JPS62171414A - サ−ジ吸収装置 - Google Patents
サ−ジ吸収装置Info
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- JPS62171414A JPS62171414A JP1290186A JP1290186A JPS62171414A JP S62171414 A JPS62171414 A JP S62171414A JP 1290186 A JP1290186 A JP 1290186A JP 1290186 A JP1290186 A JP 1290186A JP S62171414 A JPS62171414 A JP S62171414A
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- QGTYWWGEWOBMAK-UHFFFAOYSA-N chlormephos Chemical compound CCOP(=S)(OCC)SCCl QGTYWWGEWOBMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は過大なサージエネルギを吸収するために複数の
半導体サージ吸収素子（例えば酸化亜鉛焼結素子）を主
母線間に並列に接続したサージ吸収装置に関する。 なお以下各図の説明において同一の符号は同一または相
当部分を示す。
半導体サージ吸収素子（例えば酸化亜鉛焼結素子）を主
母線間に並列に接続したサージ吸収装置に関する。 なお以下各図の説明において同一の符号は同一または相
当部分を示す。
第２図はこの種のサージ吸収装置の構成回路図で、１は
サージ吸収装置、２は複数の半導体サージ吸収素子、３
（３Ｌ３２）は主母線、Ａ、Ｂは装置ｌの端子で吸収
すべきサージの侵入口となる。 主母線３１．３２の間に現れる過大なサージエネルギを
吸収するには、サージ吸収素子２の単体のみでは困難な
ため、このように複数のサージ吸収素子２を並列接続す
る方法が知られている。 しかしながら通常の並列接続を行っただけでは各素子２
がサージエネルギを平均に分担せず、一部分の素子２の
みが過負荷となり破壊するという問題点がある。 即ち第２図のように主母線３を流れるサージ電流■が各
サージ吸収素子２に分流し、この分流電流によって各分
流路に鎖交する磁束のうち、自らの分流電流によって自
らの分流路に鎖交する磁束をφ１１着目する分流路に隣
接する分流路の分流電流によって着目する分流路に鎖交
する磁束をφ２゜同様に前記隣接分流路の次の分流路の
分流電流によって着目する分流路に鎖交する磁束をφ、
とし、順次このようにして着目分流路に鎖交する全磁束
φ０を φ０＝φ１＋φ、＋−・−＋φ、 とすると、着目分流路１例えば中央の分流路には ｅｏ＝”Δφ０／Δｔ ＝（Δφ１＋Δφ２＋ ・−−一−−−−・ ＋Δφ、
、）／Δｔの誘導逆起電力ｅ０が発生してサージ電流の
流人を妨げるように働く。前記鎖交全磁束φ。の大きさ
、従ってこの誘導逆起電力ｅ０の大きさは複数並列接続
した中央部分の分流路に一番大きく、従ってこの部分に
はサージ電流は流れにり（、両外側の分流路に流れやす
（なる。このため各素子２にサージエネルギが平均に分
担されず、両外側の部分のサージ吸収素子２が破壊され
やすいことになる。
サージ吸収装置、２は複数の半導体サージ吸収素子、３
（３Ｌ３２）は主母線、Ａ、Ｂは装置ｌの端子で吸収
すべきサージの侵入口となる。 主母線３１．３２の間に現れる過大なサージエネルギを
吸収するには、サージ吸収素子２の単体のみでは困難な
ため、このように複数のサージ吸収素子２を並列接続す
る方法が知られている。 しかしながら通常の並列接続を行っただけでは各素子２
がサージエネルギを平均に分担せず、一部分の素子２の
みが過負荷となり破壊するという問題点がある。 即ち第２図のように主母線３を流れるサージ電流■が各
サージ吸収素子２に分流し、この分流電流によって各分
流路に鎖交する磁束のうち、自らの分流電流によって自
らの分流路に鎖交する磁束をφ１１着目する分流路に隣
接する分流路の分流電流によって着目する分流路に鎖交
する磁束をφ２゜同様に前記隣接分流路の次の分流路の
分流電流によって着目する分流路に鎖交する磁束をφ、
とし、順次このようにして着目分流路に鎖交する全磁束
φ０を φ０＝φ１＋φ、＋−・−＋φ、 とすると、着目分流路１例えば中央の分流路には ｅｏ＝”Δφ０／Δｔ ＝（Δφ１＋Δφ２＋ ・−−一−−−−・ ＋Δφ、
、）／Δｔの誘導逆起電力ｅ０が発生してサージ電流の
流人を妨げるように働く。前記鎖交全磁束φ。の大きさ
、従ってこの誘導逆起電力ｅ０の大きさは複数並列接続
した中央部分の分流路に一番大きく、従ってこの部分に
はサージ電流は流れにり（、両外側の分流路に流れやす
（なる。このため各素子２にサージエネルギが平均に分
担されず、両外側の部分のサージ吸収素子２が破壊され
やすいことになる。
本発明の要点は、２つの主母線間に複数の半導体サージ
吸収素子（酸化亜鉛焼結素子など）を並列接続してなる
（大サージ耐量の）サージ吸収装置において、 前記主母線を互いに近接して平行するように設けるとと
もに、一方の主母線から１つの半導体サージ吸収素子を
経て他方の主母線に至る分岐路の各々をコ字状に、かつ
該分岐路内の対向する辺が近接して平行するように形成
するようにした点、又はさらに前記主母線の一方（以下
第１の主母線という）はそのサージ侵入側端子から直線
状に設けられて終端され、前記土丹”線の他方（以下第
２の主母線という）はそのサージ侵入側端子から一旦第
１の主母線と近接平行して設けられたのち、折返されて
再び第１の主母線と近接平行して設けられて終端され、 前記半導体サージ吸収素子を含む各分岐路の一端は第１
の主母線に、同じく他端は第２の主母線の前記の折返し
点からその終端に至る間に、接続されているようにした
点にある。
吸収素子（酸化亜鉛焼結素子など）を並列接続してなる
（大サージ耐量の）サージ吸収装置において、 前記主母線を互いに近接して平行するように設けるとと
もに、一方の主母線から１つの半導体サージ吸収素子を
経て他方の主母線に至る分岐路の各々をコ字状に、かつ
該分岐路内の対向する辺が近接して平行するように形成
するようにした点、又はさらに前記主母線の一方（以下
第１の主母線という）はそのサージ侵入側端子から直線
状に設けられて終端され、前記土丹”線の他方（以下第
２の主母線という）はそのサージ侵入側端子から一旦第
１の主母線と近接平行して設けられたのち、折返されて
再び第１の主母線と近接平行して設けられて終端され、 前記半導体サージ吸収素子を含む各分岐路の一端は第１
の主母線に、同じく他端は第２の主母線の前記の折返し
点からその終端に至る間に、接続されているようにした
点にある。
次に第１図に基づいて本発明の詳細な説明する。同図は
本発明装置の一実施例としての構成回路図で第２図に対
応する。 第１図において主母線３（３Ｌ３２Ａ）の一方３１はサ
ージ電圧が侵入する端子Ａから直線状に伸びる形で設け
られ終端点Ｐ１で終端されている。また主母線３の他方
３２Ａはサージ侵入側端子Ｂから一端主母線３１に近接
平行して設けられたのち折返し点Ｐ２で折返され、さら
に主母線３１に近接平行して戻り、終端点Ｐ３において
終端されている。 主母線３１．３２Ａ間に設けられた各半導体サージ吸収
素子２を含む分岐路４はそれぞれコ字状に、換言すれば
折返し点Ｐ４で折返されるように形成され、その対向辺
４Ａ、４Ｂが近接平行するように設けられ、かつ各分岐
路４の一端４ａは主母線３１に、同じくその他端４ｂは
主母線３２Ａにおける折返し点Ｐ２と終端点Ｐ３との間
に接続されている。 このように構成することによりサージ電流■の分岐路４
への分流電流１１うち、それぞれ分岐路の対向辺４Ａ、
４Ｂを流れる電流辺１１ＡＩＩＩ＋は互に逆向となって
近接し打消し合う働きをする。 換言すれば各電流辺１１Ａ＋ＩＩＢが自らの電流によっ
て自らに鎖交する磁束φ１と、他方の電流辺の電流によ
って自らに鎖交する磁束φ２Ａとは大きさがほぼ等しく
打消し合う形となる。またこのような分岐路４の分流電
流の各辺ＩＩＡ＋ＩＩｇによって他の分岐路に鎖交する
磁束も極めて小さくなることも明らかである。従って第
１図の回路においてはサージ電流■によって各分岐路に
鎖交する磁束、従って前述の誘導逆起電力はその分岐路
の接続位置（主母線３の中央部、外側部等）に関係なく
極めて小さいものとなり、各サージ吸収素子２がほぼ均
等にサージ電流（サージエネルギ）を分担することがで
きる。 また第１図においては各分岐路４の主母線３２Ａ側への
接続点４ｂを主母線３２Ａの折返し点Ｐ２とその終端点
Ｐ３との間に接続しているので、主母線３のサージ侵入
側の端子Ａ、Ｂから各分岐路４の接続点に至るまでの主
母線３１．３２Ａの長さの和（即ち主母線３１の端子Ａ
から分岐路接続点４ａまでの長さと、主母線３２Ａの端
子Ｂから分岐路接続点４ｂまでの長さとの和）は各分岐
路４についてほぼ等しくなり、従って主母線３の線路イ
ンピーダンスは各分岐路４についてほぼ等しくなり、各
分岐路ごとのサージ電流の分担を、より均等化すること
ができる。
本発明装置の一実施例としての構成回路図で第２図に対
応する。 第１図において主母線３（３Ｌ３２Ａ）の一方３１はサ
ージ電圧が侵入する端子Ａから直線状に伸びる形で設け
られ終端点Ｐ１で終端されている。また主母線３の他方
３２Ａはサージ侵入側端子Ｂから一端主母線３１に近接
平行して設けられたのち折返し点Ｐ２で折返され、さら
に主母線３１に近接平行して戻り、終端点Ｐ３において
終端されている。 主母線３１．３２Ａ間に設けられた各半導体サージ吸収
素子２を含む分岐路４はそれぞれコ字状に、換言すれば
折返し点Ｐ４で折返されるように形成され、その対向辺
４Ａ、４Ｂが近接平行するように設けられ、かつ各分岐
路４の一端４ａは主母線３１に、同じくその他端４ｂは
主母線３２Ａにおける折返し点Ｐ２と終端点Ｐ３との間
に接続されている。 このように構成することによりサージ電流■の分岐路４
への分流電流１１うち、それぞれ分岐路の対向辺４Ａ、
４Ｂを流れる電流辺１１ＡＩＩＩ＋は互に逆向となって
近接し打消し合う働きをする。 換言すれば各電流辺１１Ａ＋ＩＩＢが自らの電流によっ
て自らに鎖交する磁束φ１と、他方の電流辺の電流によ
って自らに鎖交する磁束φ２Ａとは大きさがほぼ等しく
打消し合う形となる。またこのような分岐路４の分流電
流の各辺ＩＩＡ＋ＩＩｇによって他の分岐路に鎖交する
磁束も極めて小さくなることも明らかである。従って第
１図の回路においてはサージ電流■によって各分岐路に
鎖交する磁束、従って前述の誘導逆起電力はその分岐路
の接続位置（主母線３の中央部、外側部等）に関係なく
極めて小さいものとなり、各サージ吸収素子２がほぼ均
等にサージ電流（サージエネルギ）を分担することがで
きる。 また第１図においては各分岐路４の主母線３２Ａ側への
接続点４ｂを主母線３２Ａの折返し点Ｐ２とその終端点
Ｐ３との間に接続しているので、主母線３のサージ侵入
側の端子Ａ、Ｂから各分岐路４の接続点に至るまでの主
母線３１．３２Ａの長さの和（即ち主母線３１の端子Ａ
から分岐路接続点４ａまでの長さと、主母線３２Ａの端
子Ｂから分岐路接続点４ｂまでの長さとの和）は各分岐
路４についてほぼ等しくなり、従って主母線３の線路イ
ンピーダンスは各分岐路４についてほぼ等しくなり、各
分岐路ごとのサージ電流の分担を、より均等化すること
ができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば主母線間
に複数の半導体サージ吸収素子を並列接続してなるサー
ジ吸収装置において、２つの主母線を互に近接平行する
ように設け、かつその一方の主母線はサージ入力側端子
から一旦他方の母線に平行に伸びたのち折返されて同じ
（平行に戻って終端されるようにし、 ２つの主母線間に接続されるサージ吸収素子を含む分岐
路をコ字状にかつその対向辺が近接平行するように形成
し、分岐路の一端は前記主母線の折返し部とその終端点
との間に接続するようにしたため、 各分岐路を流れるサージ電流によってできる磁束は方向
が異なるその電流辺によって互に打消され、従ってその
磁束による誘導起電力も極めて小さいものとなりサージ
吸収素子が均等にサージ電流（サージエネルギ）を分担
吸収することができる、 また各主母線のサージ侵入側端子から１つの分岐路の接
続点までに至る主母線部分の長さの和が各分岐路ごとに
ほぼ等しくなるため各分岐路ごとの主母線の線路インピ
ーダンスはほぼ均等となり、各半導体サージ吸収素子の
サージ電流分担をより均等化することができる。 従って吸収すべきサージエネルギの大きさに応じて、サ
ージ吸収素子の並列個数を適宜増減し、必要最小個数で
サージ吸収装置を構成することができ、サージ吸収装置
の設計、製作時間を短縮し、かつ装置コストを低減でき
る効果がある。
に複数の半導体サージ吸収素子を並列接続してなるサー
ジ吸収装置において、２つの主母線を互に近接平行する
ように設け、かつその一方の主母線はサージ入力側端子
から一旦他方の母線に平行に伸びたのち折返されて同じ
（平行に戻って終端されるようにし、 ２つの主母線間に接続されるサージ吸収素子を含む分岐
路をコ字状にかつその対向辺が近接平行するように形成
し、分岐路の一端は前記主母線の折返し部とその終端点
との間に接続するようにしたため、 各分岐路を流れるサージ電流によってできる磁束は方向
が異なるその電流辺によって互に打消され、従ってその
磁束による誘導起電力も極めて小さいものとなりサージ
吸収素子が均等にサージ電流（サージエネルギ）を分担
吸収することができる、 また各主母線のサージ侵入側端子から１つの分岐路の接
続点までに至る主母線部分の長さの和が各分岐路ごとに
ほぼ等しくなるため各分岐路ごとの主母線の線路インピ
ーダンスはほぼ均等となり、各半導体サージ吸収素子の
サージ電流分担をより均等化することができる。 従って吸収すべきサージエネルギの大きさに応じて、サ
ージ吸収素子の並列個数を適宜増減し、必要最小個数で
サージ吸収装置を構成することができ、サージ吸収装置
の設計、製作時間を短縮し、かつ装置コストを低減でき
る効果がある。
第１図は本発明装置の一実施例としての構成回路図、第
２図は第１図に対応する従来装置の構成回路図である。 １：サージ吸収装置、２：半導体サージ吸収素子、３
（３Ｌ３２Ａ） ：主母線、ＰＬ、Ｐ３：終端点、Ｐ
２．Ｐ４：折返し点、４：分岐路、４Ａ、４Ｂ二対向辺
、４ａ、４ｂ：分岐路接続点。
２図は第１図に対応する従来装置の構成回路図である。 １：サージ吸収装置、２：半導体サージ吸収素子、３
（３Ｌ３２Ａ） ：主母線、ＰＬ、Ｐ３：終端点、Ｐ
２．Ｐ４：折返し点、４：分岐路、４Ａ、４Ｂ二対向辺
、４ａ、４ｂ：分岐路接続点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）２つの主母線間に複数の半導体サージ吸収素子を並
列接続してなるサージ吸収装置において、前記主母線を
互いに近接して平行するように設けるとともに、一方の
主母線から１つの半導体サージ吸収素子を経て他方の主
母線に至る分岐路の各々をコ字状に、かつ該分岐路内の
対向する辺が近接して平行するように形成したことを特
徴とするサージ吸収装置。 ２）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、前記
主母線の一方（以下第１の主母線という）はそのサージ
侵入側端子から直線状に設けられて終端され、前記主母
線の他方（以下第２の主母線という）はそのサージ侵入
側端子から一旦第１の主母線と近接平行して設けられた
のち、折返されて再び第１の主母線と近接平行して設け
られて終端され、 前記半導体サージ吸収素子を含む各分岐路の一端は第１
の主母線に、同じく他端は第２の主母線の前記の折返し
点からその終端に至る間に、接続されていることを特徴
とするサージ吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290186A JPS62171414A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | サ−ジ吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290186A JPS62171414A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | サ−ジ吸収装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62171414A true JPS62171414A (ja) | 1987-07-28 |
| JPH0542215B2 JPH0542215B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=11818278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1290186A Granted JPS62171414A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | サ−ジ吸収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62171414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009508766A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | セダ エス．ピー．エイ． | 容器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336570A (en) * | 1977-09-05 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Process for manufacture of foamed panel |
| JPS54179444U (ja) * | 1978-06-07 | 1979-12-19 |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP1290186A patent/JPS62171414A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336570A (en) * | 1977-09-05 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Process for manufacture of foamed panel |
| JPS54179444U (ja) * | 1978-06-07 | 1979-12-19 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009508766A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | セダ エス．ピー．エイ． | 容器 |
| JP4728397B2 (ja) * | 2005-09-19 | 2011-07-20 | セダ エス．ピー．エイ． | 容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542215B2 (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |