JPS621889A - 反応室クリ−ニング方法および装置 - Google Patents
反応室クリ−ニング方法および装置Info
- Publication number
- JPS621889A JPS621889A JP60140398A JP14039885A JPS621889A JP S621889 A JPS621889 A JP S621889A JP 60140398 A JP60140398 A JP 60140398A JP 14039885 A JP14039885 A JP 14039885A JP S621889 A JPS621889 A JP S621889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- contaminants
- cleaning
- chamber
- scraping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は反応室内の汚染物のクリーニング方法および装
置に係り、特にクリーニング時間の大幅な短縮およびコ
ストの低減等を企図した反応室クリーニング方法および
装置に関する。
置に係り、特にクリーニング時間の大幅な短縮およびコ
ストの低減等を企図した反応室クリーニング方法および
装置に関する。
本発明は、たとえば薄膜製造等を行う反応室のクリーニ
ングに適用される。
ングに適用される。
［従来技術］
通常、薄膜製造を行った後の反応室内には、薄膜製造の
際の副生成物等の汚染物が付着している。このような汚
染物は、成膜工程を繰り返すことで剥離し易くなり、反
応室内をリーク又は排気する時に細片となって容易に舞
い上る。このために、薄膜を形成した又は形成する基体
表面を汚染し、製品の品質を低下させる原因となってい
た。
際の副生成物等の汚染物が付着している。このような汚
染物は、成膜工程を繰り返すことで剥離し易くなり、反
応室内をリーク又は排気する時に細片となって容易に舞
い上る。このために、薄膜を形成した又は形成する基体
表面を汚染し、製品の品質を低下させる原因となってい
た。
したがって、汚染物の影響を出来るだけ減少させるため
に、反応室は成膜終了時毎に、クリーニングする必要が
ある。
に、反応室は成膜終了時毎に、クリーニングする必要が
ある。
このような反応室のクリーニングには、従来、手作業に
よる分解クリーニングか、又はドライエツチングによる
クリーニングが用いられていた。
よる分解クリーニングか、又はドライエツチングによる
クリーニングが用いられていた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、手作業による分解クリーニングは、その
都度反応室を分解してＨＦ等による化学エツチングを行
うために、長時間を要する上に。
都度反応室を分解してＨＦ等による化学エツチングを行
うために、長時間を要する上に。
多大の労力を必要とするものである。さらに、エツチン
グ液が残留することがあり、完全なりリーニングは困難
である等の問題点を有していた。たとえば、電子写真感
光体をプラズマＣＶＤ法によって作製する場合、汚染物
が残存していると感光体の特性悪化および画像欠陥の原
因となる。
グ液が残留することがあり、完全なりリーニングは困難
である等の問題点を有していた。たとえば、電子写真感
光体をプラズマＣＶＤ法によって作製する場合、汚染物
が残存していると感光体の特性悪化および画像欠陥の原
因となる。
一方、ドライエツチングによるクリーニングは、反応室
の分解が不要であるために労力が軽減されるが、エツチ
ング用ガスを用い、高周波電力によってプラズマを発生
させるために、クリーニングに高いコストを必要とする
。また、それほど短時間にクリーニングが行えるわけで
はない上に、繰り返すうちに反応室内に汚染物が生じる
等の問題点を有していた。
の分解が不要であるために労力が軽減されるが、エツチ
ング用ガスを用い、高周波電力によってプラズマを発生
させるために、クリーニングに高いコストを必要とする
。また、それほど短時間にクリーニングが行えるわけで
はない上に、繰り返すうちに反応室内に汚染物が生じる
等の問題点を有していた。
［問題点を解決するための手段］
上記従来の問題点を解決するために、本発明による°反
応室クリーニング方法は、反応室内に付着した汚染物を
除去するクリーニング方法において。
応室クリーニング方法は、反応室内に付着した汚染物を
除去するクリーニング方法において。
前記反応室内に付着した汚染物を掻き落とす工程を少な
くとも有することを特徴とする。
くとも有することを特徴とする。
また、本発明による反応室クリーニング装置は、反応室
内に付着した汚染物を除去するクリーニング装置におい
て、 前記汚染物が付着した面に内接した掻き落とし手段と、
該掻き落とし手段を前記汚染物が付着した面に沿って摺
動させる駆動手段とを有することを特徴とする。
内に付着した汚染物を除去するクリーニング装置におい
て、 前記汚染物が付着した面に内接した掻き落とし手段と、
該掻き落とし手段を前記汚染物が付着した面に沿って摺
動させる駆動手段とを有することを特徴とする。
［作用］
このように、反応室内の汚染物を機械的に掻き落とす工
程を有するために、クリーニング時間を大幅に短縮する
ことができる。たとえばドライエツチング工程と併用す
れば、ドライエツチング時間が大幅に短縮され、しかも
完全なりリーニングを達成できる。
程を有するために、クリーニング時間を大幅に短縮する
ことができる。たとえばドライエツチング工程と併用す
れば、ドライエツチング時間が大幅に短縮され、しかも
完全なりリーニングを達成できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明による反応室クリーニング装置の一実
施例の概略的構成図であり、第２図は、本実施例におけ
る掻き落とし部材の一例の概略的斜視図である。
施例の概略的構成図であり、第２図は、本実施例におけ
る掻き落とし部材の一例の概略的斜視図である。
第１図において、反応室１内には、反応室ｌにガスを導
入するガス導入管２、成膜時に基体を加熱するヒータ３
、そのヒータ３を覆うように配置されたシリンダ４が設
けられ、さらに後述するように、掻き落とし部材５の網
目状部材５１が反応室１の内側面に内接している。
入するガス導入管２、成膜時に基体を加熱するヒータ３
、そのヒータ３を覆うように配置されたシリンダ４が設
けられ、さらに後述するように、掻き落とし部材５の網
目状部材５１が反応室１の内側面に内接している。
反応室１の側面は高周波電極６によって囲まれ、高周波
電極６は絶縁材７によって環状部材８および底板９と天
板１０とから電気的に分離されている０反応室１内の底
板９には排気口１１が設けられ、反応室１内の排気を行
う。
電極６は絶縁材７によって環状部材８および底板９と天
板１０とから電気的に分離されている０反応室１内の底
板９には排気口１１が設けられ、反応室１内の排気を行
う。
掻き落とし部材５は、第２図に示すように、円筒状の網
目状部材５１ （金属メツシュ、セラミックメツシュ等
）と、その下部に固定された環状のギア部５２とから構
成されている０円筒状の網目状部材５１は、反応室１の
内側面である高周波電極６の内面に内接し、ギア部５２
はギア１２とかみ合い、ギア１２は駆動部１３の回転軸
に固定されている。したがって、駆動部１３を動作させ
ることで、網目状部材５１は高周波電極６の内面を摺動
し、そこに付着した汚染物を掻き落とすことができる。
目状部材５１ （金属メツシュ、セラミックメツシュ等
）と、その下部に固定された環状のギア部５２とから構
成されている０円筒状の網目状部材５１は、反応室１の
内側面である高周波電極６の内面に内接し、ギア部５２
はギア１２とかみ合い、ギア１２は駆動部１３の回転軸
に固定されている。したがって、駆動部１３を動作させ
ることで、網目状部材５１は高周波電極６の内面を摺動
し、そこに付着した汚染物を掻き落とすことができる。
なお、網目状部材５１が金属メツシュであれば、ギア部
５２にテフロン、セラミック等の絶縁材を使用して駆動
部１３を電気的に分離する必要がある。
５２にテフロン、セラミック等の絶縁材を使用して駆動
部１３を電気的に分離する必要がある。
また、網目状部材５１の目の粗さは任意であるが、目が
細かいと、短時間で高周波電極６との接触面摂を大きく
することができる反面、網目に残存物が多くなる。また
、目が粗いと、網目の残存物は少なくなるが、クリーニ
ングに若干多く時間を要するとともに、Ｊａ械的な強度
も若干低くなる。したがって、網目な粗さは、目的に応
じて適宜選択する必要がある。
細かいと、短時間で高周波電極６との接触面摂を大きく
することができる反面、網目に残存物が多くなる。また
、目が粗いと、網目の残存物は少なくなるが、クリーニ
ングに若干多く時間を要するとともに、Ｊａ械的な強度
も若干低くなる。したがって、網目な粗さは、目的に応
じて適宜選択する必要がある。
次に、具体例として、上記反応室１内で円筒状の基体に
非晶質シリコンの薄膜を堆積させる工程を簡単に説明し
、それに続いて本発明によるクリーニング方法の一実施
例を詳細に説明する。
非晶質シリコンの薄膜を堆積させる工程を簡単に説明し
、それに続いて本発明によるクリーニング方法の一実施
例を詳細に説明する。
まず、円筒状の基体（図示せず）をヒータ３が覆われる
ように設置し１反応室１内を所望の真空度にする。続い
て、基体の温度をヒータ３によって所望の温度まで上昇
させた後、ガス導入管２からシラン等の原料ガスを反応
室ｌ内に導入するとともに、高周波電極６に高周波を印
加してプラズマを発生させる。これによって原料ガ、ス
であるシランが放電分解され、上記基体表面に非晶質シ
リコン膜が形成される。
ように設置し１反応室１内を所望の真空度にする。続い
て、基体の温度をヒータ３によって所望の温度まで上昇
させた後、ガス導入管２からシラン等の原料ガスを反応
室ｌ内に導入するとともに、高周波電極６に高周波を印
加してプラズマを発生させる。これによって原料ガ、ス
であるシランが放電分解され、上記基体表面に非晶質シ
リコン膜が形成される。
このように非晶質シリコン膜をプラズマ分光装置によっ
て形成すると、副生成物として微細な粉体状のポリシラ
ンが生じ、反応室ｌの内面である高周波電極６等の表面
に付着している。
て形成すると、副生成物として微細な粉体状のポリシラ
ンが生じ、反応室ｌの内面である高周波電極６等の表面
に付着している。
そこで非晶質シリコン膜が堆積した基体を取り出し、シ
リンダ４を設置した後、上記ポリシラン等の汚染物を掻
き落とし部材５によって機械的に除去する。すなわち、
駆動部１３によって網目状部材５１を回転させ、高周波
電極６の表面に付着したポリシラン等の汚染物を掻き落
とし、下方の排気口１１から排出する。この時、ガス導
入管２からＮ２ 、 Ａｒ等の不活性ガスを噴出させる
と除去効果は更に向上する。
リンダ４を設置した後、上記ポリシラン等の汚染物を掻
き落とし部材５によって機械的に除去する。すなわち、
駆動部１３によって網目状部材５１を回転させ、高周波
電極６の表面に付着したポリシラン等の汚染物を掻き落
とし、下方の排気口１１から排出する。この時、ガス導
入管２からＮ２ 、 Ａｒ等の不活性ガスを噴出させる
と除去効果は更に向上する。
このような機械的なりリーニングによって、飛散性のポ
リシリコン粉体のほとんどは除去されるために、実用状
は機械的クリーニングで十分であるが、１積性の汚染物
を除去するために数回毎にドライエツチング等を併用し
た方がより好ましい、たとえば、機械的クリーニング終
了後、ＣＦ４１０２等のガスをガス導入管２から供給し
てプラズマエツチングを行うと、上記機械的クリーニン
グによってポリシラン等の汚染物が除去されているため
に、ドライエツチング時間が従来に比べて大幅に短縮さ
れる。また、網目状部材５１が存在するために、ガスの
流れが散乱され、プラズマ放電が均一化されるという利
点もある。
リシリコン粉体のほとんどは除去されるために、実用状
は機械的クリーニングで十分であるが、１積性の汚染物
を除去するために数回毎にドライエツチング等を併用し
た方がより好ましい、たとえば、機械的クリーニング終
了後、ＣＦ４１０２等のガスをガス導入管２から供給し
てプラズマエツチングを行うと、上記機械的クリーニン
グによってポリシラン等の汚染物が除去されているため
に、ドライエツチング時間が従来に比べて大幅に短縮さ
れる。また、網目状部材５１が存在するために、ガスの
流れが散乱され、プラズマ放電が均一化されるという利
点もある。
第３図は、ドライエツチングを行う時間と、フッ素ラジ
カルの７０４ ｎ厘発光強度との関係を示すグラフであ
る。同グラフに示すように、プラズマ分光装置によって
フッ素ラジカルの７０４ ｎ１発光強度を調べると、本
実施例のエツチング時間は、機械的クリーニングを行わ
ずドライエツチングだけでクリーニングを行った従来例
のエツチング時間の約１／３に短縮されていることがわ
かる。
カルの７０４ ｎ厘発光強度との関係を示すグラフであ
る。同グラフに示すように、プラズマ分光装置によって
フッ素ラジカルの７０４ ｎ１発光強度を調べると、本
実施例のエツチング時間は、機械的クリーニングを行わ
ずドライエツチングだけでクリーニングを行った従来例
のエツチング時間の約１／３に短縮されていることがわ
かる。
なお、上記具体例では、円筒状の網目状部材５１を用い
たが、勿論これに限定されるものではなく、掻き落とし
部材として複数本の棒状のブレードを用いたものでもよ
い、また、掻き落とし部材は、上記のように回転運動だ
けではなく、適当な角度で往復運動させてもよい、その
場合は、ピストンに掻き落とし部材５を固定し、ガスに
よってそのピストンを駆動することで往復運動を発生さ
せてもよい。
たが、勿論これに限定されるものではなく、掻き落とし
部材として複数本の棒状のブレードを用いたものでもよ
い、また、掻き落とし部材は、上記のように回転運動だ
けではなく、適当な角度で往復運動させてもよい、その
場合は、ピストンに掻き落とし部材５を固定し、ガスに
よってそのピストンを駆動することで往復運動を発生さ
せてもよい。
さらに、上記具体例では、非晶質シリコン膜を形成した
場合のクリーニング方法を示したが、勿論Ｓｉ０２ Ｍ
、 Ｓｉ３Ｎ ４膜、Ａ１２０３膜等の薄膜を形成した
場合の反応室クリーニングにも、本発明は適用可能であ
ることは明らかである。
場合のクリーニング方法を示したが、勿論Ｓｉ０２ Ｍ
、 Ｓｉ３Ｎ ４膜、Ａ１２０３膜等の薄膜を形成した
場合の反応室クリーニングにも、本発明は適用可能であ
ることは明らかである。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明による反応室クリー
ニング方法および装置は、反応室内の汚染物を機械的に
掻き落とす工程を有するために、クリーニング時間を大
幅に短縮することができ、量産性に適したものとなる。
ニング方法および装置は、反応室内の汚染物を機械的に
掻き落とす工程を有するために、クリーニング時間を大
幅に短縮することができ、量産性に適したものとなる。
たとえばドライエツチング工程と併用すれば、ドライエ
ツチング時間が大幅に短縮され、そのために繰返し行っ
ても反応室内に汚染物が生じにくくなる。したがって、
たとえば電子写真感光体の製造工程に本発明を適用する
と、高品質の感光体を作製でき、従来技術で問題となっ
ていた画像欠陥の頻度が大幅に減少する。
ツチング時間が大幅に短縮され、そのために繰返し行っ
ても反応室内に汚染物が生じにくくなる。したがって、
たとえば電子写真感光体の製造工程に本発明を適用する
と、高品質の感光体を作製でき、従来技術で問題となっ
ていた画像欠陥の頻度が大幅に減少する。
第１図は、本発明による反応室クリーニング装置の一実
施例の概略的構成図、 第２図は１本実施例における掻き落とし部材の一例の概
略的斜視図、 第３図は、ドライエツチングを行う時間と、フッ素ラジ
カルの７０４ ｎｍ発光強度との関係を示すグラフであ
る。 ｌ拳・・反応室 ２・・・ガス導入管 ４＊＊・シリンダ ５・・・掻き落とし部材 ｅ・・・高周波電極 １１争ｅ・排気口 １３＠φ・駆動部 ５１・・・網目状部材 ５２争・・ギア部
施例の概略的構成図、 第２図は１本実施例における掻き落とし部材の一例の概
略的斜視図、 第３図は、ドライエツチングを行う時間と、フッ素ラジ
カルの７０４ ｎｍ発光強度との関係を示すグラフであ
る。 ｌ拳・・反応室 ２・・・ガス導入管 ４＊＊・シリンダ ５・・・掻き落とし部材 ｅ・・・高周波電極 １１争ｅ・排気口 １３＠φ・駆動部 ５１・・・網目状部材 ５２争・・ギア部
Claims (4)
- （１）反応室内に付着した汚染物を除去するクリーニン
グ方法において、 前記反応室内に付着した汚染物を掻き落とす工程を少な
くとも有することを特徴とする反応室クリーニング方法
。 - （２）上記反応室内に付着した汚染物を掻き落とす工程
と、ドライエッチング工程とを併用したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の反応室クリーニング方法
。 - （３）反応室内に付着した汚染物を除去するクリーニン
グ装置において、 前記汚染物が付着した面に内接した掻き落とし手段と、
該掻き落とし手段を前記汚染物が付着した面に沿って摺
動させる駆動手段とを有することを特徴とする反応室ク
リーニング装置。 - （４）上記掻き落とし手段の内接した部分は、網目状部
材で形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の反応室クリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140398A JPS621889A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 反応室クリ−ニング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140398A JPS621889A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 反応室クリ−ニング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621889A true JPS621889A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15267861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140398A Pending JPS621889A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 反応室クリ−ニング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63203521A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-23 | ダブリユー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカツト | ガスフラツシユした包装の製造方法及び装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60140398A patent/JPS621889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63203521A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-23 | ダブリユー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカツト | ガスフラツシユした包装の製造方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5401319A (en) | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor | |
| US6566265B2 (en) | Method of working piezoelectric substance and method of manufacturing composite piezoelectric substance | |
| JPH06128749A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0775227B2 (ja) | 半導体製造装置及び付着物除去方法 | |
| JPS621889A (ja) | 反応室クリ−ニング方法および装置 | |
| KR100473705B1 (ko) | 샌드 블라스트 처리된 표면을 가지는 석영 유리 제품과상기 제품을 청정하는 방법 | |
| JPH07211489A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPS59144132A (ja) | 反応装置 | |
| JPH01156484A (ja) | 堆積膜形成室のクリーニング方法及び装置 | |
| JPS594025A (ja) | プラズマによる処理方法 | |
| JPS62130524A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09326384A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6243331B2 (ja) | ||
| JPH05326416A (ja) | 気相成長装置のプラズマ洗浄方法 | |
| JPH07130706A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JPH03292730A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH02185977A (ja) | 膜形成用真空装置 | |
| JPH01725A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JP2678220B2 (ja) | 反応管の洗浄方法及びその装置 | |
| JP2002184698A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH0588539B2 (ja) | ||
| JPS635526A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH04240726A (ja) | プラズマドライエッチング装置 | |
| JPS64725A (en) | Plasma treatment method and device therefor | |
| JP2000100794A (ja) | 半導体製造装置におけるドライクリーニング方法 |