JPS62160283A - Rewriting type heat mode optical memory medium - Google Patents
Rewriting type heat mode optical memory mediumInfo
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- JPS62160283A JPS62160283A JP61001879A JP187986A JPS62160283A JP S62160283 A JPS62160283 A JP S62160283A JP 61001879 A JP61001879 A JP 61001879A JP 187986 A JP187986 A JP 187986A JP S62160283 A JPS62160283 A JP S62160283A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、書換型光記憶媒体に関し、更に詳しくいえ
ば、レーザ光照射によりフォトクロミック有機材料の着
色状態を変化させ、この着色状態の変化をヒートモード
で可逆的に繰返すことにより記録の書換えを可能にした
光記憶媒体に関す°るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application This invention relates to a rewritable optical storage medium, and more specifically, the coloring state of a photochromic organic material is changed by laser light irradiation, and the coloring state is changed by heat mode. This invention relates to an optical storage medium that enables recording to be rewritten by reversibly repeating the process.
従来の技術
最近のレーザ技術の進歩にともない微少スポットに集光
可能なレーザが開発されている。このレーザ光を光源と
して利用し、媒体上に情報を記録する光記憶媒体の研究
開発が最近数多くなされている。BACKGROUND OF THE INVENTION With recent advances in laser technology, lasers that can focus light onto a minute spot have been developed. Recently, much research and development has been carried out on optical storage media that uses this laser light as a light source to record information on the medium.
このような光記憶媒体は、情報の書込みが一度しかでき
ない固定記録媒体と、同一の媒体に何度でも異なった情
報を書込むことのできる書換型記録媒体とに分類できる
。前者の固定記録媒体として特に良く知られているもの
としては、例えば、Te薄膜、Te含有二硫化炭素、プ
ラズマ重合膜を代表とする半導体レーザ光の熱による穴
あき形追記媒体、后レーザを用いるフルオレセインを薄
膜化した有機物の穴あき形光記録媒体、スクアリリウム
色素、ptあるいはNiジチオレート色素を薄膜化した
半導体レーザ用光記憶媒体がある。Such optical storage media can be classified into fixed recording media, on which information can be written only once, and rewritable recording media, on which different information can be written on the same medium any number of times. Particularly well-known fixed recording media of the former type include, for example, Te thin films, Te-containing carbon disulfide, and plasma polymerized films, which are typified by hole-shaped write-once media created by the heat of semiconductor laser light, and those using lasers. There are optical recording media with holes made of organic material in which fluorescein is made into a thin film, and optical storage media for semiconductor lasers in which squarylium dye, PT, or Ni dithiolate dye is made into a thin film.
書換型媒体として知られているものには、カルコゲナイ
ドガラス、非晶質・結晶質転移を利用するTe酸化物等
がある。また、有機物のもつフォトクロミック性を利用
した有機物フォトクロミック光記憶媒体も書換型で、ス
ピロピラン、フルギド化合物をポリマーなどのマトリッ
クスに分散溶解した媒体が知られている。Known rewritable media include chalcogenide glass and Te oxide that utilizes amorphous-crystalline transition. In addition, organic photochromic optical storage media that utilize the photochromic properties of organic materials are also rewritable, and media in which spiropyran and fulgide compounds are dispersed and dissolved in a matrix such as a polymer are known.
情報記録方式には、フォトンモードとヒートモードの2
通りがある。カルコゲナイドガラスやTe酸化物等では
一般にヒートモードの記録方式が用いられる。これら書
換型媒体には以下のような問題点がある。There are two information recording methods: photon mode and heat mode.
There is a street. A heat mode recording method is generally used for chalcogenide glass, Te oxide, and the like. These rewritable media have the following problems.
−転移温度が高いため、転移に高パワーレーザが必要で
ある。- Due to the high transition temperature, high power lasers are required for the transition.
−記録した非晶質スポットの長期安定性に問題がある。- There is a problem with the long-term stability of the recorded amorphous spots.
−記録コントラストは、膜厚を制御して干渉条件を最適
化しても数%〜10%程度にしかならない。- Even if the film thickness is controlled and the interference conditions are optimized, the recording contrast is only about a few to 10%.
−用いる材料がAs、 Se等を含む毒性の強い物質で
あるため、製造または一般での使用の際に危険がある。- Since the materials used are highly toxic substances containing As, Se, etc., there is a risk during manufacturing or public use.
また、この結果、廃材料の回収にコストがかかる。This also results in increased costs for recovering waste materials.
有機フォトクロミック光記憶媒体では一般にフォトンモ
ードの記録方式が用いられる。媒体はマトリックスに分
散させであるため、記憶媒体濃度が低くなり、記録コン
トラストが小さくなる。また、記録分子が動き易いこと
もあり、記録ピットの安定性が悪い。Organic photochromic optical storage media generally use a photon mode recording method. Since the medium is dispersed in a matrix, the density of the storage medium is low and the recording contrast is low. Furthermore, recording molecules tend to move easily, resulting in poor recording pit stability.
発明が解決しようとする問題点
以上説明したように、書換型光記憶媒体はいろいろ開発
されているが、実用化できるに至っていない。記録保持
の長期安定性が高く、記録コントラストを大きくできる
書換型光記憶媒体が従来からの課題である。Problems to be Solved by the Invention As explained above, various rewritable optical storage media have been developed, but they have not yet been put into practical use. A rewritable optical storage medium that has high long-term recording stability and can increase recording contrast has been a challenge for some time.
本発明は、上記の問題点を解決した書換型ヒートモード
光記憶媒体を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a rewritable heat mode optical storage medium that solves the above problems.
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するための本発明の書換型光記憶媒体
は、基板と、その上に設けられたスピロピラン化合物単
独で構成された固相記録層と、さらに光吸収層とから構
成される。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the rewritable optical storage medium of the present invention includes a substrate, a solid phase recording layer provided thereon consisting of only a spiropyran compound, and an optical It consists of an absorbent layer.
本発明の好ましい態様に従うと、上記光吸収層は使用す
るレーザ光に対してほぼ50〜60%の反射率を有し、
さらに500〜5000オングストローム、好ましくは
1500〜2000オングストロームの範囲の厚ざであ
ることが好ましい。According to a preferred embodiment of the present invention, the light absorption layer has a reflectance of approximately 50 to 60% for the laser light used,
Further, it is preferred that the thickness range is from 500 to 5000 angstroms, preferably from 1500 to 2000 angstroms.
このような本発明の書換型ヒートモード光記憶媒体では
、情報記録・読出しをヒートモードで行い、情報の消去
をフォトンモードで行うことができる。In such a rewritable heat mode optical storage medium of the present invention, information can be recorded and read in heat mode, and information can be erased in photon mode.
記録層の形成には、スピンコード法、蒸着法、またはデ
ィッピング法を用いる。A spin code method, a vapor deposition method, or a dipping method is used to form the recording layer.
上記基板材料としては、例えばポリカーボネート、アク
リル樹脂などのこの種の媒体においてよく知られた各種
プラスチック、AIなどの金属またはガラスなどが用い
られる。As the substrate material, for example, various plastics well known in this type of media such as polycarbonate and acrylic resin, metals such as AI, or glass, etc. are used.
またスピロピラン化合物としては分子中にヒドロキシル
基をもつものが用いられる。そのような化合物としては
、1.3.3−)ジメチルインドリノ−6゛−ヒドロキ
シベンゾピリロスピラン、1.3.3−)リメチルイン
ドリノ−6”−アミノ−7゛−ヒドロキシベンゾピリロ
スピラン、1゜3.3−トリメチルインドリノ−8゛−
ブロモ−5−クロロ−7′−ヒドロキシベンゾピリロス
ピラン、1,3.3−)ジメチルインドリノ−8゛−フ
ロモーフ′−ヒドロキシベンゾピリロスピラン、1,3
.3−)ツメチルインドリノ−5−クロロ−6′−ヒド
ロキシ−8′−メトキシベンゾピリロスピラン、1.3
.3−)ジメチルインドリノ−8゛−ホルミル−7°−
ヒドロキシベンゾピリロスピラン、1,3.3−)リフ
チルインドリノ−6゛−ヒドロキシ−8′−メトキシベ
ンゾピリロスピラン、1.3.3−)サメチルインドリ
ノ−5−二トローフ゛−ヒドロキシベンゾピリロスピラ
ン、1.3.3−)リメチルインドリノー7′−ヒドロ
キシ−6′−ニトロベンゾピリロスピラン、1.3.3
−)リメチルインドリノー7゛−ヒドロキシベンゾピリ
ロスピラン、1,3゜3−トリメチルインドリノ−8゛
−ヒドロキシベンゾピリロスピランなどがある。Further, as the spiropyran compound, one having a hydroxyl group in the molecule is used. Such compounds include 1.3.3-) dimethylindolino-6''-hydroxybenzopyrylospirane, 1.3.3-) dimethylindolino-6''-amino-7''-hydroxybenzopyrylospirane, Rospiran, 1゜3.3-trimethylindolino-8゛-
Bromo-5-chloro-7'-hydroxybenzopyrrillospirane, 1,3.3-)dimethylindolino-8'-furomorph'-hydroxybenzopyrrillospirane, 1,3
.. 3-) Tumethylindolino-5-chloro-6'-hydroxy-8'-methoxybenzopyrylospirane, 1.3
.. 3-) Dimethylindolino-8゛-formyl-7°-
Hydroxybenzopyrylospirane, 1,3.3-)rifthylindolino-6'-hydroxy-8'-methoxybenzopyrylospirane, 1.3.3-)samethylindolino-5-ditrophic-hydroxy Benzopyrillospiran, 1.3.3-) Limethylindolino 7'-Hydroxy-6'-nitrobenzopyrillospiran, 1.3.3
-) Limethylindolino-7'-hydroxybenzopyrylospirane, 1,3'3-trimethylindolino-8'-hydroxybenzopyrylospirane, and the like.
一作月
本発明では情報記録層を単独のスピロピラン化合物から
なる固相記録層としている。このため、従来の分散され
たフォトクロミック有機材料を用いた光記憶媒体で問題
となっていた、コントラストの悪さ、および記録ピット
の不安定性を改良することが可能となる。In the present invention, the information recording layer is a solid phase recording layer made of a single spiropyran compound. Therefore, it is possible to improve the poor contrast and instability of recording pits, which have been problems with conventional optical storage media using dispersed photochromic organic materials.
さらに、本発明に従う光記憶媒体は光吸収層を備え、こ
の光吸収層は好ましくは、使用するレーザ光に対してほ
ぼ50〜60%の反射率を有しているので、例えば83
0ナノメータの波長の半導体レーザ光をほぼ50〜60
%で反射するよう構成される。Furthermore, the optical storage medium according to the invention comprises a light absorption layer, which preferably has a reflectance of approximately 50-60% for the laser light used, so that, for example, 83%
Approximately 50 to 60 nanometers of semiconductor laser light with a wavelength of 0 nanometers
% configured to reflect.
従って、本発明の光記憶媒体の光吸収層は反射層として
作用すると同時に、レーザ光を40〜50%吸収して、
記録層との境界面を適度に加熱しヒートモードでの情報
記録・読出しを可能とする。Therefore, the light absorption layer of the optical storage medium of the present invention acts as a reflection layer and at the same time absorbs 40 to 50% of laser light.
It moderately heats the interface with the recording layer to enable information recording and reading in heat mode.
光吸収層の厚さが500オングストロ一ム未満のときは
、反射層として機能できず、一方、5000オングスト
ロームを越えるとヒートキャパシティが大きくなりすぎ
、記録層の適当な加熱が達成できず、特に加熱又ポット
が大きくなる。If the thickness of the light absorption layer is less than 500 angstroms, it cannot function as a reflective layer, while if it exceeds 5000 angstroms, the heat capacity becomes too large and adequate heating of the recording layer cannot be achieved. The pot becomes larger as it heats up.
光吸収層の材料としては、750オングストローム乃至
1300ナノメータの波長のレーザ光に対してほぼ50
〜60%の反射率を有する材料、特にテルル、ニッケノ
ペビスマスの如き金属材料が好ましい。The material of the light absorption layer has approximately 50% resistance to laser light with a wavelength of 750 angstroms to 1300 nanometers.
Materials with a reflectance of ˜60% are preferred, especially metallic materials such as tellurium and bismuth.
本発明の媒体を用いた情報の記録・消去を以下に説明す
る。初期の透明な状態を加熱すると記録層は着色する。Recording and erasing of information using the medium of the present invention will be described below. When the initially transparent state is heated, the recording layer becomes colored.
この状態で紫外光を照射すると反射率が減少して、ある
状態に達し飽和する。ここで集束したレーザ光ビームを
照射して加熱すると反射率が増加して情報が記録される
。記録情報を消去するには再び紫外線を照射する。反射
率が再び減少することで情報の消去がわかる。従って、
本発明の媒体を用いて、ヒートモードで情報記録が行な
われ、フォトンモードで情報消去が行なわれる。When ultraviolet light is irradiated in this state, the reflectance decreases until it reaches a certain state and becomes saturated. When heated by irradiation with a focused laser beam, the reflectance increases and information is recorded. To erase the recorded information, UV light is irradiated again. The erasure of information can be seen as the reflectance decreases again. Therefore,
Using the medium of the present invention, information is recorded in heat mode and information is erased in photon mode.
実施例
以下、実施例により本発明の記憶媒体を具体的に説明す
る。EXAMPLES Hereinafter, the storage medium of the present invention will be specifically explained using examples.
実施例1
第1図に示す構成の記憶媒体を作製した。情報記録層1
2として、スピロピラン化合物の代表例、1.3.3−
)ツメチルインドリノ−6°−ヒドロキシベンゾピリロ
スピラン(HBPS)を用い、これをアクリル基板11
上に真空度I Xl0−’Torr。Example 1 A storage medium having the configuration shown in FIG. 1 was manufactured. Information recording layer 1
2, representative examples of spiropyran compounds, 1.3.3-
) Using trimethylindolino-6°-hydroxybenzopyrylospirane (HBPS), this was applied to the acrylic substrate 11.
Vacuum level I Xl0-'Torr above.
加熱温度150℃で、膜厚2000人に蒸着した。この
HBPS膜上にさらに、光吸収層13としてTeを20
00人蒸着した。The film was deposited at a heating temperature of 150° C. to a thickness of 2,000 yen. Further, on this HBPS film, 20% Te is added as a light absorption layer 13.
00 people were deposited.
この記憶媒体は、アクリル基板の下から観察するとTe
面の金属光沢の見える無色透明なガラス状薄膜となった
。50℃で加熱すると青色(最大吸収波長:λn、ax
= 600nm、反射率40%)に着色する。When observed from below the acrylic substrate, this storage medium shows Te
The result was a colorless and transparent glass-like thin film with a visible metallic luster on the surface. When heated at 50℃, it becomes blue (maximum absorption wavelength: λn, ax
= 600 nm, reflectance 40%).
この状態の記憶媒体に紫外光(波長365nm。Ultraviolet light (wavelength 365 nm) is applied to the storage medium in this state.
出力500 Wの超高圧水銀灯)を照射すると、10分
間で600nmにおける反射率が10%に減少し、その
状態で飽和する。ここで波長830nmの半導体レーザ
光のビーム(ビーム径1.6μmφ、出力3.2mW、
パルス幅1 μ5ec)を照射すると、600nmにお
ける反射率が40%まで増加し、ピット記録が行なわれ
た。When irradiated with an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 500 W, the reflectance at 600 nm decreases to 10% in 10 minutes, and saturates in that state. Here, a beam of semiconductor laser light with a wavelength of 830 nm (beam diameter 1.6 μmφ, output 3.2 mW,
When irradiated with a pulse width of 1 μ5 ec), the reflectance at 600 nm increased to 40%, and pit recording was performed.
次に、このピットに紫外光を照射すると反射率は再び減
少し、ピットの消去が行なわれた。Next, when these pits were irradiated with ultraviolet light, the reflectance decreased again and the pits were erased.
この半導体レーザによるヒートモード記録と、紫外光に
よるフォトンモード記録消去は、繰返し行なうことがで
きた。Heat mode recording using the semiconductor laser and photon mode recording erasing using ultraviolet light could be repeated.
実施例2
HBPSをアセトンに溶解し、スピンコード法により記
録層を設け、その上にさらにNiを2000人蒸着して
媒体を作製した。その結果、実施例1と同じ反射率をも
つ媒体が得られた。情報記録および記録消去に関しても
実施例1と同様であり、繰返し性が見られた。Example 2 HBPS was dissolved in acetone, a recording layer was provided by a spin code method, and 2000 Ni was further vapor-deposited thereon to produce a medium. As a result, a medium having the same reflectance as Example 1 was obtained. Information recording and erasing of information were also the same as in Example 1, and repeatability was observed.
実施例3
以下の第1表に掲げた化合物を用いて実施例1.2に記
載したと同様の膜形成を行ない媒体を作成した。光吸収
層にはTeを2000人蒸着した。情報記録に用いた半
導体レーザの出力とパルス幅も第1表に示しである。そ
の結果、実施例1.2と同様の結果が得られた。Example 3 A medium was prepared by forming a film in the same manner as described in Example 1.2 using the compounds listed in Table 1 below. 2000 pieces of Te were deposited on the light absorption layer. The output and pulse width of the semiconductor laser used for information recording are also shown in Table 1. As a result, the same results as in Example 1.2 were obtained.
第1表
第1表(続き)
発明の詳細
な説明したように、本発明による光記憶媒体は、スピン
コード法、真空蒸着法などの簡便な方法および装置で作
製可能である。Table 1 Table 1 (Continued) As described in detail of the invention, the optical storage medium according to the present invention can be manufactured using a simple method and apparatus such as a spin code method and a vacuum evaporation method.
さらに、記録ピットの記録原理にヒートモードを用いる
ことが可能なため、非常に高感度の記録が行なえる。し
かも実施例に示したような書換性をもつ。Furthermore, since heat mode can be used as the recording principle for recording pits, very highly sensitive recording can be performed. Moreover, it has rewritability as shown in the embodiment.
この光記憶媒体の情報記録層は単独のスピロピラン化合
物からなる固層であるため、記録媒体濃度を大きくでき
、その結果記録コントラストを大きくできる。また、記
録分子が固定されているため記録ピットの安定性もよい
。Since the information recording layer of this optical storage medium is a solid layer made of a single spiropyran compound, the recording medium density can be increased, and as a result, the recording contrast can be increased. Furthermore, since the recording molecules are fixed, the stability of the recording pits is also good.
以上のように、本発明による光記憶媒体は、ヒートモー
ドによる情報記録が効果的に行なえる光記憶媒体である
。As described above, the optical storage medium according to the present invention is an optical storage medium in which information can be effectively recorded in heat mode.
第1図は、本発明による光記憶媒体の構成図である。
(主な参照番号)
11・・基板、 12・・記録層、13・・光吸収
層FIG. 1 is a block diagram of an optical storage medium according to the present invention. (Main reference numbers) 11...Substrate, 12...Recording layer, 13...Light absorption layer
Claims (5)
単独で構成された固相記録層と、さらに光吸収層とを有
することを特徴とする書換型ヒートモード光記憶媒体。(1) A rewritable heat mode optical storage medium characterized by having a substrate, a solid phase recording layer formed solely of a spiropyran compound provided thereon, and further a light absorption layer.
0〜60%の反射率を有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の書換型ヒートモード光記憶媒体。(2) The above-mentioned light absorption layer has approximately 5
The rewritable heat mode optical storage medium according to claim 1, having a reflectance of 0 to 60%.
ムの厚さであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載の書換型ヒートモード光記憶媒体。(3) The rewritable heat mode optical storage medium according to claim 1 or 2, wherein the light absorption layer has a thickness of 500 to 5000 angstroms.
するスピロピラン化合物から選ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1項に記載
の書換型ヒートモード光記憶媒体。(4) The rewritable heat mode optical storage medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the spiropyran compound is selected from spiropyran compounds containing a hydroxyl group.
ードで行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
第4項のいずれか1項に記載の書換型ヒートモード記憶
媒体。(5) The rewritable heat mode storage medium according to any one of claims 1 to 4, characterized in that information recording and reading from the recording layer is performed in heat mode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61001879A JPS62160283A (en) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Rewriting type heat mode optical memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61001879A JPS62160283A (en) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Rewriting type heat mode optical memory medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62160283A true JPS62160283A (en) | 1987-07-16 |
Family
ID=11513845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61001879A Pending JPS62160283A (en) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Rewriting type heat mode optical memory medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62160283A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0320731A (en) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of optical recording medium |
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JPS60147733A (en) * | 1984-01-12 | 1985-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of reversible three-dimensional pattern |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61001879A patent/JPS62160283A/en active Pending
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