JPS62184028A - Polysiloxane compound - Google Patents

Polysiloxane compound

Info

Publication number
JPS62184028A
JPS62184028A JP61025274A JP2527486A JPS62184028A JP S62184028 A JPS62184028 A JP S62184028A JP 61025274 A JP61025274 A JP 61025274A JP 2527486 A JP2527486 A JP 2527486A JP S62184028 A JPS62184028 A JP S62184028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysiloxane
formulas
group
acylated
tables
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61025274A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0238126B2 (en
Inventor
Saburo Imamura
三郎 今村
Haruyori Tanaka
啓順 田中
Katsuhide Onose
小野瀬 勝秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2527486A priority Critical patent/JPH0238126B2/en
Priority to EP87300976A priority patent/EP0232167B1/en
Priority to DE8787300976T priority patent/DE3760030D1/en
Priority to KR1019870000998A priority patent/KR900002363B1/en
Publication of JPS62184028A publication Critical patent/JPS62184028A/en
Priority to US07/576,157 priority patent/US5158854A/en
Publication of JPH0238126B2 publication Critical patent/JPH0238126B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain a benzene ring-containing polysiloxane which comprises specified three kinds of repeating units and is hydrophilic and from which various derivatives can be synthesized, by acylating a polyphenylsilsesquioxane or the like and reducing or oxidizing the product. CONSTITUTION:Polyphenylsilsesquioxane, diphenyldilanediol or the like is acylated with an acylating agent (e.g., acetyl chloride). The acylated polymer is recovered and purified, and the acylated polysiloxane is oxidized with an oxidizing agent such as a hypochlorite or reduced with a reducing agent such as LiAlH4. In this way, the purpose polysiloxane compound containing three kinds of repeating units represented by formulas I, II and III (wherein X is lower acyl, carboxyl or a group of formula IV and R is a lower alkyl) at a ratio of l:m:n (wherein l, m and n are 0 or positive integers and are not 0 at the same time).

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、感光性樹脂、表面保護膜、多層配線間の絶縁
膜、イオン交換樹脂等の電子材料、機能膜として使用可
能な、ポリシロキサン化合物に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to polysiloxane compounds that can be used as photosensitive resins, surface protective films, insulating films between multilayer wiring, electronic materials such as ion exchange resins, and functional films. It is something.

従来の技術 ポリシロキサンは有機ポリマーに比べて、優れた耐熱性
、耐寒性を示し、電気特性が広い温度範囲で安定である
等の理由から機能膜材料、電気・電子材料として多くの
用途が開けつつある。特にフェニル基含有ポリシロキサ
ンはガラス転移温度が高いため強く、固い膜が得られる
ことが考えられ、その使用範囲が大幅に伸びることが期
待される。
Conventional technology Compared to organic polymers, polysiloxane has excellent heat and cold resistance, and its electrical properties are stable over a wide temperature range, so it has many applications as functional film materials and electrical/electronic materials. It's coming. In particular, phenyl group-containing polysiloxane has a high glass transition temperature, so it is thought that strong and hard films can be obtained, and the range of its use is expected to expand significantly.

しかし、従来のポリシロキサンでは適当な反応基を分子
内にもっているものはなく、高機能性を発揮させるため
の官能基の導入はほとんどなされていなかった。本発明
者らは先にポリジフェニルシロキサン、ポリフェニルシ
ルセスキオキサン等のベンゼン環を含むポリシロキサン
をクロロメチル化することによりレジスト、イオン交接
膜等の機能膜とすることができることを示した(特願昭
58−66892号、同58−66893号等)。
However, none of the conventional polysiloxanes has a suitable reactive group in the molecule, and almost no functional groups have been introduced to exhibit high functionality. The present inventors have previously shown that functional films such as resists and ion exchange films can be made by chloromethylating polysiloxanes containing benzene rings such as polydiphenylsiloxane and polyphenylsilsesquioxane ( (Japanese Patent Application No. 58-66892, No. 58-66893, etc.)

しかしながら、フロロメチル基が疎水性であD、しかも
ポリシロキサン骨格自体が疎水性であるため、これらの
クロロメチル化物は、親水性の要求される場合には使用
困難であるという欠点があった。親水性の基をフェニル
基に導入すれば、親水性が向上することが考えられるが
、もし親水基が導入されたとしても原料が疎水性、生成
物が親水性であることから、合成する際の反応系の均一
性、分離の困難性があD、これまで親水性基を導入した
ポリシロキサンは得られていない。
However, since the fluoromethyl group is hydrophobic and the polysiloxane skeleton itself is hydrophobic, these chloromethylated products have the disadvantage that they are difficult to use in cases where hydrophilicity is required. Hydrophilicity may be improved by introducing a hydrophilic group into the phenyl group, but even if a hydrophilic group is introduced, the raw materials are hydrophobic and the product is hydrophilic, so during synthesis, Due to the uniformity of the reaction system and the difficulty of separation, no polysiloxane with hydrophilic groups introduced has been obtained so far.

発明の解決しようとする問題点 以上述べたように、種々の特性を有することから広い適
用範囲が期待されるポリシロキサンを高機能化し、更に
応用分野を拡大するためには、これに適当な反応基を導
入することが有利であると考えられ、本発明者等の上記
特許出願を除きこのような考えは従来まったくなされて
いなかった。
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, in order to improve the functionality of polysiloxane, which is expected to have a wide range of applications due to its various properties, and to further expand the field of application, it is necessary to develop appropriate reactions. It is thought that it is advantageous to introduce a group, and such an idea has not been made at all in the past, except for the above-mentioned patent application by the present inventors.

ポリシロキサンの高機能化の例として、一般には、疎水
性のポリシロキサンを親水性とすることが考えられる。
As an example of increasing the functionality of polysiloxane, it is generally considered to make hydrophobic polysiloxane hydrophilic.

これによって親水性が要求される分野にも有利なポリシ
ロキサンを得ることができ、その利用範囲を更に一層拡
大することが可能となD、その優れた耐熱性、耐寒性、
安定な電気特性等を有利に応用することが可能となる。
This makes it possible to obtain a polysiloxane that is advantageous even in fields where hydrophilicity is required, making it possible to further expand its range of use. D. Its excellent heat resistance, cold resistance,
It becomes possible to advantageously apply stable electrical characteristics and the like.

更に、このような置換基の導入によD、更に別の機能付
与を実現することができ、そのための中間体的役割も果
し得るものである。しかしながら、これを実現するため
には上記のような諸々の難点があD、これまでのところ
実現されていないのが現状である。
Furthermore, by introducing such a substituent, D can be provided with yet another function, and can also serve as an intermediate for that purpose. However, in order to realize this, there are various difficulties as mentioned above, and the current situation is that it has not been realized so far.

そこで本発明の目的は、ポリシロキサンの親水性化する
際に予想される上記の欠点を解決することにある。即ち
、親水性でかつ多用な誘導体の合成が可能なベンゼン環
含有ポリシロキサンを提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages that may be expected when making polysiloxane hydrophilic. That is, the object of the present invention is to provide a benzene ring-containing polysiloxane that is hydrophilic and allows the synthesis of a wide variety of derivatives.

問題点を解決するための手段 本発明者等は上記目的とする親木基を有するポリシロキ
サンを得るべく種々検討した結果、まずアシール化し、
更に還元、酸化処理することが有効であることを見出し
、目的化合物を得ることができた。
Means for Solving the Problems The present inventors conducted various studies to obtain the above-mentioned polysiloxane having a parent wood group.
We found that further reduction and oxidation treatments were effective, and were able to obtain the target compound.

すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第一の発明は
、ポリフェニルシルセスキオキサンに親水性置換基を導
入したものであD、下記の繰返し単位A、BおよびC: (式中Xは低級アシル基、カルボキシル基、の中から選
ばれた一種を示し、互いに同じであっても異なっていて
も良い) を1 :m:n (但し、1.m、nは0又は正の整数
を示し、1.mは同時に0になることはない)、の割合
で含有するものである。
That is, to summarize the present invention, the first invention of the present invention is one in which a hydrophilic substituent is introduced into polyphenylsilsesquioxane D, and the following repeating units A, B and C: (in the formula X represents one selected from a lower acyl group and a carboxyl group, and may be the same or different. It represents an integer and is contained in a ratio of 1.m cannot be 0 at the same time).

一方、本発明の第2の発明は、ポリジフェニルシロキサ
ンに親水性置換基を導入したものであD、下記の繰返し
単位D、EおよびF: (式中Xは低級アシル基、カルボキシル基、の中から選
ばれた一種を示し、互いに同じであっても異なっていて
も良い)、 を1’:m’:n’(但し、1’、 m’、 n’  
は0又は正の整数を示し、l’、m’  は同時に0に
なることはない)、の割合で含有するものである。
On the other hand, the second invention of the present invention is one in which a hydrophilic substituent is introduced into polydiphenylsiloxane D, and the following repeating units D, E and F: (wherein X is a lower acyl group, a carboxyl group, 1':m':n'(1',m',n'
represents 0 or a positive integer, and l' and m' cannot be 0 at the same time).

これら本発明のポリシロキサンは、例えばまず原料ポリ
シロキサンのアシル化を行い、得られるアシル化生成物
をさらに還元または酸化することにより得ることができ
る。まずアシル化はポリフェニルシルセスキオキサンあ
るいはジフェニルシランジオール、低分子量ジフェニル
シロキサン、ジフェニルシロキサンオリゴマーを塩化ア
セチル、無水酢酸、塩化プロピオニル等のアシル化剤に
溶解し、これらを7リーデルクラフツ型触媒の存在下で
反応させることにより行う。
These polysiloxanes of the present invention can be obtained, for example, by first acylating a raw material polysiloxane and then further reducing or oxidizing the resulting acylated product. First, acylation is performed by dissolving polyphenylsilsesquioxane, diphenylsilanediol, low molecular weight diphenylsiloxane, or diphenylsiloxane oligomer in an acylating agent such as acetyl chloride, acetic anhydride, or propionyl chloride, and then dissolving these in the presence of a 7-Riedel-Crafts type catalyst. This is done by reacting below.

前記反応はクロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエタ
ン等の溶媒中で行うことができる場合には30分から3
0時間で終了し、塩酸を含む氷水に反応液を注ぎこむこ
とによD、アシル化ポリマーを回収することができる。
If the reaction can be carried out in a solvent such as chloroform, carbon tetrachloride, trichloroethane, etc., the reaction time is 30 minutes to 30 minutes.
The reaction is completed in 0 hours, and the acylated polymer can be recovered by pouring the reaction solution into ice water containing hydrochloric acid.

得られたポリマーはケトン−アルコール系で再沈殿する
ことにより精製する。
The obtained polymer is purified by reprecipitation with a ketone-alcohol system.

触媒のフリーデルクラフッ型触媒としては、塩化第2ス
ズ、塩化アルミニウム、塩化第二鉄、三フッ化ホウ素、
塩化亜鉛、四塩化チタン等の一般的なフリーゾルタラフ
ッ反応において触媒とじて用いられているものが挙げら
れる。
Examples of Friedel-Kraf type catalysts include stannic chloride, aluminum chloride, ferric chloride, boron trifluoride,
Examples include zinc chloride, titanium tetrachloride, and other materials that are used as catalysts in general free-sol fluorine reactions.

また、上記一般式においてXがカルボキシル基である本
発明のポリシロキサンは、例えば上記のようにして製造
したアシル化ポリシロキサンを適当な方法で、即ちカル
ボニル基を酸化するための常法に従って酸化することに
より製造できる。この酸化は、例えば酸化剤として次亜
塩素酸などを用い、適当な溶媒中で還流することにより
達成できる。
Further, the polysiloxane of the present invention in which X in the above general formula is a carboxyl group can be obtained by, for example, oxidizing the acylated polysiloxane produced as described above by an appropriate method, that is, by following a conventional method for oxidizing a carbonyl group. It can be manufactured by This oxidation can be achieved by, for example, using hypochlorous acid as an oxidizing agent and refluxing in a suitable solvent.

りである)である本発明のポリシロキサン誘導体は、同
様に上記アシル化ポリシロキサンのアシル基のカルボニ
ル部分を常法に従って還元することにより製造でき、こ
の還元は例えばLi^184を用いて適当な溶媒中で還
流することにより実施できる。
The polysiloxane derivatives of the present invention, which are This can be carried out by refluxing in a solvent.

作用 ポリシロキサンに親水性基を導入し、その用途を拡大す
る上で障害となっていた点は原料と生成物の特性の差異
に基く分離の困難さであった。しかしながら、特にベン
ゼン環を有するポリシロキサンにあってはこのような難
点は本発明に従って処理することによりほぼ解決できた
。即ち、まずアシル化し、次いで還元、酸化することに
より有利に製造できる。
An obstacle to introducing hydrophilic groups into functional polysiloxanes and expanding their uses has been the difficulty in separating the raw materials and products due to the difference in their properties. However, especially in the case of polysiloxanes having benzene rings, these difficulties can almost be overcome by treatment according to the present invention. That is, it can be advantageously produced by first acylating, then reducing and oxidizing.

本発明のベンゼン環含有ポリシロキサンは高いガラス転
移温度をもち均一なフィルムを形成することができる。
The benzene ring-containing polysiloxane of the present invention has a high glass transition temperature and can form a uniform film.

また原料のポリシロキサンがアルコール、水等の極性溶
媒に全く不溶性であるのに対し、本発明のベンゼン環含
有ポリシロキサンはアルコールにはもちろん、アルカリ
性の水にも溶解する。
Furthermore, while the raw material polysiloxane is completely insoluble in polar solvents such as alcohol and water, the benzene ring-containing polysiloxane of the present invention is soluble not only in alcohol but also in alkaline water.

また、得られたポリマーは四塩化炭素、四フッ化炭素の
ガスプラズマに対して耐性のあるベンゼン環をもち、ま
た酸素ガスプラズマに対して高い耐性をもつシロキサン
構造となっているため、適当な感光剤を添加することに
より2層レジストとして使用することができる。
In addition, the obtained polymer has a benzene ring that is resistant to carbon tetrachloride and carbon tetrafluoride gas plasma, and has a siloxane structure that is highly resistant to oxygen gas plasma, so it is suitable for By adding a photosensitizer, it can be used as a two-layer resist.

また、本発明のベンゼン環含有ポリシロキサンは多岐に
亘る誘導体の合成を可能とするものであD、高機能性膜
として使用可能である。
Further, the benzene ring-containing polysiloxane of the present invention enables the synthesis of a wide variety of derivatives, and can be used as a highly functional membrane.

実施例 以下、本発明の製造例について詳細に述べるが本発明は
これらにより何隻制限されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, manufacturing examples of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to these examples.

製造例1ニアセチル化ポリフェニルシルセスキオキサン
の製造 かき混ぜ機、温度計、滴下漏斗を取付けた容量300m
1のフラスコに無水塩化アルミニウム15g1塩化アセ
チル50m1をとり攪拌する。つぎに分子量7、800
のポリフェニルシルセスキオキサン5gを塩化アセチル
50m1に溶かした溶液を徐々に滴下する。温度を25
℃に保ち反応を進める。反応の進行とともに塩化水素が
発生する。3時間反応を継続した後冷却して、内容物を
塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかき混ぜて塩化アルミニ
ウムを分解し、氷水が酸性であることを確かめてから沈
殿したポリマーを濾別する。希塩酸−水でよべ洗い、最
後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマーの分子量
は7.900であった。赤外線吸収スペクトルでは16
70cm−’にカルボニル基の吸収が、またNMRでは
δ=2.4にメチル基の吸収がみられ、アセチル化され
たことが確認できた。この時のアセチル化率はNMRか
ら60%であることがわかった。
Production Example 1 Production of Niacetylated Polyphenylsilsesquioxane Capacity: 300 m with stirrer, thermometer, and dropping funnel installed
Add 15 g of anhydrous aluminum chloride and 50 ml of acetyl chloride to a flask and stir. Next, the molecular weight is 7,800
A solution of 5 g of polyphenylsilsesquioxane dissolved in 50 ml of acetyl chloride was gradually added dropwise. temperature to 25
Continue the reaction by keeping at ℃. Hydrogen chloride is generated as the reaction progresses. After continuing the reaction for 3 hours, the mixture was cooled and the contents were poured into ice water containing hydrochloric acid. Stir well to decompose the aluminum chloride, make sure the ice water is acidic, and filter out the precipitated polymer. Wash thoroughly with dilute hydrochloric acid and water, and finally dry in a vacuum dryer. The molecular weight of the obtained polymer was 7.900. 16 in the infrared absorption spectrum
Carbonyl group absorption was observed at 70 cm-', and methyl group absorption was observed at δ=2.4 in NMR, confirming acetylation. The acetylation rate at this time was found to be 60% from NMR.

製造例2ニアセチル化ポリジフェニルシロキサンの製造 かき混ぜ機、温度計、滴下漏斗を取付けた容量300m
1のフラスコに塩化第二スズ25m1、無水酢酸50m
1を投入し攪拌する。つぎにジフェニルシランジオール
6gを無水酢酸50m1に溶かした溶液を徐々に滴下す
る。以下製造例1と同様な方法でアセチル化ポリシロキ
サンを得た。得られたポリマーの分子量は15.000
であD、アセチル化率は42%であった。
Production Example 2 Production of Niacetylated Polydiphenylsiloxane Capacity: 300 m with stirrer, thermometer, and dropping funnel installed
1 flask with 25ml of stannic chloride and 50ml of acetic anhydride.
Add 1 and stir. Next, a solution of 6 g of diphenylsilanediol dissolved in 50 ml of acetic anhydride is gradually added dropwise. Acetylated polysiloxane was obtained in the same manner as in Production Example 1. The molecular weight of the obtained polymer is 15.000
In D, the acetylation rate was 42%.

製造例3:カルボキシルポリフェニルシルセスキオキサ
ンの製造 製造例1で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン6gを10%の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液10
0m1に加え、12時間還流する。得られた透明な液に
塩酸を加えることにより酸性にすると沈殿が生じる。濾
別して黄白色固体を得た。赤外線吸収スペクトルにおい
て1670cm−’のカルボニル基の吸収が消滅し、一
方1700cm−’にカルボキシル基の吸収がみられ、
カルボキシル化されたことが認められた。収率70%。
Production Example 3: Production of carboxyl polyphenyl silsesquioxane 6 g of the acetylated polyphenyl silsesquioxane obtained in Production Example 1 was added to 10% of an aqueous solution of sodium hypochlorite.
0ml and reflux for 12 hours. When the resulting clear liquid is made acidic by adding hydrochloric acid, precipitation occurs. A yellowish white solid was obtained by filtration. In the infrared absorption spectrum, the absorption of the carbonyl group at 1670 cm-' disappears, while the absorption of the carboxyl group is seen at 1700 cm-',
Carboxylation was observed. Yield 70%.

製造例4:カルポキシルポリジフェニルシロキサンの製
造 製造例2で得られたアセチル化ポリジフェニルシロキサ
ン6gを10%の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液100
m1に加え、12時間還流する。以下、製造例3と同様
にしてカルボキシル基ビを行った。収率65%。
Production Example 4: Production of carpoxyl polydiphenylsiloxane 6 g of acetylated polydiphenylsiloxane obtained in Production Example 2 was added to 100% of an aqueous solution of 10% sodium hypochlorite.
m1 and reflux for 12 hours. Thereafter, the carboxyl group was removed in the same manner as in Production Example 3. Yield 65%.

製造例3および製造例4で得られたカルボキシ弗化物は
アルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶であ
D、他の有機溶媒には不溶であった。
The carboxy fluorides obtained in Production Examples 3 and 4 were soluble in alkaline aqueous solutions, methanol, and ethanol (D), and insoluble in other organic solvents.

製造例5ニアシル化ポリフェニルシルセスキオキサンの
還元 製造例1で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン5gをテトラヒドロフラン100m1に溶かし、こ
れに3gのLiAlH4を加え、3時間還流を行った。
Production Example 5 Reduction of Niacylated Polyphenyl Silsesquioxane 5 g of the acetylated polyphenyl silsesquioxane obtained in Production Example 1 was dissolved in 100 ml of tetrahydrofuran, 3 g of LiAlH4 was added thereto, and the mixture was refluxed for 3 hours.

反応終了後5%の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率55%。
After the reaction was completed, the mixture was poured into ice water containing 5% hydrochloric acid to obtain a yellowish white solid. Yield 55%.

生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた16
70cm−’のカルボニルの吸収が消え、3100〜3
400c+n−’付近にOH基に起因する吸収が見られ
、還元されたことが確認できた。
In the infrared absorption spectrum of the product, 16
The carbonyl absorption at 70 cm-' disappears, and 3100-3
Absorption due to OH groups was observed near 400c+n-', confirming that reduction had occurred.

製造例6:アセチル化ポリジフェニルシロキサンの還元 製造例2で得たアセチル化ポリジフェニルシロキサン5
gをテトラヒドロフラン100m1に溶かし、これに3
 g (DLiAI H,を加え還流を行った。反応終
了後5%の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ黄白色固体を
得た。収率66%。
Production Example 6: Reduction of acetylated polydiphenylsiloxane Acetylated polydiphenylsiloxane 5 obtained in Production Example 2
Dissolve g in 100 ml of tetrahydrofuran and add 3
g (DLiAI H) was added and refluxed. After the reaction was completed, it was poured into ice water containing 5% hydrochloric acid to obtain a yellowish white solid. Yield 66%.

製造例5および製造例6で得られたポリマーはアルカリ
性水溶液、メタノール等のアルコールに可溶であった。
The polymers obtained in Production Examples 5 and 6 were soluble in alkaline aqueous solutions and alcohols such as methanol.

製造例7: 製造例1において、塩化アセチルの代わりに塩化プロピ
オニルを用い同じ製造法によりプロピオニル化を行なっ
た。得られたポリマーの分子量は8500であD、プロ
ピオニル化率はNMRから43%であることがわかった
Production Example 7: Propionylation was carried out by the same production method as in Production Example 1, using propionyl chloride instead of acetyl chloride. The molecular weight of the obtained polymer was 8500 (D), and the propionylation rate was found to be 43% from NMR.

つぎに応用例を述べるがこの例だけに限定するものでは
ない。
Next, an application example will be described, but the invention is not limited to this example.

応用例1 製造例1で得たアシル化ポリフェニルシルセスキオキサ
ンを酢酸2−エトキシエチルに溶解し、これにナフトジ
アゾキノンをポリマーの20%の量で添加した。これを
シリコンウェハに約0.3μmの厚さに塗布し、100
℃で20分間、窒素気流中でプリベークした。
Application Example 1 The acylated polyphenylsilsesquioxane obtained in Production Example 1 was dissolved in 2-ethoxyethyl acetate, and naphthodiazoquinone was added thereto in an amount of 20% of the polymer. This was applied to a silicon wafer to a thickness of approximately 0.3 μm, and
Prebaking was carried out at ℃ for 20 minutes in a nitrogen stream.

プリベータ後、ホトアライナを用いて、光照射を行った
。照射後ウェハを5%テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド中に入れ現像を行った。この時膜厚が0となる照
射量は80mJ / cnfであD、従来のホトレジス
トよりも高感度であった。また石英マスクを通してパタ
ーン転写したところ、0.5μmライン/スペースが容
易に解像できた。また02の反応性イオンエツチングを
行ったところ、エツチング速度は4nrn/分であD、
高い耐性を持つことがわかった。
After pre-beta, light irradiation was performed using a photo aligner. After irradiation, the wafer was placed in 5% tetramethylammonium hydroxide and developed. At this time, the irradiation dose at which the film thickness became 0 was 80 mJ/cnf, which was higher in sensitivity than conventional photoresists. Furthermore, when patterns were transferred through a quartz mask, 0.5 μm lines/spaces could be easily resolved. In addition, when reactive ion etching of 02 was carried out, the etching rate was 4nrn/min.
It was found to have high resistance.

応用例2〜6 製造例2〜6で得たポリマーを応用例1と同様に光照射
し、現像し、次いでドライエツチングしたところ、表1
に示すようなレジスト特性が得られ、充分に実用に供す
ることができることがわかった。
Application Examples 2 to 6 The polymers obtained in Production Examples 2 to 6 were irradiated with light, developed, and then dry etched in the same manner as in Application Example 1. Table 1
It was found that the resist properties shown in Figure 1 were obtained and that the resist properties were sufficiently usable for practical use.

表1 レジスト特性 応用例7.8 製造例3.4で得られたカルボキシル化物を充分に乾燥
した後、IN水酸化ナトリウム水溶液中で・1時間煮沸
し、カルボン酸基を完全にカルボン酸ナトリウムに変え
たところ、このものはイオン交換樹脂、イオン交換膜と
して十分に実用可能であることがわかった。
Table 1 Resist property application example 7.8 After thoroughly drying the carboxylated product obtained in Production example 3.4, it was boiled for 1 hour in an IN sodium hydroxide aqueous solution to completely convert the carboxylic acid groups into sodium carboxylate. After making some changes, it was found that this product was fully usable as an ion exchange resin and ion exchange membrane.

それぞれの陽イオン交換容量を以下の表2に示す。The cation exchange capacity of each is shown in Table 2 below.

表2 陽イオン受検容量 応用例9 製造例1〜6で得られた各ポリマーのTGA(熱重量分
析法)による測定を行い、分解温度を調べた。表3に分
解温度を示した。
Table 2 Cation Capacity Application Example 9 Each of the polymers obtained in Production Examples 1 to 6 was measured by TGA (thermogravimetric analysis) to examine the decomposition temperature. Table 3 shows the decomposition temperatures.

それぞれ高い分解温度であD、高い耐熱性が示された。Each showed high decomposition temperature D and high heat resistance.

実際にウェハ、チップにこれらのポリマーを塗布し、乾
煙することにより膜を形成した。この膜は高い耐熱性を
有する保護膜として使用することができた。
They actually coated wafers and chips with these polymers and formed a film by drying them. This film could be used as a protective film with high heat resistance.

発明の詳細 な説明したように、本発明のポリシロキサンを使用する
ことによD、耐熱性、耐候性に優れた均一なフィルムを
得ることができる。また本発明のポリマーは親水性であ
りかつ多用な誘導体の合成が可能であD、種々の応用に
供することができる利点をもつ。
As described in detail, by using the polysiloxane of the present invention, a uniform film with excellent D, heat resistance, and weather resistance can be obtained. Furthermore, the polymer of the present invention has the advantage that it is hydrophilic and can be synthesized into a wide variety of derivatives, allowing it to be used in a variety of applications.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の繰返し単位A、BおよびC: ▲数式、化学式、表等があります▼(A) ▲数式、化学式、表等があります▼(B) ▲数式、化学式、表等があります▼(C) (式中、Xは低級アシル基、カルボキシル基、▲数式、
化学式、表等があります▼(但し、Rは低級アルキル基
である)の中から選ばれた1種を示し、互いに同じであ
っても異なっていてもよい) をl:m:n(但しl、m、nは0又は正の整数を示し
、l、mは同時に0になることはない)、の割合で含有
するポリシロキサン化合物。
(1) The following repeating units A, B, and C: ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (A) ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (B) ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ ( C) (wherein, X is a lower acyl group, a carboxyl group, ▲numerical formula,
There are chemical formulas, tables, etc. ▼ (however, R is a lower alkyl group), which may be the same or different) is expressed as l:m:n (however, l , m, and n are 0 or a positive integer, and l and m are never 0 at the same time).
(2)下記の繰返し単位D、EおよびF: ▲数式、化学式、表等があります▼(D) ▲数式、化学式、表等があります▼(E) ▲数式、化学式、表等があります▼(F) (式中Xは、低級アシル基、カルボキシル基、−CH−
R(但し、Rは低級アルキル基である)の中から選ばれ
た一種を示し、互いに同じであっても、異なっていても
よい) をl’:m’:n’(但し、l’、m’、n’は0又は
正の整数を示し、l’、m’は同時に0になることはな
い)の割合で含有するポリシロキサン化合物。
(2) The following repeating units D, E, and F: ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (D) ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (E) ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ ( F) (In the formula, X is a lower acyl group, a carboxyl group, -CH-
represents one selected from R (where R is a lower alkyl group, and may be the same or different) as l':m':n' (however, l', m' and n' represent 0 or a positive integer, and l' and m' are never 0 at the same time).
JP2527486A 1986-02-07 1986-02-07 HORISHIROKISANKAGOBUTSU Expired - Lifetime JPH0238126B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2527486A JPH0238126B2 (en) 1986-02-07 1986-02-07 HORISHIROKISANKAGOBUTSU
EP87300976A EP0232167B1 (en) 1986-02-07 1987-02-04 Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane
DE8787300976T DE3760030D1 (en) 1986-02-07 1987-02-04 Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane
KR1019870000998A KR900002363B1 (en) 1986-02-07 1987-02-07 Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane
US07/576,157 US5158854A (en) 1986-02-07 1990-08-29 Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2527486A JPH0238126B2 (en) 1986-02-07 1986-02-07 HORISHIROKISANKAGOBUTSU

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62184028A true JPS62184028A (en) 1987-08-12
JPH0238126B2 JPH0238126B2 (en) 1990-08-29

Family

ID=12161444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2527486A Expired - Lifetime JPH0238126B2 (en) 1986-02-07 1986-02-07 HORISHIROKISANKAGOBUTSU

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0238126B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0238126B2 (en) 1990-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2619358B2 (en) Photosensitive resin composition
JP4541944B2 (en) Photosensitive polyimide resin composition
US5389492A (en) Resist composition comprising a siloxane or silsesquioxane polymer having silanol groups in a composition with a naphthoquinone compound
JP2001066781A (en) Polyamide having side chain of acetal or cyclic derivative thereof and heat-resistant photoresist composition prepared from the same
JPS6236661A (en) Photopolymerizable composition and method for using it
JP5119792B2 (en) Fullerene derivatives and solutions and membranes thereof
JP5194626B2 (en) Fullerene derivative and its solution, production method and membrane
JP2008280324A (en) Fullerene derivative, solution and film thereof
JPS62184028A (en) Polysiloxane compound
JPS6296526A (en) Alkali-soluble polyorganosilsesquioxane polymer
JP5530084B2 (en) Fullerene derivative, solution thereof, and film thereof
JPS63241542A (en) Resist composition
JP3093055B2 (en) Heat resistant negative photoresist composition, photosensitive substrate, and negative pattern forming method
JP2001056559A (en) Polyamide polymer containing carbonic ester side chain and heat resistant photoresist composition
JPH01222254A (en) Photoresist composition
JPS62220949A (en) Photoresist material and photosensitive resin composition
JPS62235330A (en) Polysiloxane compound
JPS63195650A (en) Photosensitive resin composition
JPS62172341A (en) Production of novolak resin for positive type photoresist
JPH0232354A (en) Photosensitive resin composition
JPS63239440A (en) Energy ray sensitive resin composition
JPH063548B2 (en) Photosensitive resin composition
JPS63157145A (en) Photosensitive resin composition
KR20010060090A (en) Reactive photoacid generator and heat-resistant photoresist composition with polyamide precursor
JPH023054A (en) Pattern forming material

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term