JPS62178336A - セラミツク材料から成る機能部分を備えた滑り或いは摩擦素材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、滑り面もしくは摩擦面を備えておりかつ安定
材が封入されているセラミック材料が設けられている、
高温で、例えば２００℃以上のバック温度での作動にあ
って使用するための滑り或いは摩擦素材に関する。本発
明の枠内において、滑りおよび摩擦素材とは滑りおよび
摩擦を負荷可能なあらゆる種類の装置部分および機械部
分を意味する。

機械、特に内燃機関の出力の増大を図る労作の過程にあ
って、および重量を軽減しようとする目的から冷却装置
を簡易なものにしようとする努力、特に潤滑油のための
冷却装置を設けずに済まそうとする努力の過程にあって
、より高い疲れ強度と耐熱摩耗強度を備えた新しい滑り
兼摩捺素材を求める声が日に増して高まってきている。

数年来、この目的のため内燃機関内の高温に曝される全
ての金属の部分の代用としてこれをセラミック材料で加
工することがなされている。

内燃機関の製造に当たってこのようなセラミック材料を
使用した際これらのセラミ・ツク材料から多くの利点が
期待されている。このようなセラミック材料は金属より
も著しく高い温度にあって使用でき、従って冷却系は必
要としないか或いは著しく簡易化でき、かつ内燃機関の
出力を明白に増大させることが可能である。他の所望の
利点は比較的長い耐用年数を可能にするより高い耐摩耗
性と重量軽減を可能にする僅かな量のセラミック材料で
ある。更にセラミック材料は良好な耐腐食性と高い耐圧
性に優れている。

しかし、これに対してセラミック材料は顕著な否定的な
性質、特にぜい性と欠陥のある耐熱衝撃性を有している
。これに伴い、セラミック材料は衝撃および飛躍的な温
度交番に対して極めて敏感である。この敏感性はしばし
ば生じる「決定的な作用不能ｊ、即ち金属にとって言え
る先行して生じる変形を伴うことのないセラミック材料
の突然の破壊の原因となる。

いわゆるサーメフトの場合欠陥のある耐熱衝撃性および
同様に粘さと耐衝撃性おち金属成分（例えばＣｒ、Ｃｏ
　：Ｎｉ、Ｆｃ、Ｍｏ、Ｗ等）によって改良することが
既に試みられて来た。脆性の改良に関しては、ｌ’ＭＴ
Ｚ−ｍｏ　１０ｒｉｓｃｈｅ　　ＺｅｉＬｓｃｈｒｉｆ
ｔＩ４５　（１９８４）５．１９０〜１９１頁およびＦ
ＳＡＥ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　ＰａｐｅｒＳｅｒｉ
ｅｓ　　８２０４２９”ＰＳＺ　　Ｃｅｒａｍｉｃｓ　
　ｆｏｒ　　Ｅｎｇｉｎｅ　　Ｃｏｍｐｏ　ｎ　ｅ　ｔ
　ｓ　”にいわゆる「部分安定されたＪセラミック材料
が提案されている。このような部分安定されたセラミッ
ク材料は例えば酸化ジルコニウムであり、この酸化ジル
コニウムの顕微鏡組織は酸化カルシウム、酸化マグネシ
ウムおよび酸化イツトリウムを僅かな量で添加すること
により安定化されていて（ｐｓｚ）、これにより材料は
高温にあっても耐破壊性およびより靭性にとどまる。こ
れに対して別の方法として、酸化ジルコニウム粒子を封
入して変性した酸化アルミニラｌ、が知られている（’
Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ−Ｔｏｕｇｈｅｎｅｄ　
　Ａｌｕｍｉｎａ、５　　（ＴＴ　　Ａｔ、０ｗ１−）
。

しかし実地が示しているように、ごのような１部分的に
安定化されたＪセラミック材料は必要な再生性を以て造
ることが不可能であり、従って実地にあっては材料の性
質に著しいばらつきが生じる。動的な負荷が加わった際
に顕微鏡性の割れの形での割れの形成は排除できない。

またこのような部分的に安定化したセラミック材料にお
ける「決定的な作用不能Ｊを排除することも不可能であ
る。こう言ったことから総じて従来公知の部分的に安定
化したセラミック材料は大量使用には不適当である。こ
の材料の他の著しい欠点は、ｆｓＡＥ　　Ｔｃｈｎｉｃ
ａｌＰａｐｅｒ　　５ｅｒｉｅｓ　　８２０４２９Ｊの
５頁に記載されているように１０〜１２の作業工程を必
要とするように製造方法が難しくかつ煩雑であることで
ある。公知の１部分的に安定化した」セラミック材料か
ら成る工作物は陶磁器から成る中実部分としてのみ公知
であり、このことからだけでもマクロな割れ位置が工作
物の全体的な割れおよび構造部分のｒ決定的な作用不能
」を招（。

これに対して本発明の根底をなす課題は、セラミック材
から成る中実材料の上記の欠点を回避し、セラミック層
の大きな硬度にもかかわらず相手素材に対して良好な適
合性を備えかつ高い動力学的な負荷の下にあってもマク
ロな割れの形成によってロスを招（ことのない金属／セ
ラミック一層材料を造ることである。本発明により造ら
れる滑り或いは摩擦素材は更にそのセラミック層の金属
担持体に対する良好な付着性の点で優れており、かつ公
知の１部分的に安定化したＪセラミック材料に比して著
しく簡単に製造することが可能である。

この課題は本発明により以下のようにして解決される。

機能部分のセラミック材料が靭性のかち耐熱性の材料、
例えば鋼から成る物質とに或いはこの物質上に設けられ
る中間層上に真空中において蒸着或いは噴霧処理により
表面に固く結合されたセラミック層として形成されてお
りかつこの場合微細に分散されて安定化物質と混合され
ている、層複合材料から成るか或いは層複合材料の様式
の滑り或いは摩擦素材を形成することによって解決され
る。

安定化材物質の本発明により達せられる、特別微細な分
散はセラミック材料内にＴあたかも誘導されたかのよう
な滑り面ｊを形成し、この滑り面はセラミック材料内に
動的な負荷および飛躍的な温度交番にあっても明らかに
変形を捕捉する顕微鏡範囲の割れが生じることを許容し
て、従ってマクロな割れの形成が誘起されることがな（
、従ってもはや「重大な不作用ｊが生じることもない。

本発明と関連して行われた試験にあって意想外にも、本
発明によって形成された材オ′」が衝撃的な負荷および
飛躍的な温度交番に対するおよび交番する負荷の下での
割れ形成に対する敏感性が、本発明による工作物（例え
ば上方に存在しているカム軸における傾倒レバーの弁案
内ブンシュ）が一連の検査条件下でこの工作物に課せら
れた要件を完全に充足する程に再現性をもって低減され
る、ことが明らかとなった。ラスター電子顕微鏡（ＲＥ
Ｍ）およびマイクロゾンデ（ＭＩＳＯ）で検査した際、
真空中での薄着処理或いは陰極スパッタリング以外の他
の方法では達することのできない極端に細かい安定化添
加物質の分散が確証された。

本発明の特に有利な他の構成は、物質もしくは中間層と
セラミック層との間に活性はんだ（ＡｋＬｉｖｌｏｔ）
から成る層を形成することである。このような活性はん
だにより、絡み合い固定によりおよび蒸着処理された或
いは噴霧処理されたセラミック層の領域の還元によりて
金属物質間の純粋な結合が形成される。このような活性
はんだとしては特に、セラミック材料および金属を湿潤
する合金が使用される。例えば酸化アルミニウムから成
るセラミック層を泪から成る物質と結合するためには活
性はんだとして２８Ｎｉ２３Ｃｏ−合金が使用される。

活性はんだ一層の使用は、セラミック層が多数の層、特
に異なるセラミック材料がら成る層から成るセラミック
層を形成する際に著しい改善をもたらす。その際セラミ
ック材料から成る隣合って層間に活性はんだから成る各
々一つの層を設け、これによりセラミック材料から成る
層間の固い確実な接合を形成することが可能である。

本発明による滑り或いは摩擦素材は簡単な方法で造るこ
とができる。

陰極スパッタリングを使用する方法が優れているが、こ
の方法にあっては場合によっては中間層で裏張りされた
物質は１ｏ−４〜１０−１ｍｂａｒの圧力下に保持され
ているプラズマ、例えばアルゴン中で陰極スパッタリン
グによりセラミック材料から成る層が裏張りされ、この
場合所望の量の一つ或いは多数の所望の安定化物質が陰
極スパッタリングにより層形成の間セラミック材料と共
に陰極スパッタリングによって誘起される微細な配分で
セラミック材料内に封入される。

この場合、予め形成されたセラミック材料と予め形成さ
れた安定化物質はそのものとして既に陰極スパッタリン
グのために利用されたターゲット内に形成される。しか
しいわゆる反応性陰極スパッタリングを通用するのが有
利である。

この目的のため、セラミック材料および／または安定化
物質のために例えば金属様の出発物質がターゲット内に
挿入されている。この出発物質の所望のセラミック材料
もしくは所望の安定化物質への転換は陰極スパッタリン
グの間に行われる、出発物質および／またはプラズマに
添加された反応ガス間の化学的な反応によって行われる
。

活性はんだ層を素材もしくは中間層とセラミック層間に
および／または多層で形成されるセラミック層間に形成
しようとする場合、特にこのような活性はんだも陰極ス
パッタリングにより、しかも直に排気塔（Ｒｅｚｉｐｉ
ｅｎｔ）内で、特にセラミック層を形成するために使用
されると同じプラズマを使用して、形成される。

蒸着方法を使用する場合は、先ずセラミック材料が蒸発
不可能であると言う事実に突当たる。

しかし、本発明の枠内においてセラミック材料のための
蒸発可能な出発物質の蒸着およびセラミック材料と安定
化物質の形成のために化学的な反応を行うことが可能で
ある。この場合、特にこの化学的な反応は積層されるべ
き表面上で行われる。

以下に添付した図面に図示した実施例について本発明の
詳細な説明する。

図面に図示した実施例にあっては滑り或いは摩擦素材上
に負荷を及ぼす装置部分は層複合材料１１の様式の滑り
軸受−半割り体１０である。

この層複合材料１１は耐温性の鋼から成る担持層の形の
素材１２を備えている。この素材１２の表面上に薄い活
性はんだ層１３が載置されている。この活性はんだ層１
３は二層のセラミックＮ１４を、しかもこの活性はんた
層１３上に直接形成された下側セラミック層１５とセラ
ミック層１４の自由表面を担持している上方セラミック
層１７を担持している。両セラミック層１５と１７間に
第二の活性はんだ層１６が設けられている。

下方のセラミック層１５は図示した実施例にあっては、
詳しくは第３図との関連において説明したように、安定
化物質が封入されているアルミニウムＡｌ２Ｏ３から成
る。このセラミック層１５と素材１２の間に設けられた
活性はんだ層１３は２８Ｎｉ２３Ｃｏ−合金から成り、
この合金は素材１２の鋼表面および酸化アルミニウムの
表面を湿潤するのに適している。

図示した実施例にあって付加的に設けられている上方の
セラミック層１７はこの実施例では安定化物質が封入さ
れている酸化けい素ＺｒＯ２から成り、一方両セラミッ
ク層１５と１７間に設けられた活性はんだ層は両セラミ
ック材料を湿潤する合金、例えば２８Ｎｉ−２３Ｃｏ−
合金から成る。素材１２は選択的に電気メッキによって
形成される銅層１８を備えている＠層であってもよい。

セラミック層１４はまた一層で、例えば安定化物質が封
入されている一層の酸化アルミニウム層として或いは安
定化物質が封入されている一層の酸化けい素層として形
成されていてもよい。

第３図から明らかなように、他方のセラミック層１５は
実際に等しい配分で酸化けい素Ｚｒ０ｔから成る微細な
粒子２１と混合されている。

酸化けい素の酸化アルミニウムへの混合量は１〜５％の
四割合である。酸化けい素の酸化アルミニウム内での細
かい配分は、下方のセラミック層１５を陰極スパッタリ
ングにより形成し、この場合酸化アルミニウムと酸化け
い素が同時に分子形の細かい配分で形成され、従って酸
化アルミニウムーマトリックスが形成されかっこの酸化
アルミニウムーマトリックス内に酸化けい素から成るこ
の微細な粒子が均一に配分されて封入されることにより
達せられる。

上方のセラミック層１７にあっては、酸化けい素Ｚｒ０
ｚから成る陰極スパッタリングによって形成されたマト
リックス内に均一に配分されて酸化アルミニウム粒子２
２が安定物質としておよびグラファイト粒子２３（より
肉太な点として認められる）が滑り特性を改善する活性
の充填物質として封入されている。また上方のセラミッ
ク層１７にあっても酸化アルミニウムおよびグラファイ
トの酸化けい素マトリックス内での均一な微細な配分が
陰極スパッタリングによって行われる。この場合上方の
セラミック層５内でのグラファイト粒子２３の割合はセ
ラミック層１７の５〜１０％であり、酸化アルミニウム
の割合はセラミック層１７の１〜５％である。

安定化物質として両セラミック層１５と１７内に微細に
配分されている異質物質粒子２■および２２はその都度
のセラミックマトリックス内で「あたかも誘導されて滑
り路ｊを形成する。

このセラミック材料内で細かく分散された異質物質粒子
によってセラミック層１４が動的な負荷の下にあっても
およびこのセラミック層１４に飛躍的な温度交番が生じ
た際でも顕微鏡割れが生じる。しかし、この割れは異質
物質粒子２１および２２によって制限されている。この
顕微鏡割れ２４はセラミック層１４における変形を捕捉
するのに適しており、しかもこの場合マクロな割れを形
成することなくまたｒ重大な不作用」を招くことがない
。

装置部分、例えば第１図〜第３図に図示した滑り軸受−
半割り体１０を造るために、方法は以下のように行われ
る。

素材１２、例えば鋼薄板、特に耐温性の鋼薄板から成る
白金を選択的にメッキにより銅層で被覆した後、先ずこ
の白金を装置部分にとって、即ち滑り軸受−半割り体１
０にとって望ましい形状に成形する。この予め処理され
た半製品を第−の洗浄を行った後、陰極スパッタリング
のために設けられた排気塔内に、しかも熱伝導性結合で
以て、加熱装置、例えば液状の熱キヤリヤ媒体を噴霧可
能な室を備えた、導電性のかつ電気的に接続可能なかつ
相応して耐熱性の特に金属支持体状に支持して導入する
。排気塔を閉じた後、この処理室は１０−１ｍｂａｒの
値の圧力が達せられるまで排気れれる。この排気の間、
支持体およびこの支持体上にＲ置された半製品が、例え
ば約３００〜８００℃の範囲の温度に達するまで加熱さ
れる。これにより半製品の有効な脱ガスが行われる。

脱ガスを行った後、半製品のセラミック層によって被覆
される表面が逆陰極スパッタリングにより洗浄および粗
面化される。この目的のために特異なグロー放電を行う
際は素材および半製品を担持している支持体が陰極とし
て接続され、これに４００〜１２００Ｖ、特に６００■
〜７５０■の値の負の腐食電圧が印加される。

この場合、腐食されるべき表面に１０〜４０ｍＡ　／　
ｃｌの腐食電流密度が生じる。腐食工程の間適当なプラ
ズマ、例えばアルゴンが５・１０−３ｍｂａｒ〜５・１
０−２の腐食圧力に維持される。

素材の腐食の際生じる熱と支持体に供給される熱キャリ
ア媒体との協働作用により素材および半製品が５００〜
８００℃の温度、特に６００℃の温度に調整される。こ
の腐食処理の持続時間は素材のその都度の材料および意
図している素面化程度に相応してその時々によって選択
される。

逆陰極スパッタリングにより表面洗浄および粗面化を行
った後、引続き活性はんだ層１３が陰極スパッタリング
により素材の粗面化された表面上に形成される。この目
的のため素材を担持している支持体が陽極として接続さ
れかつ所望の活性はんだ、例えば２８Ｎｉ２３Ｃｏ−合
金から成るターゲットに３００Ｖ〜７００ｖのスパッタ
リング電圧が印加される。活性はんだ層１３のこのスパ
ッタリングの際維持されるスパッタリング電流密度は積
層される表面の１０〜３０Ｗ／ａｌｌで維持されなけれ
ばならない。このスパッタリング温度は本質的に腐食の
際生じる値に維持される。活性はんだ層を形成する際に
使用されるプラズマ、特にアルゴンは酸素を含んでおら
ず、１−１０−３ｍｂａ　ｒ〜５　・１０−２ｍ　ｂ　
ａ　ｒの圧力下にある。この陰極スパッタリングの持続
時間は、約５μｍ〜１０μｍの厚みの活性はんだ層が形
成されるように調整されている。

ここでこのようにして形成された活性はんだ層１３上に
下方のセラミック［１５が反応性のスパッタリングによ
って形成される。この目的のため安定化物質のために所
望の量でけい素が添加されているアルミニウムから成る
た−げっと使用される。グロー放電および陰極スパッタ
リングををこの段階で維持するのに使用される、プラズ
マ、例えばアルゴンに酸素が陰極スパッタリングされた
アルミニウムの完全な酸化のために必要な星でＡ　ｌ　
ｚ　Ｏｘに、かつ陰極スパッタリングされた甘い素の完
全な酸化のために必要な量でＺ　ｒ　０２が添加される
。スパッタリング電圧は積層されるべき面の２０〜４０
Ｗ／Ｃｌｌ１のスパッタリング電流密度を維持しながら
５００■〜８００ｖ、例えば６００■に調整される。

素材の温度は５００℃〜８００℃５特に６００℃に調整
された値に維持される。スパッタリングプラズマ内の圧
力は１・１０−１ｍｂａｒ〜５・１０−”ｍｂａｒに維
持される。

陰極スパッタリングの持続時間は下方のセラミック層１
５の所望の厚みに相当する。この下方のセラミック層１
５が所望の厚みで形成されている場合は、排気塔は再び
１０−５ｍｂａｒの値の圧力に排気され、引続き酸素を
含まないプラズマで１　・１０−ｍｂ　ａ　ｒ〜５　・
１０−”ｍｂａｒに調整される。この新しいプラズマの
下で第二の活性はんだ層１６のスパッタリングが実際に
第一の活性はんだ層１３の形成の際と同様なスパッタリ
ング条件でこの第二の活性はんだ層１６の形成後上方の
セラミック層１７が陰極スパッタリングにより、しかも
下方のセラミッり層１５の積層のためのプラズマよりも
酸素含有量が少ないプラズマ内で、形成される。この方
法工程のために使用されるターゲットはジルコニウムお
よびアルミニウム以外に酸化けい素および酸化アルミニ
ウム並びにグラファイトを含んでおり、この場合セラミ
ックマトリックスを形成するために使用された酸化けい
素の一部分が反応性スパッタリングにより、および残り
の酸化けい素が直接的なスパッタリングによりターゲッ
トから形成される。同様に安定化物質として封入されて
いる酸化アルミニウムが部分的に反応性スパッタリング
により形成されかつ部分的に直接ターゲットから形成さ
れる。この方法工程の間素材および既に猾活性はんだ層
１３と１６および下方のセラミック層１５で積層された
素材１２．１日が約５００〜６００　ｊＣに維持される
。素材の温度は個々の積層工程膜内において可能な限り
一定に保持されなければならない。

処理工程の上に説明した時間的な順序は、室に分割され
ていてかつ堰き止め部を備えている異なった装置内に設
゛けられた排気塔内で順次行われ、一方案材および準備
された半製品は室から室へと排気塔を通過させられる。

この排気塔に準備された半製品を導入するための入口堰
き止め部および処理した装置部分を導出するための出口
堰き止め部を設けることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は滑り軸受−半割りの形の滑り或いは摩擦荷重を
受ける発明による装置部分の透視図、第２図は第１図の
切断線Ａ−Ｂに沿った拡大図、 第３図は第２図の部分Ｃのさらに拡大した断面図。 図中符号は、 １１、　、　、層複合材料 １２・・・素材 １４・・・セラミック層 １８・・・中間層 藁Ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、安定化材が封入されているセラミック材料から成り
   かつ滑り面もしくは摩擦面を担持している機能部分が設
   けられている、高温で、例えば２００℃以上のバック温
   度での作動にあって使用するための滑り或いは摩擦素材
   において、 機能部分のセラミック材料が靭性のかつ耐熱性の材料、
   例えば鋼から成る素材（１２）上に或いはこの素材（１
   ２）上に設けられる中間層（１８）上に真空中において
   蒸着或いはスパッタリングにより表面に固く結合された
   セラミック層（１４）として形成されておりかつこの場
   合微細に分散されて安定化物質と混合されている、層複
   合材料（１１）から成るか或いは層複合材料の様式の滑
   り或いは摩擦素材の構成を特徴とする、上記滑り或いは
   摩擦素材。 ２、セラミック層（１４）が酸化アルミニウム、酸化け
   い素のような金属酸化物、チタン酸アルミニウムのよう
   な金属チタン酸物、窒化けい素或いは炭化物の群の一つ
   或いはこのようなセラミック化合物の混合物から形成さ
   れており、かつその都度のセラミック化合物に相当する
   安定化物質を備えている、特許請求の範囲第１項に記載
   の滑り或いは摩擦素材。 ３、セラミック材料が反応性の陰極スパッタリングによ
   って形成されたＡｌ＿２Ｏ＿３および安定化物質が反応
   性の陰極スパッタリングによって形成されたＺｒＯ＿２
   および／またはＹ＿２Ｏ＿３および／またはＭｇＯであ
   る、特許請求の範囲第２項に記載の滑り或いは摩擦素材
   。 ４、セラミック層（１４）が活性はんだから成る層（１
   ３）を介して素材（１２）もしくは中間層（１８）に結
   合されている、特許請求の範囲第１項から第３項までの
   いずれか一つに記載の滑り或いは摩擦素材。 ５、素材（１２）が鋼層、セラミック層（１４）の材料
   がＡｌ＿２Ｏ＿３および活性はんだが２８Ｎｉ−２３Ｃ
   ｏ−合金である、特許請求の範囲第４項に記載の滑り或
   いは摩擦素材。 ６、セラミック層（１４）が異なるセラミック材料から
   成る二つ或いは多数の層（１５、１７）から形成されて
   いる、特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか
   一つに記載の滑り或いは摩擦素材。 ７、セラミック層（１４）の隣合っている層（１５、１
   ７）間に薄い活性はんだ層（１ ６）が設けられている、特許請求の範囲第６項に記載の
   滑り或いは摩擦素材。 ８、セラミック層（１４）内にＭｏＳ、グラファイト、
   ＢＮ、ＰＴＦＥのような滑りおよび摩擦特性を改善する
   物質がセラミック層をスパッタリング或いは蒸着する際
   に生じる微細な分散の形で封入されている、特許請求の
   範囲第１項から第７項までのいずれか一つに記載の滑り
   或いは摩擦素材。 ９、滑り或いは摩擦素材を造る方法において、場合によ
   っては中間層で被覆された素材を陰極スパッタリングに
   より１０＾−＾４〜１０＾−＾１ｍｂａｒの圧力下に保
   持されたプラズマ、例えばアルゴン内でセラミック材料
   からなる層で被覆し、この場合所望の一つ或いは多数の
   安定化物質の所望量を陰極スパッタリングにより層形成
   の間およびセラミック材料と共に陰極スパッタリングに
   よって誘起される微細な分散でセラミック材料内に封入
   することを特徴とする、滑り或いは摩擦素材を造るため
   の方法。 １０、セラミック材料を陰極スパッタリングの間相互の
   および／またはプラズマに添加される反応ガスとの一つ
   或いは多数の噴霧された出発物質の化学的な反応により
   形成する、特許請求の範囲第９項に記載の滑り或いは摩
   擦素材を造るための方法。 １１、陰極スパッタリングの間一つの安定化物質もしく
   は多数の安定化物質を相互のおよび／もしくはプラズマ
   に添加される反応ガスとの一つ或いは多数の出発物質と
   の化学的な反応により形成する、特許請求の範囲第９項
   或いは第１０項に記載の滑り或いは摩擦素材を造るため
   の方法。 １２、セラミック材料および一つの安定化物質もしくは
   多数の安定化物質もしくはそれらの出発物質をセラミッ
   ク層にとって所望の量比率で陰極スパッタリングに利用
   されるターゲット内で統合する、特許請求の範囲第９項
   から第１１項までのいずれか一つに記載の滑り或いは摩
   擦素材を造るための方法。 １３、セラミック層で被覆されるべき表面上に洗浄およ
   び場合によっては粗面化した後陰極スパッタリングによ
   り約１〜５μｍの厚みの活性はんだから成る層を形成し
   、引続きセラミック層を陰極スパッタリングによりこの
   活性はんだ層の表面上に形成する、特許請求の範囲第９
   項から第１２項までのいずれか一つに記載の滑り或いは
   摩擦素材を造るための方法。 １４、素材もしくは中間層のセラミック層で被覆される
   べき表面をセラミック層もしくは活性はんだ層を形成す
   る以前に陰極スパッタリングのために使用されるプラズ
   マ内で逆陰極スパッタリングにより浄化しかつ粗面化す
   る、特許請求の範囲第９項から第１２項までのいずれか
   一つに記載の滑り或いは摩擦素材を造るための方法。 １５、滑りおよび摩擦特性を改善しかつセラミック層内
   に封入される充填物質をセラミック材料および一つの安
   定化物質もしくは多数の安定化物質もしくは両者を含ん
   でいるターゲットのための出発物質内にセラミック層内
   の所望の混合量に相当する量で封入する、特許請求の範
   囲第９項から第１２項までのいずれか一つに記載の滑り
   或いは摩擦素材を造るための方法。 １６、セラミック材料および一つの安定化物質もしくは
   多数の安定化物質の蒸発可能な出発物質を真空中で蒸発
   させ、蒸発した状態でかつ被覆すべき表面上に同時に沈
   澱させながら相互のおよび／または真空中に導入された
   一つのもしくは多数の反応ガスとの化学反応によりセラ
   ミック材料および一つ或いは多数の安定化物質に移行さ
   せかつ微細な相互分散によりセラミック層に形成するよ
   うにして、真空中において場合によっては中間層で被覆
   された素材上にセラミック層を蒸着する、特許請求の範
   囲第９項から第１２項までのいずれか一つに記載の滑り
   或いは摩擦素材を造るための方法。 １７、排気された空域の素材を収容する少なくとも一つ
   の部分を介してこの素材に通じる電気的な場を維持し、
   電荷キャリアを素材方向に蒸発される物質を加速運動さ
   せるために真空中で蒸発された物質内に、特に電気的な
   力線の方向で横方向に延びている方向で導入する、特許
   請求の範囲第１６項に記載の滑り或いは摩擦素材を造る
   方法。 １８、蒸発された物質と所望のセラミック材料および／
   または所望の一つもしくは多数の安定化物質を形成しな
   がら化学的に反応する物質の電荷された粒子、特にイオ
   ンを真空中で蒸発される物質内に導入する、特許請求の
   範囲第１７項に記載の滑り或いは摩擦素材を造る方法。 １９、素材もしくは中間層の表面とセラミック層間でお
   よび場合によっては多層に形成されたセラミック層の層
   間に設けられる活性はんだから成る層を真空中での蒸着
   或いはイオンめっきによりセラミック層の形成を開始す
   る直前にもしくはこの形成の工程間で形成する、特許請
   求の範囲第１６項から第１８項までのいずれか一つに記
   載の滑り或いは摩擦素材を造るための方法。 ２０、色々な原料からセラミック材料および／または所
   望の一つ或いは多数の安定化物質を形成するための蒸発
   されるべき出発物質を短時間の順序で電子照射により蒸
   発させる、特許請求の範囲第９項から第１２項までのい
   ずれか一つに記載の滑り或いは摩擦素材を造るための方
   法。