JPS62183521A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS62183521A JPS62183521A JP2525086A JP2525086A JPS62183521A JP S62183521 A JPS62183521 A JP S62183521A JP 2525086 A JP2525086 A JP 2525086A JP 2525086 A JP2525086 A JP 2525086A JP S62183521 A JPS62183521 A JP S62183521A
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- Japan
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- stage
- photoresist
- substrate
- heat
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路装置の製造装置、特にフォトレ
ジストのパターン形成後にフォトレジストを強化する全
面露光装置に関するものである。
ジストのパターン形成後にフォトレジストを強化する全
面露光装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、フォトレジストパターニング工程を経て表面にフ
ォトレジストパターンが形成された半導体基板は耐エツ
チング性向上の目的で１００℃〜・２００℃の恒温雰囲
気中にて熱処理が施されていた。
ォトレジストパターンが形成された半導体基板は耐エツ
チング性向上の目的で１００℃〜・２００℃の恒温雰囲
気中にて熱処理が施されていた。
［発明が解決しようとする問題点］
この熱処理のみによって得られるフォトレジストの耐エ
ツチング性は、パターン縮小化に対応する高感度のフォ
トレジストに対しては、満足できるものではなく、エツ
チング処理中にフォトレジストが剥離して、パターンが
形成されなかったり、部分的な密着不良によってパター
ンが崩れたり、フォトレジストの表面が炭化したりして
、高感度のフォトレジストの使用ができず、半導体集積
回路の高集積化を妨げていた。
ツチング性は、パターン縮小化に対応する高感度のフォ
トレジストに対しては、満足できるものではなく、エツ
チング処理中にフォトレジストが剥離して、パターンが
形成されなかったり、部分的な密着不良によってパター
ンが崩れたり、フォトレジストの表面が炭化したりして
、高感度のフォトレジストの使用ができず、半導体集積
回路の高集積化を妨げていた。
フォトレジストの強化法としてはＣＦ４処理法。
紫外線照射法等が考えられているが、前者はこの処理に
よってレジストのプロファイル（形状）を悪くする傾向
があり、後者の方法に於いても、微細パターン対応の高
感度フォトレジストに対するレジスト強化法としてはあ
まり効果がない。
よってレジストのプロファイル（形状）を悪くする傾向
があり、後者の方法に於いても、微細パターン対応の高
感度フォトレジストに対するレジスト強化法としてはあ
まり効果がない。
本発明の目的は、微細パターンの半導体装置において歩
留低下や品質低下をもたらさない半導体装置の製造装置
を提供することにある。
留低下や品質低下をもたらさない半導体装置の製造装置
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は半導体基板上のパターン形成後のフォトレジス
トを耐エツチング性向上の目的で強化する半導体装置の
製造装置において、半導体基板に熱を加えて該基板のフ
ォトレジストを熱重合させるステージと、該ステージ上
の半導体基板に遠紫外線を照射し該基板のフォトレジス
トを光重合させる光源とを有することを特徴とする半導
体装置の製造装置である。
トを耐エツチング性向上の目的で強化する半導体装置の
製造装置において、半導体基板に熱を加えて該基板のフ
ォトレジストを熱重合させるステージと、該ステージ上
の半導体基板に遠紫外線を照射し該基板のフォトレジス
トを光重合させる光源とを有することを特徴とする半導
体装置の製造装置である。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
第１図において、ヒータを内蔵した熱重合用ステージ３
の上方を中空筺体７で覆い、該筐体７の対向する側面に
半導体基板４の搬入ロアａと搬出ロアｂとを設け、この
搬出入ロアａ、 ７ｂ間を結ぶ搬送ベルト２をステージ
３に設置する。さらにステージ３の真上の筐体７に、遠
紫外線を照射する光重合用光源５を設置するとともに、
光［５によって発熱した熱を筐体外部に放熱する排気装
置６を装備する。
の上方を中空筺体７で覆い、該筐体７の対向する側面に
半導体基板４の搬入ロアａと搬出ロアｂとを設け、この
搬出入ロアａ、 ７ｂ間を結ぶ搬送ベルト２をステージ
３に設置する。さらにステージ３の真上の筐体７に、遠
紫外線を照射する光重合用光源５を設置するとともに、
光［５によって発熱した熱を筐体外部に放熱する排気装
置６を装備する。
実施例において、フォトマスク転写露光及び現像処理工
程まで完了した半導体基板をキャリア１から取り出して
これを搬入ロアａ側の搬送ベルト２に乗せ、該基板を一
定温度に保たれたステージ３まで搬送してステージ３に
より半導体基板４に熱を加えて該基板４のフォトレジス
トを熱重合させる。一方ステージ３の真上の光源５から
遠紫外線を基板４に照射し、該基板４のフォトレジスト
を光重合させ、フォトレジストを強化する。また筐体７
内の光源５によって発熱した熱を排気装置６により放熱
する。すなわち、本発明によれば、ステージ３上に乗せ
られた半導体基板４の表面のフォトレジスト膜パターン
は、光？１！５から照射される２００〜３００ｎｍの範
囲の波長をもつ遠紫外線により全面照射され遠紫外線に
よる光重合を進行させると同時に、ヒータを内蔵したス
テージ３の熱による熱重合を進行させることにより効果
的に耐エツチング性を向上させるものである。
程まで完了した半導体基板をキャリア１から取り出して
これを搬入ロアａ側の搬送ベルト２に乗せ、該基板を一
定温度に保たれたステージ３まで搬送してステージ３に
より半導体基板４に熱を加えて該基板４のフォトレジス
トを熱重合させる。一方ステージ３の真上の光源５から
遠紫外線を基板４に照射し、該基板４のフォトレジスト
を光重合させ、フォトレジストを強化する。また筐体７
内の光源５によって発熱した熱を排気装置６により放熱
する。すなわち、本発明によれば、ステージ３上に乗せ
られた半導体基板４の表面のフォトレジスト膜パターン
は、光？１！５から照射される２００〜３００ｎｍの範
囲の波長をもつ遠紫外線により全面照射され遠紫外線に
よる光重合を進行させると同時に、ヒータを内蔵したス
テージ３の熱による熱重合を進行させることにより効果
的に耐エツチング性を向上させるものである。
上述の実施例において、全面露光装置を単独の装置とし
て説明したが、現像装置や選択エツチング装置に取り付
けることも可能である。また、上述の実施例ではステー
ジの温度を一定温度としたが、遠紫外線の光重合が進行
するととも釘、ステージの温度を上昇させるようにすれ
ば、更に効果的な耐エツチング性を実現できるものであ
る。
て説明したが、現像装置や選択エツチング装置に取り付
けることも可能である。また、上述の実施例ではステー
ジの温度を一定温度としたが、遠紫外線の光重合が進行
するととも釘、ステージの温度を上昇させるようにすれ
ば、更に効果的な耐エツチング性を実現できるものであ
る。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明はフォトレジスト膜パターン
に遠紫外線による光重合とステージの熱による熱重合と
を併用することにより耐エツチング性を向上させるよう
にしたので、一般に微細パターン対応の高感度フォトレ
ジストの耐エツチング性を向上して、エツチング処理中
のフォトレジストの別離、パターンの崩壊、）寸トレジ
スト表面の炭化等の事故を防止でき、半導体装置の微細
パターン化における半導体装置の歩留低下や品質低下を
阻止できる効果がある。
に遠紫外線による光重合とステージの熱による熱重合と
を併用することにより耐エツチング性を向上させるよう
にしたので、一般に微細パターン対応の高感度フォトレ
ジストの耐エツチング性を向上して、エツチング処理中
のフォトレジストの別離、パターンの崩壊、）寸トレジ
スト表面の炭化等の事故を防止でき、半導体装置の微細
パターン化における半導体装置の歩留低下や品質低下を
阻止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体製造
装置の断面図である。 １・・・半導体基板収納キャリア ２・・・搬送ベルト ３・・・ステージ ４・・・半導体基板 ５・・・光源 ６・・・放熱装置
装置の断面図である。 １・・・半導体基板収納キャリア ２・・・搬送ベルト ３・・・ステージ ４・・・半導体基板 ５・・・光源 ６・・・放熱装置
Claims (1)
- （１）半導体基板上のパターン形成後のフォトレジスト
を耐エッチング性向上の目的で強化する半導体装置の製
造装置において、半導体基板に熱を加えて該基板のフォ
トレジストを熱重合させるステージと、該ステージ上の
半導体基板に遠紫外線を照射し該基板のフォトレジスト
を光重合させる光源とを有することを特徴とする半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525086A JPS62183521A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525086A JPS62183521A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183521A true JPS62183521A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12160744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2525086A Pending JPS62183521A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001039A (en) * | 1988-03-14 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device comprising step of patterning resist and light irradiation apparatus used by the manufacturing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5729316A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-17 | Kyushu Nippon Electric | Post-bake oven |
| JPS5875154A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 加熱装置 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP2525086A patent/JPS62183521A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5729316A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-17 | Kyushu Nippon Electric | Post-bake oven |
| JPS5875154A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 加熱装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001039A (en) * | 1988-03-14 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device comprising step of patterning resist and light irradiation apparatus used by the manufacturing method |
| US5097137A (en) * | 1988-03-14 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light irradiation apparatus used in manufacturing semiconductor device |
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