JPS62157419A - Level converting circuit - Google Patents

Level converting circuit

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JPS62157419A
JPS62157419A JP29348685A JP29348685A JPS62157419A JP S62157419 A JPS62157419 A JP S62157419A JP 29348685 A JP29348685 A JP 29348685A JP 29348685 A JP29348685 A JP 29348685A JP S62157419 A JPS62157419 A JP S62157419A
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木栖 慎太郎
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Abstract

PURPOSE:To attain circuit integration and high speed operation by operating a switching element impresses a high voltage in response to the operation of an additional switching element operated at a low voltage level of the logic circuit operation being the result of differentiation of an on/off input signal via an RC differentiation circuit. CONSTITUTION:A resistor 42 and a capacitor 41 of a level conversion circuit 4 differentiate an input signal S2. When a gate voltage of a transistor (TR) 43 exceeds its threshold value, the TR 43 is turned on. A high voltage VH to be level-converted is divided by resistors 44, 45 and a bias voltage is fed to a TR 46. A bias voltage is changed by the on/off operation of the TR 43 and when the gate voltage of the TR 46 is lowered than its threshold voltage, the TR 46 is turned on. When the TR 26 of push-pull connection is turned on and a TR 3 is turned off, an output Sout reaches a high voltage VH and other levels are zero V. Since no high voltage VH is impressed to a capacitor 41, no high dielectric strength is required and then circuit integration is facilitated. Since the TR 46 is operated by the TR 43, high speed operation is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 低電圧レベルのオン・オフ入力信号を受け入れ、オン・
オフ入力信号に応じたオン・オフ変化する高電圧レベル
の出力を得るようにしたレベル変換回路において、高電
圧が印加されたスイッチング素子を、オン・オフ入力信
号をRCi分回路を介して微分した論理回路動作の低電
圧レベルで動作する付加的スイッチング素子のスイッチ
ング動作に応答して動作させるようにしたレベル変換回
路である。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Accepts low voltage level on/off input signals and performs on/off input signals.
In a level conversion circuit that obtains a high voltage level output that changes on and off in response to an off input signal, a switching element to which a high voltage is applied is differentiated by an on and off input signal via an RCi dividing circuit. This level conversion circuit operates in response to the switching operation of an additional switching element that operates at a low voltage level for logic circuit operation.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は低電圧レベルのオン・オフ入力信号のオン・オ
フ変化に応答した高電圧レベルの信号を出力するように
したレベル変換回路に関する。
The present invention relates to a level conversion circuit that outputs a high voltage level signal in response to an on/off change of a low voltage level on/off input signal.

本発明のレベル変換回路は、低電圧レベルの入力信号を
受け、高電圧の駆動電圧を供給する装置、例えばプラズ
マディスプレイ (FDP) 、エレクトロルミネッセ
ント(E L)表示装置における電極駆動回路等に用い
られる。
The level conversion circuit of the present invention is suitable for devices that receive low voltage level input signals and supply high voltage drive voltages, such as electrode drive circuits in plasma displays (FDP) and electroluminescent (EL) display devices. used.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

例えば、FDP表示装置においては、ホストコンピュー
タ等から表示用出力データを受け表示用出力データに応
じた表示を行うに当って、ホストコンピュータから出力
された論理回路動作の信号レベル、例えば5■の表示用
出力データを、POPの電極を駆動するための高電圧、
例えば100〜200vに変換するためのレベル変換回
路が必要となる。
For example, in an FDP display device, when receiving display output data from a host computer etc. and performing a display according to the display output data, the signal level of the logic circuit operation output from the host computer, for example, 5■ is displayed. output data for high voltage to drive the POP electrodes,
For example, a level conversion circuit for converting to 100 to 200V is required.

第4図に従来のレベル変換回路4aを結合したパルス増
幅回路を示す。当該レベル変換回路4aは、キャパシタ
41a、抵抗器44aが直列接続されて成る時定数回路
、抵抗器45およびpチャネルMOSトランジスタ46
aが図示の如く接続されて成る。第4図には、入力信号
SINを受ける増幅器l、および上記pチャネルMOs
トランジスタ46aとプッシュプル接続されているnチ
ャネルMO3)ランジスタ3を含み、パルス増幅回路を
構成している。
FIG. 4 shows a pulse amplification circuit combined with a conventional level conversion circuit 4a. The level conversion circuit 4a includes a time constant circuit including a capacitor 41a and a resistor 44a connected in series, a resistor 45, and a p-channel MOS transistor 46.
a are connected as shown in the figure. FIG. 4 shows an amplifier l receiving an input signal SIN, and the p-channel MOs
It includes an n-channel MO3) transistor 3 connected in a push-pull manner to a transistor 46a, and constitutes a pulse amplification circuit.

第4図回路の動作タイミングを第5図(a)〜(flに
示す。
The operation timing of the circuit of FIG. 4 is shown in FIGS. 5(a) to (fl).

入力信号SINのオン・オフに応じて(第5図(a))
、同じ電圧がトランジスタ3のゲートに印加され(第5
図(bl、トランジスタ3のゲート信号33G ”)、
トランジスタ(Qd )3がオン・オフする(第5図(
C))。一方、入力信号SINは抵抗器44a、キャパ
シタ41aから成る時定数回路により立上り・立下りが
微分され、トランジスタ46のゲート電圧546aaは
第5図(dlに図示の如くなる。該ゲート電圧546a
Gがしきい値V丁以下の場合、トランジスタ(Qu )
46aがオンする(第5図(el) 、  トランジス
タ46aのソースは高電圧■H1例えば100Vが接続
されており、トランジスタ46aと3とがプッシュプル
接続された点における出力信号S。U□は、トランジス
タ46aがオン、トランジスタ3がオフの場合高レベル
、逆の場合が零レベルとなる(第5図(f))。このよ
うに、低電圧レベルの入力信号SINに応じた高レベル
の出力信号5OIffを取り出すことができる。
Depending on whether the input signal SIN is turned on or off (Fig. 5(a))
, the same voltage is applied to the gate of transistor 3 (fifth
Figure (bl, gate signal 33G” of transistor 3),
Transistor (Qd) 3 turns on and off (Fig. 5 (
C)). On the other hand, the rising and falling edges of the input signal SIN are differentiated by a time constant circuit consisting of a resistor 44a and a capacitor 41a, and the gate voltage 546aa of the transistor 46 becomes as shown in FIG.
When G is less than the threshold value V, the transistor (Qu)
46a turns on (Fig. 5 (el)), the source of the transistor 46a is connected to a high voltage ■H1, for example 100V, and the output signal S at the point where the transistors 46a and 3 are connected in push-pull.U□ is When the transistor 46a is on and the transistor 3 is off, the level is high, and in the opposite case, the level is zero (FIG. 5(f)).In this way, the output signal is at a high level in response to the input signal SIN at a low voltage level. 5OIf can be extracted.

第6図は上記と類僚するレベル変換回路44bを逆阻止
回路5、ダーリントン回路6、ツェナーダイオード7、
ダイオード8〜1oで接続された増幅回路に接続した例
を示す。
FIG. 6 shows a level converter circuit 44b similar to the above, which includes a reverse blocking circuit 5, a Darlington circuit 6, a Zener diode 7,
An example is shown in which the circuit is connected to an amplifier circuit connected by diodes 8 to 1o.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第4図および第6図において、高電圧vHが印加された
トランジスタ46aをキャパシタ41a1抵抗器44a
の時定数回路で直接駆動している。すなわち、トランジ
スタ3はソースが接地されており入力信号SINで直接
制御が可能であるが、トランジスタ46aのソースには
高電圧vHが印加されているので容易には制御できない
、そこでキャパシタ41aの静電容量にて高圧成分をし
ゃ断し、抵抗器44 a 、 45 aの抵抗分割でト
ランジスタ46aのゲートにバイアス電圧を印加させつ
つ、上記時定数回路の微分信号によりトランジスタ46
aのソースからみたゲート電圧に対し負バイアスをかけ
、トランジスタ46aをオンさせるようにしている。
4 and 6, a transistor 46a to which a high voltage vH is applied is connected to a capacitor 41a1 and a resistor 44a.
It is directly driven by a time constant circuit. That is, the source of the transistor 3 is grounded and can be directly controlled by the input signal SIN, but since the high voltage vH is applied to the source of the transistor 46a, it cannot be easily controlled. While cutting off the high voltage component with the capacitor and applying a bias voltage to the gate of the transistor 46a through the resistance division of the resistors 44a and 45a, the differential signal of the time constant circuit is applied to the transistor 46a.
A negative bias is applied to the gate voltage seen from the source of transistor 46a to turn on transistor 46a.

この回路構成によると、キャパシタ41aに高耐圧が要
求される。キャパシタを高耐圧にすると高価格になる。
According to this circuit configuration, the capacitor 41a is required to have a high withstand voltage. If the capacitor is made to withstand high voltage, it becomes expensive.

また、IC化するのに大きな困難を伴い、レベル変換回
路をIC化するという要望を実現することが難しい。
Further, it is difficult to implement the level conversion circuit into an IC, and it is difficult to realize the desire to implement the level conversion circuit into an IC.

またトランジスタ46aのバイアス電圧を供給するのに
、キャパシタ41a、抵抗器44a745aの充放電回
路を利用しているから、バイアス電圧の持続時間を長く
するためには、これらの値を大きくして時定数を大きく
する必要がある。ところが、キャパシタ41aは上述の
如く高耐圧が要求されており、IC化回路においては余
り大きな容量とすることができない、一方、抵抗器44
a、45aを大きな抵抗値とすることが考えられるが、
例えば、抵抗器45aの抵抗値を大きくすると過度にト
ランジスタ46aのオン時間が長くなり、高速動作が要
求される場合、応答性が充分でないという問題が生ずる
Furthermore, since the charging/discharging circuit of the capacitor 41a and the resistor 44a and 745a is used to supply the bias voltage of the transistor 46a, in order to extend the duration of the bias voltage, increase these values and set the time constant. needs to be made larger. However, as mentioned above, the capacitor 41a is required to have a high withstand voltage, and cannot have a large capacity in an IC circuit.
It is possible to make a and 45a a large resistance value, but
For example, if the resistance value of the resistor 45a is increased, the on-time of the transistor 46a becomes excessively long, and when high-speed operation is required, a problem arises in that the response is insufficient.

〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点に鑑み、キャパシタに高耐圧性が
要求されることなくIC化が可能であり、さらに高速動
作が可能なレベル変換回路を得ることを目的とする。
[Means for Solving the Problems] In view of the above problems, the present invention provides a level conversion circuit that can be integrated into an IC without requiring a capacitor to have high voltage resistance, and can operate at high speed. With the goal.

上記本発明の目的は、論理回路動作の信号レベルでオン
・オフする入力信号を受け入れるキャパシタおよび抵抗
器から成る時定数回路、該時定数回路に印加された前記
入力信号のオン・オフのいずれか一方の変化に応答して
論理回路動作の信号レベルで動作する第1のスイッチン
グ素子、および、高電圧が印加され、第1のスイッチン
グ素子の動作に応答して動作し該高電圧を出力する第2
のスイッチング素子、を具備するレベル変換回路により
実現される。
The above object of the present invention is to provide a time constant circuit comprising a capacitor and a resistor that receives an input signal that turns on and off at the signal level of logic circuit operation, and a time constant circuit that turns on and off the input signal applied to the time constant circuit. a first switching element that operates at a signal level for logic circuit operation in response to a change in one of the switching elements; 2
This is realized by a level conversion circuit including a switching element.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の一実施例としてのレベル変換回路およ
びパルス増幅回路の回路図を示す。
FIG. 1 shows a circuit diagram of a level conversion circuit and a pulse amplification circuit as an embodiment of the present invention.

第1図において、レベル変換回路4は、キャパシタ41
.抵抗器42、nチャネルMOSトランジスタ(Qa)
43、抵抗器44 、45、およびpチャネルMOSト
ランジスタ(Qu)46が図示の如(接続されて成る。
In FIG. 1, the level conversion circuit 4 includes a capacitor 41
.. Resistor 42, n-channel MOS transistor (Qa)
43, resistors 44 and 45, and a p-channel MOS transistor (Qu) 46 are connected as shown.

また第1図において、増幅器l、インバータ2およびn
チャネルMO3)ランジスタ(Qd )3が図示の如く
接続されている。
Also, in FIG. 1, amplifier l, inverter 2 and n
Channel MO3) transistor (Qd) 3 is connected as shown.

増幅器lは、論理回路動作の信号レベル、例えば1SV
N度のTTL信号レベル又は5v程度の信号レベル等の
信号レベルを有しオン・オフ変化する入力信号5IN(
第2図(a))を受け入れ、同相且つ所定の論理回路動
作の信号レベル、本実施例においてはTTLレベルとす
る。の信号に増幅する。インバータ2は増幅された入力
信号SIN″を反転し、反転入力信号S2  (第2図
(d))としてレベル変換回路4に印加する。トランジ
スタ3はレベル変換回路4内のトランジスタ46とプツ
シニブル構成になっており、増幅されたTTLレベルの
入力信号St、’  (第2図(bl)がゲートに印加
され直接オン・オフ動作する(第2図(C))。すなわ
ち、トランジスタ3のソース(S)は接地されており、
ソース−ゲート(G)間の電圧差がTTLレベルであっ
てもトランジスタ3は安定に動作する。
The amplifier l has a signal level for logic circuit operation, e.g. 1SV
The input signal 5IN(
The signal level shown in FIG. 2(a) is accepted and the signal level of the in-phase and predetermined logic circuit operation is set, in this embodiment, the TTL level. amplify the signal. The inverter 2 inverts the amplified input signal SIN'' and applies it to the level conversion circuit 4 as an inverted input signal S2 (FIG. 2(d)). The amplified TTL level input signal St,' (Fig. 2 (bl) is applied to the gate and directly turns on and off (Fig. 2 (C)). In other words, the source (S ) is grounded,
Even if the voltage difference between the source and the gate (G) is at the TTL level, the transistor 3 operates stably.

レベル変換回路4において、抵抗器42およびキャパシ
タ41とで時定数回路を構成し、増幅され且つ信号反転
された入力信号S2を微分し、この微分信号とトランジ
スタ43のソース−ゲート間のバイアス電圧との和でト
ランジスタ43のゲートに印加される電圧543c  
(第2図(e))がトランジスタ43のしきい値vTを
超えたとき、トランジスタ43はオン動作する(第2図
[fl) 、  )ランジスタ46のソース(S)には
レベル変換すべき高電圧vH1例えば100VDCが印
加されており、抵抗器44 、45の抵抗分圧により、
トランジスタ46のゲート−ソース間にバイアス電圧を
印加している。トランジスタ43の上記オン・オフ動作
により、かかるバイアス電圧が変化し、トランジスタ4
6のゲートに印加される電圧S 46cがトランジスタ
46のしきい値より低下すると(第2図(幻)、トラン
ジスタ46がオン動作する(第2図(h))。
In the level conversion circuit 4, a time constant circuit is configured with a resistor 42 and a capacitor 41, and the amplified and inverted input signal S2 is differentiated, and this differentiated signal and the bias voltage between the source and gate of the transistor 43 are The voltage 543c applied to the gate of the transistor 43 is the sum of
(Fig. 2 (e)) exceeds the threshold value vT of the transistor 43, the transistor 43 turns on (Fig. 2 [fl), ) The source (S) of the transistor 46 has a high voltage to be converted in level. A voltage vH1, for example, 100 VDC is applied, and due to the resistive voltage division of resistors 44 and 45,
A bias voltage is applied between the gate and source of the transistor 46. Due to the above-mentioned on/off operation of the transistor 43, the bias voltage changes, and the transistor 4
When the voltage S 46c applied to the gate of the transistor 6 falls below the threshold value of the transistor 46 (FIG. 2 (phantom)), the transistor 46 turns on (FIG. 2 (h)).

プッシュプル接続されたトランジスタ46がオン、トラ
ンジスタ3がオフのとき、両トランジスタ間から取り出
される出力5O1jTは高電圧vHとなり、その他はO
vである。この出力5OIITは入力信号SINと同相
である。これにより、論理回路動作の信号レベルの入力
信号SINが高電圧の出力5oulにレベル変換される
When the push-pull connected transistor 46 is on and the transistor 3 is off, the output 5O1jT taken out between both transistors becomes a high voltage vH, and the others are O
It is v. This output 5OIIT is in phase with the input signal SIN. As a result, the level of the input signal SIN of the logic circuit operation signal level is converted to the high voltage output 5oul.

第1図のレベル変換回路4において、時定数回路を構成
するキャパシタ41は、トランジスタ46を直接駆動す
るのではな(、トランジスタ43を介してトランジスタ
43のスイッチング動作によりトランジスタ46を駆動
しているから、従来のように高電圧vHが印加されるこ
とはない、従って、キャパシタ41は、高耐電圧を必要
とせず、論理回路動作の信号レベルに対する低耐電圧で
充分である。抵抗器42も同様に高電圧が印加されない
、従って、キャパシタ41を空乏層を用いて構成しIC
化することが容易となり、また大きな容量とすることが
できる。
In the level conversion circuit 4 shown in FIG. 1, the capacitor 41 constituting the time constant circuit does not directly drive the transistor 46 (it drives the transistor 46 by the switching operation of the transistor 43 via the transistor 43). , unlike the conventional case, high voltage vH is not applied. Therefore, the capacitor 41 does not require a high withstand voltage, and a low withstand voltage for the signal level of the logic circuit operation is sufficient.The same applies to the resistor 42. Therefore, the capacitor 41 is constructed using a depletion layer and the IC
This makes it easy to increase the capacity and increase the capacity.

またトランジスタ3は入力信号SINの動作に応答して
動作可能であり、トランジスタ46はトランジスタ43
のスイッチング動作で作動するから、高速動作が可能と
なる。
Further, the transistor 3 is operable in response to the operation of the input signal SIN, and the transistor 46 is operable in response to the operation of the input signal SIN.
Since it operates with a switching operation of 1, high-speed operation is possible.

第3図に、第6図に対応する回路に第1図の回路を適用
したパルス増幅回路を示す。
FIG. 3 shows a pulse amplification circuit in which the circuit of FIG. 1 is applied to the circuit corresponding to FIG. 6.

第3図のレベル変換回路4゛は第1図のレベル変換回路
4に対しトランジスタ46と並列に抵抗器47を付加し
ている。また、プッシュプル接続されたトランジスタ4
6,3との間に直列接続された抵抗器51およびダイオ
ード52から成る逆阻止回路5を設けている。該逆阻止
回路5はレベル変換された信号出力をフローティング状
態においても利用可能とするため設けられたものである
The level conversion circuit 4'' in FIG. 3 is different from the level conversion circuit 4 in FIG. 1 by adding a resistor 47 in parallel with a transistor 46. In addition, push-pull connected transistor 4
A reverse blocking circuit 5 consisting of a resistor 51 and a diode 52 connected in series is provided between the two. The reverse blocking circuit 5 is provided so that the level-converted signal output can be used even in a floating state.

レベル変換回路4°のトランジスタ46に印加される高
電圧VH2とパルス増幅回路内のダーリントン接続され
たトランジスタ61 、62に印加される高電圧V)I
tとの間には、一定の電圧差ΔV、例えばVH2= 1
20V、V)! 1= 100V1.’、AV=20V
を設けている。これは、トランジスタ62がオンし、ト
ランジスタ46がオンした場合、トランジスタ61のソ
ース・ゲート間のバイアス電圧を維持させるためのもの
である。レベル変換された高電圧VHIの出力信号S。
The high voltage VH2 applied to the transistor 46 of the level conversion circuit 4° and the high voltage V) I applied to the Darlington-connected transistors 61 and 62 in the pulse amplification circuit.
t, there is a constant voltage difference ΔV, for example VH2=1
20V, V)! 1=100V1. ', AV=20V
has been established. This is to maintain the bias voltage between the source and gate of the transistor 61 when the transistor 62 is turned on and the transistor 46 is turned on. Level-converted high voltage VHI output signal S.

l、、が出力される。l, , are output.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に述べたように本発明によれば、IC化に適したレ
ベル変換回路が得られる。
As described above, according to the present invention, a level conversion circuit suitable for IC implementation can be obtained.

また本発明によれば、高速動作可能なレベル変換回路が
得られる。
Further, according to the present invention, a level conversion circuit capable of high-speed operation is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例のレベル変換回路およびパルス
増幅回路の回路図、 第2図(al〜(1)は第1図回路の動作タイミング図
、第3図は本発明の他の実施例のレベル変換回路および
パルス増幅回路の回路図、 第4図は第1図に対応する従来の回路図、第5図(a)
〜(flは第4図回路の動作タイミング図、第6図は第
3図に対応する従来の回路図、である。 (符号の説明) 1 ・・・ 増幅器、 2 ・・・ TTLインバータ、 3 ・・・ 出力トランジスタ、 4 ・・・ レベル変換回路、 41 ・・・ キャパシタ、 42 ・・・ 抵抗器、 43 ・・・ 第1のトランジスタ、 44 、45・・・ 抵抗器、 46 ・・・ 第2のトランジスタ、 47 ・・・ 抵抗器、 5 ・・・ 逆阻止回路、 6 ・・・ ダーリントン回路、 7 ・・−ツェナーダイオード、 8〜10・・・ ダイオード。
FIG. 1 is a circuit diagram of a level conversion circuit and a pulse amplification circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 (al to (1) is an operation timing diagram of the circuit in FIG. A circuit diagram of an example level conversion circuit and a pulse amplification circuit, FIG. 4 is a conventional circuit diagram corresponding to FIG. 1, and FIG. 5(a)
~(fl is an operation timing diagram of the circuit in FIG. 4, and FIG. 6 is a conventional circuit diagram corresponding to FIG. 3. (Explanation of symbols) 1... Amplifier, 2... TTL inverter, 3 ... output transistor, 4 ... level conversion circuit, 41 ... capacitor, 42 ... resistor, 43 ... first transistor, 44, 45 ... resistor, 46 ... th 2 transistor, 47...resistor, 5...reverse blocking circuit, 6...darlington circuit, 7...-Zener diode, 8-10...diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、論理回路動作の信号レベルでオン・オフする入力信
号を受け入れるキャパシタおよび抵抗器から成る時定数
回路、 該時定数回路に印加された前記入力信号のオン・オフの
いずれか一方の変化に応答して論理回路動作の信号レベ
ルで動作する第1のスイッチング素子、および、 高電圧が印加され、第1のスイッチング素子の動作に応
答して動作し該高電圧を出力する第2のスイッチング素
子、 を具備する、レベル変換回路。
[Claims] 1. A time constant circuit consisting of a capacitor and a resistor that receives an input signal that turns on and off at the signal level of logic circuit operation, and whether the input signal applied to the time constant circuit is turned on or off. a first switching element that operates at a signal level for logic circuit operation in response to a change in one of the switching elements; and a first switching element to which a high voltage is applied and operates in response to the operation of the first switching element to output the high voltage A level conversion circuit comprising: a second switching element.
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