JPS62184770U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62184770U JPS62184770U JP7273486U JP7273486U JPS62184770U JP S62184770 U JPS62184770 U JP S62184770U JP 7273486 U JP7273486 U JP 7273486U JP 7273486 U JP7273486 U JP 7273486U JP S62184770 U JPS62184770 U JP S62184770U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- single crystal
- silicon single
- semiconductor laser
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Description
第1図は本考案による半導体レーザの構造図、
第2図は従来の光出力モニター法説明図。 1…半導体レーザ、2…出射側レーザ光、3…
モニター側レーザ光、4…ホトダイオード。
第2図は従来の光出力モニター法説明図。 1…半導体レーザ、2…出射側レーザ光、3…
モニター側レーザ光、4…ホトダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 PN接合を有するシリコン単結晶基板の一部を
除去することによりPN接合を除去したストライ
プの領域が形成されたものと、 前記シリコン単結晶基板上に形成された AlGaAs系のレーザ素子とを備え、 前記シリコン単結晶のPN接合をホトダイオー
ドとして用いることを特徴とする半導体レーザダ
イオード装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7273486U JPS62184770U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7273486U JPS62184770U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184770U true JPS62184770U (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=30916450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7273486U Pending JPS62184770U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62184770U (ja) |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP7273486U patent/JPS62184770U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62184770U (ja) | ||
JPS6432694A (en) | Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified | |
GB1273013A (en) | Improvements in or relating to laser diodes | |
JPS63157969U (ja) | ||
JPS61151366U (ja) | ||
JPS6159368U (ja) | ||
JPS63114060U (ja) | ||
JPS62118467U (ja) | ||
JPS62133224U (ja) | ||
JPS61134006U (ja) | ||
JPS61203572U (ja) | ||
JPS6315077U (ja) | ||
MASAKAZU et al. | Semiconductor laser device | |
JPS62135104U (ja) | ||
JPS61136569U (ja) | ||
JPS6396619U (ja) | ||
JPS6450460U (ja) | ||
JPS6268262U (ja) | ||
JPH01137562U (ja) | ||
JPS6210460U (ja) | ||
JPS645221U (ja) | ||
KANEKI et al. | Manufacture of semiconductor laser element | |
JPS6350156U (ja) | ||
JPH0276863U (ja) | ||
JPS62182441U (ja) |