起される回転(すなわち、室温での回転固
有状態のボルツマン分布)の秩序解消効果に゛比較する
と無視しうる程度である。しかし、液晶性分子が分子間
力により示す特異な会合のために、ミクロン長スケール
の長距離配向秩序が存在する。このような条件下では、
数ボルト/口を超える配向場の印加による試料の全体的
な配向は、上述した程度の整列すなわち配向を生じさセ
ることができる。
、熱により誘起される回転(すなわち、室温での回転固
有状態のボルツマン分布)の秩序解消効果に゛比較する
と無視しうる程度である。しかし、液晶性分子が分子間
力により示す特異な会合のために、ミクロン長スケール
の長距離配向秩序が存在する。このような条件下では、
数ボルト/口を超える配向場の印加による試料の全体的
な配向は、上述した程度の整列すなわち配向を生じさセ
ることができる。
交流電界の印加も全体的な整列を誘起させることができ
る。この場合、配向トルクはもっばら印加された交流電
界と誘起双極子モーメントとの相互作用により生ずる0
通常、ネマティック相に対しては、l KHzを超える
周波数で1kV/amを超える交流電界強度を採用する
。このような周波数では、整列したネマティック領域の
回転運動は電界に追従するには十分でない、その直接的
な結果として、印加電界と永久双極子モーメントとの相
互作用に起因するトルクを時間内で平均化するとゼロと
なる。しかし、電子的に誘起される分極は非常に素早い
プロセスであるので、誘起双極子モーメントは印加電界
の方向に応じて方向を変え、その結果、正味のトルクを
生ずる。
る。この場合、配向トルクはもっばら印加された交流電
界と誘起双極子モーメントとの相互作用により生ずる0
通常、ネマティック相に対しては、l KHzを超える
周波数で1kV/amを超える交流電界強度を採用する
。このような周波数では、整列したネマティック領域の
回転運動は電界に追従するには十分でない、その直接的
な結果として、印加電界と永久双極子モーメントとの相
互作用に起因するトルクを時間内で平均化するとゼロと
なる。しかし、電子的に誘起される分極は非常に素早い
プロセスであるので、誘起双極子モーメントは印加電界
の方向に応じて方向を変え、その結果、正味のトルクを
生ずる。
磁界の印加でも整列、すなわち配向を生じさせることが
できる。有機分子は永久磁気双極子モーメントを有して
いない、交流電界の場合と同様に、磁界も正味の磁気双
極子モーメントを誘起させうる。誘起された双極子モー
メントと外部磁界との相互作用によりトルクが生ずる。
できる。有機分子は永久磁気双極子モーメントを有して
いない、交流電界の場合と同様に、磁界も正味の磁気双
極子モーメントを誘起させうる。誘起された双極子モー
メントと外部磁界との相互作用によりトルクが生ずる。
10キロガウスを超える磁界強度でネマティック相の配
向を誘起させるのに十分である。
向を誘起させるのに十分である。
電界もしくは磁界によるネマティック相の整列(配向)
は、華にネマティック材料に電界もしくは磁界を印加す
るだけで達成できる。スメクティソク相の配向は、粘度
が高いために回転自由度が低いことからより困難である
。配向したスメクティフク相モノドメインの形成は、そ
の材料をネマティック相状態で配向させ、配向場を維持
しながら材料を冷却してスメクティンク相に転移させる
ことにより達成できる。スメクティック相と等方相しか
示さず、ネマティック相を持たない材料については、ス
メクティフク相−等方相転移温度に近い高温、たとえば
その媒体が等方性流体中にスメクティック相ドメインを
含んだ状態になるような該転移温度に非常に近い温度に
おいて、スメクティック相における整列を達成すること
ができる。
は、華にネマティック材料に電界もしくは磁界を印加す
るだけで達成できる。スメクティソク相の配向は、粘度
が高いために回転自由度が低いことからより困難である
。配向したスメクティフク相モノドメインの形成は、そ
の材料をネマティック相状態で配向させ、配向場を維持
しながら材料を冷却してスメクティンク相に転移させる
ことにより達成できる。スメクティック相と等方相しか
示さず、ネマティック相を持たない材料については、ス
メクティフク相−等方相転移温度に近い高温、たとえば
その媒体が等方性流体中にスメクティック相ドメインを
含んだ状態になるような該転移温度に非常に近い温度に
おいて、スメクティック相における整列を達成すること
ができる。
機械的応力により誘起される配向は、スメクティフクお
よびネマティックの両方の中間相について通用可能であ
る。配開場としての強力な機械的応力は、固体液晶性材
料の場合、かかる媒体が本来的に示す自己整列傾向によ
りこの材料の全体に伝播する0機械的応力を作用させる
具体的な方法としては、薄膜を延伸する方法、またはナ
イロンのような配向性ポリマーで液晶性表面を被覆する
方法がある。物理的な方法(例、延伸)は、その液晶性
分子の剛直性および幾何学的非対称性に依存して全体的
な配向を誘起させる。化学的な方法(例、配向性ポリマ
ーによる表面の被N)は、強い分子間相互作用に依存し
て表面配向を誘起させる。配向した材料を生じさせるた
めの上託のどの方法も、低分子液晶および高分子液晶の
いずれにも適用できる。ガラス転移を示すポリマーにつ
いては、整列した液晶性相をガラス転移温度より低温へ
の急速冷却により固定(凍結)することができる。
よびネマティックの両方の中間相について通用可能であ
る。配開場としての強力な機械的応力は、固体液晶性材
料の場合、かかる媒体が本来的に示す自己整列傾向によ
りこの材料の全体に伝播する0機械的応力を作用させる
具体的な方法としては、薄膜を延伸する方法、またはナ
イロンのような配向性ポリマーで液晶性表面を被覆する
方法がある。物理的な方法(例、延伸)は、その液晶性
分子の剛直性および幾何学的非対称性に依存して全体的
な配向を誘起させる。化学的な方法(例、配向性ポリマ
ーによる表面の被N)は、強い分子間相互作用に依存し
て表面配向を誘起させる。配向した材料を生じさせるた
めの上託のどの方法も、低分子液晶および高分子液晶の
いずれにも適用できる。ガラス転移を示すポリマーにつ
いては、整列した液晶性相をガラス転移温度より低温へ
の急速冷却により固定(凍結)することができる。
外場誘起液晶分子配向に関する文献としては下記のもの
が参照できる: P、G、deGennes著「液晶の
物理学(The Physics of Liquid
Crystals) J(オックスフォード大学出版
部) (1974)の95〜97頁; J、 Stam
atoff et al、 rスメクティ7りAt&
晶のX&%回折強度」フィジカル・レビユー・レクーズ
(Phys、 Rev、 Letters) + 4ム
1509−1512 (1980) ;J、S、 P
anel et al、 rスメクティンク液晶の確
実な配向性」フェロエレクトリックス(Perr。
が参照できる: P、G、deGennes著「液晶の
物理学(The Physics of Liquid
Crystals) J(オックスフォード大学出版
部) (1974)の95〜97頁; J、 Stam
atoff et al、 rスメクティ7りAt&
晶のX&%回折強度」フィジカル・レビユー・レクーズ
(Phys、 Rev、 Letters) + 4ム
1509−1512 (1980) ;J、S、 P
anel et al、 rスメクティンク液晶の確
実な配向性」フェロエレクトリックス(Perr。
elecLrics)、 59 137−144 (
1984) ;J Cognard「ネマティック液
晶およびその混合物の配向」モレキエールズ・クリスタ
ルズ・アンド・リキッドクリスタルズ(Mo1. Cr
yst、 Liq、 Cryst、)追補版(1982
) 。
1984) ;J Cognard「ネマティック液
晶およびその混合物の配向」モレキエールズ・クリスタ
ルズ・アンド・リキッドクリスタルズ(Mo1. Cr
yst、 Liq、 Cryst、)追補版(1982
) 。
以下の実施例は、本発明をさらに例示するものである。
要素および具体的成分は、代表例として提示したもので
あり、本発明の範囲内において各種の変更をなすことが
できる。
あり、本発明の範囲内において各種の変更をなすことが
できる。
1星班土(尋肴伏)
本実施例は、下記式で示される参発巷棲#赤毒ポリ(6
−(4−ニトロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレ
ート〕の製造を例示する。
−(4−ニトロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレ
ート〕の製造を例示する。
A、4−ヒドロキシ−4“−ニトロビフェニル(1)4
−ベンゾイルオキシビフェニル1000m容量の三ツロ
フラスコ中のとリジン500賊に、4−ヒドロキシビフ
ェニル170gを加える。
−ベンゾイルオキシビフェニル1000m容量の三ツロ
フラスコ中のとリジン500賊に、4−ヒドロキシビフ
ェニル170gを加える。
この混合物を10℃に冷却し、塩化ベンゾイル155g
を混合物の温度を20℃以下に保持しながら滴下する0
滴下終了後、混合物を徐々に加熱して還流させ、還流温
度に30分間保持する。得られた反応混合物を次いで室
温に冷却する。
を混合物の温度を20℃以下に保持しながら滴下する0
滴下終了後、混合物を徐々に加熱して還流させ、還流温
度に30分間保持する。得られた反応混合物を次いで室
温に冷却する。
固化した生成物を続いて、HCl 250111および
水250鵬と混合し、次いでさらにHCI と水とを加
え、得られたスラリーをブレンダで十分に混合する。
水250鵬と混合し、次いでさらにHCI と水とを加
え、得られたスラリーをブレンダで十分に混合する。
粒子状の固体を濾取し、中性pHになるまで水洗し、1
晩風乾する。得られた粗生成物をn−ブタノールから再
結晶する。融点149〜150℃。
晩風乾する。得られた粗生成物をn−ブタノールから再
結晶する。融点149〜150℃。
(2)4−ベンゾイル−4“−二トロビフェニル4−ベ
ンゾイルオキシビフェニル(40g)を氷酢酸310区
と混合し、85℃に加熱する0反応媒質の温度を85〜
90℃に保持しながら発煙硝酸(100m)を徐々に添
加する。添加終了後、反応混合物を室温に冷却する。
ンゾイルオキシビフェニル(40g)を氷酢酸310区
と混合し、85℃に加熱する0反応媒質の温度を85〜
90℃に保持しながら発煙硝酸(100m)を徐々に添
加する。添加終了後、反応混合物を室温に冷却する。
析出した固体を濾取し、水およびメタノールで洗浄する
。得られた粗生成物を氷酢酸から再結晶する。融点21
1〜214℃。
。得られた粗生成物を氷酢酸から再結晶する。融点21
1〜214℃。
(3)4−ヒドロキシ−4°−二トロビフェニル4−ペ
ンオイルオキシ−4°−ニトロビフェニル(60g )
をエタノール300賊と混合し、加熱還流させる。水1
00誠中にKOH40gをとかした溶液を還流下に滴下
する0滴下終了後、混合物を30分間還流させ、1晩冷
却する。得られた青色の結晶性カリウム塩を濾取し、乾
燥する。
ンオイルオキシ−4°−ニトロビフェニル(60g )
をエタノール300賊と混合し、加熱還流させる。水1
00誠中にKOH40gをとかした溶液を還流下に滴下
する0滴下終了後、混合物を30分間還流させ、1晩冷
却する。得られた青色の結晶性カリウム塩を濾取し、乾
燥する。
乾燥した塩を最少量の沸騰水に溶解させ、酸性pHにな
るまでHCI/水の50150ta液を添加する。
るまでHCI/水の50150ta液を添加する。
得られた黄色の粗生成物を濾取し、中性になるまで水洗
した後、エタノールから再結晶する。融点203〜20
4℃。
した後、エタノールから再結晶する。融点203〜20
4℃。
エタノール400mに4−ヒドロキシ−4゛−ニトロビ
フェニル21.5gを加え、混合物を加熱還流させる。
フェニル21.5gを加え、混合物を加熱還流させる。
これに、水30眠にKOH7,1gをとかした溶液を還
流温度で滴下する0滴下完了後、6−プロモヘキサノー
ル21.7 gを添加し、反応媒質を約15時間還流さ
せる。次いで、反応媒質を冷却し、エタノールを回転式
蒸発器で除去する。
流温度で滴下する0滴下完了後、6−プロモヘキサノー
ル21.7 gを添加し、反応媒質を約15時間還流さ
せる。次いで、反応媒質を冷却し、エタノールを回転式
蒸発器で除去する。
固体残渣をプレンダ内で水によりスラリー化し、粒子状
の固体を濾取し、水洗し、風乾する。得られた粗生成物
をエタノールから再結晶する。融点117〜119℃。
の固体を濾取し、水洗し、風乾する。得られた粗生成物
をエタノールから再結晶する。融点117〜119℃。
4−(6−ヒトロキシヘキシルオキシ)−4°−二トロ
ビフェニル(22g )を乾燥ジオキサン500賊に溶
解し、45℃に加熱する。トリエチルアミン14gを添
加し、次いでメタクリロイルクロリド10.5gを同量
のジオキサンに溶解させた溶液を、反応媒質の温度を4
5℃に保持しながら滴下する。
ビフェニル(22g )を乾燥ジオキサン500賊に溶
解し、45℃に加熱する。トリエチルアミン14gを添
加し、次いでメタクリロイルクロリド10.5gを同量
のジオキサンに溶解させた溶液を、反応媒質の温度を4
5℃に保持しながら滴下する。
反応媒質を45℃で約24時間攪拌する。次いで、ジオ
キサンを減圧除去し、固体残渣をブレンダ内で水により
スラリー化する。粒子状の固体を濾取し、水洗し、風乾
する。この粗製モノマー生成物をエタノールから再結晶
する。融点53〜56℃。
キサンを減圧除去し、固体残渣をブレンダ内で水により
スラリー化する。粒子状の固体を濾取し、水洗し、風乾
する。この粗製モノマー生成物をエタノールから再結晶
する。融点53〜56℃。
上記Cで得られた七ツマ−(2g)を反応器内において
脱気ベンゼン20+11f+に溶解し、1モル%の7ゾ
ジイソブチロニトリルを反応媒質に添加する。
脱気ベンゼン20+11f+に溶解し、1モル%の7ゾ
ジイソブチロニトリルを反応媒質に添加する。
反応器を60℃に4日間加熱する。この期間中にポリマ
ー生成物は反応媒質から固体粒子として析出してくる0
重合終了後、析出物を回収し、ブレンダ内でメタノール
によりスラリー化する0次いで、固体ポリマーを濾取し
、メタノールで洗浄し、減圧乾燥する。
ー生成物は反応媒質から固体粒子として析出してくる0
重合終了後、析出物を回収し、ブレンダ内でメタノール
によりスラリー化する0次いで、固体ポリマーを濾取し
、メタノールで洗浄し、減圧乾燥する。
l症f1
本実施例は、下記式で示される本発明にかかる側鎖形液
晶性ポリシロキサンポリマーの製造を例A、4−(4−
ペンテンオキシ)−4′−二トロビフ五三土 エタノール400誠に4−ヒドロキシ−4゛−ニトロビ
フェニル21.5 gを添加し、この混合物を加熱還流
させる。これに、水30mにKOR7,1gを溶解させ
た溶液を還流温度で滴下する1滴下終了後、5−ブロモ
−1−ペンテン18gを添加し、反応媒質を還流温度に
約15時間加熱する。冷却した混合物からエタノールを
減圧除去し、固体残渣をブレンダ内で水によりスラリー
化し、濾別し、水洗し、風乾する。得られた生成物を次
いで90/10のヘキサン/トルエンから再結晶させる
。融点74〜76℃。
晶性ポリシロキサンポリマーの製造を例A、4−(4−
ペンテンオキシ)−4′−二トロビフ五三土 エタノール400誠に4−ヒドロキシ−4゛−ニトロビ
フェニル21.5 gを添加し、この混合物を加熱還流
させる。これに、水30mにKOR7,1gを溶解させ
た溶液を還流温度で滴下する1滴下終了後、5−ブロモ
−1−ペンテン18gを添加し、反応媒質を還流温度に
約15時間加熱する。冷却した混合物からエタノールを
減圧除去し、固体残渣をブレンダ内で水によりスラリー
化し、濾別し、水洗し、風乾する。得られた生成物を次
いで90/10のヘキサン/トルエンから再結晶させる
。融点74〜76℃。
B、゛ ポ1マーのノ
4−(4−ペンテンオキシ)−4゛−ニトロビフェニル
とポリ (メチル水素シロキサン)(平均分子量500
〜2000)とを、ビフェニル反応物質の方が10モル
%過剰となる割合で乾燥トルエン中に溶解さセる。この
反応媒質に、クロロ白金酸触媒(イソプロパツール中5
重量/容量%溶液)1〜2滴を添加する。
とポリ (メチル水素シロキサン)(平均分子量500
〜2000)とを、ビフェニル反応物質の方が10モル
%過剰となる割合で乾燥トルエン中に溶解さセる。この
反応媒質に、クロロ白金酸触媒(イソプロパツール中5
重量/容量%溶液)1〜2滴を添加する。
60℃に約15時間加熱した後、反応混合物をメタノー
ルに投入して、固体ポリマーの析出物を分離させる。析
出した固体ポリマーを回収し、ポリマーをクロロホルム
に?8解させ、次いで)容f夜からメタノールにより析
出させることによりポリマーの精製を行う。
ルに投入して、固体ポリマーの析出物を分離させる。析
出した固体ポリマーを回収し、ポリマーをクロロホルム
に?8解させ、次いで)容f夜からメタノールにより析
出させることによりポリマーの精製を行う。
j西1之側一旦−(吻トj1イ多コ)
本実施例は、下記式で示される木発琲##≠4側鎖形液
晶性ポリオキシアルキレンポリマーの製造を例示する。
晶性ポリオキシアルキレンポリマーの製造を例示する。
ロビフェニル
塩化メチレン250 vnに4−(4−ペンテンオキシ
)−4°−二トロビフェニル28.3gを添加する。得
られた溶液を0℃に冷却し、これにトクロロ過安息香酸
legを徐々に添加する。得られた混合物を0℃で24
時間攪拌し、室温まで昇温させる。
)−4°−二トロビフェニル28.3gを添加する。得
られた溶液を0℃に冷却し、これにトクロロ過安息香酸
legを徐々に添加する。得られた混合物を0℃で24
時間攪拌し、室温まで昇温させる。
この溶液を濾過し、濾液を希炭酸ナトリウムおよび水で
洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥する。
洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥する。
溶媒を室温で回転式蒸発器により除去すると、固体残渣
として目的生成物が得られる。
として目的生成物が得られる。
B、′8 ポ1マーの/
4−(4,5−エポキシペントキシ)−4′−二トロビ
フェニル(2g)を無水ベンゼンに溶解させ、三フッ化
ホウ素・エーテレート触媒と共に40℃に15時間加熱
する。
フェニル(2g)を無水ベンゼンに溶解させ、三フッ化
ホウ素・エーテレート触媒と共に40℃に15時間加熱
する。
生成したポリオキシペンチレンボリマーを、溶液からメ
タノールにより析出させた回収し、減圧乾燥する。
タノールにより析出させた回収し、減圧乾燥する。
このポリマーの精製は、ベンゼン溶液からメタノールに
より析出させて行う。
より析出させて行う。
j四り多缶り仔1i(卦シ’、u+ )本実施例は、本
発明にかかる二次非線形光学特性を示す側鎖形液晶性ポ
リマーを得るためのボーリング法を例示する。
発明にかかる二次非線形光学特性を示す側鎖形液晶性ポ
リマーを得るためのボーリング法を例示する。
A、ポーリングセルの
コーニングガラスEC−2301のような2枚のatZ
性ガラス板からポーリングセル(poling cel
l)を構成する。ガラス板を順に硫酸、イソプロパツー
ル、1−ドデカノール、およびイソプロパツールにより
、各洗浄工程間に蒸留水でのすすぎを行いながら洗浄す
る。
性ガラス板からポーリングセル(poling cel
l)を構成する。ガラス板を順に硫酸、イソプロパツー
ル、1−ドデカノール、およびイソプロパツールにより
、各洗浄工程間に蒸留水でのすすぎを行いながら洗浄す
る。
構成したポーリングセルは、2枚の導電性ガラス板の表
面を向かい合わせに近接させて配置し、厚さ約25sの
ポリイミドフィルムにより離間させたサンドインチ型の
セルである。ガラス板を保持するために、ポリイミドフ
ィルムの両面にエポキシ系接着剤の1層を塗布しておく
。
面を向かい合わせに近接させて配置し、厚さ約25sの
ポリイミドフィルムにより離間させたサンドインチ型の
セルである。ガラス板を保持するために、ポリイミドフ
ィルムの両面にエポキシ系接着剤の1層を塗布しておく
。
エポキシ樹脂が完全に硬化した後、セルをイソプロパツ
ールで洗浄し、葛留水ですすぐ、乾燥後、セルを乾燥箱
内に貯蔵する。
ールで洗浄し、葛留水ですすぐ、乾燥後、セルを乾燥箱
内に貯蔵する。
B、ポー1ングセルの
実施例1で得られたポリ(6−(4−ニトロビフェニル
オキシ)へキシルメタクリレート〕を真空乾燥器に入れ
、約120℃の温度で溶融相の状態に約4時間保持して
、ポリマー溶融体から同伴空気の気泡を排除する。
オキシ)へキシルメタクリレート〕を真空乾燥器に入れ
、約120℃の温度で溶融相の状態に約4時間保持して
、ポリマー溶融体から同伴空気の気泡を排除する。
この液晶性ポリマーの溶融体を、前記2枚のガラス板の
間の空間に次のようにして導入する。まず、ポーリング
セル空間の穴の1つにポリマー溶融体1滴を装填し、セ
ル装置を、この液晶性ポリマーの透明点温度より約10
℃高い温度に保持された真空乾燥器に入れる。毛管作用
により、セルの空間は次第に充満していく、空間の充填
時間は、長さ0.5 amの空間で約4時間である。充
填されたセル内の液晶性ポリマー溶融体は、無気泡であ
る。
間の空間に次のようにして導入する。まず、ポーリング
セル空間の穴の1つにポリマー溶融体1滴を装填し、セ
ル装置を、この液晶性ポリマーの透明点温度より約10
℃高い温度に保持された真空乾燥器に入れる。毛管作用
により、セルの空間は次第に充満していく、空間の充填
時間は、長さ0.5 amの空間で約4時間である。充
填されたセル内の液晶性ポリマー溶融体は、無気泡であ
る。
C1WRによる p
前記it性ガラス表面のそれぞれに、it性エポキシ樹
脂接着剤を使用して2本のリード線を取りつける。この
ポーリング装置を顕微鏡の加熱載物台(FP−80セン
トラル・プロセッサを備えたメトラー(Mettler
) FP−82)に載せ、試料を偏光顕微鏡〔ライフ・
オルトルックス・ポル(Lei’tz 0rtholu
x Pot))により配向について観察する。
脂接着剤を使用して2本のリード線を取りつける。この
ポーリング装置を顕微鏡の加熱載物台(FP−80セン
トラル・プロセッサを備えたメトラー(Mettler
) FP−82)に載せ、試料を偏光顕微鏡〔ライフ・
オルトルックス・ポル(Lei’tz 0rtholu
x Pot))により配向について観察する。
この顕微鏡を、光ダイオード(メトラー・フォトメーク
h 17517)に切り替えて、電界の印加による光強
度の変化を記録する。2本のリード線を、信号発生器(
ヒユーレット・パラカードhh 3310B)からの電
圧信号を増幅する交流電圧増幅器〔エレクトロ−オプテ
ィック・デベロップメンツ(Electro−Opti
c Developments) LAIO^〕に接続
する。
h 17517)に切り替えて、電界の印加による光強
度の変化を記録する。2本のリード線を、信号発生器(
ヒユーレット・パラカードhh 3310B)からの電
圧信号を増幅する交流電圧増幅器〔エレクトロ−オプテ
ィック・デベロップメンツ(Electro−Opti
c Developments) LAIO^〕に接続
する。
ポーリングセルをまず85℃に加熱して、液晶ポリマー
を等方性相にする。この装置を次いで0.2℃/ll1
inの速度で64℃になるまで冷却する。この温度で光
ダイオードの信号は、溶融体が液晶性相に転移したこと
を表示する急激な増大を示す、温度をさらに2℃だけ低
下させ、この温度に保持する。
を等方性相にする。この装置を次いで0.2℃/ll1
inの速度で64℃になるまで冷却する。この温度で光
ダイオードの信号は、溶融体が液晶性相に転移したこと
を表示する急激な増大を示す、温度をさらに2℃だけ低
下させ、この温度に保持する。
交流電圧源をsoo vに設定し、周波数は2000H
zに設定する。ポーリングセルへの電源を入れて、液晶
性ポリマー試料に対して横断方向の電界を印加する。を
異強度は約2 XIO’ V/amであると算出される
。電界の印加から約3秒後に、光ダイオードの信号が基
線近くまで低下し、これは電界により誘起された配向の
発現が完了したことを表示する。この時点で、冷却を再
開して温度を35℃まで下げ、ポーリング装置を電源か
ら切り離す。
zに設定する。ポーリングセルへの電源を入れて、液晶
性ポリマー試料に対して横断方向の電界を印加する。を
異強度は約2 XIO’ V/amであると算出される
。電界の印加から約3秒後に、光ダイオードの信号が基
線近くまで低下し、これは電界により誘起された配向の
発現が完了したことを表示する。この時点で、冷却を再
開して温度を35℃まで下げ、ポーリング装置を電源か
ら切り離す。
ポーリング装置をS!Ji微鏡の加熱載物台から取り出
すと、目視観察でセル空間内の液晶性ポリマーは透明と
なっている。これは分子配向が試料全体にねたうて均一
かつ均゛質であることを示している。
すと、目視観察でセル空間内の液晶性ポリマーは透明と
なっている。これは分子配向が試料全体にねたうて均一
かつ均゛質であることを示している。
試料の配向は、さらに広角X線回折法を利用しても確認
され、試料のヘルマン配向因子(Hermann’ 5
orientation factor)は約0.9で
ある。
され、試料のヘルマン配向因子(Hermann’ 5
orientation factor)は約0.9で
ある。
D、・ 、 ′のための ボー1ング配向させた
液晶試料にさらにより高い電界を印加して、ポリマー側
鎖の一部である非線形光学特性構造部位の非中心対称性
配向を発現させる。
液晶試料にさらにより高い電界を印加して、ポリマー側
鎖の一部である非線形光学特性構造部位の非中心対称性
配向を発現させる。
ポーリングセル装置を、ポリマーのガラス転移温度より
約5℃低い温度である30℃に加熱する。
約5℃低い温度である30℃に加熱する。
次いで、ポーリング装置のり・−ド線を直流電圧源〔ケ
プコ(Kepco) 0PS−3500)に接続し、電
圧を徐々に高めていって2000 Vにする。この電圧
に達した時点で、試料の横断方向の電界強度は約8×1
0SV/cmである。この試料をこの電界強度水準に2
4時間保持した後、電圧源を切る。セル試料を冷却する
と、非中心対称に配向した液晶性ポリマー刺激による放
電測定により確認される。X線回折測定法により求めた
ヘルマン配向因子の値は、約0.9である。
プコ(Kepco) 0PS−3500)に接続し、電
圧を徐々に高めていって2000 Vにする。この電圧
に達した時点で、試料の横断方向の電界強度は約8×1
0SV/cmである。この試料をこの電界強度水準に2
4時間保持した後、電圧源を切る。セル試料を冷却する
と、非中心対称に配向した液晶性ポリマー刺激による放
電測定により確認される。X線回折測定法により求めた
ヘルマン配向因子の値は、約0.9である。
これらの測定から、非線形光学特性を示す構造部位のほ
とんどが、電界強度の方向に平行に整列し、残りが電界
強度の方向と逆平行に配向していることが示される。
とんどが、電界強度の方向に平行に整列し、残りが電界
強度の方向と逆平行に配向していることが示される。
Claims (15)
- (1)下記一般式で示される反復単量体単位により構成
されるポリマー。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、PSはポリシロキサンポリマー主鎖を意味し;m
は少なくとも3の整数であり;S’は原子数約1〜25
の線状鎖長を有する屈曲性スペーサー基を意味し;Xは
−NR−、−O−もしくは−S−を意味し;Rは水素も
しくはC_1〜C_4アルキル基を意味し;Yは、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ を意味し;ならびにZは電子供与性基もしくは電子吸引
性基である。 - (2)Xが−NR−である特許請求の範囲第1項記載の
ポリマー。 - (3)Xが−O−である特許請求の範囲第1項記載のポ
リマー。 - (4)Xが−S−である特許請求の範囲第1項記載のポ
リマー。 - (5)Zが電子供与性基である、特許請求の範囲第1項
記載のポリマー。 - (6)Zが電子吸引性基である、特許請求の範囲第1項
記載のポリマー。 - (7)下記一般式で示される反復単量体単位により構成
される特許請求の範囲第1項記載のポリマー。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R^2はC_1〜C_1_0炭化水素基、m^1
は少なくとも5の整数、 nは約4〜20の整数、 X^1は−NR^1−、−O−もしくは−S−、R^1
は水素もしくはメチル、および Z^1は−NO_2、−CNもしくは−CF_3をそれ
ぞれ意味する。 - (8)R^2がC_1〜C_4アルキル基である、特許
請求の範囲第7項記載のポリマー。 - (9)R^2がメチル基である、特許請求の範囲第7項
記載のポリマー。 - (10)X^1が−NR^1−である、特許請求の範囲
第7項記載のポリマー。 - (11)X^1が−O−である、特許請求の範囲第7項
記載のポリマー。 - (12)X^1が−S−である、特許請求の範囲第7項
記載のポリマー。 - (13)ポリマーが液晶性相を示す、特許請求の範囲第
7項記載のポリマー。 - (14)下記一般式で示される反復単量体単位により構
成される特許請求の範囲第1項記載のサーモトロピック
液晶性ポリマー。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、m^1は少なくとも5の整数、 nは約4〜20の整数、 X^1は−NR−、−O−もしくは−S−、およびR^
1は水素もしくはメチルをそれぞれ意味する。 - (15)X^1が−NH−である、特許請求の範囲第1
4項記載の液晶性ポリマー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US822093 | 1986-01-24 | ||
US06/822,093 US4868250A (en) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | Polysiloxane polymers exhibiting nonlinear optical response |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62190230A true JPS62190230A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=25235119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62013270A Pending JPS62190230A (ja) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | 非線形光学応答を示すポリシロキサン系ポリマ− |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4868250A (ja) |
EP (1) | EP0238789A3 (ja) |
JP (1) | JPS62190230A (ja) |
CA (1) | CA1297620C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08225649A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-09-03 | Consortium Elektrochem Ind Gmbh | 環式ポリオルガノシロキサン及びその製造方法並びに該物質を含有する偏光子及び減速子 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5044725A (en) * | 1986-01-24 | 1991-09-03 | Hoechst Celanese Corp. | Polymeric thin film waveguide media |
DE3623395A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung unter verwendung von polymeren fluessigkristallen |
DE3704878A1 (de) * | 1987-02-17 | 1988-08-25 | Merck Patent Gmbh | Wasserstoffbruecken ausbildende zusammensetzungen |
US5171765A (en) * | 1987-03-27 | 1992-12-15 | North Dakota State University | Water dispersible polymers for coatings based on polymers containing mesogenic groups |
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