JPS62174937A - ストロボ方式の電位測定装置 - Google Patents
ストロボ方式の電位測定装置Info
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- JPS62174937A JPS62174937A JP61015631A JP1563186A JPS62174937A JP S62174937 A JPS62174937 A JP S62174937A JP 61015631 A JP61015631 A JP 61015631A JP 1563186 A JP1563186 A JP 1563186A JP S62174937 A JPS62174937 A JP S62174937A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子ビームによる電位測定装置に係わり、特
に走査形電子顕微鏡などの粒子線を用いｉに て、試料上の微細箇所あるいは微小処料の電位の時間変
化（電位波形）を測定するストロボ方式の電位測定装置
に関する。
に走査形電子顕微鏡などの粒子線を用いｉに て、試料上の微細箇所あるいは微小処料の電位の時間変
化（電位波形）を測定するストロボ方式の電位測定装置
に関する。
第２図は、電子ビームをパルス化し、電圧波形を測定す
るストロボ走査形電子顕微鏡の基本構成図である。電子
銃１から射出された電子ビーム２を電子レンズ６を用い
て検鏡試料１０上に焦点を結ばせ、かつ走査コイルまた
は偏向板８でテレビジョンの撮像管と同じ要領で走査す
る。
るストロボ走査形電子顕微鏡の基本構成図である。電子
銃１から射出された電子ビーム２を電子レンズ６を用い
て検鏡試料１０上に焦点を結ばせ、かつ走査コイルまた
は偏向板８でテレビジョンの撮像管と同じ要領で走査す
る。
電子ビームは固体に衝撃すると反射電子または二次電子
を放出する。これを検出器９で検知し、その像をデスプ
レイ装置７上に表示する。これが走査形電子顕微鏡の原
理である。
を放出する。これを検出器９で検知し、その像をデスプ
レイ装置７上に表示する。これが走査形電子顕微鏡の原
理である。
ところが、この走査形電子顕微鏡で高速に変化する試料
を観察すると走査コイル８により電子ビームの走査速度
が試料の変化速度に追従できず、全変化が重複して表示
されてしまう。そこで、試料変化を与えている駆動装置
１１と同期したパルス回路１２によりビームのチョッピ
ングを行うパルスゲート（偏向板３とアパチャー４との
組合せ）を付加する。このような構成にすると、試料上
を走査する電子ビーム、試料変化のある一定の位相吋き
、３．）カヤ射す、よう、。制御、、ｒ！ｓ、おλや射
の瞬間の試料状態のみを検知できる。第３図はこれを説
明する図である。（Ａ）のたて軸は、試料の状態の変化
を示したもので、ここでは物点がＡとＣとの間で移動す
るものとした。電子ビームを照射する位相（タイミング
）をａの時点にすると。
を観察すると走査コイル８により電子ビームの走査速度
が試料の変化速度に追従できず、全変化が重複して表示
されてしまう。そこで、試料変化を与えている駆動装置
１１と同期したパルス回路１２によりビームのチョッピ
ングを行うパルスゲート（偏向板３とアパチャー４との
組合せ）を付加する。このような構成にすると、試料上
を走査する電子ビーム、試料変化のある一定の位相吋き
、３．）カヤ射す、よう、。制御、、ｒ！ｓ、おλや射
の瞬間の試料状態のみを検知できる。第３図はこれを説
明する図である。（Ａ）のたて軸は、試料の状態の変化
を示したもので、ここでは物点がＡとＣとの間で移動す
るものとした。電子ビームを照射する位相（タイミング
）をａの時点にすると。
ディスプレイ装置１７には（Ｂ）の（ａ）のように。
ｂの時点にすると（ｂ）のように、Ｃの時点にすると（
ｃ）のように状態を分離して観察できる。
ｃ）のように状態を分離して観察できる。
どの位相でｆＪＲ察するかは、第２図に示した位相調整
器５で行う、−・般にはこの位相調整器５は遅延線の組
合せで構成されている。
器５で行う、−・般にはこの位相調整器５は遅延線の組
合せで構成されている。
このストロボ走査形電子顕微鏡の主な応用は。
ＬＳＩ内で高速変化する電圧の観察である。この場合に
は、検出器９と試料１０の間の二次電子のエネルギーア
ナライザを付加する（特公昭４７−５１０２４号参照）
。
は、検出器９と試料１０の間の二次電子のエネルギーア
ナライザを付加する（特公昭４７−５１０２４号参照）
。
第４図の（ａ）にこの原理を示す。検鏡試料ビーム２の
照射により試料１０から放出された二次電子１４のエネ
ルギーを区別するための電位障壁を形成する。第４図の
（ｂ）はこの電位障壁の動作を説明する図である。制御
電極１３が配置されていない場合には、すべての二次電
子が検出器９で検出される。零電位の検鏡試料１０から
放出される二次電子のエネルギー分布は第４図の（ｂ）
のＡで示すような分布をしている。試料１０の電位が一
５ｖであるとその分布はＢのよう１こなる。
照射により試料１０から放出された二次電子１４のエネ
ルギーを区別するための電位障壁を形成する。第４図の
（ｂ）はこの電位障壁の動作を説明する図である。制御
電極１３が配置されていない場合には、すべての二次電
子が検出器９で検出される。零電位の検鏡試料１０から
放出される二次電子のエネルギー分布は第４図の（ｂ）
のＡで示すような分布をしている。試料１０の電位が一
５ｖであるとその分布はＢのよう１こなる。
制御電極１３を設け、これに−５ｖを印加すると検出さ
れる二次電子は５ｅＶ以上のものに制限されるので、検
鏡試料１０の電位によって、二次電子の検出量に変化が
生ずる。このように検出量が試料電位に関係するので、
逆に検出二次電子量から試料１０の電位を知ることがで
きる。
れる二次電子は５ｅＶ以上のものに制限されるので、検
鏡試料１０の電位によって、二次電子の検出量に変化が
生ずる。このように検出量が試料電位に関係するので、
逆に検出二次電子量から試料１０の電位を知ることがで
きる。
しかし、上記の制御極１；うを配置したのみによる電位
測定では、試料１０の電位と検出される二次電子量との
関係は直線的でなく、電位の定量的な測定は難しい。
測定では、試料１０の電位と検出される二次電子量との
関係は直線的でなく、電位の定量的な測定は難しい。
ち
そこで、これに直線性をも呼せるため、検出二次電子量
を常に一定に保つように制御電極の電位を回路的に調整
するフィードバック法を用いる（参照：アイ・トリプル
・イーノジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サー
キット（ＩＥＩＥＥ 。
を常に一定に保つように制御電極の電位を回路的に調整
するフィードバック法を用いる（参照：アイ・トリプル
・イーノジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サー
キット（ＩＥＩＥＥ 。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｃ１
ｒｃｕｉｔｓ）ＶｏＬＳＣ−１３。
ｒｃｕｉｔｓ）ＶｏＬＳＣ−１３。
Ｎα３ 、１９７８）。
第５図は、このフィードバック法を説明するブロック図
である。検出器９の出力を基準電圧１５と比較し、その
差を増幅器１４で増幅し、その出力を制御電極１３に与
する。二次電子検出量が増加すると、制御電極１３の電
位が低下し、検出量の増加を抑するように構成されてい
るので、検鏡試料１０の電位がどのように変化しても二
次電子検出量は一定に保たれる。このとき、試料電位の
変化量と制御電極１３の変化量は一対一になるので、未
知の試料の電位変化を定量的に知ることができる。
である。検出器９の出力を基準電圧１５と比較し、その
差を増幅器１４で増幅し、その出力を制御電極１３に与
する。二次電子検出量が増加すると、制御電極１３の電
位が低下し、検出量の増加を抑するように構成されてい
るので、検鏡試料１０の電位がどのように変化しても二
次電子検出量は一定に保たれる。このとき、試料電位の
変化量と制御電極１３の変化量は一対一になるので、未
知の試料の電位変化を定量的に知ることができる。
前述した定量的な電位測定を行いながら、位相調整器５
の位相を０−３６０度変化させると、位相に対応して、
電位波形が得られる。以上、詳述した方法で電位波形の
測定が可能となる。
の位相を０−３６０度変化させると、位相に対応して、
電位波形が得られる。以上、詳述した方法で電位波形の
測定が可能となる。
このストロボ走査波形電子顕微鏡の主な応用は、ＬＳＩ
内の電位波の測定であるが、ＬＳＩは多くの場合、半導
体回路を汚れや湿気から防ぐために、パッシベーション
と呼ばれる絶縁膜が被覆されている。この場合、バツシ
ベション膜は電子ビームとＬＳＩ内の金属電極との間に
介在するので、等価的にコンデンサとして作用する。こ
のコンデンサの介在は、定常的な電圧（例えば直流電圧
）の測定ができないことを意味する。そこで、前述した
緩やかに位相を調整する方式では、電位波形が得られな
くなる。この様子を図をもって、以下に説明する。パッ
シベーションが作るコンデンサ作用と、得られる信号と
の関係をモデルにすると第６図にようになる。電子ビー
ムを照射した場所１８とＬＳＩの配、ｔ１１９との間で
作られる静電容量２０を通して交流電圧２１の電流１７
が抵抗１６を流れる。抵抗１６は等価的な検出抵抗であ
る。
内の電位波の測定であるが、ＬＳＩは多くの場合、半導
体回路を汚れや湿気から防ぐために、パッシベーション
と呼ばれる絶縁膜が被覆されている。この場合、バツシ
ベション膜は電子ビームとＬＳＩ内の金属電極との間に
介在するので、等価的にコンデンサとして作用する。こ
のコンデンサの介在は、定常的な電圧（例えば直流電圧
）の測定ができないことを意味する。そこで、前述した
緩やかに位相を調整する方式では、電位波形が得られな
くなる。この様子を図をもって、以下に説明する。パッ
シベーションが作るコンデンサ作用と、得られる信号と
の関係をモデルにすると第６図にようになる。電子ビー
ムを照射した場所１８とＬＳＩの配、ｔ１１９との間で
作られる静電容量２０を通して交流電圧２１の電流１７
が抵抗１６を流れる。抵抗１６は等価的な検出抵抗であ
る。
このモデル内での伴流電圧２１の振幅ＬＳＩ内の電圧と
等しいが、周波数は、ＬＳＩ内の実際の周波数でなく、
位相（３６０度）変える周期である。
等しいが、周波数は、ＬＳＩ内の実際の周波数でなく、
位相（３６０度）変える周期である。
位相を固定している場合には、直流となる。この等価回
路から分かるように、位相を変する周期をできるかぎり
速くすれば、原波形（ＬＳＩ内の測定したい波形）を測
定できるようになる。
路から分かるように、位相を変する周期をできるかぎり
速くすれば、原波形（ＬＳＩ内の測定したい波形）を測
定できるようになる。
そこで本発明者らは、一般に行われている全位相（３６
０度）を１０−４０秒で走査する方式を改良し、全位相
を１０１０−４Ｏで走査しこの測定値を複数回重ね合わ
せる方法を行ってきた（参照ニスキャンニング・エレク
トロン・マイクロスコビイ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ） 、 １９８３゜
Ｖｏｌ、２，５６１−５６８）。
０度）を１０−４０秒で走査する方式を改良し、全位相
を１０１０−４Ｏで走査しこの測定値を複数回重ね合わ
せる方法を行ってきた（参照ニスキャンニング・エレク
トロン・マイクロスコビイ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ） 、 １９８３゜
Ｖｏｌ、２，５６１−５６８）。
しかし、上記方法でも、パシベーション膜が厚＜、ＬＳ
Ｉの配線が細くなると原波形に近に波形を再現するのが
困難になる。
Ｉの配線が細くなると原波形に近に波形を再現するのが
困難になる。
本発明の目的は、前述の問題を解決し、原波形に近い波
形を再現し、かつ詳細な波形を測定し得るストロボ方式
の電位測定装置を提供するものである。
形を再現し、かつ詳細な波形を測定し得るストロボ方式
の電位測定装置を提供するものである。
上記問題を解決するために、本発明においては、試料内
の周期電圧とパルス状荷電ビームとの間の位置を、第１
の値から第２の値まで増加したのちに、第２の値から第
１の値まで、減少するようよ少なくとも一回走査し、得
られた信号を平均処理するように構成したことを特徴と
する。第７図を用いてそれを説明する。（Ａ）は原波形
で、矩形波とする。これを従来通りＯから３６０度へ走
査すると（Ｂ）に示すような波形になる。ところが。
の周期電圧とパルス状荷電ビームとの間の位置を、第１
の値から第２の値まで増加したのちに、第２の値から第
１の値まで、減少するようよ少なくとも一回走査し、得
られた信号を平均処理するように構成したことを特徴と
する。第７図を用いてそれを説明する。（Ａ）は原波形
で、矩形波とする。これを従来通りＯから３６０度へ走
査すると（Ｂ）に示すような波形になる。ところが。
位相が逆に３６０度からＯに走査すると、（Ｃ）に示す
ように逆に微分した波形になる。本発明はここに着目し
たものである。
ように逆に微分した波形になる。本発明はここに着目し
たものである。
そこで、（Ｂ）と（Ｃ）との和をとり、これを２で割る
と（Ｄ）に示すような波形が得られる。
と（Ｄ）に示すような波形が得られる。
これが本発明の原理である。
第１図は位相走査の差を従来法と比較して示したもので
ある。（Ａ）が従来法、（Ｂ）が本発明である。従来法
では０から位相を増加させ３６０度になると、すぐに０
に戻し、これを繰返して加算し、平均値を出力するよう
にしていた０本発明では、０に戻さずに逆に順次減少さ
せる。すなわち、従来が鋸歯状波の位相走査であったの
に対し。
ある。（Ａ）が従来法、（Ｂ）が本発明である。従来法
では０から位相を増加させ３６０度になると、すぐに０
に戻し、これを繰返して加算し、平均値を出力するよう
にしていた０本発明では、０に戻さずに逆に順次減少さ
せる。すなわち、従来が鋸歯状波の位相走査であったの
に対し。
本発明では三角波の位相走査を行う。以上の説明には零
から３６０度に位相を走査すぎ説明をしたが、一部分の
位走査でも同様に効果は得られる。
から３６０度に位相を走査すぎ説明をしたが、一部分の
位走査でも同様に効果は得られる。
また本発明の他の利点はフィードバック回路の周波数帯
域を狭くできることである。
域を狭くできることである。
以下本発明の実施例を図と共に説明する。
第８図は本発明の一実施例である。この実施例の検鏡試
料１０はＬＳＩで、駆動電源１１で駆動される。該駆動
電源１１からのトリガー出力信号は制御計算機１７で制
御される位相調！器５で遅延（位相調′９Ｉｉ）をうけ
、電子ビームをパルス化するパルス発振器１２に入力さ
れる。検鏡試料１０内の電子ビーム照射箇所から発生し
た二次電子は。
料１０はＬＳＩで、駆動電源１１で駆動される。該駆動
電源１１からのトリガー出力信号は制御計算機１７で制
御される位相調！器５で遅延（位相調′９Ｉｉ）をうけ
、電子ビームをパルス化するパルス発振器１２に入力さ
れる。検鏡試料１０内の電子ビーム照射箇所から発生し
た二次電子は。
制御グリッド１３を介して検知器９で検出される。
制御グリッド１３は増幅器１４、基準電圧１５でフィー
ドバック制御されている。測定出力である制御グリッド
１３の電位はＡ／Ｄ変換回路１６を介して制御計算機１
７に入力する。本実施例で用いられている位相調整器、
第９図のような構成になっている。駆動電源１１からト
リガー出力信号はバッファアンプ１８に入力される。バ
ッファアンプの後方には３列のマルチプレクサ−１９゜
２０．２１があり、マルチプレクサ−と出力間にもバッ
ファアンプ２２，２３．２４が設けられている。マルチ
プレクサ−１９，２０，２１は４ビツトで制御計算機の
パスライン２５を介して制御される６初段のマルチプレ
クサ−１，９’Ｖ’０ 、 ｉ ｎ ｓの遅延線２６を
１５本、中段のマルチプレクサ−２０で１．６ｎｓ
の遅延線２７を１５本、終段のマルチプレクサ−２１−
で２５．６ ｎ ｔ、の遅延線を１５本備え、これを組
合せても総量で４０９．５ｎ ｓの遅延を作る。
ドバック制御されている。測定出力である制御グリッド
１３の電位はＡ／Ｄ変換回路１６を介して制御計算機１
７に入力する。本実施例で用いられている位相調整器、
第９図のような構成になっている。駆動電源１１からト
リガー出力信号はバッファアンプ１８に入力される。バ
ッファアンプの後方には３列のマルチプレクサ−１９゜
２０．２１があり、マルチプレクサ−と出力間にもバッ
ファアンプ２２，２３．２４が設けられている。マルチ
プレクサ−１９，２０，２１は４ビツトで制御計算機の
パスライン２５を介して制御される６初段のマルチプレ
クサ−１，９’Ｖ’０ 、 ｉ ｎ ｓの遅延線２６を
１５本、中段のマルチプレクサ−２０で１．６ｎｓ
の遅延線２７を１５本、終段のマルチプレクサ−２１−
で２５．６ ｎ ｔ、の遅延線を１５本備え、これを組
合せても総量で４０９．５ｎ ｓの遅延を作る。
周期１０２．４ｎｓの波形を？１ｌｌｌ定する例で説明
する。まず、０．ｉｎｓのきざみて最大１０２．３ｎｓ
の遅延を与する。例えば、Ｏｎｓの遅延でＡ ／ Ｄ変
換回路１６のゲートを開け、データを取り込み、つぎに
０．１ ｎ ｓ の遅延で同様にデータを取り込む。
する。まず、０．ｉｎｓのきざみて最大１０２．３ｎｓ
の遅延を与する。例えば、Ｏｎｓの遅延でＡ ／ Ｄ変
換回路１６のゲートを開け、データを取り込み、つぎに
０．１ ｎ ｓ の遅延で同様にデータを取り込む。
このようにして１０２．３ｎｓ の遅延まで行う。つ
ぎに１０２．３ ｎ ｓから０．１ｒ＋ｓのきざみで順
次、遅延量を減少させＯｎｓまで行う。これを例えば、
２０４８回行い、平均し、一つの波形を得る。一回のデ
ータ取り込みは１０Ｐｓとすると、この波形測定は、４
０秒で終了する。
ぎに１０２．３ ｎ ｓから０．１ｒ＋ｓのきざみで順
次、遅延量を減少させＯｎｓまで行う。これを例えば、
２０４８回行い、平均し、一つの波形を得る。一回のデ
ータ取り込みは１０Ｐｓとすると、この波形測定は、４
０秒で終了する。
以上説明したように、本発明によれば、パシベーション
膜を被ったＬＳＩで生じていた波形歪みの問題を解決す
ることができ、ＬＳＩ開発に与える効果は大きい。
膜を被ったＬＳＩで生じていた波形歪みの問題を解決す
ることができ、ＬＳＩ開発に与える効果は大きい。
第１図は従来の位相走査と本発明の位相走査を比較した
図、第２図はストロボ走査形電子顕微鏡の構成を示す図
、第３図はストロボ法の原理を示す図、第４図は電子ビ
ームによる電位測定を説明する図、第５図は電位の定量
測定を説明する図。 第６図はパッシベーション膜を被ったＬＳＩＦＩＩＩＩ
定した場合の等価回路を示す図、第７図はパッシベーシ
ョン膜を被ったＬＳＩ測定する本発明の説明図、第８図
は本発明の一実施例を示す図、第９図は本実施例で用い
た位相調整器の構成図である。 ５・・・位相調整器、９・・・検出器、１０・・・試料
、１，１・・・駆動電源、１３・・・制御グリッド、１
′６・・・Ａ／Ｄ変換回路、１７・・・制御計算器、１
８，１９，２０゜２１・・・バッファアンプ、１９，２
０，２１・・・マルチプレクサ−１２６・・・遅延線。 −〒 １ 図 時向− 吟向一 藁 ４ 図 ｑり 電″！ｒｎ数 、−晴唱 ＼； 不 ５ ｌ て ｚ ｚ 冨 ７ 図
図、第２図はストロボ走査形電子顕微鏡の構成を示す図
、第３図はストロボ法の原理を示す図、第４図は電子ビ
ームによる電位測定を説明する図、第５図は電位の定量
測定を説明する図。 第６図はパッシベーション膜を被ったＬＳＩＦＩＩＩＩ
定した場合の等価回路を示す図、第７図はパッシベーシ
ョン膜を被ったＬＳＩ測定する本発明の説明図、第８図
は本発明の一実施例を示す図、第９図は本実施例で用い
た位相調整器の構成図である。 ５・・・位相調整器、９・・・検出器、１０・・・試料
、１，１・・・駆動電源、１３・・・制御グリッド、１
′６・・・Ａ／Ｄ変換回路、１７・・・制御計算器、１
８，１９，２０゜２１・・・バッファアンプ、１９，２
０，２１・・・マルチプレクサ−１２６・・・遅延線。 −〒 １ 図 時向− 吟向一 藁 ４ 図 ｑり 電″！ｒｎ数 、−晴唱 ＼； 不 ５ ｌ て ｚ ｚ 冨 ７ 図
Claims (1)
- １、試料内の周期電圧に同期したパルス状の荷電ビーム
を用い、該試料内の周期電圧と該パルス状荷電ビームと
の間の位相を順次変化させることにより、該パルス状荷
電ビームを照射した箇所の周期電圧の波形を測定するス
トロボ方式の電位測定装置において、一回の位相の走査
が第１の値から第２の値まで増加したのちに、第２の値
から第１の値まで減少する一往復で構成され、この走査
を少なくとも一回行つた後、平均処理し、一つの測定結
果を作り出すごとく構成したことを特徴とするストロボ
方式の電位測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015631A JPS62174937A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | ストロボ方式の電位測定装置 |
| US07/008,253 US4774460A (en) | 1986-01-29 | 1987-01-29 | Stroboscopic type potential measurement device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015631A JPS62174937A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | ストロボ方式の電位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174937A true JPS62174937A (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=11894063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61015631A Pending JPS62174937A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | ストロボ方式の電位測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774460A (ja) |
| JP (1) | JPS62174937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219629A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fujitsu Ltd | ストロボ電子ビ−ム装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2937440B2 (ja) * | 1990-08-21 | 1999-08-23 | 株式会社東芝 | 集積回路検査装置 |
| EP1455378B1 (en) * | 2001-11-21 | 2013-08-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample imaging method and charged particle beam system |
| US7361894B2 (en) * | 2002-10-22 | 2008-04-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| WO2003044821A1 (fr) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2813948A1 (de) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | Siemens Ag | Verfahren zur elektronischen abbildung der potentialverteilung in einem elektronischen bauelement |
| DE2813947C2 (de) * | 1978-03-31 | 1986-09-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE3110140A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen |
| DE3138992A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Abtastverfahren zur schnellen potentialbestimmung inder elektronenstrahl-messtechnik |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61015631A patent/JPS62174937A/ja active Pending
-
1987
- 1987-01-29 US US07/008,253 patent/US4774460A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219629A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fujitsu Ltd | ストロボ電子ビ−ム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4774460A (en) | 1988-09-27 |
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