JPH01137562U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01137562U JPH01137562U JP3325988U JP3325988U JPH01137562U JP H01137562 U JPH01137562 U JP H01137562U JP 3325988 U JP3325988 U JP 3325988U JP 3325988 U JP3325988 U JP 3325988U JP H01137562 U JPH01137562 U JP H01137562U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waves
- laser
- light
- semiconductor laser
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
Description
第1図は本考案の一実施例のレーザ・アレイ装
置の要部を説明するための斜視図である。 10……ステム、11……第1のレーザダイオ
ード素子、12……第1のポーラライザ、13…
…第1のシリコンフオトダイオード、21……第
2のレーザダイオード素子、22……第2のポー
ラライザ、23……第2のシリコンフオトダイオ
ード。
置の要部を説明するための斜視図である。 10……ステム、11……第1のレーザダイオ
ード素子、12……第1のポーラライザ、13…
…第1のシリコンフオトダイオード、21……第
2のレーザダイオード素子、22……第2のポー
ラライザ、23……第2のシリコンフオトダイオ
ード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) TE波を有する半導体レーザ素子とTM波
を有する半導体レーザ素子の各少くとも1個と、
前記各半導体レーザ素子のモニタレーザ光を受け
る位置に配置されるとともにこのモニタレーザ光
の光出力をフイードバツクする受光素子と、前記
レーザ素子と受光素子との間に配置されモニタレ
ーザ光をTE波とTM波に偏光させる偏光板を具
備したレーザ・アレイ装置。 (2) TE波の多い半導体レーザ素子とTM波の
多い半導体レーザ素子の各少くとも1個を同一基
板上に並設したことを特徴とする請求項1記載の
レーザ・アレイ装置。 (3) TE波の多い半導体レーザ素子とTM波の
多い半導体レーザ素子の少くとも一方の複数個の
レーザ素子についてそれらの波長が同一かもしく
は異なることを特徴とする請求項1または2に記
載のレーザ・アレイ装置。 (4) 受光素子がフオトダイオードであることを
特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の
レーザ・アレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3325988U JPH01137562U (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3325988U JPH01137562U (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01137562U true JPH01137562U (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=31259917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3325988U Pending JPH01137562U (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01137562U (ja) |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP3325988U patent/JPH01137562U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01137562U (ja) | ||
JPS61151366U (ja) | ||
JPS63114060U (ja) | ||
JPS5257790A (en) | Semiconductor scanner | |
JPS6350156U (ja) | ||
JPS62133224U (ja) | ||
JPH0426337U (ja) | ||
JPH0288263U (ja) | ||
JPS6232348U (ja) | ||
JPS6315077U (ja) | ||
JPS63167228U (ja) | ||
JPH01163875U (ja) | ||
JPS63157969U (ja) | ||
JPS62128661U (ja) | ||
JPH0323959U (ja) | ||
JPS6368603U (ja) | ||
JPS6399322U (ja) | ||
JPS6425784U (ja) | ||
JPS63168410U (ja) | ||
TAKEO | Wiring structure of integrated bistable semiconductor laser | |
JPH0371669U (ja) | ||
JPS63137965U (ja) | ||
JPH0199039U (ja) | ||
JPS6384529U (ja) | ||
JPS6372564U (ja) |